DE2803926A1 - Leiterzusammensetzung auf aluminiumbasis, und daraus hergestellte leiteranordnung auf einem substrat - Google Patents
Leiterzusammensetzung auf aluminiumbasis, und daraus hergestellte leiteranordnung auf einem substratInfo
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Description
2803326
DipL-fing. CL WEilach
S rüür.shsn 2
r.Vii:- iCS9i 2iG275
!Kuchen, den 3αJAIL«?!
16 130 H/Ku
üeitersueanuns^tsimg «of
basis, ixtd dar·«· hergestellte
Leitersnordnimg «of «ine« Substrat
Anmelder:
Beckssn Instruments, Inc.,
fullerton,, CsI.,
Vertreter:
Dipl.-Ing. C. tfcllech
Dipl.-Ing. α« Koch Br. f. Haihach
Dipl.-Ing. R* Feldkaep "" HBnehes.
809831/0924
Die Erfindung "betrifft Cermet-Leiterfilme und näherhin Zusammensetzungen
zur Herstellung von an Substraten haftenden Leitungsmustern.
Die zunehmende Verwendung von Glasfolie als Substrat für gedruckte Schaltungen und Gasentladungsanzeige- bzwe -wiedergabe-vorrichtungen
hat die kommerzielle Entwicklung \on kompatiblen Leitermetallisierungen angeregt. Die traditionellen
Metallisierungen unter Verwendung von Edelmetallen wie beispielsweise Silber, Gold, Platin oder Palladium haben
sich zur Verwendung auf Glas-Substraten als wenig geeignet erwiesen. So ist beispielsweise die Brenntemperatur
dieser Zusammensetzungen im allgemeinen zu hoch, um von Substraten aus Natronkalkglas ausgehalten werden zu können.
Außerdem neigen Edelmetallzusammensetzungen unter Glimmentladung zur Zerstäubung und gehören zu den kostspieligsten
Metallen im allgemeinen Gebrauch· Mit anderen Materialien unter Verwendung eines Basismetalls als leitender
Phase, wie beispielsweise Nickel, etwa wie in der US-Patentschrift 3 94-3 168 beschrieben, lassen sich einige
dieser Mangel überwinden, jedoch weisen diese Materialien nach wie vor bestimmte Nachteile auf. Beispielsweise
sind sie immer noch verhältnismäßig teuer und neigen zu einer schlechten Feuchtigkeitsbeständigkeit (als Folge
eines hohen B20z-Gehalts).
Ein weiterer Nachteil von Zusammensetzungen auf Nickelbasie wird bei Anwendungen zur Herstellung von Gasentladungs-Anzeige-
bzw. -Darstellungsvorrichtungen offenbar« Es ist allgemein bekannt, daß sich die Betriebseigenschaften
von Gasentladungsanzeigen bzw. -darstellungen merklich verbessern lassen, wenn man die Eathodenoberflächen
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BAD OFHG=MAL
aus Nickel hoher Sichte herstellt. Kommerziell verfügbar·
Metallisierungszusammensetzungen enthalten Glasfritten
eingelagert, um brauchbare Kohäeionseigenechaften und ein·
gute Haftung an einem Substrat zu erzielen. Dieser Glaagehalt
macht es jedoch gleichzeitig unmöglich, daß ein File die vorstehend erwähnte erwünschte dichte Nickeloberfläche
besitzt. Es ist daher eine geläufige Praxis, Kathodenoberflächen
von Gasentladungsanzeige- bzw. -darstellungsvorrichtungen
mit metallischem Nickel zu überziehen bzw· zu plattieren, um eine optimale Wirkungsweise zu erreichen·
Leider wird durch, das Plattierungeverfahren häufig die Haftung des Films am Substrat beeinträchtigt.
Aluminium ist ein weiteres Basismetall, das wesentlich billiger als Nickel ist. (Aluminium kostet etwa 4,7 Cent je
Kubikzoll, gegenüber Kosten von etwa 65 Cent de Kubikzoll
Nickel.) Aluminium ergibt jedoch verhältnismäßig minderwertige
dicke Filmmuster mit verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstandswerten, vor allem infolge der ausgedehnten
Bildung von Aluminiumoxyd während, des Brennens. Durch Hinzufügen von Glas zu fein verteiltem Aluminium,
wie in der US-Patentschrift 3 484 284 beschrieben, läßt
sich der spezifische Widerstand etwas verringern, aber gleichwohl erhält man immer noch ein verhältnismäßig
dickes Filmmuster mit verhältnismäßig hohem spezifischem Widerstand. Einzukommt, daß der spezifisch· Widerstand der
Aluminium-Glas-Leiterzusammensetzung äußerst empfindlich
bezüglich den Brenntemperaturen ist, d. h. daß die·· Zusammensetzungen
nur einen sehr schmalen Brennbereich. ("Fenster*1 zulässiger Brenntemperaturen) besitzen, innerhalb welchem man Leiterzusammensetzungen alt ein·· bestimmten gewünschten Widerstandewert erhalten kann·
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Wegen der geringen Kosten von Aluminium wäre es sehr vorteilhaft,
wenn man den Widerstand von Leiterzusammensetzungen auf Aluminiumbasis weiter herabsetzen und auch das erwähnte
"Brennfenster" derartiger Zusammensetzungen erweitern könnte· Ein Lösungsversuch, der von den Fachleuten
sogleich verworfen würde, bestünde in der Zugabe von Legierungsmetallen höheren spezifischen Widerstands als der
Widerstand von Aluminium zu derartigen Zusammensetzungen auf Aluminiumbasis. Den Fachmann ist nämlich bekannt, daß
das Legieren von zwei Metallen üblicherweise zu einer Legierung führt, deren spezifischer Widerstand wenigstens
größer als der spezifische Widerstand der leitfähigeren Komponente ist und oft sogar auch größer als der spezifische
Widerstand der weniger leitfähigen Komponente.
Der Erfindung liegt daher als Aufgabe die Schaffung einer Leiterzusammensetzung auf Aluminiumbasis zugrunde, die
einen verhältnismäßig niedrigen spezifischen Widerstand besitzt und bei Temperaturen innerhalb eines verhältnismäßig
weiten Brenntemperaturbereichs gebrannt werden kann und daneben gute Allgemeineigenschaften als Leitermetallisierung,
insbesondere auch eine gute Haftung an dem Substrat, insbesondere an Hatronkalkglassubstraten, aufweist.
Gemäß der Erfindung ist die Verwendung einer Aluminium-Silicium-Glas-Zusammeneetzung
zur Herstellung von Leitermustern auf dielektrischen Substraten vorgesehen. Die Zusammensetzungen können, brauchen jedoch nicht, an Luft gebrannt
werden· Darüber hinaus können sie bei einer Temperatur gebrannt werden, die mit der Verwendung billiger
Natronkalkglassubstrate verträglich ist. Gleichwohl ergeben
die Zusammensetzungen Leitermuster mit gut brauchbaren
Werten des spezifischen Widerstands und guter Haftung.
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Sie erfindungegemäßen Zusammensetzungen sind Dispersionen
von fein verteilten anorganischen Pulvern in einem flüssigen
Träger. Die anorganischen Aluminium-Silicium-Glas-Pulverzusammensetzungen
bilden ein Gemisch aus von etwa 0,25 bis etwa 30 Gew.% metallischem Silicium, von etwa 10 bis
etwa 50 Gew.% Glas und von etwa 20 bis etwa 90 Gew.% metallischem
Aluminium.
Die Erfindung erstreckt sich auch auf die Anwendung der
erfindungsgemäSen Zusammensetzung in gebranntem (gesintertem) Haftzustand auf einem dielektrischen Substrat, wie
beispielsweise Glas, Glaskeramik sowie Keramiksubstraten. Die Erfindung bezieht sich ferner auch auf die Anwendung
bei Gasentladungs-Anzeige- bzw. -Darstellvorrichtungen. Derartige Torrichtungen weisen zwei dielektrische Substrate
auf, wobei auf einem oder auf beiden dieser Substrate Leitermuster in betriebsmäßiger Zuordnung aufgedruckt
sind. Die Substrate werden mit Hilfe eines dielektrischen Abstandhalters so zusammengebaut, daß sie durch einen Abstand
voneinander getrennt sind und ein Hohlraum oder Spalt zwischen ihnen gebildet wird. Die Torrichtung ist
selbstverständlich mit Klemmvorrichtungen, Klebemitteln und dergleichen versehen, um die beiden Substrate und den
Abstandshalter zusammenzuhalten. Der Hohlraum ist mit einem ionisierbaren Licht emittierenden Gas bekannter Art
(beispielsweise Argon, Äeon oder dergleichen, allein oder
als Gemisch) gefüllt. Bei der betriebemäßigen Terwendung
derartiger Torrichtungen wird ein elektrisches Feld in gewünschter Weise an verschiedene Elektrodensegmente angelegt,
um eine Ionisation und damit eine Lichterzeugung hervorzurufen. Gemäß der vorliegenden Erfindung lassen
sich derartige Torrichtungen durch die Terwendung von
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Elektroden aus den gesinterten oder gebrannten Zusammensetzungen
der -vorliegenden Erfindung verbessern, d. h· die
Elektroden werden in der Weise hergestellt, daß man auf das Substrat eine Dispersion aus einer oder mehreren der
erflndungsgeaäSen Aluminium-Silicium-Glafl-Zusammensetzungen
aufdruckt.
Gemäß bevorzugten Ausführungen der Erfindung sind die erfindungsgemäßen
Zusammensetzungen Dispersionen fein verteilter Pulver in eines flüssigen Trägermedium· Die anorganischen
Aluminium-Silicium-Glas-Pulverzusaamensetzungen
weisen ein Gemisch aus von etwa 0,25 bis etwa 30 Gew.%
Silicium, von etwa 10 bis etwa 50 Gew,% Glas und von etwa
20 bis etwa 90 Gew.% Aluminium auf· Gemäß einer bevorzugten Aueführungeform weisen die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen
von etwa 0,25 bis etwa 1,5 Gew.% Silicium, von etwa 25 bis etwa 35 Gew.% Glas und von etwa 75 bis etwa 87
Gew.% Aluminium auf· Gemäß einer zweiten bevorzugten Aueführungsform
der Erfindung weisen die Zusammensetzungen von etwa 7 bis 11 Gew.% Silicium, von etwa 55 bis etwa 45
Gew.% Glas und von etwa 35 bis etwa 56 Gew.% Aluminium
auf.
Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen werden normalerweise
bei (Temperaturen im Bereich von etwa 5800C bis etwa
6600C, vorzugsweise von etwa 5800C bis etwa 6250C1 gebrannt.
Brennen an Luft ist am bequemsten, jedoch können die Zusammensetzungen auch in einer inerten oder reduzierenden
Atmosphäre gebrannt werden. Normalerweise beträgt die Brenndauer wenigstens 2 Minuten, vorzugsweise etwa
10 Minuten bei der Scheitelwerttemperatur·
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Falls eine wiederholte Brennung der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen
beabsichtigt ist, ist eine Zusammensetzung vorzuziehen, welche von etwa 0,25 bis etwa 1,5 Gew.%
Silicium, von etwa 25 bis etwa 35 Gew.% Glas und von etwa
75 bis etwa 87 Gew.% Aluminium aufweist.
Die erfindungsgemäßen Aluainium-Silicium-Glas-Zusammensetzungen
lassen sich durch einfaches Vermischen der gewünschten Mengen der geeigneten Bestandteile herstellen.
Zur Verwendung als anorganischer Binder in den erf indungsgemäßen
Zusammensetzungen eignet sich jedes beliebige herkömmliche elektronische Glaspulver. Ba es erwünscht ist,
die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen brennen zu können, sind Gläser
mit hohem Bleigehalt zur Verwendung als Glasfrittenkomponente in den Fulverzusammensetzungen gemäß der Erfindung
vorzuziehen. Das die für die Zwecke der vorliegenden Erfindung bevorzugten Glaefritten wiedergebende Phasendiagramm
findet sich bei H. F. Geller und E. R. Bunting in "J. Bee. Natl. Bur. of Standards", 2J (8), 281 (1939),
R. P. 1231} dieses Fhasendiagramm wird hier in vollem Umfange
zum Bestandteil der vorliegenden Offenbarung gemacht und in bezug genommen.
Sämtliche für die Zwecke der Erfindung verwendeten anorganischen Pulver sind fein verteilt, d. h. mit Korngrößen,
die durch ein Sieb der Maschenzahl 400 passieren. Vorzugsweise sollen die Teilchen mittlere Teilchengröße von 10
Mikron oder kleiner besitzen.
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Mischung mit einem inerten flüssigen Träger unter Bildung einer pastenartigen Zusammensetsung gemischt. Biese Paste
wird als "Dickfilm" in herkömmlicher Veise auf herkömmliche
dielektrische Substrate aufgebracht. Als Trägermedium kann jede beliebige inerte Flüssigkeit verwendet werden.
Insbesondere kann eine aus verschiedenen organischen Flüssigkeiten, mit oder ohne Verdickungs- und/oder Stabilisierungsmittel
und/oder anderweitigen üblichen Zusätzen als Trägermedium verwendet werden. Beispiele von geeigneten
organischen Flüssigkeiten sind die aliphatischen Alkohole; Ester derartiger Alkohole, beispielsweise die Acetate
von Propionsäuren; Terpine, wie beispielsweise Fichten-Sl,
Terpinol und dergleichen; Kunstharzlösungen, wie beispielsweise Polymethacrylate niedrigerer Alkohole, oder
lösungen von Äthylcellulose, sowie Lösungsmittel, wie beispielsweise
Fichtenöl und der Monobutylather von ithylenglykolmonoacetat.
Im Sinne einer schnellen Aushärtung nach der Aufbringung auf das Substrat kann das Trägermedium
flüchtige Flüssigkeiten enthalten oder aus solchen bestehen.
Zur Verbesserung der Kohäsionseigenschaften der ungebrannten
Paste kann in der Zusammensetzung ein organisches Bindemittel verwendet werden. Beim nachfolgenden Brennen wird
das Bindemittel ausgetrieben und geht verloren. Verschiedene herkömmliche Bindemittel, Insbesondere solche vom
Cellulosetyp, können mit Vorteil verwendet werden.
Pas Anteilsverhältni· von Trägermedium zu Festbestandteilen
in den Dispersionen kann beträchtlich variieren und hängt von der Art der Aufbringung der Dispersion sowie von
dem jeweils verwendeten Trägermedium ab. normalerweise
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soll die Siepereion zur Erzielung einer guten Bedeckung von etwa 65 bis etwa 85 Gew.% Fettstoffe und von etwa 15
bie etwa 35 Gew.% Trägerflüssigkeit enthalten. Die erfindungegemäßen
Zusammensetzungen können selbstverständlich durch Zugabe weiterer Stoffe modifiziert werden, welche
ihre vorteilhaften Eigenschaften/beeinträchtigen.
Nachdem das Trägermedium durch Trocknen entfernt wurde, erfolgt das Brennen der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen
bei Temperaturen und während Brenndauern, die ausreichen, um eine Sinterung der organischen Stoffe zu bewirken
und Leitermuster su erzeugen, die in der erwähnten Weise an dem dielektrischen Substrat haften.
Die Erfindung betrifft auch ein dielektrisches Substrat, vorzugsweise ein Glassubstrat, auf welches eine der erfindungsgemäßen
Aluminium^llicium-Glas-Zusammensetzungen
aufgebrannt ist. Auf diesen leitenden Cermet wird ein Nickel-Strike von etwa 0,05 hie etwa 0,5» vorzugsweise von
etwa 0,1 Tausendstel Zoll Dicke nicht-galvanisch auf plattiert· Dieeer nicht-galvanisch mit einem Nickel:-Strike
aufplattierte Cermet eignet sich besonders vorteilhaft zur Verwendung als eine lathodenentladungsoberflache. Das
jeweils angewandte spezielle Verfahren zur nicht-galvanischen
Nickelplattierung ist nicht kritisch und es kann ein beliebiges derartiges aus einer ganzen Eeihe verschiedener
bekannter Verfahren zur nicht-galvanischen Nickelplattierung Anwendung finden·
Gemäß der Erfindung lassen sich durch die Verwendung der verschiedenen erfindungsgesMßen Zusammensetzungen als Teil
von Elektroden oder als Gesamtelektroden schlechthin in
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Gasentladungsanzeige- bzw· -darstellungsvorrichtungen Verbeseerimgen
erzielen. Die jeweilige Geometrie der Anzeigevorrichtung ist nicht erfindungsweaentlich. Grundsätzlich
kann jede geeignete Geometrie für die Herstellung der Anzeigevorrichtung verwendet werden· Derartige Anzeigevorrichtungen
weisen dielektrische Substrate mit einem dazwischenliegenden Hohl- bzw. Zwischenraum auf. Der Hohlraum
wird durch einen Abstandshalter zwischen den Substraten gewährleistet. Die Substrate und Abstandshalter werden
miteinander durch Klemmbefestigungen oder durch Verklebung verbunden· Die Substrate sind mit erfindungsgemäßen aufgebrannten
(aufgesinterten) Elektroden versehen; zu diesem
Zweck werden erfindungsgemäße Zusammensetzungen in den gewünschten Küstern auf die Substrate aufgebracht (beispielsweise
aufgedruckt) und sodann zur Erzeugung von physikalisch und elektrisch zusammenhängenden Leitern erhitzt.
Die Anzeigevorrichtung kann auch in an sich bekannter Weise gedruckte dielektrische Schichten aufweisen*. Die Vorrichtung
umfaßt Mittel zur Evakuierung des Hohlraums und zum nachträglichen Füllen mit dem jeweils geeigneten anregbaren
Gas. Die Elektroden sind selbstverständlich betriebsmäßig elektrisch mit den erforderlichen elektrischen
Schaltungen verbunden. Im folgenden werden spezielle Beispiele der Erfindung beispielshalber erläutert, denen jedoch
keinerlei einschränkende Bedeutung zukommen soll.
Silioiummetallpulver und Glasfritten wurden durch Mahlen
in der Kugelmühle auf Teilchengrößen der Maschenzahl -400 (US-Standardsiebskalft) reduziert. Diese Stoffe wurden
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sodann in den geeigneten Gewichtsverhaltnissen alt Aluminiumpulver
der Maschensahl -400 (mit eines Maximalgehalt
von 0,15 % Silicium als Unreinheiten) auegewogen und eur
Trockenmischung in einen versiegelten Glaskolben eingebracht, der mehrere Stunden lang gerollt bzw. umgew&lfct
wurde· (Zu Beachtent Xn der vorliegenden Beschreibung und
in den Ansprüchen wird angenommen, daß das Aluminium bis zu 0,15 % Silicium enthalten kann. Aluminium mit einem Gehalt
von mehr als 0,15 % Silicium kann auch für die Zwecke der Erfindung verwendet werden, in diesem Fall wurde jedoch
die 0,15 % übersteigende Menge von enthaltenem Silicium als Teil des Siliciumanteils der erfindungsgemäßen
Zusammenset Eungen gemäß der Beschreibung und den Ansprüchen in Rechnung gestellt.) Dieses Gemisch wurde sodann
mit einem geeigneten organischen Bindemittel su einer dicken filmpaste angerührt·
Die dicken 7ilmpasten wurden durch ein mit einem Druckmuster
versehenes 325 Maschensieb auf Vatronkalkglassubstrateaufgedruckt,
und »war in Torrn eines 56 Rechtecke umfassenden Serpent inenmusters. Die Pastenaufdrucke wurden 15
Minuten lang bei 1000O bis auf eine Trockendicke von etwa
20 bis 25 Mikron getrocknet und sodann an Luft in einem
Bandtunnelofen bei den in den Tabellen I und II angegebenen Temperaturen I5 Minuten lang bei Spitsentemperatur gebrannt·
Die gebrannten filme besaiten eine Dicke von etwa 20 Mikron.
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Tabell· I
Spezifischer Polienwiderstand (Ohn/Fläche) bei den jeweiligen
fcl ciä GlM niSS" Brenntemperaturen (in 8C)
r. (%) 1%) ($) 605 615 625 635 645
0,5* 0,29 0,027 0,022 0,018
0,107 0,13* 0,013 0,013 0,011
0,036 0,030 0,009 0,012 0,013
0,020 0,020 0,013 0,012 0,009
5 1,25 30 68,75 0,018 0,018 0,013 0,013 0,012
6 1,50 30 68,50 0,012 0,012 0,011 0,011 0,009
1 | 0,25 | 30 | 69,75 |
2 | 0,50 | 30 | 69,50 |
3 | 0,75 | 30 | 69,25 |
1,0 | 30 | 69,00 |
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- -15 -
Spezifischer Folienwiderstand (Ohm/Fläche) bei den jeweiligen
- Brenntemperaturen (in 5C)
»lei SdUT SI«, nlSf' Bromtemperaturen (l^C)
(%) (*) (*) 605 615 625 635 64-5
7 10 20 70 0,052 0,028 0,026 0,027 0,032
8 20 20 60 0,09* 0,0* 0,036 0,036 0,040
9 30 20 30 0,18 0,07 0,063 0,070 0,066
10 10 30 60 0,18 0,03* 0,027 0,025 0,030
11 20 30 50 0,040 0,056 0,0*3 0,0*2 0,0*8
12 30 30 *0 1,7 0,17 0,12 0,12 0,1*
13 10 *0 50 3,6 0,055 0,038 0,036 0,036 1* 20 *0 *0 *,5 0,128 0,09 0,075 0,075
15 30 *0 30 5,1 0,5* 0,32 0,28 0,32
16 7,5 50 *2,5 1000 0,18 0,18 0,06 0,07
In !Tabelle I sind die Material «nt eile in Gew.%, die Scheitelwerte
der Brenntemperaturen und der spezifische Folienwiderstand der gebrannten Proben angegeben. Die Zusammensetzungen
geeäß den Beispielen 1 bis 6 können gut wiederholt gebrannt bzw. nachgebrannt werden, ohne beeinträchtigende
Tröpfchenbildung· In Fällen, wo wiederholtes Brennen bzw. nachbrennen oberhalb 5800C nicht erforderlich ist,
geben die Beispiele 7 bis 16 geoäß Tabelle II auf Glassubstraten
Leiter Bit ausgezeichneter Haftung und Feuchtigkeitsbeständigkeit
bei gleichzeitig verbesserter
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Eine Glasfritte wurde durch Mahlen in der Kugelmühle auf
Teilchengrößen der Maschenzahl -400 (US Standardsiebskala)
zerkleinert. Das Material wurde sodann in dem erforderlichen Verhältnis mit Aluminiumpulver (das maximal 0,15 %
Silicium als Unreinheiten enthalten kann) der Maschenzahl -400 ausgewogen und sum Trockeneischen in einen verschlossenen
Glaskolben eingebracht, der anschließend mehrere Stunden lang gerollt bzw. gewälzt wurde. Das so erhaltene
Trockengemisch wurde sodann mit einem geeigneten organischen Bindemittel zu einer dicken Filmpaste angerührt.
Biese dicke Filmpaste wurde, wie für die Beispiele 1 bis
16 beschrieben, aufgedruckt, getrocknet und gebrannt. In der Tabelle ZII sind die Brenntemperaturen und der spezifische
Folienwiderstand dieser Aluminium-Glas-Leiterzusammensetzung
angeführt·
Rn 4 Aim4 (Ohm/Fläche) bei den jeweiligen
spiel SOT Glas niS?"
ITr. (%) (%) (%) 605 615 62$ 635
17 0 30 70 2,2 0,45 0,20 0,11
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Ein Vergleich von Tabelle III mit den Tabellen I und II
läßt zwei unerwartete Tatsachen erkennen. Die erste besteht darin, daß bei der gleichen Brenntemperatur die erfindungsgemäße
Aluminium-Silicium-Glas-Leiterzusammensetzung
- mit einer einzigen Ausnahme - einen niedrigeren spezifischen Widerstand als die als Vergleich gewählte
Aluminium-Glae-Leiterzusamiieneetzung besitzt. Dieses Phänomen
kommt völlig unerwartet, da dem Fachmann geläufig ist, daß Legierungen gewöhnlich einen spezifischen Widerstand
besitzen, der wenigstens größer als der spezifische Widerstand der leitfähigeren Iiegierungskomponente ist und
häufig sogar auch größer als der spezifische Widerstand der weniger leitfähigen Iiegierungskomponente.
Das zweite unerwartete Phänomen besteht darin, daß das "Brenntemperaturfenster", d. h. der Bereich zulässiger
Brenntemperaturen, mit denen gute Ergebnisse erzielt werden, durch die Zufügung von Silicium zu einer LeiterzusammensetEung
auf Aluminiumbasis in unerwarteter Weise verbreitert werden kann·
Dieser vorstehend nochmals an Hand der dadurch erzielten unerwarteten Vorteile zusammengefaßte Grundgedanke der Erfindung
wurde vorstehend an Hand spezieller Ausführungsbeispiele
erläutert, die selbstverständlich in mannigfacher, für den Fachmann naheliegender Weise abgewandelt und
erweitert werden können, ohne daß hierdurch der Rahmen der Erfindung verlassen wird.
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Claims (1)
- PatentansprücheLeitfShigkeitszusammensetzung auf Aluminiumbasis, dadurch gekennzeichnet, daß sie von etwa 0,25 bis etwa " Gew.% Silicium, von. etwa 10 bis etwa 50 Gev.% Glas und von etwa 20 bis etwa 90 Gew.% Aluminium aufweist.2· Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie von. etwa 0,25 bis etwa 1,5 Gew.$ Silicium, von etwa 25 bis etwa 35 Gev.% Glas und von etwa ?5 bis etwa 87 Gew.Jt Aluminium aufweist·3· Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie von etwa 7 bis etwa 11 Gew.56 Silicium, von etwa 35 bis etwa 45 Gewo?fc Glas sowie von etwa 35 bis etwa 58 Gew.* Aluminium enthält o4·· Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 3 t dadurch gekennzeichnet, daß sie 10 Gew.% Silicium, 40 Gew.% Glas und 50 Gew.* Aluminium enthalt.5· Unter Terwendung der JEieitersueammensetzung nach einem oder mehreren der vorhergnn Anspräche hergestellte Leiteranordnung auf einem nicht-leitenden Substrat, dadurch gekennseiohnet, daß sie auf dem nicht-leitenden Substrat aufeinanderfolgend ein Bickfilmmuster aus der Leiterauae—en setzung gemftß einem oder mehreren der vorhergehenden Anspräche sowie eine Vickelschicht von etwa 0,05 bis etwa 0,5 tausendstel Zoll über dem Dickfilamuster aufweist·809831/0924
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