DE4035362A1 - Verfahren zum herstellen einer fluessigkristall-anzeigevorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristall- Anzeigevorrichtung mit einer größeren und einer kleineren Deckplatte, von denen zumindest die größere aus Glas be­ steht und mit einem Leiterbahnenmuster versehen wird.

Eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung der vorstehenden Art ist z. B. aus der DE-OS 33 45 364 bekannt.

An die Leiterbahnenmuster in der eigentlichen Flüssigkri­ stallzelle einerseits und die Leiterbahnenmuster auf dem überstehenden Teil der größeren Deckplatte werden sehr un­ terschiedliche Anforderungen gestellt. Als Folge davon werden sie auch unterschiedlich ausgeführt, was die Herstellung erschwert.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung solcher eingangs genannten Flüs­ sigkristall-Anzeigevorrichtungen anzugeben, das durch die Art der Aufeinanderfolge der Verfahrensgänge besonders für eine Herstellung in größeren Stückzahlen geeignet ist.

Diese Aufgabe wird durch die im Kennzeichen des Pa­ tentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst. Weiterbildun­ gen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.

Anhand der in der Figur schematisch dargestellten Anzeige­ vorrichtung wird die Erfindung erklärt.

Die Figur zeigt eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung deren eine Deckplatte 1 zumindest auf einer Seite größer ist als die andere Deckplatte 5. Auf dem überstehenden Flächenteil 3 der Deckplatte 1 befinden sich Leiterbahnen 8 und Bauelemente 9, wie z. B. Ansteuerschaltkreise.

Die eigentliche Flüssigkristall-Zelle mit dem Flüssigkri­ stall-Material 10 wird durch die Deckplatte 5 und den Teil 2 der Deckplatte 1 gebildet. Am Rand ist der Innenraum der Flüssigkristall-Zelle durch eine Lot- oder Klebernaht 7 hermetisch abgedichtet. Auf der kleineren Deckplatte 5 be­ findet sich eine leitfähige Schicht 6 bzw. ein Leiterbah­ nenmuster. Auf der größeren Deckplatte 1 befindet sich ein Leiterbahnenmuster 4, 8 wobei sich Leiterbahnen 8 auf dem überstehenden Flächenteil 3 und Leiterbahnen 4 in der Flüssigkristall-Zelle auf dem Flächenteil 2 der Deckplatte befinden. Dabei werden an die Leiterbahnen 4 in der Flüs­ sigkristall-Zelle andere Anforderungen gestellt als an die Leiterbahnen 8 außerhalb der Flüssigkristall-Zelle. So fließen z. B. zumindest in einem Teil der außenliegenden Leiterbahnen 8 größere Ströme als in den Leiterbahnen 4. Zumindest die größere Deckplatte 1 besteht aus einer Glas­ platte.

Die Herstellung einer derartigen Flüssigkristall-Anzeige­ vorrichtung erfolgt nun in der Weise, daß zunächst die eine Oberfläche der Deckplatte 1 mit einer durchgehenden aufgesputterten Metalloxyd-Schicht versehen wird, die Pal­ ladiumoxyd enthält. Die weiteren Metalloxyde sind bevor­ zugt Indiumoxyd (In₂O₃) und Zinnoxyd (SnO₂).

Eine Möglichkeit zum Herstellen dieser Schicht besteht darin, die Metalle In, Sn und Pd aufzusputtern und an­ schließend durch Tempern zu In₂O₃, SnO₂ und PdO zu oxydie­ ren. Eine andere Möglichkeit besteht darin die Oxyde di­ rekt von einem oder zwei Targets zu sputtern, wobei das zweite Target zum Sputtern des PdO dient.

Dann wird diese ITO-PdO-Schicht mit Hilfe eines lithogra­ phischen Verfahrens flächenmäßig strukturiert so daß aus dieser durchgehenden Schicht ein gewünschtes Leiterbahnen­ muster entsteht, das sowohl die Bereiche 2 als auch den überstehenden Bereich 3 der größeren Deckplatte 1 bedeckt.

Danach wird im wesentlichen nur auf die Leiterbahnen 4 des der Flüssigkristall-Zelle zugeordneten Bereichs 2 der Deckplatte 1 eine Isolierschicht aus SiO₂ · P₂O₅ oder SiO₂ oder SiO₂ · TiO₂ aufgebracht.

Auf die nicht mit der Isolierschicht bedeckten Leiterbah­ nen, das sind im wesentlichen die Leiterbahnen 8 auf dem überstehenden Teil 3 der Deckplatte 1 wird dann eine wei­ tere Metallisierungsschicht aufgebracht, die z. B. aus Nic­ kel-Gold oder ähnlichem besteht.

Diese Metallschicht wird entweder direkt auf der SnO₂ · In₂O₃ PdO Leiterbahnen abgeschieden oder aber es wird zunächst das PdO der Leiterbahnen zu Pd reduziert und dann die verstärkende Metallschicht aufgebracht. Diese Me­ tallschicht erhöht die Leitfähigkeit der Leiterbahnen und erlaubt das Auflöten von Schaltkreisen und dergleichen.

Auf die mit der Isolierschicht versehenen Leiterbahnen des Teil 2 der Deckplatte 1 wird dann in bekannter Weise eine Orientierungsschicht aufgebracht, die dann bei fertigge­ stellter Flüssigkristall-Zelle in direktem Kontakt mit dem Flüssigkristallmaterial 10 steht und in dessen Oberflä­ chenbereich für eine gleichmäßige Ausrichtung der Moleküle des Flüssigkristall-Materials sorgt.

Die andere kleinere Deckplatte 5 trägt entweder ebenfalls ein Leiterbahnen-Muster oder eine großflächige Elektroden­ schicht, bevorzugt ebenfalls aus einer ITO (Indium-Tin- Oxid) Schicht und ggf. mit PdO sowie eine Ori­ entierungsschicht und ggf. eine Isolierschicht. Sie wird am Rand in bekannter Weise mit der anderen Deckplatte 1 z. B. durch eine Lotnaht 7 verbunden und dann der Zwischen­ raum zwischen den Deckplatten mit dem Flüssigkristall-Mate­ rial 10 gefüllt.

Nachdem nunmehr die eigentliche Flüssigkristall-Zelle fer­ tiggestellt ist, werden auf die Leiterbahnen 8 auf dem überstehenden Teil 3 der größeren Deckplatte 1 Schalt­ kreise 9 und dergleichen aufgebracht und deren Anschlüsse mit den Leiterbahnen 8 kontaktiert. Das Aufbringen der Schaltkreise erfolgt zweckmäßig in einem sogenannten TAB- Verfahren (tape-automatic-bonding).

Claims (6)

1. Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristall-Anzei­ gevorrichtung mit einer größeren und einer kleineren Deck­ platte, von denen zumindest die größere aus Glas besteht und mit einem Leiterbahnenmuster versehen wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf die größere Deckplatte zunächst eine SnO₂ · InO₂ · PdO Leitschicht durch Sputtern auf­ gebracht wird, daß dann aus dieser Schicht mittels eines photolithographischen Verfahrens ein Leiterbahnen-Muster hergestellt wird, daß dann auf eine Teilfläche die mit dem Leiterbahnenmuster versehenen Fläche der gläsernen Deck­ platte eine Isolierschicht aus SiO₂ · P₂O₅; oder SiO₂; oder SiO₂ · TiO₂ aufgebracht wird, daß dann auf dem nicht mit der Iso­ lierschicht versehenen Flächenteil die dort befindlichen Leiterbahnen zumindest teilweise mit einer zusätzlichen Metallisierungsschicht versehen werden, daß dann auf die mit der Isolierschicht versehene Teilfläche eine Orientie­ rungsschicht zur Ausrichtung der Flüssigkristallschicht aufgebracht und diese orientiert wird und daß dann die mit der Orientierungsschicht versehene Teilfläche der gläser­ nen Deckplatte mit der kleineren Deckplatte abgedeckt und mittels weiterer Verfahrensgänge die Flüssigkristallzelle der Anzeigevorrichtung fertiggestellt wird und auf die mit metallisierten Leiterbahnen versehene, überstehende Teil­ fläche der größeren Deckplatte Schaltkreise aufgebracht und elektrische Kontaktierungen vorgenommen werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht durch Sputtern einer In Sn Pd Schicht und anschließendes Oxidieren durch Tempern hergestellt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht durch reaktives Sputtern der Oxide (SnO₂, In₂O₃, PdO) von einem Target hergestellt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitschicht durch Sputtern der Oxyde von zwei Targets hergestellt wird, wobei von dem einen Target PdO oder PdO₂ und von dem anderen Target SnO₂ und In₂O₃ abgesputtert wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die zusätzliche Metallisierungsschicht durch direktes Aufbringen von Metallen wie z. B. Ni, Cu; Au usw. auf das Leiterbahnenmuster der Teilfläche hergestellt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß vor Aufbringen der zusätzlichen Metal­ lisierungsschicht das PdO des Leiterbahnenmusters der Teilfläche zunächst zu Pd reduziert wird und dann die zu­ sätzliche Metallisierung durch Aufbringen von Metallen wie Ni, Cu; Au usw. vorgenommen wird.