DE3135720A1 - Aufbau von metallschichten fuer duennschichtleiterbahnen - Google Patents

Aufbau von metallschichten fuer duennschichtleiterbahnen

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Description

  • Aufbau von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen.
  • Die Erfindung betrifft elektrische Leiterbahnen auf, insbesondere Halbleiterschaltungen tragenden Substraten, nämlich Leiterbahnen auf insbesondere großintegrierte Kodierer-Dekodierbausteine von Fernsprech-Vermittlungssystemen tragenden Al203-Substraten oder Glassubstraten.
  • Diese Leiterbahnen werden später, bevorzugt durch Ätzen mittels Fotolackverfahren, aus den aufgebauten Metallschichten hergestellt und bilden dann Bahnen von mehrschichtigen Metallen. Diese Leiterbahnen sollen sich für spätere Verbindungen durch Löten, insbesondere durch Tauchlöten Schwallöten und auch für Reflowlöten, eignen.
  • Die Erfindung geht von dem im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Aufbau von Metallschichten aus, der in der älteren, nicht vorveröffentlichten DE-OS 30 29 277 angegeben ist. Die Leiterbahnen enthalten also eine Pd-Schicht über einem isolierenden Substrat. Ein solcher Aufbau enthält, vgl. jene ältere DE-OS, insbesondere bei tauchlötbaren und reflowlötbaren Leiterbahnen, von oben her beginnend, häufig die im Vakuum aufgedampfte Schichtenfolge Pd mit z.B. 280 nm Dicke, Ti mit z.B. 50 nm Dicke und CrNi mit z.B. 30 nm Dicke bei 100 #/# Widerstand auf z.B. Al203-Substrat oder Glassubstrat.
  • Die Pd-Schicht wird dort von einer dünnen weiteren im Vakuum sofort nach dem Aufdampfen der Pd-Schicht aufgedampften oder erst später galvanisch auf der Pd-Schicht angebrachten Au-Schicht von z.B. 100 mm bedeckt, vor allem um die Pd-Schicht beim späteren Tempern der CrNi-Schicht nicht zu stark in für Lötungen sehr schädlicher Weise zu oxidieren sowie um mittels der Au-Schicht eine gute Haftgrundierung auf der Pd-Schicht für Lötmassen wie Sn zu bieten, wobei die Au-schicht während des Lötens zumindest zu einem beachtlichen Teil weglegiert wird und die Lötmasse dort unmittelbar auf der Pd-Schicht haftet. Die Pd-Schicht darf nicht zu dünn sein, weil sie selbst während des Lötens langsam ablegiert wird, besonders wenn ein mehrmaliges An- und Ablöten zulässig sein soll.
  • Die unter der Au-Schicht liegende Pd-Schicht dient dort außer als Kontaktmasse für Lötmassen beim Löten, zusätzlich zur Verhinderung, daß die sehr beweglichen Au-Atome in noch tiefere Schichten, z.B. Ti und CrNi, eindiffundieren und damit u.a. die Langzeiteigenschaften dieser noch tieferen Schichten ungünstig beeinflussen.
  • Hierbei kann einerseits die Ti-Schicht insbesondere als gute Haftschicht zwischen Pd und CrNi dienen, sowie zum Schutz gegen zu starke Unterätzung der CrNi-Schicht beim Wegätzen der außerhalb der Leiterbahnen liegenden Teile dieser CrNi-Schicht. Andererseits kann die CrNi-Schicht bevorzugt unmittelbar auf dem Substrat angebracht sein und bei Bedarf insbesondere zur Bildung von elektrischen Widerständen dienen, indem unter dem Au-Pd-Ti der Leiterbahnen verbleibende CrNi-Reste, wegen der guten Isolatoreigenschaften des Substrats, elektrisch weitgehend vernachlässigbar sind und indem zwischen zwei Leiterbahnen verbleibende, nicht mit weggeätzte CrNi-Schichten bei Bedarf den Widerstand zwischen diesen beiden Leiterbahnen bilden.
  • Die Erfindung hat demnach ebenso wie der zitierte ältere Gegenstand den Vorteil, - eine gute Haftung der Lötmassen beim späteren Verlöten der, insbesondere durch Ätzen, aus den Metallschichten gebildeten Leiterbahnen, - eine Vermeidung von, durch Diffusion von Au-Atomen in noch tieferen Schichten, ausgelösten Störungen, - eine lange Lagerfähigkeit der nicht verlöteten, noch rILdtgeformten oder durch Ätzung bereits zu Leiterbahnen geformten Metallschichten auf dem Substrat, - eine gute Haftung zwischen der zum Löten benötigten Pd-Schicht, z.B. mittels Ti-Schicht, auf einer CrNi-Schicht, - d# bei hohen Stückzahlen, z.B. bei 100 000 Substraten pro Jahr, sehr beachtliche Verringerung des Au-Materialaufwandesl - bei Bedarf sogar mehrmalig wiederholtes Löten ohne Ablegieren der Pd-Schicht und - die Vermeidung der starken Oxidation der Pd-Schicht besonders beim Tempern der unten angebrachten CrNi-Schicht, zu ermöglichen.
  • Der genannte ältere Gegenstand unterscheidet sich vom sonstigen, vergleichbaren Stand der Technik, vgl. z.B.
  • - Thin Solid Films 41 (1977)87 - 103 und - in beachtlichen Anzahlen hergestellte, im EMS-Vermittlungssystem bisher benutzte Siemens-Bausteine, Typ S42026B6012, bereits dadurch, daß in diesem Stande der Technik noch viel dickere Au-Schichten mit entsprechend hohem Au-Verbrauch für nötig gehalten wurden, nämlich häufig z.B. die Schichtenfolge:Au mit z.B. 600 nm Dicke, Pd mit z.B. 400 nm Dicke, Ti mit z.B. 50 nm Dicke, CrNi mit z.B. 100 Q/ Widerstand auf z.B. Al203-Substrat oder Glassubstrat, oder z.B. die Schichtenfolge von Au mit z.B. 6000 nm Dicke, Pd mit z.B. 200 nm Dicke, Ti mit z.B. 75 bis 200 nm Dicke.
  • Bei der Entwicklung des älteren Gegenstandes wurde nämlich bereits das allgemein bis dahin verbreitete Vorurteil der Fachwelt durchbrochen, für solche gut lötbaren Dünnschichtleiterbahnenfals Bedeckung der Pd-Schicht'Au-Schichten von mindestens 600 nm verwenden zu müssen.
  • Der ältere Gegenstand löste nämlich seine Aufgabe, Au daß#Cu#Schicht einzusparen, dadurch, daBsAu-Schicht dünner als 500 nm gemacht wurde, nämlich bevorzugt nur nach 50 bis 120 nm dick gemacht wurde.
  • Au-Einsparungen sind überdies in Zukunft umso bedeutsamer, je mehr generell auf dem Weltmarkt der Au-Bedarf bzw. die Au-Nachfrage steigt, und je mehr leicht abbaubare Au-Vorräte der Welt zurückgehen, je mehr also die schon bisher hohen Kosten für Au weiter steigen. Bei der Entwicklung des älteren Gegenstandes hatten Versuche gezeigt, daß oft auch die Pd-Schicht dann dünner als bisher üblich ohne Störung der Langzeiteigenschaften der noch tieferen Ti-CrNi-Schichten gemacht werden konnte, wenn die Au-Schicht besonders dünn ist, z.B. 280 nm Pd bei zum Au, statt 400 nm Pd bei 600 nm Au. Dadurch wurde zusätzlich der Pd-Materialverbrauch erheblich verringert, was ebenfalls hohen Kostenverminderungen entspricht. Überdies bildeten sich im Fotolack über der Au-Schicht umso weniger Versprödungen bzw. Risse beim späteren Ätzen der Pd-Schicht - also beim späteren Herstellen der Leiterbahnen aus den Metallschichten - je dünner die Pd-Schicht war, also je kürzer die Einwirkdauer des das Pd lösenden Ätzmittels auf den Fotolack war. Risse im Fotolack bewirken beim Ätzen Löcher und Unterbrechungen in Pd und Ti bzw.
  • in den Leiterbahnen - also Ausschuß, wobei insbesondere beim Tauchlöten Benetzungsschwierigkeiten bez. Sn entstehen. Die Au-Schicht,wenn auch nur noch dünn, wurde aber in Hinblick auf die damit erreichte Haftung von Lötmasse bzw. Sn auf Pd und besonders zur Vermeidung von starken Oxidationen des Pd beim anschließenden Tempern, weiterhin für nötig gehalten.
  • Die Erfindung stellt also, wie oben angegeben, eine Weiterentwicklung des älteren Gegenstandes dar. Die Er- findung hat zusätzlich den Vorteil, 81 P ç 9 4 9 DE - eine weitere beachtliche Einsparung des Au-Aufwandes und des damit verbundenen Zeit- und Hilfsmittel- und Geräteaufwandes, - eine Einsparung des Zeit- und Zubehöraufwandes zur Anbringung irgendeiner Ersatzschicht, statt Au-Schicht1 auf der Pd-Schicht, - eine gute Benetzung mit der Lötmasse und damit gute Haftung der späteren Lötverbindung, also eine gute Haftung zwischen dem Pd und der darüberliegenden Lötmasse1 besonders z.B. aus 60 % Sn 36,5 °b Pb und 3,5 % Ag,selbst bei zweifachem also mehrmaligen An- und Ablöten, - eine gute Zugfestigkeit bzw. Abreißfestigkeit der Lötverbindung selbst nach monatelager Lagerung der Lötverbindung unter 1500C in normaler Luft, trotz extremer Reduktion des Au-Aufwandes, und - eine gute Lagerfähigkeit des fertigen Aufbaus der Metallschichten in normaler Luft ohne wesentliche Beeinträchtigung der guten Löteigenschaften ~trotz extremer Reduktion des Au-Aufwandes zu bieten.
  • Diese zusätzlichen Vorteile werden durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen erreicht.
  • Es zeigte sich nämlich überraschenderweise, daß auf die Anbringung der Au-Schicht1 ohne wesentliche Einbuße der Löteigenschaften von Pd völlig verzichtet werden kann, selbst wenn man die unges##ützte Pd-Schicht an normaler Luft lagert. Die sich bei dieser Lagerung bildende dünne Palladiumoxid-Schicht. auf der Pd-Schicht ist oft eher sogar nützlich als schädlich für die Löteigenschaften, weil die Ablegierungder Pd-Schicht wegen der dünnen Palladiumoxid-Schich;b verzögert wird, wodurch trotz besonders dünner Pd-Schicht von z.B. 280 nm Dicke sogar ein mehrmaliges An- und Ablöten zulässig ist. Diese dünne durch Lagerung entstehende Palladiumoxid~~ Schicht verhindert jedenfalls nicht das spätere Löten.
  • Nur eine sehr dicke Palladiumoxtd-Söhicht , wie sie z.B.
  • beim halbstündigen Tempern in 3500C heißer Luft bei Fehlen der Au-Schicht entsteht, verunmöglicht ein späteres Löten. Die bisherige Annahme, man müsse eine -Au-Schicht, sogar aus mehreren Gründensanbringen, erwies sich also als reines Vorurteil. Dabei ist übrigens, falls eine Temperung,z.B. wegen einer unten angebrachten CrNi-Schicht' nötig ist, diese Temperung bereits vor An--bringung der Pd-Schicht und vor Anbringung der Ti-Schicht möglich, ohne die Haftung der Ti-Schicht auf der CrNi-Schicht wesentlich zu beeinträchtigen. Tempert man also vor der Anbringung der Pd-Schicht, dann ist die sich bei der Lagerung auf der Pd-Schicht bildende dünne Palladiumoxid-Schicht jedenfalls kein Hinernis für eine noch spätere Lötung.
  • Die in den Unteransprüchen genannten Maßnahmen haben zusätzliche Vorteile, nämlich die Maßnahmen gemäß Anspruch 2, den Aufwand an Pd gering zu halten, 3, trotz des besonders geringen Aufwandes an Pd, selbst bei langdauernder Erwärmung auf 15000 an Luft, noch immer eine hohe Abreißfestigkeit der Lötverbindung zwischen Pd und der Lötmasse zu erhalten, sowie trotz des dann geringen Aufwandes an Pd noch immer die weitgehend problenfreie Möglichkeit des mehrfachen An- und Ablötens zu erhalten, 4, eine bequeme Lagerfähigkeit an Luft vor der Verlötung zuzulassen, 5 und 6,eine gute Haftung auf einer auf dem Substrat angebrachten Widerstandsschicht zu erreichen, 7, trotz längerer z.B. 30 Minuten dauernder Temperung an Luft z.B. bei ,50°C, keine dicke schädliche Palladiumoxid-Schicht auf der Pd-Schicht zu erzeugen, 8, unter Schonung des Fotolackes und der Pd-Schicht und Ti-Schichteine rasche Formung der Leiterbahnen zu erreichen.
  • Die Erfindung wird anhand der Figur näher erläutert.
  • Diese Figur zeigt schematisch ein Beispiel für den erfindungsgemäßen Aufbau der Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen in jenen Herstellungsstadium, in welchem die Pd-Schicht Pd bereits angebracht ist und mit dem zur Formung der Leiterbahnen dienenden Fotolack, hier von 1500 nm Dicke, bedeckt ist - also in einem Herstellungsstadium, in welchem dieser Fotolack noch nicht wieder abgewaschen ist und in welchem die Lötverbindung erst noch viel später hergestellt wird.
  • Die Figur zeigt dementsprechend die Pd-Schicht Pd über dem isolierenden Substrat S, das hier aus Al203 besteht.
  • Eine Au-Schicht über der Pd-Schicht Pd fehlt ganz, indem die Pd-Schicht Pd, also unbedeckt von einer Au-Schicht, unmittelbar vor dem Verlöten der Dünnfilmleiterbahn und beim Verlöten derselben die oberte feste (nicht flüssige) Metallschicht ist. Im gezeigten Beispiel sind auf dem Substrat S nacheinander angebracht: - eine CrNi-Schicht, von 30 nm Dicke bei 100 Q pro (dimensionslosem) Quadrat (z.B. pro /um2), - eine Ti-Schicht von 50 nm Dicke, - die Pd-Schicht, x,3 von 280 nm Dicke, und - zur Ätzung bzw. Formung der Leiterbahnen eine schützende Fotolackschicht Lack von 1#5/u Dicke, die für sich in bekannter Weise - bei den Metallen insbesondere durch Aufdampfen oder durch Galvanisieren, beim Fotolack insbesondere durch Besprühen, Schleudern und Belichten - angebracht werden können.
  • Unter der Pd-Schicht sind hier im Beispiel zwar die Ti-Schicht Ti sowie darunter die CrNi-Schicht CrNi als noch tiefere Schichten angebracht. Es sind aber auch grundsätzlich andersartige tiefere Schichten möglich, welche die guten Löteigenschaften der von Au unbedeckten Pd-Schicht Pd nicht beeinträchtigen.
  • Die Pd-Schicht dient hier nicht,wie beim älteren Gegenstand, vor allem zur Verhinderung, daß (hier nicht vorhandene) Au-Atome in noch tiefere Schichten,z.B. Ti und CrNi, eindiffundieren und damit u.a. die Langzeiteigenschaften dieser noch tieferen Schichten ungünstig beeinflussen;-obwohl geringe evtl. vorhandene Au-Spuren auf der Pd-Oberfläche Pd auch bei der Erfindung daran gehindert werden, in die unter der Pd-Schicht liegenden Schichten vorzudringen. Bei der Erfindung sind zwar auch evtl. diese gezeigten oder noch andere tiefere Schichten häufig vorhanden. Die Pd-Schicht Pd dient bei der Erfindung vor allem als jene Schicht, an der später die Lötmassen haften werden. Hierbei kann also durchaus die Ti-Schicht Ti insbesondere als gute Haftschicht zwischen der Pd-Schicht Pd und der CrNi-Schicht CrNi dienen, sowie zum Schutz gegen Unterätzung der CrNi-Schicht beim Wegätzen der außerhalb der Leiterbahnen liegenden Teile dieser CrNi-Schicht. Andererseits kann die CrNi-Schicht durchaus unmittelbar auf dem Substrat angebracht sein und bei Bedarf insbesondere zur Bildung von elektrischen Widerständen dienen, indem die unter dem Au-Pd-Ti der Leiterbahnen verbleibenden CrNi-Reste, wegen der guten Isolatoreigenschaften des Substrats, elektrisch weitgehend vernachlässigbar sind und indem die zwischen zwei Leiterbahnen verbleibenden, nicht mit weggeätzten CrNi-Schichten bei Bedarf die Widerstände zwischen diesen beiden Leiterbahnen bilden. Diese tieferen Schichten, falls überhaupt vorhanden, können aber also auch aus anderen Elementen bzw. aus anderen chemischen Verbindungen be- stehen und eine andere Anzahl von Schichten aufweisen.
  • Die Erfindung bietet eine gute Haftgrundl.age für das spätere Verlöten der, insbesondere durch Ätzen, aus den Metallschichten gebildeten Leiterbahnen und sie weist trotzdem bzw. vor allem eine überraschend lange Lagerfähigkeit der noch nicht verlöteten,fertigen Metallschichten aL Luft auf1 obwohl die Au-Schicht fehlt. Durch die Erfindung wird sogar im Vergleich zum älteren Gegenstand, erst recht im Vergleich zum zitierten sonstigen Stand der Technik, eine hohe Einsparung an Au erreicht, was bei hohen Stückzahlen, z.B. bei 100 000 Substraten pro Jahr, beachtliche Mengen bzw. Werte erreicht. Dabei sind die Löteigenschaften der so gebildeten Leiterbahnen beachtlich vor allem auch,weil bei Bedarf sogar mehrmalig wiederholtes An- und Ablöten ohne Ablegieren der Pd-Schicht bei hoher Abreißfestigkeit der Lötverbindungen möglich ist.
  • Die Erfindung durchbricht daher das allgemein verbreitete Vorurteil der Fachwelt, dazu mehr oder weniger dicke zusätzliche Au-Schichten verwenden zu müssen. Die Erfindung löst nämlich ihre Aufgabe dadurch, daß die Au-Schicht einfach weggelassen wird, und zwar ersatzlos weggelassen werden kann.
  • Die Dicke der Pd-Schicht Pd bei der Erfindung sollte bevorzugt eine Obergrenze nicht überschreiten und eine Untergrenze nicht unterschreiten.
  • Die Obergrenze für die Dicke der Pd-Schicht Pd liegt normalerweise bei 600 bis 700 nm Dicke. Wird diese Obergrenze überschritten, wird, im allgemeinen völlig unnötig, zuviel Pd verbraucht, dessen Preis sehr hoch ist.
  • Bei 600 nm Dicke kann mit relativ wenig Ausschuß sogar ein dreimaliges und noch öfteres An- und Ablöten zugelassen werden.
  • Die Untergrenze für die Dicke der Pd-Schicht Pd liegt normalerweise bei 200 bis 250 nm. Bei dieser Dünne ist sogar mit immer noch relativ wenig Ausschuß ein zweimaliges An- und Ablöten zulaßbar, bei kaum verringerter Abreißfestigkeit der Lötverbindungen. Der Pd-Verbrauch ist zudem besonders gering. Die durch Lagerung an Luft entstehende Palladiumowid-Schicht ist vergleichsweise so gering, daß die Dicke der Pd-Schicht Pd durch diese schwache Oxidation nur unwesentlich verringert wird;schädlich wäre nur eine starke Oxidation durch Tempern. Außerdem reicht in vielen Fällen der ohmsche Leitwert der später geformten Leiterbahnen oft aus, selbst wenn die Pd-Schicht so dünn gemacht wird - andernfalls könnte man dann bei Bedarf auch eine größere Dicke der Pd-Schicht, z.B. 700 nm, wählen. Besonders vorteilhaft sind Pd-Schichten von nur z.B. 250 nm Dicke, aber an sich auch noch von 600 bis 700 nm Dicke1 auch deshalb weil dann mit besonders wenig Ausschuß die Leiterbahnen geätzt bzw. geformt werden können. Bei einer so dünnen Pd-Schicht Pd ist der Ätzprozeßschritt, auch wegen des Fehlens der zusätzlichen Au-Schicht, relativ rasch beendet, demnach dabei der Fotolack und auch die Ti--Schicht Ti von den Ätzmitteln noch nicht stark angegriffen - eine der verschiedenen Hauptursachen für Ausschuß bei der Herstellung von solchen Leiterbahnen beim Stand der Technik. Es bilden sich dann nämlich im Fotolack Lack über der Pd-Schicht umso weniger Versprödungen bzw. Risse beim späteren Ätzen der Pd-Schicht also beim späteren Herstellen der Leiterbahnen aus den Metallschichtens je dünner die Pd-Schicht ist, also je kürzer die Einwirkdauer des das Pd lösenden Ätzmittels auf den Fotolack ist.
  • Risse im Fotolack verursachen beim Ätzen Löcher und Unterbrechungen in insbesondere Pd und Ti, damit in den Leiterbahnen - also Ausschuß, wobei wegen solcher Löcher und Unterbrechungen, insbesondere beim Tauchlöten Benetzungsschwierigkeiten bez. der Sn-Legierungen bzw.
  • ähnlicher Lötmassen entstehen.
  • Der ältere Gegenstand und auch die vergleichbaren, im Stand der Technik beschriebenen Gegenstände wurden dadurch hergestellt, daß nacheinander auf das Substrat im Vakuum, ohne zwischendurch zu belüften, zuerst. die Schichten CrNi, dann Ti, dann Pd aufgedampft wurden. Anschließend wurde die Schicht Au noch aufgedampft, oder in Sonderfällen galvanisch angebracht~hierbei wurden die Leiterbahnen mittels Lack, Licht und Atzmittel geformt.
  • Schließlich wurde alles zB. bei 3500C eine halbe Stunde in einem Umluftofen getempert. Danach wurden die Leiterbahnen, z.B. im Tauchbad, mit irgendeiner passenden Lötmasse belötet.
  • Bei der Erfindung wird das in der Fig. gezeigte Beispiel bevorzugt dadurch hergestellt, daß zuerst auf das Substrat die CrNi-Schicht aufgedampft wird, wonach diese Schicht dann im Umluftofen bei 3500C eine halbe Stunde getempert wird. Dann werden im Vakuum die Schichten Ti und Pd aufgedampft, wonach die Leiterbahnen sofort oder nach einer Lagerung mit Lack,Licht und Ätzmitteln geformt werSenDam werden die Leiterbahnen, z.B. im Tauchbad, belötet. Auf diese Weise wird eine starke Oxidation der Pd-Schicht durch Tempern sowie das Anbringen der Au-Schicht vermieden. Für das Tempern empfiehlt es sich, den Umluftofen zur Aufnahme der Aufdampfkalotte auszurüsten, damit die Kalotte nicht entladen werden muß.
  • Denkbar ist auch eine Temperung in der Aufdampfanlage.
  • Die optische Beurteilung im Mikroskop zeigt, daß die Pd-Schichten der Leiterbahnen auch beim Tauchlöten gleich gut benetzt wurden wie Leiterbahnen mit zusätzlichen Au-Schichten.
  • Auch Reflow-Löten ist bei der Erfindung möglich.Muster wurden gleich mehrmals an den gleichen Anschluß flecken ein- und ausgelötet. Nach dem zweiten Auslöten wurde an den Kanten der betreffenden Lötstellen eine unbedeutende Ablegierung der Pd-Schichten festgestellt.
  • In einem Abreißtest wurden Cu-Stifte aufgelötet und nach einer Lagerung von 500 h bei sogar 150°C die Zugfestigkeit gemessen. Dabei ergaben sich ähnlich gute Werte wie bei Pd-Schichten mit Au-Bedeckung, nämlich etwa 70 N/mn.
  • 8 Patentansprüche 1 Figur

Claims (8)

  1. Patentansprüche .
    Aufbau von Metallschichten für Dünnschichtleiterbahnen, enthaltend eine Pd-Schicht(Pd) über einem isolierenden Substrat (S), wobei eine die Pd-Schicht (Pd) bedeckende Au-Schicht dünner als 50 nm ist, insbesondere von ?d-Ti-CrNi-Metallschichten auf einem Al203-Substrat oder auf einem Glas-Substrat bei einem Kodierer-Dekodierer-Halbleiterbauste'n eines digitalen Fernsprech-Vermittlungssystems, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - die Au-Schicht unmittelbar vor dem Verlöten versch##jindenddünn ist, also ganz fehlt, und - die Pd-Schicht(Pd)> also unbedeckt von einer Au-Schicht, unmittelbar vor dem Verlöten der Dünnfilmleiterbahn die oberste Metallschicht ist.
  2. 2. Aufbau nach Patentanspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - die Pd-Schicht(Pd) dünner als 700 nm ist.
  3. 3. Aufbau nach Patentanspruch 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - die Pd-Schicht(Pd) 200 bis 310 nm dick ist.
  4. 4. Aufbau nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - eine durch Lagerung an offener Luft entstandene Palladiumoxid-Schicht die Pd-Schicht(Pd) bedeckt.
  5. 5. Aufbau nach einem der vorhergehenden Patentansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - unter der Pd-Schicht(P.d) eine Ti-Schicht(Ti), z.R.
    von 50 nm Dicke, ist.
  6. 6. Aufbau nach Patentanspruch 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - unter der Ti-Schicht(Ti) eine CrNi-Schicht(CrNi), z.B. von 30 nm Dicke und 100 g ##iderstand, ist.
  7. 7. Verfahren zur Herstellung des Aufbaus nach Patentanspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß in aufeinanderfolgenden Schritten - zuerst die CrNi-Schicht, z.B. durch Bedampfung im Vakuum, auf dem Substrat (S) angebracht wird, - anschließend die CrNi-Schicht(CrNi), z.B. in einem Umluftofen, getempert wird, - später der Ti-Schicht(Ti) über der getemperten CrN#-Schicht(CrNi), z.B. durch Bedampfen im Vakuum, angebracht wird und - schließlich die Pd-Schicht(Pd) über der Ti-Schicht (Ti), z.B. durch Bedampfen im Vakuum, angebracht wird.
  8. 8. Verfahren nach Patentanspruch 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß - nach dem Anbringen der Pd-Schicht(Pd), mittels fototechnisch hergestellter Masken aus Lack und anschließendem Ätzen'die Dünnschichtleiterbahnen aus den Metallschichten (Pd-Ti-CrNi) gebildet werden.
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DE2302194B2 (de) * 1973-01-17 1976-08-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Herstellung von duennfilm-schaltungen mittels fotoaetzverfahren

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2302194B2 (de) * 1973-01-17 1976-08-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Herstellung von duennfilm-schaltungen mittels fotoaetzverfahren

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Thin Solid Films", 41 (1977), S.87-103 *

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