DE3738343C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE3738343C2 DE3738343C2 DE3738343A DE3738343A DE3738343C2 DE 3738343 C2 DE3738343 C2 DE 3738343C2 DE 3738343 A DE3738343 A DE 3738343A DE 3738343 A DE3738343 A DE 3738343A DE 3738343 C2 DE3738343 C2 DE 3738343C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- ceramic
- outer connection
- ceramic layer
- chip
- layer structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
- H05K1/186—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit manufactured by mounting on or connecting to patterned circuits before or during embedding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49822—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/647—Resistive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09009—Substrate related
- H05K2201/09127—PCB or component having an integral separable or breakable part
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10636—Leadless chip, e.g. chip capacitor or resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreis
substrats mit einer Keramikschichtstruktur mit einer Vielzahl von Keramik
schichten gemäß Oberbegriff des Hauptanspruches.
Zur Herstellung eines elektronischen Schaltkreises mit hoher Dichte und/oder
verschiedenartigen Funktionen ist es vorteilhaft, ein Schaltkreissubstrat anzu
geben, auf dem die verschiedenen elektronischen Bauteile aufgebracht sind, die
als elektrische Elemente, wie als Kondensatoren, Widerstände und Induktoren,
bestimmte Funktionen erfüllen, wobei als weitere Funktion das bloße Zusam
menhalten und Verbinden der elektronischen Bauteile hinzukommt. So ist bei
spielsweise ein Substrat, das aus einer Keramikvielschichtstruktur besteht, z. B.
ein Keramikvielschichtsubstrat, geeignet, die vorgenannten Erfordernisse zu er
füllen.
In einem Bericht mit dem Titel "Multilayer Ceramic Substrate" werden von Susu
mu Nishigaki in Electronic Ceramics, Band 16, (75), May 1985, ISSN 0387-7337, auf
den Seiten 61 bis 71, verschiedene Arten von Keramikmehrschichtstrukturen
vorgestellt. In diesem Bericht werden
die Keramikmehrschichtsubstrate nach dem Verfahren
ihrer Herstellung grob in solche unterteilt, die nach
dem "Naßverfahren" unter Verwendung von Rohkeramik
schichten, d. h. grünen bzw. ungebrannten Keramikschich
ten, und solche, die nach dem "Trockenverfahren" unter
Verwendung von gebrannten Keramikplatten hergestellt
werden. Man hat dann weiterhin die nach dem "Naßverfahren"
erhaltenen Mehrschichtsubstrate genauer in die "Grün
schicht-Mehrschichtsubstrate" und "Druckmehrschichtsub
strate" eingeteilt.
Man erhält das sog. "Grünschicht-Mehrschichtsubstrat" in der
Weise, daß man eine beliebige Vielzahl von Keramikgrün
schichten, auf die man dicke Filme aus einer dielektri
schen oder isolierenden Paste, einer Widerstandspaste
und/oder einer Leiterpaste gedruckt hat, herstellt,
laminiert, auf die Grünschichten einen Druck ausübt und
diese gemeinsam brennt. Ein solche Mehrschichtstruktur
kann mit Schaltkreiselementen, wie Kondensatoren,
Widerständen und Induktoren, gebildet werden.
Das sog. "Druckmehrschichtsubstrat" erhält man in der Weise,
daß man das Verfahren zur Herstellung einer Grünschicht,
auf die ein dicker Film aus einer Widerstandspaste
und/oder Leiterpaste gedruckt worden ist, beliebig
wiederholt, eine dielektrische oder isolierende Paste
darauf druckt, dieses trocknet und wieder nach Belieben
eine dielektrische oder isolierende Paste, eine
Widerstandspaste und/oder Leiterpaste aufdruckt.
Bei dem "Trockenverfahren" verwendet man eine gebrannte
Keramikplatte, bei der man das Auftragen eines Wider
standspastenfilms und/oder eines Leiterpastenfilms
darauf beliebig wiederholt, diese trocknet und brennt
und nach einem ähnlichen Verfahren eine Isolierschicht
aufbringt.
Die vorgenannten herkömmlichen Verfahren oder die dabei
erhaltenen Substrate bergen die folgenden Probleme,
welche zu lösen sind.
In einem nach dem "Trockenverfahren" erhaltenen Keramik
mehrschichtsubstrat aus dem "Grünschicht-Mehrschichtsub
strat" und dem "Druckmehrschichtsubstrat" liegen die
Grünschichten, der dielektrische oder isolierende
Pastenfilm, der Widerstandspastenfilm und/oder der
Leiterpastenfilm geschrumpft bzw. zusammengezogen und
deformiert vor, so daß es schwierig ist, die charakte
ristischen Sollwerte, wie den Kapazitäts
wert, den Widerstandswert und den Induktionswert, des
in dem Substrat ausgebildeten Kondensatorelements,
Widerstandselements bzw. Induktionselements zu erhalten.
Das Verfahren zur Herstellung des "Grünschicht-Mehrschicht
substrats" erfordert vor dem Brennen eine Druckbeaufschlagung,
so daß eine Deformation
stattfindet. Das "Naßverfahren" zur
Herstellung des Mehrschichtsubstrats erfordert ein
gleichzeitiges Brennen der Keramikgrünschichten mit dem
dielektrischen oder isolierenden Pastenfilm, dem Wider
standspastenfilm und/oder dem Leiterpastenfilm. Das
heißt also, daß der verwendete Widerstandspastenfilm
und/oder Leiterpastenfilm hohen Temperaturen
in einer Atmosphäre unter Brennbedingungen ausgesetzt
werden. Daraus folgt, daß das Keramikmaterial zur
Bildung der Keramikgrünschichten oder der dielektrische
Pastenfilm aus einem Material beschaffen sein muß, das
bei einer derartigen Temperatur in einer derartigen
Atmosphäre gebrannt werden kann, ohne daß sich die
Eigenschaften der Widerstandspaste und/oder Leiterpaste
verschlechtern, wodurch sich die Auswahl verwendbarer
Keramikmaterialien beträchtlich verringert. Ein Keramik
material, das bei relativ niedrigen Temperaturen gebrannt
werden kann, besitzt im allgemeinen eine geringe dielek
trische Konstante, so daß es schwierig ist, ein Konden
satorelement mit hoher Kapazität
herzustellen. Der Widerstandspastenfilm dagegen muß dem
Brennen des Keramikmaterials widerstehen können, so daß
es mit Schwierigkeiten verbunden ist, einen toleranzarmen vorgegebenen
Widerstand des das Widerstandselement bildenden Widerstands
zu erreichen.
Ein besonderes Problem des "Druckmehrschichtsubstrats"
ist darin zu sehen, daß sich die Ebenheit bzw. Flach
heit der Oberfläche, die bedruckt werden soll, nach und
nach verschlechtert, wenn das Bedrucken mit der dielektrischen
oder isolierenden Paste, der Widerstandspaste
und/oder der Leiterpaste wiederholt wird. Es ist daher
schwierig, die Anzahl der Schichten des Mehrschichtsub
strats zu erhöhen. Infolgedessen hat es sich als sehr
schwierig erwiesen, die Elektroden zur Ausbildung der
Kapazität in einem Kondensatorelement vielschichtig zu
gestalten, so daß es also schwierig ist, ein Kondensator
element mit großer Kapazität in dem Vielschichtsubstrat
zu bilden. Da sich weiterhin die zu bedruckende Oberfläche
nach und nach hinsichtlich ihrer Flachheit bzw. Ebenheit
verschlechtert, kann man die Lage und das Druckmuster
der Widerstandspaste und/oder Leiterpaste nicht entspre
chend dem Entwurf aufbringen. Es ist also auch in
diesem Punkt schwierig, einen Widerstandswert, einen
Kapazitätswert und einen Induktionswert
entsprechend dem Entwurf zu erhalten.
Bei dem "Naßverfahren" andererseits wird ein Druckschritt durchgeführt, der
sich ähnlich zu dem vorgenannten Verfahren zur Herstellung des "Druck
mehrschichtsubstrats" verhält, so daß man wieder einem Problem, das ähnlich dem
bereits angesprochenen Problem hinsichtlich des "Druckmehrschichtsubstrats"
ist, gegenübersteht.
Aus der EP-OS 01 99 635 ist es bereits bekannt, daß man in einer Keramikschicht
struktur eines Schaltkreissubstrats einen Hohlraum vorsehen kann, in dem ein
elektronisches Bauteil eingebracht werden kann, welches äußere Anschluß
elektroden aufweist, die mit elektrischen Verbindungseinrichtungen versehen
sind, von denen sich ein Teil in das Innere der Keramikstruktur erstreckt. Die
Herstellung dieser Schaltkreissubstrate erfolgt durch Ausbilden von ungebrann
ten oder grünen Keramikschichten, die mit den erforderlichen Durchgangslö
chern versehen werden und mit einer Wolfram oder Molybdän als metallenthal
tenden Paste zur Erzeugung von Leiterbahnen gedruckt, aufeinandergestapelt und
bei einer Temperatur von 1500°C gesintert werden. Anschließend wird dann der
integrierte Schaltkreis auf die Oberfläche aufgebracht und mit einer Abdeckung
überdeckt.
Aus dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 21, No. 4, September 1978. Sei
ten 1396 und 1397 ist ein mehrschichtiges Schaltkreissubstrat auf der Grundlage
von Kunststoff-Schichtpreßstoffplatten bekannt, welches Verbindungseinrich
tungen aus Kupfer aufweist, über welche ein chipartiges elektronisches Bauteil
angeschlossen und verbunden wird.
Gegenstand der EP-PS 00 27 017 ist ein Schaltkreissubstrat mit einer Keramik
schichtstruktur mit einer Vielzahl von Keramikschichten bekannt, die innere An
schlußkontakte zum Anschluß an ein chipartiges elektronisches Bauteil und äu
ßere Anschlußkontakte, welche mit den inneren Anschlußkontakten verbunden
sind zum direkten Kontakt mit der äußeren Verdrahtung dienen. Zur Herstellung
dieses Schaltkreissubstrats wird eine übliche Multilayer-Keramiktechnik ange
wandt, gemäß der ungebrannte grüne Keramikblätter gebildet, mit den erforderli
chen Leiterbahnen auf der Grundlage von Wolfram/Mangan, Molybdän/Mangan
oder Wolfram versehen, aufeinandergestapelt und bei 1600°C gesintert werden,
wonach das chipartige elektronische Bauteil in den freigelassenen Hohlraum
eingebracht und angeschlossen wird.
Die Herstellung von nichtreduzierenden Bauteilen ist
für Keramikschichtkondensatoren aus der US 44 51 869
und für Widerstände aus der DE-PS 21 58 781
bekannt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun darin, ein Verfahren zur Her
stellung eines Schaltkreissubstrats mit einer Keramikschichtstruktur mit einer
Vielzahl von Keramikschichten und einem Hohlraum angeordneten chipartigen
elektronischen Bauteilen anzugeben, welches bei möglichst reproduzierbaren elektrischen Eigenschaften eine verbesserte Leitungsverbin
dung zwischen dem chipartigen elektronischen Bauteil ermöglicht und eine ein
fache Herstellung erlaubt.
Diese Aufgabe wird gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Ver
fahrens gemäß Hauptanspruch. Die Unteransprüche betreffen bevor
zugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstandes.
Die erfindungsgemäß hergestellte Keramikmehrschichtstruktur enthält
ein zuvor hergestelltes diskretes chipartiges
elektronisches Bauteil und ermöglicht daher die folgenden
Vorteile: das chipartige elektronische Bauteil selbst
wird während des Brennens und des vorgeschalteten
Druckauflegens zur Herstellung der Keramikschichtstruktur
nicht wesentlich deformiert, so daß beispielsweise der
mit dem chipartigen elektronischen Bauteil erreichte
Kapazitätswert, der Widerstandswert
oder der Induktionswert im wesentlichen im Einklang mit
dem Entwurf gehalten werden kann. Die Keramikschichtstruk
tur besitzt weiterhin einen Hohlraum, worin sich das
chipartige elektronische Bauteil befindet, so daß sich
die Hauptoberfläche der Keramikschichtstruktur dadurch,
daß das chipartige elektronische Bauteil (in der Struktur)
enthalten ist, im Hinblick auf ihre Flachheit bzw.
Ebenheit nicht verschlechtert. Die Anzahl der Schichten
der Schichtstruktur kann daher problemlos erhöht werden.
Eine Vielzahl von chipartigen elektronischen Bauteilen
kann weiterhin beliebig dreidimensional in die Schicht
struktur integriert werden, währenddem die bereits
schon angesprochene Flachheit bzw. Ebenheit der Haupt
oberfläche erhalten bleibt. Das chipartige elektronische
Bauteil kann, falls notwendig, so angeordnet werden,
daß es vollständig im Inneren der Keramikschichtstruktur
eingebettet ist, wodurch eine Verbesserung des Umgebungs
widerstandes, wie des Feuchtigkeitswiderstands, des
chipartigen elektronischen Bauteils erreicht werden
kann. Weiterhin kann man durch eine Keramikschichtka
pazität eine große Kapazität erhalten, wenn
man aus einem chipartigen elektronischen Bauteil
einen Kondensator bildet.
Die äußeren Anschlußelektroden des chipartigen elektro
nischen Bauteils bestehen dabei aus einem
Metall, das hauptsächlich mindestens eines der Elemente
Nickel, Kupfer und Palladium umfaßt, währenddem die
elektrischen Verbindungseinrichtungen aus einem Metall
hergestellt sind, das hauptsächlich aus Kupfer besteht.
Diese Materialien hat man aus folgenden Gründen ge
wählt: Äußere Anschlußelektroden von chipartigen elek
tronischen Bauteilen sind bisher im allgemeinen aus
Silber hergestellt worden. Wenn jedoch die äußere
Anschlußelektrode aus Silber und die elektrische Ver
bindungseinrichtung aus Kupfer, die mit der äußeren
Anschlußelektrode verbunden werden soll, einer hohen
Temperatur ausgesetzt werden, so kommt es an der Kon
taktstelle zwischen dem Silber und Kupfer zu einer
eutektischen Reaktion, wobei sich eine eutektische
Legierung bildet, die einen extrem niedrigen Schmelzpunkt
besitzt. Das hat zur Folge, daß die in der Kontaktstelle
gebildete eutektische Legierung zwischen der äußeren
Anschlußelektrode und der elektrischen Verbindungsein
richtung herausfließt, was zu einem ungenügenden elek
trischen Kontakt zwischen der äußeren Anschlußelektrode
und der elektrischen Verbindungseinrichtung führt. Wenn
jedoch die äußere Anschlußelektrode und die elektrische
Verbindungseinrichtung aus einem im wesentlichen iden
tischen Metall, nämlich Kupfer, her
gestellt sind, kommt es zu keinem Herausfließen
des Metalls in der Kontaktstelle zwischen der äußeren
Anschlußelektrode und der elektrischen Verbindungsein
richtung.
Wenn die äußere Anschlußelektrode andererseits aus
einem Metall, das anstatt des Kupfers hauptsächlich
aus Nickel oder Palladium besteht, hergestellt ist, so
wird die Schmelztemperatur in der Kontaktstelle zwischen
der äußeren Anschlußelektrode und der elektrischen
Verbindungseinrichtung nicht erniedrigt, da Nickel oder
Palladium und Kupfer eine vollständige Legierung des
Fest-Flüssig-Systems ausbilden. Demzufolge fließt kein
Metall aus der Kontaktstelle zwischen der äußeren
Anschlußelektrode und der elektrischen Verbindungsein
richtung, ähnlich wie im bereits beschriebenen Fall der
aus Kupfer bestehenden Anschlußelektrode heraus, so daß
ein genügender Kontakt in der Kontaktstelle gewährleistet
ist.
Die Erfindung sei im folgenden näher unter Bezugnahme
auf die beigefügten Zeichnungen erläutert. In den
Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine vergrößerte Schnittansicht eines nach dem Verfahren der Erfindung hergestellten Schalt
kreissubstrats;
Fig. 2 ein entsprechendes Schaltkreisdiagramm gemäß
des in Fig. 1 gezeigten Schaltkreissubstrates
und
Fig. 3 eine Explosionsteildarstellung des Zusammen
baus des in Fig. 1 gezeigten Schaltkreissub
strats.
Betrachtet man Fig. 1, so muß bemerkt werden, daß Dimension
des Schaltkreissubstrats 1 in senkrechter Rich
tung beträchtlich vergrößert dargestellt ist im Vergleich zu der
dazu senkrecht verlaufenden Längsrichtung. Das Schaltkreis
substrat 1 umfaßt eine Keramikschichtstruktur 10 mit
einer Vielzahl von Keramikschichten 2, 3, 4, 5, 6 und 7
und einer ersten und zweiten Hauptoberfläche 8 und 9,
die gegenüberliegend angeordnet sind.
Die Keramikschichtstruktur 10 weist eine Vielzahl von
elektrischen Verbindungsdurchgängen 11, 12, 13 und 14
auf, die durch Durchgangslöcher
in den Keramikschichten 2 bis 6 gebildet sind, so daß
sich Leiter 15, 16, 17 und 18 in den elektrischen
Verbindungsdurchgängen 11, 12, 13 bzw. 14 ausbilden.
Ein Leiter 19 befindet sich entlang der Grenzfläche
zwischen den Keramikschichten 6 und 7 und ist elektrisch
mit dem Leiter 15 verbunden. Ein anderer Leiter 20
befindet sich entlang der Grenzfläche zwischen den
Keramikschichten 3 und 4 und ist mit dem Leiter 16
elektrisch verbunden. Die Schaltkreismuster 21 und 22
sind auf der ersten Hauptoberfläche 8 der Keramikschicht
struktur 10 ausgebildet. Das Schaltkreismuster 21 ist
mit dem Leiter 15 elektrisch verbunden, während das
Schaltkreismuster 22 in der Regel mit den Leitern 17
und 18 verbunden ist.
Die Keramikschichtstruktur 10 beinhaltet weiterhin die
Zwischenräume 23, 24 und 25,
die in den Keramikschichten 3 bis 6
zur Aufnahme von beispielsweise chipartiger passiver
elektronischer Bauteile ausgebildet sind. Gemäß einer
Ausführungsform nehmen diese Hohlräume 23 und 24 die
Keramikschichtkondensatoren 26 bzw. 27 auf, währenddem
der Zwischenraum 25 einen chipartigen Widerstand 28
aufnimmt. Der Keramikschichtkondensator 26 weist eine
äußere Anschlußelektrode 29, die mit dem Leiter 19
elektrisch verbunden ist, und eine andere äußere Anschluß
elektrode 30, die mit dem Leiter 16 elektrisch verbunden
ist, auf. Der Keramikschichtkondensator 27 besitzt eine
äußere Anschlußelektrode 31, die mit dem Leiter 20
elektrisch verbunden ist, sowie eine andere äußere
Anschlußelektrode 32, die mit dem Leiter 17 elektrisch
verbunden ist. Der Widerstand 28 weist eine äußere
Anschlußelektrode 33, die mit dem Leiter 18 elektrisch
verbunden ist, sowie eine äußere Anschlußelektrode 34,
die mit dem Leiter 19, elektrisch verbunden ist, auf.
Das in Fig. 1 gezeigte Schaltkreissubstrat bildet daher
den in Fig. 2 gezeigten Schaltkreis zwischen den
Schaltkreismustern 21 und 22.
Es soll nun hauptsächlich unter Bezugnahme von Fig. 3
das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des in
Fig. 1 gezeigten Schaltkreissubstrats beschrieben wer
den. Als Keramikschichten 2 bis 7 verwendet man die
Keramik-Grünschichten, d. h. die ungebrannten Keramik
schichten oder -blätter 102, 103, 104, 105, 106 und
107, die man bei niedrigen Temperaturen in einer reduzie
renden Atmosphäre sintern kann. Die Grünschichten 102
bis 106 werden in der Weise hergestellt, daß sie an den
entsprechenden Stellen die Durchgangslöcher 35 bis 39
aufweisen, die zusammen so ausgerichtet sind, daß sie
den schon vorher beschriebenen elektrischen Verbindungs
durchgang 11 bilden. Das Grünblatt 104 stellt man mit
einem Durchgangsloch 40 her, um somit den schon beschrie
benen elektrischen Verbindungsdurchgang 12 zu bilden.
Man versieht die Grünschicht 102 unter Bildung des
elektrischen Verbindungsdurchgangs 13 mit einem Durchgangs
loch 41. Man stellt die Grünblätter 102 und 103 in der
Weise her, daß sich an den entsprechenden Stellen die
Durchgangslöcher 42 und 43 befinden, die zusammen so
ausgerichtet sind, daß sie den elektrischen Verbindungs
durchgang 14 bilden.
Man stellt die Grünblätter 105 und 106 mit dadurch
senkrecht verlaufenden Löchern her, so daß sich die
Hohlräume 44 und 45 bilden, die zusammen so ausgerichtet
sind, daß sie den schon erwähnten Zwischenraum 23
bilden. Man stellt das Grünblatt 103 mit einem dadurch
senkrecht verlaufenden Loch her, um somit den Hohlraum
46 zu bilden, der wiederum den bereits schon erwähnten
Zwischenraum 24 bildet. Man stellt die Grünschichten
104, 105 und 106 mit dadurch senkrecht verlaufenden
Löchern her, um somit die Hohlräume 47, 48 und 49 zu
bilden, die miteinander in der Weise angeordnet sind,
daß sie den schon angesprochenen Zwischenraum 25 bilden.
Die Leiterpastenteile 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57
und 58, die ein Metall enthalten, das hauptsächlich aus
Kupfer besteht, werden in die betreffenden Durchgangs
löcher 35 bis 43, die in den Grünschichten 102 bis 106
ausgebildet sind, eingebettet. Das Leiterpastenteil 50
wird in der Weise ausgebildet, daß man die Leiterpaste
unter Ausdehnung zur Hauptoberfläche der Grünschicht
102 aufdruckt, um somit gleichzeitig das schon erwähnte
Schaltkreismuster 21 herzustellen. Das Leiterpastenteil
55 trägt man in der Weise auf, daß man die Leiterpaste
unter Ausdehnung zu einer Hauptoberfläche der Grünschicht
104 aufdruckt, um somit gleichzeitig den bereits ge
nannten Leiter 20 zu bilden. Die Leiterpastenteile 56
und 57 werden in der Weise aufgebracht, daß man die
Leiterpaste unter Ausdehnung zu einer Hauptoberfläche
der Grünschicht 102 aufdrückt, um somit gleichzeitig
das bereits schon erwähnte Schaltkreismuster 22 zu bil
den. Das Leiterpastenteil 59 druckt man auf eine Haupt
oberfläche der Grünschicht 107 unter Bildung des schon
genannten Leiters 19 auf.
Die Keramikschichtkondensatoren 26 und 27 und den
Widerstand 28 (aus Widerstandsfilm 62 und Keramiksubstrat 61) stellt man andererseits aus vorgefertig
ten Teilen her. Diese Elemente setzt man beispielsweise
in die vorbestimmten Hohlräume 44 bis 49, zumindest
bevor man die Hohlräume 44 bis 49 zur regelmäßigen
Schichtbildung der Grünschichten 102 bis 107 verschließt,
ein. Die Schichtanordnung der Grünschichten 102 bis 107
ist in Fig. 3 gezeigt. Man setzt sie dann unter Druck
und brennt in einer reduzierenden Atmosphäre bei einer
relativ niedrigen Temperatur. Man erhält dann das in
Fig. 1 gezeigte Schaltkreissubstrat.
In der vorgenannten Ausführungsform sind die Leiter 15
bis 20 , die als elektrische Verbindungseinrichtungen
dienen, aus einem Metall gebildet, das hauptsächlich
aus Kupfer besteht. Die äußeren Anschlußelektroden 29
bis 34 sind aus einem Metall gebildet, das hauptsäch
lich aus mindestens einem der Elemente Nickel, Kupfer
und Palladium besteht. Wie man teilweise aus Fig. 3
entnehmen kann, ist die innere Elektrode 60 des Keramik
schichtkondensators 26 aus einem Metall gebildet, das
hauptsächlich aus mindestens einem der Elemente Nickel,
Kupfer und Palladium besteht. Der Widerstand 28 wird
hergestellt, indem man einen Widerstandsfilm 62 aus
einem Widerstandsbestandteil auf einem Keramiksubstrat
61 aufbringt und die äußeren Anschlußelektroden 33 und
34 mit beiden Enden des Widerstandsfilms 62 verbindet.
Man stellt die Grünschichten 102 bis 107 aus einem Ke
ramikmaterial her, das man bei niedrigen Temperaturen
in einer reduzierenden Atmosphäre sintern kann, welches
in Electronic Ceramics, Band 16, (74),
März 1985, auf den Seiten 18 bis 19 beschrieben ist.
Als Ausgangssubstanzen verwendet man Al₂O₃-, CaO-,
SiO₂-, MgO-, B₂O₃-Keramikpulver und kleinere Mengen an
Additiven. Diese Keramikpulver vermischt man mit einem
Bindemittel und formt beispielsweise mit einem Abstreich
messer Lagen mit einer Dicke von 200 µm und erhält
somit die Grünschichten 102 bis 107. Dielektrische
Eigenschaften bleiben in den auf diese Weise hergestellten
Grünschichten 102 bis 107 erhalten, auch wenn man sie
in einer reduzierenden Atmosphäre, wie in einer Stickstoff
atmosphäre, brennt. Man sintert dann die Grünschichten
102 bis 107 bei einer relativ niedrigen Temperatur von
etwa 900 bis 1000°C.
Die in den Keramikschichtkondensatoren 26 und 27 ent
haltenden Dielektrika werden aus einem nichtreduzie
renden Keramikmaterial gebildet. Bei den nachfolgend
beschriebenen Zusammensetzungen handelt es sich um
solche nichtreduzierenden dielektrischen Keramikzusammen
setzungen.
- (1) Nichtreduzierende dielektrische Keramikzusammen
setzungen in dielektrischen Bariumtitanat-Keramik
zusammensetzungen der folgenden Summenformel:
{(Ba1-xCaz)O}m · (Ti1-yZry)O₂,worin m, x und y auf folgende Bereiche begrenzt
sind:1,005 ≦ m ≦ 1,03,
0,02 ≦ x ≦ 0,22 und
0 < y ≦ 0,20. - (2) Nichtreduzierende dielektrische Keramikzusammen
setzung in dielektrischen Bariumtitanat-Keramikzu
sammensetzungen der folgenden Summenformel:
{(Ba1-x-yCaxSry)O}m · TiO₂,worin m, x bzw. y in folgenden Bereichen liegen:1,005 ≦ m ≦ 1,03,
0,02 ≦ x ≦ 0,22 und
0,05 ≦ y ≦ 0,35. - (3) Nichtreduzierende dielektrische Keramikzusammen
setzungen in dielektrischen Bariumtitanat-Keramik
zusammensetzungen der folgenden Summenformel:
{(Ba1-x-yCaxSry)O}m · (Ti1-zZrz)O2,worin m, x, y bzw. z in folgenden Bereichen liegen:1,005 ≦ m ≦ 1,03,
0,02 ≦ x ≦ 0,22,
0,05 ≦ y ≦ 0,35 und
0,00 < z ≦ 0,20. - (4) Nichtreduzierende dielektrische Keramikzusammen
setzungen aus CaZrO₃ und MnO₂ der folgenden allge
meinen Formel:
CaxZrO3 + yMnO2,worin x von CaxZrO3 in den nachfolgend beschriebenen
Bereichen liegt und MnO₂ (=y) den folgenden Gewichts
bereich einnimmt, wenn das Gewicht von CaxZrO3
1,00 beträgt:0,85 ≦ x ≦ 1,30
0,05 ≦ y ≦ 0,08 (Gewichtsanteil) - (5) Nichtreduzierende dielektrische Keramikzusammen
setzungen aus (BaCa)ZrO₃ und MnO₂ der folgenden
allgemeinen Formel:
(BaxCa1-x)yZrO3 + zMnO2,worin x und y von (BaxCa1-x)yZrO3 in den folgenden
Bereichen liegt und MnO₂ (=z) das folgende Gewichts
verhältnis einnimmt, wenn das Gewicht von
(BaxCa1-x)yZrO3 1,00 beträgt:0 < x ≦ 0,20
0,85 ≦ y ≦ 1,30
0,005 ≦ z ≦ 0,08 (Gewichtsverhältnis).
In der US-Patentschrift 44 51 869 wird das obige nicht
reduzierende Keramikmaterial und auch eine Methode zur
Herstellung eines Keramikschichtkondensators unter
Verwendung eines solchen nicht reduzierenden Keramik
materials beschrieben. Die Keramikschichtkondensatoren
26 und 27 sind mit den Dielektrika aus nichtreduzie
rendem Keramikmaterial in der Weise hergestellt worden,
daß die Kondensatoren 26 und 27 ihre charakteristischen
Eigenschaften nicht verlieren, wenn sie sogar während
des Brennens der Grünblätter 102 bis 107 in eine redu
zierende Atmosphäre gebracht werden.
Man bildet den Widerstandsfilm 62 des Widerstands 28
mit einem nichtreduzierenden Widerstandsbestandteil.
Ein solches nichtreduzierendes Widerstandsbestandteil
kann man vorteilhafterweise z. B. nach der Methode, wie
sie in der deutschen Patentschrift 21 58 781 beschrieben
ist, herstellen. Gemäß dieser Patentschrift besteht der
nichtreduzierende Widerstandsbestandteil des Widerstands
materials beispielsweise aus Bor-Lanthan oder Bor-Yttrium
und nichtreduzierendem Glas. Diese nichtreduzierenden
Widerstandsbestandteile bringt man auf das Keramiksub
strat 61 auf und brennt dann in einer reduzierenden
Atmosphäre und erhält dann schließlich den gewünschten
Widerstand 28. Eine Veränderung der Eigenschaften tritt
nicht ein, wenn man diesen Widerstand 28 verwendet, und
selbst auch dann nicht, wenn man ihn während des Bren
nens der Grünschichten 102 bis 107 einer reduzierenden
Atmosphäre aussetzt.
Obwohl die äußeren Anschlußelektroden 29 bis 34 aus
einem Metall gebildet sind, das hauptsächlich aus min
destens einem der Elemente Nickel, Kupfer und Palladium
besteht, und die Leiter 15 bis 20, die als elektrische
Verbindungsvorrichtungen dienen, aus einem Metall ge
bildet sind, das hauptsächlich gemäß der obigen Ausfüh
rungsform aus Kupfer besteht, können andere Metalle,
wie Platin, Silber, Nickel, Palladium und dergleichen
in einer Menge hinzugefügt werden, daß die Eigenschaf
ten des Nickels, Kupfers oder Palladiums nicht beein
trächtigt werden. Dieses trifft ebenfalls auf die
innere Elektrode 60 zu.
Man bildet die äußeren Anschlußelektroden 29 bis 34 in
der Weise, daß man eine das oben beschriebene Metall
enthaltende Paste auf die Körper der chipartigen elek
tronischen Bauteile 26 bis 28 aufbringt und diese
brennt. Der Brennvorgang zur Herstellung der äußeren
Anschlußelektroden 29 bis 34 kann gleichzeitig mit dem
Brennen der Grünschichten 102 bis 107 durchgeführt
werden. Das heißt also, daß die äußeren Anschlußelek
troden 29 bis 34 auf den Keramikschichtkondensatoren 26
und 27 und dem Widerstand 28 bereits vorgesintert sein
können, wenn diese Elemente in die Hohlräume 44 bis 49
während des Schichtaufbaus der Grünschichten 102 bis
107 eingesetzt werden.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines Schaltkreissubstrats mit einer Keramik
schichtstruktur mit einer Vielzahl von Keramikschichten, die eine erste Kera
mikschicht mit einem Hohlraum aufweisen, und einer ersten und zweiten Haupt
oberfläche, die einander gegenüberliegend angeordnet sind, mit einem in dem Hohl
raum angeordneten chipartigen elektronischen Bauteil mit äußeren Anschluß
elektroden und mit den äußeren Anschlußelektroden verbundenen elektrischen
Verbindungseinrichtungen, von denen sich ein Teil in das Innere der Keramik
schichtstruktur erstreckt, dadurch gekennzeichnet, daß man eine Vielzahl von
ungebrannten Keramikschichten ,
die man bei niedrigen Temperaturen in einer redu
zierenden Atmosphäre sintern kann, an den gewünschten Stellen mit Durch
gangslöchern, die zusammen derart ausgerichtet sind, daß sie einen Verbin
dungsdurchgang bilden, und mit senkrecht verlaufenden Löchern, welche den
Hohlraum bilden, versieht, eine hauptsächlich Kupfer als Metall enthaltende
Leiterpaste in die Durchgangslöcher unter Ausdehnung zu einer Hauptoberfläche
der Keramikschichten einbringt und entsprechend dem angestrebten Schalt
kreismuster auf einer Hauptoberfläche aufdruckt, die Vielzahl der ungebrannten
Keramikschichten unter Einbringen eines chipartigen elektronischen Bauteils
aus nichtreduzierenden Bestandteilen,
dessen äußere Anschlußelektroden aus einem Metall gebildet sind, das haupt
sächlich aus mindestens einem der Elemente Nickel, Kupfer und Palladium be
steht, in den Hohlraum zu der gewünschten Keramikschichtstruktur zusammen
fügt und unter Druck laminiert und die Keramikschichtstruktur in einer reduzie
renden Atmosphäre bei einer Temperatur von 900° bis 1000°C brennt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die äußeren
Anschlußelektroden des chipartigen elektronischen Bauteils durch Aufbringen
einer das entsprechende Metall enthaltenden Paste und Brennen ausbildet.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Brennvor
gang gleichzeitig mit dem Brennen der ungebrannten Keramikschichten erfolgt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269238A JPS63122295A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 電子部品内蔵多層セラミツク基板 |
JP62002428A JPS63169798A (ja) | 1987-01-07 | 1987-01-07 | 電子部品内蔵多層セラミツク基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3738343A1 DE3738343A1 (de) | 1988-05-26 |
DE3738343C2 true DE3738343C2 (de) | 1991-07-11 |
Family
ID=26335788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873738343 Granted DE3738343A1 (de) | 1986-11-12 | 1987-11-11 | Schaltkreissubstrat |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4800459A (de) |
DE (1) | DE3738343A1 (de) |
GB (1) | GB2197540B (de) |
Families Citing this family (59)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4878155A (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-31 | Conley Larry R | High speed discrete wire pin panel assembly with embedded capacitors |
JPH02148862A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-07 | Hitachi Ltd | 回路素子パッケージ、キャリヤ基板および製造方法 |
US5061686A (en) * | 1989-05-15 | 1991-10-29 | Hewlett-Packard Company | Superconducting power distribution structure for integrated circuits |
US4949217A (en) * | 1989-06-23 | 1990-08-14 | General Electric Company | Multilayer capacitor suitable for substrate integration and multimegahertz filtering |
US5157477A (en) * | 1990-01-10 | 1992-10-20 | International Business Machines Corporation | Matched impedance vertical conductors in multilevel dielectric laminated wiring |
US5177670A (en) * | 1991-02-08 | 1993-01-05 | Hitachi, Ltd. | Capacitor-carrying semiconductor module |
US5111277A (en) * | 1991-03-29 | 1992-05-05 | Aegis, Inc. | Surface mount device with high thermal conductivity |
US5188985A (en) * | 1991-03-29 | 1993-02-23 | Aegis, Inc. | Surface mount device with high thermal conductivity |
US5144526A (en) * | 1991-08-05 | 1992-09-01 | Hughes Aircraft Company | Low temperature co-fired ceramic structure containing buried capacitors |
US5396397A (en) * | 1992-09-24 | 1995-03-07 | Hughes Aircraft Company | Field control and stability enhancement in multi-layer, 3-dimensional structures |
JP3461204B2 (ja) | 1993-09-14 | 2003-10-27 | 株式会社東芝 | マルチチップモジュール |
DE19609221C1 (de) * | 1996-03-09 | 1997-08-07 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung von keramischen Mehrschichtsubstraten |
WO1997047567A1 (en) * | 1996-06-14 | 1997-12-18 | Philips Electronics N.V. | Ceramic multilayer capacitor |
US5889445A (en) * | 1997-07-22 | 1999-03-30 | Avx Corporation | Multilayer ceramic RC device |
US6241838B1 (en) * | 1997-09-08 | 2001-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a multi-layer ceramic substrate |
US6038133A (en) * | 1997-11-25 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module and method for producing the same |
US6160714A (en) * | 1997-12-31 | 2000-12-12 | Elpac (Usa), Inc. | Molded electronic package and method of preparation |
JP2004506309A (ja) * | 1997-12-31 | 2004-02-26 | エルパック(ユーエスエー)、インコーポレイテッド | モールドされた電子パッケージ、製作方法およびシールディング方法 |
US6228196B1 (en) * | 1998-06-05 | 2001-05-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of producing a multi-layer ceramic substrate |
US6456502B1 (en) | 1998-09-21 | 2002-09-24 | Compaq Computer Corporation | Integrated circuit device/circuit board connection apparatus |
US6525628B1 (en) | 1999-06-18 | 2003-02-25 | Avx Corporation | Surface mount RC array with narrow tab portions on each of the electrode plates |
KR100823767B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2008-04-21 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 프린트배선판의 제조방법 |
KR101084525B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2011-11-18 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
JP2001257471A (ja) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Ngk Insulators Ltd | 多層配線基板及びその製造方法 |
US6407929B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-06-18 | Intel Corporation | Electronic package having embedded capacitors and method of fabrication therefor |
US6624500B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-09-23 | Kyocera Corporation | Thin-film electronic component and motherboard |
US6800815B1 (en) * | 2001-01-16 | 2004-10-05 | National Semiconductor Corporation | Materials and structure for a high reliability bga connection between LTCC and PB boards |
US6621012B2 (en) * | 2001-02-01 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Insertion of electrical component within a via of a printed circuit board |
JP2002246503A (ja) * | 2001-02-16 | 2002-08-30 | Philips Japan Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
US6545346B2 (en) * | 2001-03-23 | 2003-04-08 | Intel Corporation | Integrated circuit package with a capacitor |
US7253091B2 (en) * | 2001-09-28 | 2007-08-07 | Hrl Laboratories, Llc | Process for assembling three-dimensional systems on a chip and structure thus obtained |
US6974604B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-12-13 | Hrl Laboratories, Llc | Method of self-latching for adhesion during self-assembly of electronic or optical components |
US6963493B2 (en) * | 2001-11-08 | 2005-11-08 | Avx Corporation | Multilayer electronic devices with via components |
US6985349B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
US20030112710A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-19 | Eidson John C. | Reducing thermal drift in electronic components |
US6768650B2 (en) * | 2002-02-07 | 2004-07-27 | International Business Machines Corporation | Method and structure for reduction of impedance using decoupling capacitor |
US6711029B2 (en) * | 2002-05-21 | 2004-03-23 | Cts Corporation | Low temperature co-fired ceramic with improved shrinkage control |
JP2005534606A (ja) | 2002-08-02 | 2005-11-17 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | セラミック基板の製造方法 |
US6844505B1 (en) * | 2002-11-04 | 2005-01-18 | Ncr Corporation | Reducing noise effects in circuit boards |
US20040145441A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Arnett David W. | Inductor with resistive termination |
WO2005008733A2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-27 | Avx Corporation | Modular electronic assembly and method of making |
KR100853144B1 (ko) * | 2004-09-03 | 2008-08-20 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 칩형 전자부품을 탑재한 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
JP3928665B2 (ja) | 2004-09-13 | 2007-06-13 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品内蔵型多層基板及びその製造方法 |
WO2006046461A1 (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | チップ型電子部品を内蔵した多層基板及びその製造方法 |
JP4310468B2 (ja) * | 2004-10-29 | 2009-08-12 | 株式会社村田製作所 | セラミック多層基板及びその製造方法 |
KR100691146B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 적층형 캐패시터 및 적층형 캐패시터가 내장된 인쇄회로기판 |
US7095602B1 (en) * | 2005-06-29 | 2006-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Ceramic structure and nonreciprocal circuit device |
WO2009034834A1 (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック多層基板及びその製造方法 |
US8064214B2 (en) * | 2008-01-04 | 2011-11-22 | Dialogic Corporation | Press fit passive component |
US9450556B2 (en) | 2009-10-16 | 2016-09-20 | Avx Corporation | Thin film surface mount components |
CN106688067B (zh) * | 2014-09-03 | 2019-06-07 | 株式会社村田制作所 | 陶瓷电子部件及其制造方法 |
JP2016207940A (ja) * | 2015-04-27 | 2016-12-08 | イビデン株式会社 | 電子部品内蔵配線板及びその製造方法 |
WO2016189609A1 (ja) * | 2015-05-25 | 2016-12-01 | オリンパス株式会社 | 立体配線板および立体配線板の製造方法 |
US9839131B2 (en) * | 2015-10-21 | 2017-12-05 | International Business Machines Corporation | Embedding a discrete electrical device in a printed circuit board |
US9986633B2 (en) * | 2016-06-16 | 2018-05-29 | International Business Machines Corporation | Embedding discrete components having variable dimensions in a substrate |
WO2021146270A2 (en) * | 2020-01-17 | 2021-07-22 | Kemet Electronics Corporation | Component assemblies and embedding for high density electronics |
DE102020205043B4 (de) * | 2020-04-21 | 2024-07-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiterbauelementanordnung oder Leistungshalbleiterbauelementeinhausung |
CN114172115A (zh) * | 2021-11-24 | 2022-03-11 | 上海宝宫实业有限公司 | 一种基于叠层技术的电路保护元件 |
CN115692359A (zh) * | 2022-10-08 | 2023-02-03 | 华为数字能源技术有限公司 | 一种埋入式封装结构、电源装置及电子设备 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2777110A (en) * | 1952-10-07 | 1957-01-08 | Sprague Electric Co | Miniature high dielectric multicapacitor unit |
GB1162759A (en) * | 1966-05-09 | 1969-08-27 | Motorola Inc | Monolithic Integrated Circuit |
US3699394A (en) * | 1971-11-01 | 1972-10-17 | Powercube Corp | Modular circuit package with enhanced heat dissipation |
US3784878A (en) * | 1972-07-06 | 1974-01-08 | Gte Automatic Electric Lab Inc | Matrix assembly |
US4142203A (en) * | 1976-12-20 | 1979-02-27 | Avx Corporation | Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit |
US4225468A (en) * | 1978-08-16 | 1980-09-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Temperature coefficient of resistance modifiers for thick film resistors |
US4585580A (en) * | 1978-08-16 | 1986-04-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film copper compatible resistors based on hexaboride conductors and nonreducible glasses |
GB2044568B (en) * | 1979-03-13 | 1983-02-23 | Hull Corp | Construction of delay network |
JPS5615059U (de) * | 1979-07-11 | 1981-02-09 | ||
US4288841A (en) * | 1979-09-20 | 1981-09-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Double cavity semiconductor chip carrier |
JPS5651846A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Fujitsu Ltd | Ic package |
US4320438A (en) * | 1980-05-15 | 1982-03-16 | Cts Corporation | Multi-layer ceramic package |
US4417392A (en) * | 1980-05-15 | 1983-11-29 | Cts Corporation | Process of making multi-layer ceramic package |
US4349862A (en) * | 1980-08-11 | 1982-09-14 | International Business Machines Corporation | Capacitive chip carrier and multilayer ceramic capacitors |
US4535350A (en) * | 1981-10-29 | 1985-08-13 | National Semiconductor Corporation | Low-cost semiconductor device package and process |
US4451845A (en) * | 1981-12-22 | 1984-05-29 | Avx Corporation | Lead frame device including ceramic encapsulated capacitor and IC chip |
US4608592A (en) * | 1982-07-09 | 1986-08-26 | Nec Corporation | Semiconductor device provided with a package for a semiconductor element having a plurality of electrodes to be applied with substantially same voltage |
DE3382208D1 (de) * | 1982-12-15 | 1991-04-18 | Nec Corp | Monolithisches vielschichtkeramiksubstrat mit mindestens einer dielektrischen schicht aus einem material mit perovskit-struktur. |
JPS59134852A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-08-02 | Hitachi Ltd | 集積回路パツケ−ジ |
JPS59184511A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | 株式会社村田製作所 | セラミツク積層コンデンサ |
US4567542A (en) * | 1984-04-23 | 1986-01-28 | Nec Corporation | Multilayer ceramic substrate with interlayered capacitor |
US4521449A (en) * | 1984-05-21 | 1985-06-04 | International Business Machines Corporation | Process for forming a high density metallurgy system on a substrate and structure thereof |
FR2565032B1 (fr) * | 1984-05-25 | 1987-02-20 | Inf Milit Spatiale Aeronaut | Dispositif de repartition de potentiel electrique et boitier de composant electronique incorporant un tel dispositif |
JPS61239649A (ja) * | 1985-04-13 | 1986-10-24 | Fujitsu Ltd | 高速集積回路パツケ−ジ |
-
1987
- 1987-11-04 GB GB8725867A patent/GB2197540B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-11 DE DE19873738343 patent/DE3738343A1/de active Granted
- 1987-11-12 US US07/119,674 patent/US4800459A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3738343A1 (de) | 1988-05-26 |
GB2197540A (en) | 1988-05-18 |
US4800459A (en) | 1989-01-24 |
GB8725867D0 (en) | 1987-12-09 |
GB2197540B (en) | 1991-04-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3738343C2 (de) | ||
DE69835659T2 (de) | Mehrschichtiges keramisches Substrat mit einem passiven Bauelement, sowie Herstellungsverfahren | |
DE68923468T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtschaltungen. | |
EP0016307B1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen glaskeramischen Struktur mit innen liegenden Versorgungsleitungen auf Kupferbasis | |
DE60011515T2 (de) | Herstellung von Keramiksubstraten und ungesintertes Keramiksubstrat | |
DE69931846T2 (de) | Herstellungsmethode eines Mehrlagensubstrates | |
DE3889614T2 (de) | Keramischer Mehrschichtkondensator. | |
DE10042909C2 (de) | Mehrlagiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE69837134T2 (de) | Herstellung eines mehrschichtigen keramischen Substrats mit einem passiven Bauelement | |
DE3612084C2 (de) | ||
DE69300907T2 (de) | Keramisches Mehrschichtsubstrat mit Gradienten-Kontaktlöchern. | |
DE112007001868B4 (de) | Glaskeramikzusammensetzung, gesinterter Glaskeramikkörper und elektronische Komponente aus monolithischer Keramik | |
DE3887186T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines keramischen Mehrschichtkondensators. | |
DE19628680A1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines mehrschichtigen Keramiksubstrats | |
DE2264943B2 (de) | Mehrlagiger Schaltungsaufbau und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE1903819A1 (de) | Aus Keramik und Metall zusammengesetztes Verbundgebilde | |
DE10033984A1 (de) | Hybridlaminat und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3428259C2 (de) | ||
DE69726056T2 (de) | Dielektrische Dickschichtzusammensetzung für Kondensatoren | |
DE3119937A1 (de) | Keramischer mehrschichtkondensator | |
EP1425167B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines keramischen substrats und keramisches substrat | |
DE4233403C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mehrlagen-Hybriden | |
DE2461995B2 (de) | Mehrschichtige Schaltkreisstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10038429C2 (de) | Verbundlaminat und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE19609118A1 (de) | Dickschichtpaste und ein dieses verwendendes keramisches Schaltungssubstrat |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition |