DE3705250A1 - Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht - Google Patents
Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschichtInfo
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur
Herstellung einer stromlos abgeschiedenen, lötbaren
Metallschicht auf transparenten Leiterbahnen aus
Indium-/Zinnoxid auf Substraten gemäß dem Oberbegriff des
Anspruchs 1.
Aus der DE-PS 28 07 350 ist eine Flüssigkristall-Anzeige
vorrichtung bekannt, die ein Glassubstrat als Träger für
die Anzeigevorrichtung und für einen integrierten
Schaltkreis (IC-Chip) aufweist. Auf dem Glassubtrat sind
transparente Leiterbahnen aus Indiumoxid vorhanden. Die
lötbare Metallisierung dieser Leiterbahnen im nicht
sichtbaren Bereich der Anzeigevorrichtung erfolgt derart,
daß zwei chromhaltige Zwischenschichten aufgebracht
werden, um darauf eine Goldauflage aufzubringen. Auf dem
IC-Chip ist dann noch eine Kontaktierungsschicht aus fünf
Schichten vorgesehen, die aus Chrom, Kupfer, Gold, Kupfer
bzw. Blei/Zinn bestehen. Als Verfahren zur Metallisierung
der Leiterbahnen bzw. des Aufbringens der Schichten ist
beispielsweise die Verdampfungstechnik oder das
Aufsprühverfahren genannt. Diese Verfahren erfordern
einen hohen energetischen und technischen Aufwand.
Aus der DE-AS 23 02 194 ist die Herstellung von
Dünnfilm-Schaltungen mittels Fotoätzverfahren bekannt,
bei dem auf ein Substrat eine dünne Zwischen- bzw.
Haftschicht und eine obere Edelmetallschicht abgeschieden
wird. Das Abscheiden der Schichten kann durch Aufdampfen,
Aufstäuben oder eine chemische Abscheidung erfolgen.
Aus der DE-AS 25 09 912 ist eine elektronische
Dünnfilmschaltung mit einer aus einem Isolatormaterial
bestehenden Substratplatte bekannt. Beim Verfahren zum
Herstellen der Dünnfilmschaltung wird unter anderem auch
auf eine Kupferschicht eine Nickelschicht und auf diese
eine Goldschicht stromlos abgeschieden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfacheres
Verfahren zur Herstellung einer stromlos abgeschiedenen,
lötbaren Metallschicht auf transparenten Leiterbahnen aus
Indium-/Zinnoxid auf Substraten der eingangs genannten
Art anzugeben.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt dadurch, daß die
Oberfläche der Leiterbahnen vor dem stromlosen Abscheiden
der Metallschicht durch Eintauchen in eine Palladium
verbindung, die mit Zinn(II)-Verbindungen reduzierbar
ist, aktiviert wird. Vorteilhafte Ausgestaltungen der
Erfindung sind in den Unteransprüchen 2 und 3 enthalten.
Die Erfindung wird nun beispielsweise anhand von Figuren
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung und
Fig. 2 das teilweise Eintauchen der Anzeigevorrichtung
in ein Bad.
Die in Fig. 1 dargestellte Anzeigevorrichtung 1 weist
einen Anzeigebereich 2 und einen im späteren, eingebauten
Zustand der Anzeigevorrichtung nicht sichtbaren Bereich 3
auf. Der Anzeigebereich besteht beispielsweise aus einer
Flüssigkristallanzeige (nicht dargestellt), die auf einem
Substrat, beispielsweise aus Glas, aufgebaut ist. Dieses
Substrat ist auch im Bereich 3 vorhanden und trägt dort
Leiterbahnen 4, die zu Bauelementen 5, beispielsweise
integrierten Schaltungen, und Anschlüssen 8 der Anzeige
vorrichtung 1 führen. Die Anschlüsse der Bauelemente 5
sind mit den Leiterbahnen 4 durch Löten oder durch Kleben
mit einem Leitkleber verbunden. Für diese Verbindung der
Bauelemente 5 mit den Leiterbahnen 4 ist es notwendig,
daß die Leiterbahnen eine entsprechende Metallisierung
aufweisen.
Die im Anzeigebereich 2 der Anzeigevorrichtung 1 vor
handenen Elektroden bestehen aus einer transparenten,
elektrisch leitenden Schicht aus Indium-/Zinnoxid. Die
Leiterbahnen 4 im Bereich 3 bestehen aus dem gleichen
Material, da dann die Herstellung der Elektroden im
Anzeigebereich 2 und der Leiterbahnen 4 im Bereich 3
gleichzeitig erfolgen kann. Da aber Leiterbahnen aus
Indium-/Zinnoxid keine lötfähige Oberfläche aufweisen,
sind sie zu metallisieren.
Der Anzeigebereich 2 der Anzeigevorrichtung 1 wird gefer
tigt und geprüft. Die einwandfreien Anzeigevorrichtungen
weisen in diesem Zustand im Bereich 3 noch keine Bauele
mente 5 auf. Zum Aktivieren der Leiterbahnen 4 kommt die
Anzeigevorrichtung in eine Bearbeitungsstation, in der
der Bereich 3 der Anzeigevorrichtung 1 in ein Bad aus
einer Palladiumverbindung, die mit Zinn (II)-Verbindungen
reduzierbar ist, eingetaucht wird. Beispielsweise kann
eine Palladiumchloridlösung verwendet werden, die
folgendermaßen angesetzt ist: ca. 300 mg/l PdCl2 und
200 ml/l HCl (36%) in demineralisiertem H2O. Je nach
Zustand der zu metallisierenden Oberfläche müssen
entsprechende Netzmittel zugefügt werden. Mit diesem
Aktivierungsverfahren wird erreicht, daß nur die
Leiterbahnen 4 aus Indium-/Zinnoxid aktiviert werden und
nicht die freie Glasoberfläche des Substrates. Dieses
selektive Aktivieren erfolgt deshalb, weil der
Aktivierungsvorgang nur an den Oberflächen stattfindet,
die Zinn in niederen Oxidationsstufen enthalten. Das Bad
sollte eine Temperatur von 20 bis 30°C aufweisen und
der Bereich für etwa 2 bis 5 Minuten eingetaucht werden.
In Fig. 2 ist das Eintauchen der Anzeigevorrichtung 1 in
ein schematisch dargestelltes Bad 6 gezeigt. Die Anzeige
vorrichtung wird gerade so weit eingetaucht, daß die Bad
oberfläche 7 mit der Grenzlinie zwischen dem Anzeigebe
reich 2 und dem Bereich 3 zusammenfällt.
Danach erfolgt die Konditionierung, bei der über
schüssiges Palladiumchlorid und Zinnverbindungen entfernt
werden. Hierzu kann beispielsweise ein Bad aus "Dynaplate
Conditioner" der Fa. Schlötter verwendet werden, das auf
20 bis 30°C gehalten wird. Das Eintauchen der
Anzeigevorrichtung erfolgt für etwa 2 bis 6 Minuten.
Anschließend erfolgt das stromlose Abscheiden der
lötbaren Metallschicht, z.B. Nickel, durch beispielsweise
das Metallisierungsbad "Novotect" der Fa. Schering. Das
Eintauchen der Anzeigevorrichtung 1 in das Metalli
sierungsbad erfolgt in einer Bearbeitungsstation, wie sie
in Fig. 2 dargestellt ist. Es werden Schichtdicken von
etwa 0,2 bis 0,5 µm erzeugt.
Eine andere typische Badzusammensetzung für das
Abscheiden von Nickel ist folgende:
30 g/lNiCl₂×6H₂O
10 g/lNaH₂PO₂
100 g/lNatriumcitrat
50 g/lNH₄CL
pH8-10
Die Haftfestigkeit der Metallschicht ist stark abhängig
von der Belegungsdichte mit Palladium-Metallkeimen und
von der Verankerung dieser in der Oberfläche der
Leiterbahnen (Rauhigheit). Da diese Verankerung einen
direkten Kontakt mit der Oberfläche und Diffusion durch
kleinste Poren in der Oberfläche erfordert, ist die
Haftfestigkeit letztlich abhängig von der Güte und
Wirksamkeit der eingesetzten Netzmittel und von Resten
und Verunreinigungen, die auf der zu metallisierenden
Oberfläche noch vorhanden sind.
Nach dem Metallisieren werden die Bauelemente 5 auf den
Bereich 3 aufgebracht und ihre Anschlüsse durch Löten
oder Kleben mit den Leiterbahnen 4 verbunden, so daß eine
mit den Bauelementen zu einer Baueinheit verbundene An
zeigevorrichtung entsteht.
Claims (3)
1. Verfahren zur Herstellung einer stromlos
abgeschiedenen, lötbaren Metallschicht auf transparenten
Leiterbahnen aus Indium-/Zinnoxid auf dem bei fertigen
Anzeigevorrichtungen nicht sichtbaren Teil eines
Substrates, dadurch gekennzeich
net, daß die Oberfläche der Leiterbahnen (4) vor dem
stromlosen Abscheiden der Metallschicht durch Eintauchen
in eine Palladiumverbindung, die mit Zinn (II)-Ver
bindungen reduzierbar ist, aktiviert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Palladiumverbindung eine Palladiumchloridlösung ist.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß nach dem Aktivieren der Leiterbahnen (4) eine
Konditionierung zur Entfernung von überschüssigem
Palladiumchlorid und Zinnverbindungen erfolgt.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873705250 DE3705250A1 (de) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873705250 DE3705250A1 (de) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3705250A1 true DE3705250A1 (de) | 1988-09-01 |
Family
ID=6321302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19873705250 Withdrawn DE3705250A1 (de) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | Verfahren zur herstellung einer stromlos abgeschiedenen, loetbaren metallschicht |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE3705250A1 (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4035362A1 (de) * | 1990-11-07 | 1992-05-14 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen einer fluessigkristall-anzeigevorrichtung |
DE4113686A1 (de) * | 1991-04-26 | 1992-10-29 | Licentia Gmbh | Verfahren zum herstellen eines leiterbahnenmusters, insbesondere einer fluessigkristallanzeigevorrichtung |
DE4220621A1 (de) * | 1992-06-24 | 1994-01-05 | Daimler Benz Ag | Verfahren zum stromlos chemischen Erzeugen einer strukturierten Metallschicht |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3306154A1 (de) * | 1983-02-22 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Loetfaehiges schichtensystem, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
-
1987
- 1987-02-19 DE DE19873705250 patent/DE3705250A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
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DE3306154A1 (de) * | 1983-02-22 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Loetfaehiges schichtensystem, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung |
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Legal Events
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8127 | New person/name/address of the applicant |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: NOKIA UNTERHALTUNGSELEKTRONIK (DEUTSCHLAND) GMBH, |
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8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: NOKIA (DEUTSCHLAND) GMBH, 7530 PFORZHEIM, DE |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8130 | Withdrawal |