DE851981C - Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern

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DE851981C
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DES4305D
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Ernst Dipl-Ing Siebert
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H10D48/071Preparation of the foundation plate, preliminary treatment oxidation of the foundation plate or reduction treatment
    • H10D48/074Oxidation and subsequent heat treatment of the foundation plate
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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern Bei der Anwendung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern für elektrische Schaltungen oder Geräte wird vielfach die Forderung gestellt, daß der spannungsabhängige Widerstand der Gleichrichterscheiben bei der Spannung o in einen bestimmten Bereich fällt. Es hat sich gezeigt, daß diese sogenannten R,-Werte in weiten Grenzen streuen und daß dies wahrscheinlich durch die Eigenschaften des für die Herstellung der Gleichrichter verwendeten Mutterkupfers bedingt ist. So kann es z. B. vorkommen, daß Scheiben aus einem Kupferbarren einen R,-Wert von etwa 200 Ohm aufweisen, während ein anderer Kupferbarren einen R,-Wert von etwa 2ooo Ohm ergibt. Im allgemeinen ergeben sich sehr hohe R,-Werte bei den für die Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern heute verwendeten Kupfersorten. Wenn für ein elektrisches Gerät dagegen ein verhältnismäßig niedriger R,-Wert verlangt wird, so muß eine große Anzahl von Kupferbarren erprobt werden, indem daraus Gleichrichter hergestellt und nach den sich ergebenden R,-Werten die geeigneten Barren bzw. die aus den Barren gewalzten Bänder ausgesucht werden. Dieses Verfahren ist naturgemäß sehr umständlich und zudem verhältnismäßig unsicher. Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern' mit niedrigem R,-Wert, bei dem die geschilderten Schwierigkeiten vermieden werden. Erfindungsgemäß werden die Kupferscheiben nicht; wie bisher ganz allgemein üblich, bei Temperaturen über i ooo° (etwa i o2ö°) geglüht; um die Oxydulschicht zu bilden, sondern es werden Glühtemperaturen angewendet, die unter i ooo° bis herunter auf 700° liegen. Es ha,t sich gezeigt, daß sich bei diesem Glühverfahren Gleichrichterscheiben mit tieferen R,-Werten herstellen lassen. Es ist dabei lediglich notwendig, die Glühzeit gegenüber der normalen Glühzeit, die bis etwa io Minuten beträgt, zu verlängern. Bei Versuchen wurde festgestellt, daß die Glühzeit für die niedrigsten Temperaturen von etwa 7oo° zweckmäßig bis auf i Stunde heraufgesetzt wird. Je tiefer die Glühtemperatur liegt, um so länger muß die Glühzeit sein: Durch -einige Probeglühungen kann entsprechend- dem gewünschten R,-Wert die günstigste Glühtemperatur und die- zugehörige Glühdauer ermittelt werden.

Claims (3)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern mit niedrigem R,-Wert, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferscheiben zum Zweck der Erzeugung der Kupferoxydulschicht bei einer Temperatur geglüht werden, die unter iooo° bis herunter auf 700° liegt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Glühzeit gegenüber der normalen Herstellungsweise wesentlich verlängert ist, und zwar um so mehr, je niedriger die Glühtemperatur ist. ..
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß an der unteren Temperaturgsenze (etwa 700°) während etwa i Stunde geglüht wird.
DES4305D 1944-09-28 1944-09-29 Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydul-Trockengleichrichtern Expired DE851981C (de)

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