DE892945C - Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von SelenphotoelementenInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 16
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 16
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- HVEIXSLGUCQTMP-UHFFFAOYSA-N selenium(2-);zirconium(4+) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Zr+4] HVEIXSLGUCQTMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/01—Manufacture or treatment
- H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
- H10D48/043—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
- Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen Die E.rfin:dung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung vom Selenphotoelementem, insbesondere auf bestimmte Zusätze zum Selen.
- Bekanntlich bestehen. Selenphotoelemente aus einer Grundplatte aus leitendem Material mit einer darauf aufgebrachten Selernschicht, welche mit einer ein- oder melirschichti;gen lichtdurchlässigen Deckelelektrode, z. B. aus Kadmium und Gold, bedeckt ist. Die bekannten Selenphotoelemente sind recht empfindlich gegen höhere Temperaturen. Bei einer Erwärmung über 70° C fällt die Empfindlichkeit stark ab. Auch bei längerer Lagerung in verhältnismäßig warmen Räumen ist dieser E.mpfindlichkeitsrückgang zu beobachten. Je höher die Lagerungstemperatur ist, desto schneller fällt die Empfindlichkeit ab.
- Wie Versuche gezeigt haben, können die genannten Mängel dadurch behoben werden, daß dem Selen bestimmte Stoffe zugesetzt werden. Das erfin:dungs"-,emäße Verfahren. ist #dadurch Bekennzeichnet, d!aß dem Selen bestimmte Metalle, nämlich Gold, Titan:, Silicium, Aluminium und'/oder Metallchalkogenide, nämlich Kadmiumsulfid oder Zirkonselenid, einzeln -oder in verschiedenen Kombinati,önen zugesetzt werden, und die Elemente einer Temperaturbehandlung bei einer Temperatur bis zu ioo° über längere Zeit unterworfen werden, z. B. bei Temperaturen um 70° C.
- Durch dieses Verfahren. erreicht man nämlich nicht nur, daß die Photoelemente , bei der Lagerung keinen Empfindlichkeitsabfall zeigen, sondern man erhält außerdem Elemente von höherer Empfindlichkeit. Die Dauer -und, Temperatur der Temperung hängt von. .der Art und Menge des Zusatzstoffes ab. Gegebenenfalls kann eine mehrfache Temperaturbehandlung mit dazwischen eingeschalteten Abkühlungspausen oder eine Behandlung mit langsam ansteigender Temperatur vorteilhaft sein. Die Zusätze werden in Konzentrationen bis i °/o dem Selen beigemischt. Dies geschieht so-, daß die Zusätze in Pulverform in der vorgesehenen Menge mit Selen- verschmolzen werden und dieses so lange weitererhitzt wird, bis sich die Zusatzstoffe im Selen gelöst .oder mit diesem verbunden haben. Bei den Metallzusätzen kommt man meist mit einer Menge von, o",oi °/o aus, .bei Chalkogeniden kann die Menge bis i °/o betragen.
- Für die angestrebte Wirkung ist es ferner noch von Bedeutung, auf welche Weise die lichtdurchlässige Deckelektrode aufgebracht wird. So, muß z. B. beim Aufbringen des Deckelektrodenmetall-s durch Kathoden.zerstäubung die Spannung, die Stromdichte, der Elektrodenabstand und die Temperatur der beiden Elektroden beachtet und entsprechend der Art und Menge des Zusatzstoffes eingestellt werden, um eine optimale Wirkung zu erzielen.
- Bei richtiger Verfahrensweise beim Aufbringen der lichtdurchlässigen Gegenelektrode ergibt sich ein mit der Temperungszeit ansteigender Photostrom, während bei unter ungünstigen Bedingungen aufgebrachter Elektrode der Photostrom vom Beginn der Temperung an absinkt.
- In Versuchen erwies sich bei 1,5 kV für die Zerstäubungssp.annung eine Stromdichte von r mA pro, Quadratzentimeter bei 17 mm Abstand und eine Kathodentemperatur von etwa ioo° C als brauchbar. Die Grundplattentemperatur soll merklich unter der Kathodentemperatur liegen. Abweichungen von, diesen Werten sind zulässig, insbesondere dann, wenn der Zusatz zum Selen verändert wird.
- Durch die genannten Zusätze zum Selen und die angegebene Behandlungsweise erzielt man eine wesentliche Steigerung der Empfindlichkeit der Photoelemente'und gleichzeitig eine Hemmung der Alterung und eine Verminderung der Temperaturempfindlichkeit.
Claims (1)
- PATINTANSPRI:CIi£: i. Verfahren, zur Herstellung von Selenphotoelementen hoher Empfindlichkeit und geringer Alterung, dadurch gekennzeichnet, daß dem Selen bestimmte Metalle, nämlich Gold, Titan, Silicium, Aluminium und/oder Metallchalko genide, nämlich Kadmiumsulfid oder Zirkonselenid, einzeln oder in verschiedenen Kombinationen zugesetzt werden und diese Elemente einer Temperaturbehandlung bei Temperaturen bis ioo° C über längere Zeit unterworfen werden. a. Verfahren zur Herstellung von Selenph.otoelementen nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusätze i °/o oder weniger ausmachen, vorzugsweise o,oi °/o betragen. 3. Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen nach Anspruch i und a, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperaturbehandlung in mehreren Stufen vorgenommen wird.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES25978D DE892945C (de) | 1951-11-21 | 1951-11-21 | Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES25978D DE892945C (de) | 1951-11-21 | 1951-11-21 | Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE892945C true DE892945C (de) | 1953-10-12 |
Family
ID=7478516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES25978D Expired DE892945C (de) | 1951-11-21 | 1951-11-21 | Verfahren zur Herstellung von Selenphotoelementen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE892945C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1046794B (de) * | 1955-02-15 | 1958-12-18 | Emi Ltd | Verfahren zur Bildung einer fotoleitenden Schicht auf einer Traegerschicht |
-
1951
- 1951-11-21 DE DES25978D patent/DE892945C/de not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1046794B (de) * | 1955-02-15 | 1958-12-18 | Emi Ltd | Verfahren zur Bildung einer fotoleitenden Schicht auf einer Traegerschicht |
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