DE2551036C3 - Borid-Stoffzusammensetzung und ihre Verwendung - Google Patents
Borid-Stoffzusammensetzung und ihre VerwendungInfo
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Description
gebildet wird, worin die Summe a + b gleich I ist
und a im Bereich von Ά bis 1 Hegt und b im Bereich
von 0 bis2/j.
2. Zusammensetzung nach Anspruch I, gekennzeichnet durch einen Gehalt an Ni1B als Nickelzusammensetzung.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch eine Mischung von NijB und Ni iSi. in m
der bis zu 2 Mol Ni )Si je Mol Ni1B vorliegen.
4. Zusammensetzung nach Anspruch t, gekennzeichnet durch einen Gehalt an fester Lösung der
ungefähren Formet
15 Ni1B11Si,,
wo rim χ in dem ungefähren Bereich von 0,01 bis 0,1
liegt, als Nickclzusammenselzung.
5. Zusammensetzung nach Anspruch 4, gekenn- i<
> aeichnet durch eine Mischung von Ni1Si mit dem
Ni1Bi ,Si, wobei die Gesamtmenge an Si in den
Nickelzusammensetzungen nicht mehr als das Zweifache der in ihnen vorliegenden Menge an B,
auf atomarer Basis, beträgt. \s
6. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche I bis 5, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen
Gehalt an feinteiligem Glaspulver als anorganischem Bindemittel.
7. Zusammensetzung nach einem der Ansprüche I bis 6, gekennzeichnet durch einen zusätzlichen
Gehalt an Nickelmetallpulvcr.
8. Verwendung der Stoffzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche I bis 7 auf dielektrischen
Unterlagen, auf denen sie in gesinterter Form haftet, insbesondere bei Gasentladungs-Anzcigc- oder
-Schaueinrichtungen.
Die Erfindung betrifft Borid-Stoffzusammcnsetzungen, insbesondere für elektronische Zwecke, speziell
Stoff zusammensetzungen, die sich für die Herstellung
von an Unterlagen bzw. Substraten haftenden Leiter- ys
mustern eignen.
Leiter-Zusammensetzungen, die auf dielektrische Unterlagen (Glas, Glaskeramik und Keramik) aufgetragen
und auf diesen gebrannt werden, werden gewöhnlich von feinen anorganischen Pulvern (2. B. Metallteilchen fm
und Bindemittelteilchen) gebildet und gewöhnlich auf Unterlagen unter Anwendung sogenannter »Dickfilm«-
Techniken als Dispersion dieser anorganischen Pulver in einem inerten flüssigen Medium oder Träger
aufgebracht. Beim Brennen oder Sintern des gedruckten <><,
Films steuert die metallische Komponente der Zusammensetzung die Funktionalität (Leitfähigkeit) bei,
während das anorganische Bindemittel (z. B. Glas, Bi2Oi
usw.) die Metallteilchen aneinander und an die
Unterlage bindet, Dickfilm-Techniken stehen im Gegensatz zu Pünnfilm-Techniken, bei denen eine
Ablagerung von Teilchen durch Aufdampfen oder -stäuben erfolgt. Dickfilm-Techniken sind allgemein im
»Handbook of Materials and Processes for Electronics«, herausgegeben von CA, Harper, McGraw-Hill,
N-Y„ 1970, Kap. 12, erörtert.
Bei den gebräuchlichsten LeUerzusammensetzungen
werden Edelmetalle, insbesondere Gold, Silber, Platin und Palladium, und deren Mischungen, Legierungen und
Verbindungen eingesetzt, da deren relativ inerte Eigenschaften ein Brennen an Luft erlauben. Versuche,
mit Dispersionen weniger kostspieliger Unedelmetalle zu arbeiten, sind oft auf Sonderzwecke beschränkt
gewesen oder haben es notwendig gemacht, die große praktische Unbequemlichkeit und die Kosten eines
Brennens in nichtoxidierenden Atmosphären (Sf ickstoff, Stickstoff/Wasserstoff, Wasserstoff, Argon usw.) in
Kauf zu nehmen.
Es besteht ein ausgesprochener technischer Bedarf an weniger kostspieligen Leiterzusammensetzungen, die
sich an Luft zur Bildung haftender Leiter von geringem spezifischem Widerstand auf dielektrischen Unterlagen
brennen lassen, einschließlich der Ausbildung von Miniaturschaltungsmustern und von Endabschlüssen für
Widerstände usw.
Nach der heutigen technischen Praxis beim Herstellen von Gasentladungs-anzeige- oder -schaueinrichtungen — nachfolgend auch kurz »Anzeigevorrichtungen«
— werden Nickelpulver in einer reduzierenden oder inerten (nichtoxidierenden) Atmosphäre bei hohen
Temperaturen (z.B...von über 9000C) auf relativ
kostspieligen Forsterit-Unterlagen (2MgO · S1O2) gebrannt. Das Nickel wird auf Grund seiner geringen
Neigung zum Spratzen bei Glimmentladung eingesetzt. Erwünscht wäre der Einsatz wohlfeiler, in der
Massenproduktion gefertigter Unterlagen aus hochwertigem Glas, wie von Natronkalkglasunterlagen. Eine
Verwendung von Natronkalkglas-Unterlagen begrenzt aber die Brenntemperatur von auf diesen befindlichen
Leitern auf Grund des niedrigen Erweichungspunktes des Glases auf Werte von nicht über 6000C. Es ist bei
diesen niedrigen Temperaluren sehr schwierig, eine gute metallische Sinterung von Nickel zu erhalten; die
Herstellung haftender Nickelleiter von geringem spezifischem Widerstand ist infolgedessen schwierig.
Es besteht dementsprechend für die Herstellung von Gasentladungs-Anzeigeeinrichtungcn auf Natronkalkglas-Unterlagen ein Bedarf an einen; Leiter auf
Nickelbasis, der sich unter 6000C brennen läßt. Weiler
ist erwünscht, daß die Stoffzusammensetzungen an Luft brennbar sind und kein Brennen in kostspieligeren
Atmosphären (inerten oder reduzierenden Atmosphären) voraussetzen.
In US-PS 35 03 80t ist der Einsatz von Metallboden
und Glas bei der Herstellung von Widerständen beschrieben. Zu den Boriden gehören diejenigen des
Chroms, Zirkoniums, Molybdäns, Tantals und Titans. Der Patentschrift sind weder Leiter noch Nickelboride
zu entnehmen. Zahlreiche Patentschriften beschreiben die Abscheidung von Überzügen aus Nickel und Bor
(nicht Nickelborid) auf Unterlagen aus einem Plattierbad mit Materialien wie Aminboranen (vgl. US-PS
30 45 334 und 33 38 72ο), wozu auch US-PS 36 72 964,
36 74 447 und 37 38 849 genannt seien. Diese Patentschriften beziehen sich nicht auf Dispersionen von
Boriden, die sich auf Unterlagen aufdrucken (und
brennen) lassen, sondern auf das Abscheiden von Ni/B-Überajgen auf der gesamten einem solchen Bad
ausgesetzten Oberfläche,
Metallboride und -silicide sind nach Uteraturangaben
gegen Oxidation bei Raumtemperatur inert. Bei erhöhter Temperatur unterliegen Boride Oxidation,
wenngleich auch die Oxidationsgeschwindigkeiten variieren (Grennwood u,a. Quarterly Reviews
[London! 20, S, 441, P66). In DT-OS 22 22 695 sind
Grundmetallwiderstandsmassen aus Bor-, Molybdänoder Wolframsiliciden zuzüglich Molybdän- oder
Wolframgläsern beschrieben.
Die US-PS 37 94518 beschreibt auch Widerstände,
und zwar aus Glas zuzüglich bestimmter Kupfer-Nickel-Legierungen, die in einer inerten Atmosphäre (Spalte 3,
Zeile 74) zur Bildung von Widerständen gebrannt wurden, die bei Überlastung schmelzen (aufgehen).
Für die Technik der Gasentladungs-Anzeigeeinrichtungen beispielhaft sind die folgenden Patentschriften,
auf die hierzu verwiesen sei: Die US-PS 29 91387 beschreibt röhrenartige Displayeinrichtungen. In US-PS
29 33 648 sind flache Displayvorrichtungen beschrieben,
bei denen eine Vielzahl von Displaykammern eingesetzt wird. Die US-PS 35 58 975 beschreibt G las-Display vorrichtungen, bei denen Elektroden aus Gold oder
dergleichen verwendet werden. Nach dem Verfahren der US-PS 37 88 722 werden flache Displayeinrichtungen aus Keramikband und Edelmetallpasten hergestellt,
wobei Fig.4 eine Ansicht des Oberteils einer
Line-Bar-Gasdisplayeinrichtung zeigt. Zu nichtröhrenförmigen Displayvorrichtungen aus jüngerer Zeit
gehört die Vorrichtung der Bauart »Burroughs Panaplex II™ Panel Display«, die im Burroughs Bulletin
No. 1179A, März 1974 beschrieben ist; diese Vorrichtungen stellen eine Familie von Displayvorrichtungen mit
Mehrfachausgabc und gemeinsamer Hüllt dar. An Luft brennbare Elektroden auf Nickelbasis wären für die
Displayeinrichtungen der Arten, für welche die obengenannten Patentschriften und das obengenannte Bulletin
beispielhaft sind, von besonderem Wert.
Die vorliegende Erfindung macht Stoffzusammensetzungen auf Nickelbasis verfügbar, die sich zur
Ausbildung von Leitermustern auf dielektrischen Unterlagen eigenen. Die Zusammensetzungen können
an Luft gebrannt werden, sind aber nicht hierauf beschränkt. Sie können ferner sogar bei Temperaturen
gebrannt werden, die mit dem Einsatz wohlfeiler Natronkalkglas-Unterlagen in Einklang stehen. Dessen
ungeachtet vermögen die Zusammensetzungen Leitermuster mit brauchbaren Widerstandswerten und
brauchbarer Haftung zu ergeben.
Die Stoffzusammensetzungen oder Massen gemäß der Erfindung sind feinteilige, anorganische Pulver, die
in einem flüssigen Träger dispergiert sind. Das anorganische Pulver enthält eine oder mehrere
Verbindungen oder Zusammensetzungen des Nickels, 'wobei diesti die ungefähre Gesamtzusammensetzung
(Ni1B)11(Ni1Si),,
haben, worin -- auf molarer Basis — die Summe
a + b = 1 ist und a im Bereich von Ά bis I und b im
Bereich von 0 bis Vi liegt. Diese Zusammensetzungsformel ist, wie noch näher erörtert, nicht dahingehend zu
verstehen, daß nur chemische Verbindungen beteiligt sein können. Die Zusammensetzungsformel ist in dem
Sinne zu verstehen, daß sie ein NisB/NiiSi-Verhältnis
angibt, wobei solche Boride und Silicide in irgendeiner der hier beschriebenen chemischen Formen vorliegen.
In diesen Stoffznsammensetzungen sind die Nickelverbindungen
eine oder mehrere »Verbindungen« aus der
Gruppe NhB, feste Lösungen der Formel
worin * im ungefähren Bereich von bis zu 0,1 liegt,
Mischungen von NbB oder festen NbBi-^SirLösungen
mit: NijSi und Mischungen von N13B und NijSu In
jeglicher solchen Nickelverbindung oder Kombination von Nickelverbindungen liegt eine solche Gesamtmenge an B und Si vor, daß das Atomverhältnis von B zu Si
nicht kleiner als '/2 ist, d. h„ es liegen bis zu zwei, aber
nicht mehr als zwei Si-Atome je Atom B in den Nickelverbindungen vor. Anders ausgedrückt, die
Menge an Si, die in der vorliegenden Gesamtmenge solcher Nickelverbindungen vorliegt, beträgt nicht mehr
als das Zweifache der vorliegenden Menge an B (auf atomarer Basis). Siliciummengen im Oberschuß über
diesen Wert ergeben eine Tendenz zur Steigerung des spezifischen Widerstandes auf inakzeptable Werte.
Die Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung enthalten über solche Nickelverbindungen hinaus
normalerweise herkömmliches, anorganisches Bindemittel, wie Glas oder Bi2O3, wie dem Fachmann vertraut.
Bezogen auf anorganische Feststoffe beträgt die Menge solcher Nickelverbindungen in diesen Zusammensetzungen 30 bis 100%, vorzugsweise 50 bis 98%, in
besonders bevorzugter Weise 70 bis 96%.
Die Stoffzusammensetzungen können zusätzliche
Nickelmetallpulver enthalten. Die Menge an Nickelpulver ist etwas von der angewandten Brenntemperatur
abhängig, kann aber bis zu 80% vom vorliegenden Gesamtgewicht des Nickels und der Nickelverbindungen betragen. Bei niedrigeren Brenntemperaturen kann
die vorliegende Menge an Nickelmetallpulver bequem am oberen Ende des Bereichs (nahe 80% der
Gesamtmenge an Nickelmetall und -verbindungen) liegen. Wenn nichteingekapselte Leiter langzeitig hoher
Feuchte ausgesetzt werden sollen, enthalten bevorzugte Zusammensetzungen gemäß der Erfindung Mischungen
von Ni)B und Ni-Metall.
Die Erfindung umfaßt auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Stoffzusammensetzung auf dielektrischen Unterlagen, wie Glas-, Glaskeramik- und
Keramikunterlagen, auf denen sie in gebrannter (gesinterter) Form haftet, insbesondere bei Gasentladungs-Anzeige- oder 'Schaueinrichtungen.
Solche Einrichtungen weisen zwei dielektrische Unterlagen auf, deren eine oder beide in arbeitsfähiger
Anordnung aufgedruckte Leitermuster aufweisen. Die Unterlagen werden so zusammengebaut, daß ein
dielektrisches Abstandsorgan sie voneinander trennt und zwischen den Unterlagen einen Hohlraum bzw. eine
Kammer oder einen Spalt bildet. Naturgemäß ist die Einrichtung mit einem Mittel versehen, welches die
beiden Unterlagen und das Abstandsorgan zusammenhält, z. B. Klemmen oder Klebstoff. Der Hohlraum ist
mit einem ionisierbaren, lichterzeugenden Gas üblicher Art gefüllt (z. B. Neon oder Argon für sich allein oder in
Mischungen), Im Betrieb solcher Einrichtungen wird in
der jeweils gewünschten Weise an verschiedene Elektrodensegmente ein elektrischer Strom angelegt,
was zur Ionisation und Erzeugung von Licht führt. Die Verbesserung bei diesen Einrichtungen liegt im Einsatz
von Elektroden aus den gesinterten oder gebrannten Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung, d. h. die
Elektroden werden gebildet, indem man auf die Unterlage eine Dispersion einer oder mehrerer
Nickelverbindungen der ungefähren Gesamtzusammensetzung
(Ni5B)3(Ni3Si)6
aufdruckt, worin die Summe a -t- b = 1 ist und a im
Bereich von '/3 bis 1 und b im Bereich von 0 bis 2h liegt.
Wie oben erwähnt, können diese Stoffzusammensetzungen, wenn gewünscht, auch verschiedene andere
anorganische Pulvermaterialien enthalten. Eine bevorzugte Unterlage ist Glas, insbesondere Natronkalkglas.
Die wesentlichen Komponenten der Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung sind die oben
beschriebenen Nickelverbindungen, zu denen als einfachster Vertreter NoB gehört Während des Brennens
dieser Nickelverbindungen an Luft wird zumindest ein Teil des Nickels zu Nickelmetall, das durch BaOj
eingekapselt ist; wenn in den Nickelverbindungen Silicium als feste Lösung Ni3Bi -iSi» vorliegt, worin χ bis
zu 0,1 betragen kann, wird solches Nickelmetall durch B2Oj/SiO2 eingekapselt Solche, ursprünglich an Luft
gebrannten Systeme können daner ohne wesentliche Oxidation und entsprechende Verschlechterung elektrischer Eigenschaften (z. B. erhöhter spezifischer Widerstand) erneut an Luft gebrannt werden. Dieses
Vermögen, erneutes Brennen zu vertragen, ist beim Aufbau einer Gasentladungs-Anzeigeeinrichtung von
erheblichem Wert, da sich multiple Brennstufen ergeben
können (z. B. für Nickelleiter, dielektrische Isolierschicht, Nickelkathode und Gegendielektrikum).
Die Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung werden normalerweise bei Temperaturen im Bereich
von 550 bis 1025, vorzugsweise 570 bis 9500C gebrannt;
ein Brennen an Luft ist besonders bequem, aber man kann, wenn gewünscht, auch in inerten oder reduzierenden Atmosphären brennen. Die Brennzeit beträgt
normalerweise mindestens 2 Minuten, vorzugsweise etwa 10 Minuten (bei Scheiteltemperatur).
Beim Herstellen von Gasentladungs-Anzeigeeinrichtungen auf Natronkalkglas-Unterlagen wird man mit
Brenntemperaturen im Bereich von 550 bis 600, vorzugsweise 550 bis 57O°C arbeiten.
Die festen NijBi -,Si*-Lösungen gemäß der Erfindung
(und ihre Mischungen mit Ni3Si) sind herstellbar, indem
man die Elemente oder Ni3B und Ni3Si in den
gewünschten Anteilen zur Bildung einer Flüssigkeit erhitzt und dann die Masse .ium Erstarren bringt.
Vorzugsweise erfolgt das Erhitzen nach Induktions- oder Lichtbogen-Schmelztechniken im Vakuum oder in
inerten Atmosphären unter darauffolgendem Tempern im Vakuum bei etwa MO0C.
Als anorganisches Bindemittel kann in den Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung jedes herkömmliche Elektronikglaspulver Verwendung finden,
wie dem Fachmann bekannt, einschließlich z. B. der Materialien nach US-PS 28 22 279,28 19 170 usw.
Alle hier eingesetzten anorganischen Pulver sind feinteilig, d. h. passieren ein Sieb von 0,037 mm lichter
Maschenweite. Vorzugsweise haben im wesentlichen alle Teilchen eine größte Abmessung (»Durchmesser«)
von S Mikron oder darunter.
Die anorganischen Teilehen werden mit einem
inerten flüssigen Träger durch mechanisches Mischen (z. B. auf einem Walzenmahlwerk) zur Bildung einer
pastenartigen Masse vermengt. Die Masse wird in herkömmlicher Weise als »Dickfilm« auf herkömmliche
dielektrische Unterlagen aufgedruckt. Als Träger kann jede inerte Flüssigkeit Verwendung finden. So kann man
als Träger Wasser oder all die verschiedenen organischen Flüssigkeiten mit oder ohne Diekungs- und/oder
Stabilisator^ und/oder andere gewöhnliche Zusatzmittel
verwenden. Für die organischen Flüssigkeiten beispjel
haft sind die aliphatischen Alkohole, Ester solcher
Alkohole, z, B, die Acetate und Propionate, Terpene, wie Pine-Ö| und Terpineol, Lösungen von Harzen, wie der
Polymethacrylate von niederen Alkoholen, oder Lösungen von Äthylcellulose in Lösungsmitteln wie Pine-Ö|
und dem Monobutyläther von Äthylenglykolmonoacetat. Der Träger kann auch flüchtige Flüssigkeiten
enthalten oder von solchen gebildet werden, um ein rasches Erstarren nach dem Auftragen auf die
Unterlage zu fördern.
Das Verhältnis des Trägers zu den Feststoffen in den Dispersionen kann sehr verschieden gewählt werden
und hängt von der Art und Weise, in der die Dispersion
aufzutragen ist, und der Art des angewandten Trägers ab. Normalerweise werden die Dispersionen im
Interesse einer guten Bedeckung 60 bis 80% Feststoffe und 20 bis 40% Träger enthalten Die Stoffzusammensetzungen gemäß der Erfindung, können naturgemäß
auch durch Zusatz anderer Materialien modifiziert werden, welche ihre vorteilhaften Eigenschaften nicht
nachteilig beeinflussen.
Nach Trocknen zur Entfernung des Trägers wird das Brennen der Stoffzusammensetzungen gemäß der
Erfindung bei genügenden Temperaturen und Zeiten durchgeführt, um die anorganischen Materialien zu
sintern und Leitermuster zu bilden, die an der dielektrischen Unterlage haften.
Der bezüglich der Gasentladungs-Anzeigeeinrichtungen vorliegende spezielle Fortschritt liegt im Einsatz
der Stoffzusammensetzungen mit den Nickelverbindun
gen gemäß der Erfindung für einen Teil der Elektroden
oder alle Elektroden. Die räumliche Ausbildung der Anzeigeeinrichtung ist nicht kritisch. Bei der Herstellung der Anzeigeeinrichtung kann jede zweckentsprechende räumliche Ausbildung gewählt werden. Die
Anzeigeeinrichtung weist dielektrische Unterlagen auf, zwischen denen sich ein Hohlraum befindet. Der
Hohlraum wird durch ein zwischen den Unterlagen wirkendes Abstandsorgan erzeugt. Die Unterlagen und
das Abstandsorgan sind mechanisch miteinander ver
bunden, wie durch Klemmen oder Klebstoff. Auf den
Unterlagen liegen aufgebrannte (gerinterte) Elektroden vor, wobei die Stoffzusammensetzungen gemäß der
Erfindung auf die Unterlagen in dem gewünschten Muster aufgebracht (z. B. aufgedruckt) und darauf durch
Erhitzen physikalisch und elektrisch kontinuierliche Leiter gebildet wurden. Die Einrichtung kann auch an
sich bekannte gedruckte dielektrische Schichten aufweisen Die Einrichtung ist auch mit einem Mittet zur
Evakuierung des Hohlraums und dann Füllung mit
.i5 zweckentsprechendem, erregbarem Gas versehen. Die
Elektroden stehen natürlich in elektrischer Arbeitsverbindung mit den jeweils gewünschten elektrischen
Kreisen.
f)0 Beispiele
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung. In den Beispielen wie auch der
sonstigen Beschreibung und den Ansprüchen beziehen sich alle Teil-, Prozent-, Verhältnisangaben usw., wenn
'>s nicht anders gesagt, auf das Gewicht; die Beziehung
zwischen a unH. b in der Formel (NijB)«(NijSi)f, ist
molarer Basis, und verschiedentlich ist das Verhältnis zwischen Si und B in den Nickelverbindungen auf
atomarer Basis ausgedrückt. Alle Siebgrößen bezichen
sich auf die US-Standardsiebreihe.
Herstellung von Nickelverbindungen
Ni)B (Reinheitsgrad 99%) wurde zu einem Pulver mit einer Oberfläche von etwa 3,7 m2/g zerkleinert. Unter
der Annahme des Vorliegens sphäroidaler Teilchen errechnete sich aus der Formel
Teilchengröße. Mikron
/()bei flache. \ / I Jichlc. \
\jir■'!· J \a cm1 )
eine durchschnittliche TeilchengröBc von 0,2 Mikron.
Das Pulver wurde bei Raumtemperatur mit einer Lösung konzentrierter wäßriger HCI in Wasser
(Volumenverhältnis I : 3) gewaschen.
Ni)Si wurde aus den Elementen im Lichtbogen unter Argon erschmolzen und hierauf im Vakuum bei 950"C
getempert. Das Produkt wurde auf eine Teilchengröße von < 0,037 mm zerkleinert.
Zur Herstellung von festen Lösungen der Formel NiiBi ,Si, wurden die Elemente in den gewünschten
Anteilen gemischt, worauf die Mischung auf einem wassergekühlten Kupferherd unter trockncm Argon im
Lichtbogen geschmolzen wurde. Dabei wurde eine Elektrode aus thoriumoxidbehandeltem Wolfram eingesetzt.
Über solche festen Lösungen hinaus, bei denen χ 0,10
nicht überschreitet, wurden auch nach der gleichen Lichtbogen-Schmelztechnik Mischungen von NiiSi und
Ni)Bi ,Si, hergestellt (es zeigte sich, daß solche Mischungen im Flüssigzustand mischbar sind). Nach
F.rstarren der Mischungen wurden diese gepulvert und auf eine Teilchengröße von
< 0,037 mm klassiert.
Herstellung von Prüflingen
Die wie oben erhaltenen Nickelvcrbindungspulver wurden mit verschiedenen feinteiligcn Glaspulvern
(< 0,037 mm) in einem Träger aus 9 Teilen Terpineol und 1 Teil Äthylcellulose dispergiert. Die Dispersionen
wurden durch ein gemustertes Sieb von 0,074 mm lichter Maschenweite in Form eines Serpentinenmusters
mit einem Verhältnis der Längenabmessung zur Breitenabmessung von 200: 1 auf eine Unterlage
(dichtes, 96%iges Aluminiumoxid oder Natronkalkglas) aufgedruckt. Die Drucke wurden 10 Minuten bei 1000C
auf eine Dicke im getrockneten Zustand von etwa 20 bis 25 Mikron getrocknet und dann an Luft in einem
Muffelofen oder in einem Rohrofen innerhalb eines Quarzrohrs unter verschiedenen Atmosphären bei den
jeweils genannten nachfolgend genannten Temperaturen gebrannt; die Dicke des gebrannten Films betrug
etwa 15 Mikron.
Der spezifische Widerstand (in Ohm/Quadrat) wurde an den gebrannten Filmen mit einem Volt-Ohmmeter
bestimmt.
Beispiele 1 bis 10
Diese Beispiele erläutern die Eignung von NijB/Glas-Mischungen,
beim Brennen an Luft auf Natronkalkglas-Unterlagen gute Leiter auszubilden.
In diesen Beispielen wurden Mischungen von NhB und einem Glas (68.6% PbO, 10,5% B2O3, 13% ZnO,
0.6% BaO, 0,5% CaO, 5,2% CdO, 12,8% SiO2) in dem
Träger dispergiert, auf Natronkalkgläs-Unterlagen aufgedruckt, getrocknet und wie folgt an Luft gebrannt:
10 Minuten 3500C, 10 Minuten Eintauchen in einen
vorgeheizten Muffelofen mit einer Scheiteltemperttur im Bereich von 570 bis 600°C. Die Materialanteile, die
Scheitelbrenntemperatur und den spezifischen Widerstand der gebrannten Proben nennt die Tabelle 1. Wie
eine Untersuchung der gebrannten Filme mit einer scharfen Spitze zeigte, war die Haftung an der
Unterlage bei jeder gebrannten Probe gut.
Der gebrannte Film von Beispiel 1 zeigte bei der Röntgenanalyse einen Gehall an Nickelmetall (monochromatische
CuK«-Strahlung). Die gebrannten Filme von Beispiel 2 bis 6 erwiesen sich als magnetisch, was
das Vorliegen von Nickelmetall zeigt. (Bei den Filmen von Beispiel 7 bis 10 wurde dann auf eine Röntgenanalyse
bzw. magnetische Untersuchung verzichtet.)
Beispiele 11 bis 20
und Vergleichsversuch A
und Vergleichsversuch A
Im Gegensatz zu den Beispielen 1 bis 10, in denen Natronkalkgläs-Unterlagen eingesetzt wurden (und
infolgedessen auf Grund des niedrigen Erweichungspunktes solcher Unterlagen niedrige Brenntemperaturen
anzuwenden waren), wurde in Beispiel 11 bis 20 eine Aluminiumoxid-Unterlage verwendet. Es konnten somit
höhere Brenntemperaturen angewandt werden. Im Verglcichsversuch A wurde bei einem Verhältnis von
Ni)B zu Ni)Si, das über demjenigen gemäß der Erfindung liegt, ein unendlicher spezifischer Wiederstand
erhaiien.
In Beispiel 11 bis 18 wurden Ni>B/Glas-Mischungen
eingesetzt und in Beispiel 19 bis 20 und Vergleichsversuch A Mischungen von Ni)Si, Glas und festen Lösungen
der Formel Ni)Bi ,Si,. Das Glas enthielt in jedem Beispiel 65% PbO. 34% SiO2 und 1% AI2O1. In jedem
Beispiel lieferte das Brennen an Luft gute Leiter.
Bei | (ilas. μ | Träger, | μ Urcnn- | Spc/i- |
spiel | lcmpc- | Il se Ii er | ||
ralur. ( | Wider | |||
stand. | ||||
Ohm/ | ||||
Quadrat | ||||
I | 0,12 | 0,60 | 570 | 0,054 |
2 | 0,16 | 0,65 | 570 | 0.157 |
3 | 0.16 | 0,65 | 585 | 0.045 |
4 | 0,16 | 0.65 | 600 | 0,043 |
5 | 0,20 | 0,65 | 585 | 0,038 |
ft | 0,24 | 0,65 | 585 | 0,038 |
7 | 0,30 | 0,65 | 585 | 0,038 |
8 | 0,40 | 0,65 | 585 | 0,047 |
9 | 1,0 | 0,65 | 570 | 0,217 |
10 ( | 1,20 | 0,65 | 570 | 0,680 |
^i1B. μ | ||||
,88 | ||||
,84 | ||||
.84 | ||||
,84 | ||||
,80 | ||||
,76 | ||||
,70 | ||||
,60 | ||||
,0 | ||||
Die Zusammensetzungen nach Tabelle Il wurden auf die Aluminiumoxid-Unterlagen aufgedruckt, getrocknet,
10 Minuten bei 3500C gebrannt und dann in einen Muffelofen von 850° C getaucht und mindestens 10
Minuten in diesem gehalten (wie in Tabelle Il genannt). Der spezifische Widerstand der anfallenden Filme ist in
Tabelle II aufgeführt. Eine Röntgenbeugungsanalysc der gebrannten Filme von Beispiel 11 bis 14 zeigte das
Vorliegen von Nickelmetall (die Filme von Beispiel 15 bis 20 wurden nicht weiter bestimmt). Zur Haftung der
Filme wurden die gebrannten Filme mit einer scharfen
809 615/457
10
Spit/.e gekratzt, wobei sich die Haftung bei Beispiel 11
und 12 als ausgezeichnet und Beispiel 19 und 20 als gut
erwies (bei den Proben der verbleibenden Beispiele erfolgte dann keine Bestimmung mehr). Die gebrannten
Filme von Beispiel 11 bis 20 erwiesen sich als an Luft
längere Zeit (z. B. 20 Minuten bei 850''C) erneut
brennbar, ohne daß eine wesentliche Veränderung des .Schichtwiderstandes oder Oxidation von Nickelmetall
zu HtU eintritt (an Röntgenbeugungsdiagrammcn
bestimmt).
Beispiele 2t und 22
und Vergleichsversuch B
und Vergleichsversuch B
Physikalische Mischungen (nicht feste Lösungen) von NiiB-Teilchen, NiiSi-Teilchen und Glasteilchen wurden
in einem Träger dispergiert, auf Aluminiumoxid-Unterlagen
aufgedruckt und an Luft gebrannt, wobei das Glas und Brennprogramm von Beispiel 11 Anwendung
fanden (einschiießücn iö miiiuici'i bei öjO°C oCnciie!-
temperatur). Die Stoffzusammensetzungen und erhaltenen Widerstandswerte sind in Tabelle III genannt. In
Vergleichsversuch B wurde Ni iSi im Überschuß über die Menge gemäß der Erfindung eingesetzt, wobei ein
unbrauchbares Produkt anfiel.
Beispiele 23 und 24
Eine NiiB/Glas-Stoffzusammensetzung wurde auf
Aluminiumoxid-Unterlage in verschiedenen nichtoxidierenden Atmosphären bei 850°C gebrannt, wobei
gute Leiter anfielen. Die Stoffzusammensetzunj» enthielt
1,46 g Ni|B, 0,41 g Träger (hier Terpineol und Äthylcellulose
im Verhältnis von 14:1 - ungleich anderen Versuchen) und 0,12 g Glas (J8% SiO2, 4% TiO2, 18%
BaO, 7% AI2Oi. 8% ZnO, 5% MgO, 15% B2O1, 5% Cao)
und wurde wie oben auf 96%iges Aluminiumoxid aufgedruckt und bei 10O0C getrocknet. Die den
getrockneten Druck aufweisenden Aluminiumoxidscheiben wurden jeweils in ein Quarzrohr eingegeben,
das dann evakuiert wurde.
In Beispiel 23 wurde das Rohr mit einer Mischung von
Wasserstoff und Stickstoff im Volumenverhältnis von 3 : I gespült und in der Gasmischung durch Eintauchen
in einen auf 8500C vorgeheizten Ofen 10 Minuten bei
8500C gebrannt. Die Haftung des gebrannten Films war ausgezeichnet. Der spezifische Widerstand des anfallenden
Films war ausgezeichnet (0,047 Ohm/Quadrat).
In Beispiel 24 wurde das Rohr mit reinem Stickstoff gespült und wie in Beispiel 23 gebrannt. Die Haftung
war ausgezeichnet.
Der spezifische Widerstand betrug 0,048 Ohm/Quadrat.
Eine Röntgcnbeugungsanalyse der gebrannten Filme von Beispiel 2J wie auch 24 zeigte das Vorliegen von
^ Ni iß und einer Spur Nickelmctall.
Der gebrannte Film von Beispiel 24 wurde in der
Atmosphäre von Beispiel 23 (Wasserstoff und Stickstoff im Volumenvcrliiiltnis von 3:1) erneut gebrannt
(8500C; IO Minuten), wobei sich ein spezifischer
in Widerstand von 0,038 Ohm/Quadrat ergab.
Beispiele 25 bis 27
Dispersionen von Ni-Metall-Pulver und Nii-B-Pulver
(zii/üglich des Glases von Beispiel 1) wurden wie in
in Beispiel I auf Natronkalkglas-lJntcrlagen aufgedruckt
und gebrannt. Die Werte des spezifischen Widerstandes waren ausgezeichnet (vgl. Tabelle IV).
Beispiel 28
■" Wii Siiiff/üliiimriic"sc'/««""c" '"c"i«iß tier Frfinc!uniT
wurden Endabschlüsse von Widerstanden hergestellt. F.in Glasstabstück von etwa 2 mm Durchmesser und
7 mm Länge wurde mit Zinnoxid beschichtet. |edes Stabende wurde in eine verdünnte Dispersion von Ni (B
•s und Glasteilchen (9 Teile Ni1B und 1 Teil Glas von
Beispiel 1) getaucht und 10 Minuten an Luft bei 550'C gebrannt, wobei ein Widerstand mit Abschlüssen auf
Nickelbasis anfiel.
B e i s ρ i e I 29
Auf einer Natronkalkglas-Unterlage wurde unter Verwendung einer Stoffzusammensetzung gemäß der
Erfindung zur Bildung einiger Elektroden eine einfache Gasentladungs-Anzeigevorrichtung hergestellt, wozu
u auf die der Natronkalkglas-Unterlage eine 0,5 mm breite Elektrode in der gewünschten Konfiguration mit
einer Dispersion von 74 Teilen NiiB-Pulver, 6 Teilen
Glaspulver von Beispiel 1 und 20 Teilen Träger aufgedruckt wurde. Der Druck wurde getrocknet und 10
ίο Minuten bei 3500C und 10 Minuten bei 575°C(jeweils in
einem vorgeheizten Ofen) gebrannt. Zwischen dieser Unterlage und einer anderen, Pd/Ag-Elektroden aufweisenden
Glasunterlage wurde ein Aluminiumoxid-Abstandshalter festgeklemmt, worauf der Hohlraum
is zwischen den elektrodentragenden Unterlagen evakuiert
und dann mit Argon gefüllt wurde. Zur Erregung des Gases wurde eine (auf etwa 260 V gehaltene) Spannung
angelegt, wodurch eine Glimmentladung auftrat. Auf diese Weise lassen sich komplexe Entladungseinrichtun-
so gen herstellen.
B, g
NijB/Ni,Si
g
Cilas, g
Träger, g
Molvcrhiillnis
Ni1H: Ni1Si
/cit hei | Spezi |
850 C". | fischer |
Minuten | Wider |
stand, | |
Ohm/ | |
Quadr.it | |
IO | 0,016 |
20 | 0,016 |
30 | nd*) |
45 | nd |
10 | 0,016 |
U | ,96 |
12 | ,96 |
13 | ,96 |
14 | ,96 |
15 | ,92 |
0,04
0,04
0,04
0,04
0,08
0,04
0,04
0,04
0,08
0,60
0,60
0,60
0,60
0,60
0,60
0,60
0,60
0,60
vJ U 1 UJU
12
I (HlsL-l/υημ
lkispicl
Ni Jt. μ
Nl ;l
(.his. μ
Γ. μ
.Mnlvcrlullm-NiJi : Ni ;Si
1,84 1,20
Vergleichsversuch Λ
f) "Mil·· nicht licsliniml.
lahellc III
1,80 1,80 1,80
I/I
,Vl
Ι/Λ
,Vl
Ι/Λ
0,12 0,16 (•.SO
0.2!) 0.20 0.20
0,60 0,60 0.65 0,60 0.60 0,60
/eil hei
Miiuilcn |
Spe/i-
lischer Wiiler- sland. Ohm/ |
IO | 0.018 |
IO | 0,017 |
10 | 0,150 |
10 | 0.1X2 |
10 | 0.055 |
IO
Hcispicl | NiJI. μ | Ni1Si. μ | Miilvcrli.iltnis NiJi : Ni,Si |
(ilas. μ | I roller, μ | Spe/i- llsclicr Wider stand. Ohm/ Quadra I |
21 | 0,7 | 0.7 | I/O.') | O.I | 0.5 | 0.068 |
22 | 0,48 | 0.92 | I/I.S | O.I | 0.5 | 0.635 |
Vergleichs versuch Il |
0.35 | 1.05 | 1/2.5 | O.I | 0.5 | |
!"libelle IV |
Hcispicl
Ni-Jl. μ
(ilas. ι;
I rager, μ
Spezifischer Widerstand, ()hm/()uailrat
0,28 0,42 0,56
1,12 ().')8
0.84
0.16
0.16
0.16
0.16
0.16
0.44 0.44 0.44
0.125 0.050 0.063
Claims (1)
- Patentansprüche;1, Stoffzusammensetzung mit in einem flüssigen Träger dtspergiertem, feinteiligem Anorganisch.-Borid-Pulver, dadurch gekennzeichnet, daß das Anorganisch.-Borid-Pu!ver von einer oder mehreren Nickelzusammensetzungen der ungefähren Gesamtzusammensetzung
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/523,473 US3943168A (en) | 1974-11-13 | 1974-11-13 | Conductor compositions comprising nickel borides |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
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