DE3135720C2 - Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für DünnschichtleiterbahnenInfo
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Abstract
Aufbau von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen, enthaltend eine Pd-Schicht (Pd) über einem isolierenden Substrat (S), wobei eine die Pd-Schicht (Pd) bedeckende Au-Schicht, auch unmittelbar vor dem Verlöten, ganz fehlt, indem nämlich die Pd-Schicht (Pd) die oberste Metallschicht ist.
Description
- Thin Solid Films 41 (1977) 87-103 und
— in beachtlichen Anzahlen hergestellte, im EMS-Vermittlungssystem
bisher benutzte Siemens-Bausteine, Typ S42026B012,
bereits dadurch, daß in diesem sonstigen Stande der Technik noch viel dickere Au-Schichten mit entsprechend
hohem Au-Verbrauch für nötig gehalten wurden, nämlich häufig z. B. die Schichtenfolge: Au mit z. B.
600 nm Dicke, Pd mit z. B. 400 nm Dicke, Ti mit z. B. 50 nm Dicke, CrNi mit z.B. 100Ω/Ο Widerstand auf
z. B. A^Oß-Substrat oder Glassubstrat, oder z. B. die
Schichtenfolge von Au mit z. B. 6000 nm Dicke, Pd mit z. B. 200 nm Dicke, Ti mit z. B. 75 bis 200 nm Dicke.
Beim zuerst genannten, durch DE-AS 23 07 194 bekannten, beim in der DE-OS 30 29 277 angegebenen
älteren und beim erfindungsgemäßen Verfahren kann einerseits die Ti-Schicht insbesondere als gute Haftschicht
zwischen Pd und CrNi dienen, sowie zum Schutz gegen zu starke Unterätzung der CrNi-Schicht beim
Wegätzen der außerhalb der Leiterbahnen liegenden Teile dieser CrNi-Schicht. Andererseits kann die
CrNi-Schicht bevorzugt unmittelbar auf dem Substrat angebracht sein und bei Bedarf insbesondere zur
Bildung von elektrischen Widerständen dienen, indem unter den Pd-Ti-Schichten der Leiterbahnen verbleibende
CrNi-Reste, wegen der guten Isolatoreigenschaften des Substrats, elektrisch weitgehend vernachlässigbar
sind und indem zwischen zwei Leiterbahnen verbleibende, nicht mit weggeätzte CrNi-Schichten bei Bedarf den
Widerstand zwischen diesen beiden Leiterbahnen bilden.
Die Erfindung hat demnach ebenso wie das durch die DE-AS 23 02 194 bekannte Verfahren und das ältere, in
der DE-OS 30 29 277 angegebene Verfahren den Vorteil,
20
— eine gute Haftung der Lötmassen beim späteren Verlöten der, insbesondere durch Ätzen aus den
Metallschichten gebildeten, Leiterbahnen,
— eine Vermeidung von, durch Diffusion von Au-Atomen in noch tiefere Schichten ausgelösten,
Störungen,
— eine lange Lagerfähigkeit der nicht verlöteten, sogar der noch nicht durch Ätzung bereits zu
Leiterbahnen geformten, Metallschichten auf dem Substrat, in normaler Luft ohne wesentliche '5
Beeinträchtigung der guten Löteigenschaften, trotz der extremen Reduktion des Au-Aufwandes,
— eine gute Haftung zwischen der zum Löten benötigten Pd-Schicht auf der CrNi-Schicht mittels
Ti-Schicht,
— die bei hohen Stückzahlen, z.B. ^ei 100 000
Substraten pro Jahr, sehr beachtliche Einsparung des Au-Materialaufwandes,
— bei Bedarf sogar trotz mehrmalig wiederholtem Löten, selbst bei zweifachem oder noch öfteren An-
und Ablöten, eine gute Benetzung der Pd-Schicht mit der Lötmasse ohne erhebliches Ablegieren der
Pd-Schicht, und damit eine gute Haftung der späteren Lötverbindung zwischen dem Pd und der
darüberliegenden Lötmasse, die z. B. aus 60% Sn 36,5% Pb und 3,5% Ag, besteht, und
— eine gute Zugfestigkeit bzw. Abreißfestigkeit der Lötverbindung selbst nach monatelanger Lagerung
der Lötverbindung unter 150° C in normaler Luft, trotz der extremen Reduktion des Au-Aufwandes, 1^
zu ermöglichen.
Au-Einsparungen sind überdies in Zukunft umso bedeutsamer, je mehr generell auf dem Weltmarkt der
Au-Bedarf bzw. die Au-Nachfrage steigt, und je mehr die leicht abbaubaren Au-Vorräte der Welt zurückgehen,
je mehr also die schon bisher hohen Kosten für Au weiter steigen. Bei der Entwicklung des älteren
Verfahrens hatten Versuche gezeigt, daß oft auch die Pd-Schicht dann dünner als bisher üblich ohne Störung
der Langzeiteigenschaften der noch tieferen Ti-CrNi-Schichten gemacht werden konnte, wenn die Au-Schicht
besonders dünn ist, z. B. 280 nm Pd bei 100 nm Au, statt
400 nm Pd bei 600 nm Au. Dadurch wurde zusätzlich der Pd-Materialverbrauch erheblich verringert, was eben- )0
falls hohen Kostenverminderungen entspricht. Überdies bildeten sich im Fotolack über der Au-Schicht umso
weniger Versprödungen bzw. Risse beim späteren Ätzen der Pd-Schicht — also beim späteren Herstellen
der Leiterbahnen aus den Metallschichten — je dünner die Pd-Schicht war, also je kürzer die Einwirkdauer des
das Pd lösenden Ätzmittels auf den Fotolack war. Risse im Fotolack bewirken beim Ätzen Löcher und
Unterbrechungen in Pd und Ti bzw. in den Leiterbahnen
— also Ausschuß, wobei insbesondere beim Tauchlöten
Benetzungsschwierigkeiten bzw. Sn entstehen. Die Au-Schicht, wenn auch nur noch dünn, wurde aber, im
Hinblick auf die damit erreichte Haftung von Lötmasse bzw. Sn auf Pd, und besonders zur Vermeidung von
starken Oxidationen des Pd beim anschließenden bD
Tempern, dort weiterhin für nötig gehalten.
Die Aufgabe der Erfindung ist, zusätzlich zu den aufgezählten Vorteilen,
- trotz längerer, z. B. 30 Minuten dauernder, Temperung
an Luft, z. B. be: 35O0C, keine dicke schädliche
Palladiumoxid-Schicht auf der Pd-Schicht zu erzeugen, sowie
— jeglichen Zeit- und Zubehöraufwand zur Anbringung irgendeiner Ersatzschicht, statt Au-Schicht,
auf der Pd-Schicht einzusparen, um deren starke Oxidation bei der Temperung der CrNi-Schicht zu
vermeiden.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen Maßnahmen gelöst. Die Erfindung beruht
also auf der Erkenntnis, daß die, im Allgemeinen für sich betrachtet vorteilhafte. Temperung der unten angebrachten
CrNi-Schicht bereits vor Anbringung der Pd-Schicht und vor Anbringung der Τι-Schicht gestattet,
dicke Oxidschichten auf der Pd-Schicht zu vermeiden, ohne die Haftung der Ti-Schicht auf der CrNi-Schicht
wesentlich zu beeinträchtigen. Tempert man also vor der Anbringung der Ti-Schicht und der Pd-Schicht, dann
ist die sich bei der Lagerung auf der Pd-Schicht bildende dünne Palladiumoxid-Schicht jedenfalls kein Hindernis
für eine noch spätere Lötung. Versuche zeigten außerdem, daß auf die Anbringung einer Au-Schicht
oder sonstigen Schutzschicht auf der Pd-Schicht, ohne wesentliche Einbuße der Löteigenschaften des Pd, völlig
verzichtet werden kann, selbst wenn man die ungeschützte Pd-Schicht vor dem Verlöten an normaler Luft
lagert. Die sich bei dieser Lagerung bildende dünne Palladiumoxid-Schicht auf der Pd-Schicht ist oft eher
sogar nützlich als schädlich für die Löteigenschaften, weil beim Löten die Ablegierung der Pd-Schicht wegen
der dünnen Palladiumoxid-Schicht verzögert wird, wodurch trotz besonders dünner Pd-Schicht von z. B.
280 nm Dicke sogar ein mehrmaliges An- und Ablöten zulässig ist. Diese dünne, durch Lagerung entstehende
Palladiumoxid-Schicht verhindert jedenfalls nicht das spätere Löten. Nur eine sehr dicke Palladiumoxid-Schicht,
wie sie z. B. beim halbstündigen Tempern in 3500C heißer Luft bei Fehlen der Au-Schicht entzünde,
würde ein späteres Löten verunmöglichen. Die Annahme, man müsse eine Au-Schicht, und sei sie nur
hauchdünn, sogar aus mehreren Gründen, auf der Pd-Schicht anbringen, ist also falsch.
Die in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen gestatten zusätzliche Vorteile, nämlich die Maßnahmen
gemäß Anspruch 2, trotz des besonders geringen Aufwandes an Pd, selbst bei langdauernder Erwärmung
auf 1500C an Luft, noch immer eine hohe Abreißfestigkeit
der Lötverbindung zwischen Pd und der Lötmasse zu erreichen, sowie trotz des dann geringen Aufwandes
an Pd noch immer die weitgehend problemfreie Möglichkeit des mehrfachen An- und Ablötens zu
erhalten, und 3, eine bequeme Lagerfähigkeit an Luft vor der Verlötung zu erreichen.
Die Erfindung wird anhand der Figur näher erläutert. Diese Figur zeigt schematisch ein Beispiel für den
erfindungsgemäßen Aufbau der Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen in jenem Herstellungsstadium,
in welchem die Pd-Schicht Pd bereits angebracht und mit dem zur Formung der Leiterbahnen dienenden
Fotolack, hier von 1500 nm Dicke, bedeckt ist — also in einem Herstellungsstadium, in welchem dieser Fotolack
noch nicht wieder abgewaschen ist und die Lötverbindung erst noch viel später hergestellt wird.
Die Figur zeigt dementsprechend die Pd-Schichi Pd über dem isolierenden Substrat S, das hier aus AI2O3
besteht. Eine Au-Schicht über der Pd-Schicht Pd fehlt
ganz, indem die Pd-Schicht Pd, also unbedeckt von einer Au-Schicht, unmittelbar vor dem Verlöten der Dünnfilmleiterbahn
und beim Verlöten derselben die oberste feste (nicht flüssige) Metallschicht ist. Im gezeigten
Beispiel sind auf dem Substrat S nacheinander angebracht:
— eine CrNi-Schicht, von 30 nm Dicke bei 100 Ω pro
(dimensionslosem) Quadrat (z. B. pro μηι2),
— eine Ti-Schicht von 50 nm Dicke,
— die Pd-Schicht, z. B. von 280 nm Dicke, und
— zur Ätzung bzw. Formung der Leiterbahnen eine schützende Fotolackschicht Lack von 1,5 μ Dicke,
die in für sich bekannter Weise — bei den Metallen insbesondere durch Aufdampfen oder durch Galvanisieren,
beim Fotolack insbesondere durch Besprühen, Schleudern und Belichten — angebracht werden
können.
Die Pd-Schicht dient hier nicht vor allem zur Verhinderung, daß (hier nicht vorhandene) Au-Atome in
noch tiefere Schichten, z. B. Ti und CrNi, eindiffundieren und damit u. a. die Langzeiteigenschaften dieser noch
tieferen Schichten ungünstig beeinflussen; — obwohl geringe evtl. vorhandene Au-Spuren auf der Pd-Oberfläche
Pd auch bei der Erfindung daran gehindert werden, in die unter der Pd-Schicht liegenden Schichten
vorzudringen. Die Pd-Schicht Pd dient bei der Erfindung vor allem als jene Schicht, an der später die Lötmassen
haften werden. Die Ti-Schicht Ti dient insbesondere als gute Haftschicht zwischen der Pd-Schicht Pd und der
CrNi-Schicht CrNi, so wie zum Schutz gegen Unterätzung der CrNi-Schicht beim Wegätzen der außerhalb
der Leiterbahnen liegenden Teile dieser CrNi-Schicht Die CrNi-Schicht kann unmittelbar auf dem Substrat
angebracht sein und bei Bedarf insbesondere zur Bildung von elektrischen Widerständen dienen, wobei
die unter unmittelbar den Leiterbahnen verbleibenden CrNi-Reste, wegen der guten Leitfähigkeit der Pd- und
Ti-Schicht sowie wegen der isolatoreigenschaften des Substrats, elektrisch weitgehend vernachlässigbar sind
und wobei die zwischen zwei Leiterbahnen verbleibenden, nicht weggeätzten CrNi-Schichten bei Bedarf die
Widerstände zwischen diesen beiden Leiterbahnen bilden.
Die Erfindung bietet eine gute Haftgrundlage für das spätere Verlöten der, insbesondere durch Ätzen, aus den
Metallschichten gebildeten Leiterbahnen und sie weist eine lange Lagerfähigkeit der noch nicht verlöteten,
fertigen Metallschichten an Luft auf, obwohl die Au-Schicht fehlt sogar ein mehrmalig wiederholtes An-
und Ablöten ohne Abicgieren der Pd-Schicht bei hoher
Abreißfestigkeit der Lötverbindungen möglich ist
Die Dicke der Pd-Schicht Pd der Erfindung sollte bevorzugt eine Obergrenze nicht überschreiten und
eine Untergrenze nicht unterschreiten.
Die Obergrenze für die Dicke der Pd-Schicht Pd Hegt normalerweise bei 600 bis 700 nm Dicke. Wird diese
Obergrenze überschritten, wird, im allgemeinen völlig unnötig, zuviel Pd verbraucht dessen Preis sehr hoch ist
Bei 600 nm Dicke kann mit relativ wenig Ausschuß sogar ein dreimaliges und noch öfteres An- und Ablöten
zugelassen werden.
Die Untergrenze für die Dicke der Pd-Schicht Pd liegt normalerweise bei 200 bis 250 nm. Bei dieser Dünne ist
sogar mit immer noch relativ wenig Ausschuß ein zweimaliges An- und Ablöten zulaßbar, bei kaum
verringerter Abreißfestigkeit der Lötverbindungen. Der Pd-Verbrauch ist zudem besonders gering. Die durch
Lagerung an Luft entstehende Palladiumoxid-Schtcht ist vergleichsweise so gering, daß die Dicke der Pd-Schicht
Pd durch diese schwache Oxidation nur unwesentlich verringert wird. Außerdem reicht in vielen Fällen der
ohmsche Leitwert der später geformten Leiterbahnen oft aus, selbst wenn die Pd-Schicht so dünn gemacht
ίο wird — andernfalls könnte man dann bei Bedarf auch
eine größere Dicke der Pd-Schicht, z. B. 700 nm, wählen. Besonders vorteilhaft sind Pd-Schichten von nur z. B.
250 nm Dicke, aber an sich auch noch von 600 bis 700 nm Dicke, auch deshalb, weil dann mit besonders
wenig Ausschuß die Leiterbahnen geätzt bzw. geformt werden können. Bei einer so dünnen Pd-Schicht Pd ist
der Ätzprozeßschritt, auch wegen des Fehlens der' zusätzlichen Au-Schicht relativ rasch beendet, und es
wird dabei der Fotolack und auch die Ti-Schicht Ti von den Ätzmitteln noch nicht stark angegriffen — eine der
verschiedenen Hauptursachen für Ausschuß bei der Herstellung von solchen Leiterbahnen beim Stand der
Technik. Es bilden sich nämlich im Fotolack Lack über der Pd-Schicht umso weniger Versprödungen bzw.
Risse beim späteren Ätzen der Pd-Schicht, also beim späteren Herstellen der Leiterbahnen aus den Metallschichten,
je dünner die Pd-Schicht ist, also je kürzer die Einwirkdauer des das Pd lösenden Ätzmittels auf den
Fotolack ist. Risse im Fotolack verursachen nämlich beim Ätzen Löcher und Unterbrechungen im Pd und Ti,
damit in den Leiterbahnen — also Ausschuß, wobei wegen solcher Löcher und Unterbrechungen, insbesondere
beim Tauchlöten, Benetzungsschwierigkeiten bzw. der Sn-Legierungen bzw. ähnlicher Lötmassen entstehen.
Bei der Erfindung wird also das in der Figur gezeigte Beispiel bevorzugt dadurch hergestellt daß zuerst auf
das Substrat die CrNi-Schicht aufgedampft wird, wonach diese Schicht dann, z. B. im Umluftofen bei
3500C eine halbe Stunde, getempert wird. Dann werden im Vakuum die Schichten Ti und Pd aufgedampft
wonach die Leiterbahnen sofort oder nach einer Lagerung mit Lack, Licht und Ätzmitteln geformt
werden. Endlich werden die Leiterbahnen, z. B. im Tauchbad, belötet Auf diese Weise wird eine starke
Oxidation der Pd-Schicht durch Tempern sowie das Anbringen der Au-Schicht vermieden. Für das Tempern
empfiehlt es sich, ggf. den Umluftofen zur Aufnahme der Aufdampfkalotte auszurüsten, damit die Kalotte nicht
entladen werden muß. Denkbar ist auch eine Temperung in der Aufdampfanlage.
Eine optische Beurteilung im Mikroskop zeigte, daß die Pd-Schichten der Leiterbahnen auch beim Tauchlöten
gleich gut benetzt wurden wie Leiterbahnen mit zusätzlichen Au-Schichten.
Auch Reflow-Löten ist bei der Erfindung möglich. Muster wurden gleich mehrmals an den gleichen
Anschlußfiecken ein- und ausgelötet Nach dem zweiten Auflöten wurde an den Kanten der betreffenden
Lötstellen eine unbedeutende Ablegierung der Pd-Schichten festgestellt
In einem Abreißtest wurden Cu-Stifte aufgelötet und nach einer Lagerung von 500 h bei sogar 15O0C die
Zugfestigkeit gemessen. Dabei ergaben sich ähnlich gute Werte wie bei Pd-Schichten mit Au-Bedeckung,
nämlich etwa 70 N/mn.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen, wobei
auf einem isolierenden Substrat (S) eine CrNi-Schicht (CrNi), eine Ti-Schicht (Ti), und darüber eine
Pd-Schicht (Pd) angebracht wird, ohne daß vor dem Verlöten der daraus gebildeten Leiterbahnen die
Pd-Schicht (Pd) noch zusätzlich mit einer eigenen Au-Schicht abgedeckt wird, insbesondere zur Herstellung
dieses Aufbaus für eine Dünnfilmleiterbahn auf einem Al^-Substrat oder auf einem Glas-Substrat
bei einem Kodierer-Dekodierer-Halbleiterbaustein eines digitalen Femsprech-Vermittlungssystems,
dadurch gekennzeichnet, daß in aufeinanderfolgenden Schritten
— nach dem Anbringen, z. B. durch Bedampfung
im Vakuum, der CrNi-Schicht (CrNi) auf dem Substrat (S), zuerst die CrNi-Schicht (CrNi), z. B.
in einem Umluftofen, getempert wird,
— bevor später die Ti-Sicht (Ti) über den dann schon getemperten CrNi-Schicht (CrNi), z. B.
durch Bedampfen im Vakuum, und anschließend die Pd-Schicht (Pd) über der Ti-Schicht (Ti), z. B.
durch Bedampfen im Vakuum,
angebracht wird.
2. Verfahren nach Patentanspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
— die Pd-Schicht (Pd) 200 bis 310 nm dick gemacht
wird.
3. Verfahren nach Patentanspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
— durch Lagerung an offener Luft die Pd-Schicht (Pd) durch eine Palladiumoxid-Schicht bedeckt
wird, die nicht mehr vor dem Verlöten entfernt wird.
45
Die Erfindung betrifft spezielle Details bei der Au-einsparenden Herstellung der Metallschichten von
elektrischen Leiterbahnen, welche auf, insbesondere Halbleiterschaltungen tragenden, Substraten angebracht
sind. Die Erfindung wurde vor allem für Leiterbahnen entwickelt, die insbesondere als Verdrahtung
von großintegrierten Kodierer-Dekodierbausteinen von Fernsprech-Vermittlungssystemen unter Verwendung
von Al2O3-Substraten oder Glassubstraten
dienen sollen. Diese Leiterbahnen werden erst später, nämlich erst nach dem Herstellen der Metallschichten,
bevorzugt durch Ätzen mittels Fotolackverfahren, aus den aufgebauten Metallschichten hergestellt und bilden
dann Leiterbahnen von mehrschichtigen Metallen.
Die Erfindung geht nämlich von dem im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahren zur
Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten aus, das in der DE-AS 23 02 194, insbesondere Spalte 4, Zeilen
46 bis 59 angegeben ist. In jener DE-AS wird jedoch im wesentlichen nur auf das Ätzen nach dem Herstellen
der Metallschichten eingegangen. Über die Dicke der einzelnen Schichten wird dort nichts Konkretes
angegeben.
In einer alteren DE-OS 30 29 277 wird ein ähnliches Verfahren zur Herstellung des Aufbaus von Metailschichten,
dort für tauchlötbare und refiowlötbare
Leiterbahnen, angegeben, wobei dort beispielhaft Schichtdicken von Pd 280 nm. Ti 50 nm und CrNi 30 nm
bei ΙΟΟΩ/D vorgeschlagen werden. Anders als bei der
Erfindung und anders als bei dem durch jene DE-AS bekannten Verfahren wird jedoch im älteren Verfahren
die Pd-Schicht zusätzlich, vor dem Tempern der CrNi-Schicht, von einer dünnen, im Vakuum, sofort nach
dem Aufdampfen der Pd-Schicht aufgedampften oder erst später galvanisch auf der Pd-Schicht angebrachten,
Au-Schicht, wenn auch nur von z. B. 100 nm Dicke, bedeckt, vor allem um die Pd-Schicht beim Tempern der
CrNi-Schicht nicht zu stark in für Lötungen sehr schädlicher Weise zu oxidieren sowie um mittels der
hauchdünnen Au-Schicht eine gute Haftgrundierung auf der Pd-Schicht für Lötmassen wie Sn zu bieten, wobei
die Au-Schicht während des Lötens zumindest zu einem beachtlichen Teil weglegiert wird und die Lötmasse
dann unmittelbar auf der Pd-Schicht haftet Die Pd-Schicht darf nicht zu dünn sein, weil sie selbst
während des Lötens langsam ablegiert wird — besonders wenn ein mehrmaliges An- und Ablöten
zulässig sein soll. Die unter der Au-Schicht liegende Pd-Schicht dient in diesem älteren Verfahren, außer als
Kontaktmasse für die Lötmassen beim Löten, zusätzlich zur Verhinderung, daß die sehr beweglichen Au-Atome
in noch tiefere Schichten, z. B. Ti und CrNi, eindiffundieren und damit u.a. die Langzeiteigenschaften dieser
noch tieferen Schichten ungünstig beeinflussen.
Das ältere Verfahren unterscheidet sich, trotz der Verwendung von Au, vom sonstigen, vergleichbaren
Stand der Technik, vgl. z. B.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813135720 DE3135720C2 (de) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19813135720 DE3135720C2 (de) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3135720A1 DE3135720A1 (de) | 1983-03-24 |
DE3135720C2 true DE3135720C2 (de) | 1983-10-27 |
Family
ID=6141234
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19813135720 Expired DE3135720C2 (de) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | Verfahren zur Herstellung eines Aufbaus von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3135720C2 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3445982A1 (de) * | 1984-12-17 | 1986-06-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Glasfaser fuer eine optische leitung der nachrichtentechnik |
DE3638342A1 (de) * | 1986-11-10 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Elektrisches bauelement aus keramik mit mehrlagenmetallisierung und verfahren zu seiner herstellung |
DE3809836A1 (de) * | 1988-03-23 | 1989-10-12 | Siemens Ag | Veredelung von formenmaterialien zum pressen von glas |
-
1981
- 1981-09-09 DE DE19813135720 patent/DE3135720C2/de not_active Expired
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---|---|---|---|---|
DE3445982A1 (de) * | 1984-12-17 | 1986-06-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Glasfaser fuer eine optische leitung der nachrichtentechnik |
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DE3809836A1 (de) * | 1988-03-23 | 1989-10-12 | Siemens Ag | Veredelung von formenmaterialien zum pressen von glas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3135720A1 (de) | 1983-03-24 |
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