DE581159C - Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern

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DE581159C
DE581159C DES96739D DES0096739D DE581159C DE 581159 C DE581159 C DE 581159C DE S96739 D DES96739 D DE S96739D DE S0096739 D DES0096739 D DE S0096739D DE 581159 C DE581159 C DE 581159C
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DE
Germany
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copper oxide
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Dr Ferdinand Waibel
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Siemens and Halske AG
Siemens AG
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Siemens and Halske AG
Siemens AG
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Description

DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
22. JULI 1933
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
KLASSE 21g GRUPPE 1102
Patentiert im Deutschen Reiche vom 13. Februar 1931 ab
Es ist vorgeschlagen worden, kompakte Kupferoxydulkörper in der Weise herzustellen, daß Kupfer in geeigneter Form in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre längere Zeit auf Temperaturen erhitzt wird, die bei etwa 10000C oder darüber liegen. Werden diese Körper in geeigneter Weise weiter behandelt, so sind sie gut zur Herstellung von Thermoelementen, Gleichrichtern und lichtelektrischen Zellen geeignet. Sie zeigen jedoch den Nachteil, daß ihre Leitfähigkeit für den elektrischen Strom gering ist, so daß die in dieser Weise gewonnenen Einrichtungen einen hohen inneren Widerstand besitzen.
Gemäß der Erfindung werden die Kupferoxydulkörper zur Erzielung einer hohen elektrischen Leitfähigkeit auf Temperaturen bis zu etwa 650 ° C erhitzt und darauf abgeschreckt. Durch eine derartige Wärmebehandlung gelingt es bei geeigneter Bemessung der Temperatur und genügend langem Erhitzen, den Widerstand auf etwa den vierzigsten Teil desjenigen Widerstandes herabzusetzen, den die Körper besitzen, wenn sie nach erfolgter Umwandlung des Kupfers in Kupferoxydul unmittelbar von der bei etwa 10000 liegenden Temperatur auf Zimmertemperatur abgekühlt werden.
Für Gleichrichterlamellen ist bereits ein ähnliches Verfahren bekannt. Diese Gleichrichterlamellen bestehen aus einem Kupferblech, auf dem sich eine dünne, glasurähnliche Schicht von Kupferoxydul befindet. Diese Lamellen hat man auf Temperaturen von etwa 6500C erhitzt und dann abgeschreckt, um einen festen und innigen Kontakt zwischen dem Kupferkörper und der Oxydulschicht herzustellen. Im Gegensatz hierzu richtet sich das neue Verfahren auf die Behandlung von kompakten Kupferoxydulkörpern, die durch und durch aus Kupferoxydul bestehen, so daß also vom Standpunkt des bekannten Verfahrens aus eine Wärmebehandlung keinen Sinn mehr haben würde.
Die Wirkung des Erhitzens auf höchstens 650 ° C und des darauf folgenden Abschreckens macht sich bereits bemerkbar, wenn der Glühvorgang etwa 5 bis 10 Minuten gedauert hat. Die Leitfähigkeit wird jedoch noch weiter verbessert, wenn der Glühprozeß über eine längere Zeit erstreckt wird. Die Höhe derjenigen Temperatur, auf die der Kupferoxydulkörper vor dem Abschrecken erhitzt wird, ist von wesentlichem Einfluß auf die erzielte Leitfähigkeit. Bei Temperaturen, die wesentlich über 650 ° C liegen, ist die Leitfähigkeit des Kupferoxyduls außerordentlich gering. Die besten Werte werden durch eine Wärmebehandlung bei etwa 5 35 ° C erhalten. Doch auch bei niedrigen Temperaturen ist die erhaltene Leitfähigkeit wesentlich besser als die durch direktes Abkühlen des Kupferoxyduls von bei etwa 1000° C liegenden Temperaturen
*) Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
Dr. Ferdinand Waibel in Berlin-Siemensstadt.
auf Zimmertemperatur erzielten. Um noch eine wesentliche Steigerung der auf dem zuletzt beschriebenen Wege erhaltenen Leitfähigkeit zu erreichen, soll die Glühtemperatur im all· gemeinen nicht unter 400 ° C liegen. Jedoch auch noch bei Anwendung von Temperaturen von etwa 300 ° C macht sich eine Verbesserung der Leitfähigkeit bemerkbar.
Das neue Verfahren kann vorzugsweise derart durchgeführt werden, daß die durch Glühen bei etwa 10000C erhaltenen Kupferoxydul· körper auf die gewünschte, unter etwa 650 ° C liegende Temperatur abgekühlt und nach längerem Verweilen auf dieser Temperatur abgeschreckt werden. Sollen die nach dem neuen Verfahren behandelten Kupferoxydulkörper weiterhin verarbeitet werden und z. B. zur Herstellung von lichtelektrischen Zellen oder Gleichrichtern Verwendung finden, so sollen im Laufe des weiteren Arbeitsganges die Temperaturen, denen das Kupferoxydul ausgesetzt wird, im allgemeinen nicht über 1000C steigen, da sonst die hohe Leitfähigkeit wieder herabgemindert wird. Eine Erhitzung auf etwa 150 bis 200 ° C kann die Leitfähigkeit auf etwa die Hälfte ihres Wertes herabsetzen. Dies ist insbesondere zu beachten, wenn die Kupferoxydulkörper einer Säureätzung unterworfen werden, um auf die geätzte Fläche solche Elektroden aufzubringen, die gegenüber dem Kupferoxydul eine unipolare Sperrwirkung zeigen. Es ist vorteilhaft, diese Säureätzung bei Zimmertemperatur durchzuführen.
Die Behandlung mit chemischen Lösungsmitteln hat man auch bereits angewendet, um Kupferoxydullamellen von einer dünnen, auf dem Oxydul während des Erhitzens entstandenen Kupferoxydschicht zu befreien. Man hat dann auf die behandelte Fläche eine Gegenelektrode aufgebracht, die also keinerlei Sperrwirkung zeigen sollte. Im Gegensatz hierzu dient das Ätzverfahren im vorliegenden Falle dazu, die Wirksamkeit der aufzubringenden Elektroden zu vergrößern. Es hat sich in Übereinstimmung hiermit gezeigt, daß auch bei den bekannten Kupferoxydullamellen Elektroden, die auf geätzte Flächen aufgebracht werden, eine Sperrwirkung zeigen, die jedoch früher nicht beobachtet wurde, da sie geringer ist, als die an der Berührungsfläche zwischen Kupfer und aufgewachsenem Oxydul vorhandene Sperrwirkung.
Werden die Kupferoxydulkörper, die nach dem neuen Verfahren behandelt sind, in geeigneter Weise mit Elektroden versehen, so liefern sie lichtelektrische Zellen, Gleichrichter und Thermoelemente, die wegen ihres geringen inneren Widerstandes für die verschiedensten Anwendungszwecke hervorragend brauchbar sind.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkörpern, dadurch gekennzeichnet, daß das Kupferoxydul zur Erzielung hoher elektrischer Leitfähigkeit nach Erhitzung auf Temperaturen zwischen etwa 300° C und 650° C abgeschreckt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferoxydulkörper auf wenigstens 400 ° C, vorzugsweise auf etwa 535 ° C, vor dem Abschrecken erhitzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kupferoxydulkörper nach dem Abschrecken einer Säureätzung ohne Erhöhung der Temperatur unterworfen werden.
4. Gleichrichter, Thermoelement oder lichtelektrische Zelle, dadurch gekennzeichnet, daß ein nach Anspruch 1 oder den Unteransprüchen hergestellter Kupferoxydulkörper mit Elektroden versehen ist.
DES96739D 1931-02-12 1931-02-12 Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern Expired DE581159C (de)

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DES96739D DE581159C (de) 1931-02-12 1931-02-12 Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern
AT134029D AT134029B (de) 1931-02-12 1931-08-22 Verfahren zur Behandlung von Kupferoxydulkörpern.

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0096739 1931-02-12
DES96739D DE581159C (de) 1931-02-12 1931-02-12 Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern

Publications (1)

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DE581159C true DE581159C (de) 1933-07-22

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ID=25998063

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DES96739D Expired DE581159C (de) 1931-02-12 1931-02-12 Verfahren zur Behandlung von kompakten Kupferoxydulkoerpern

Country Status (1)

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DE (1) DE581159C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE755790C (de) * 1935-10-23 1953-06-01 Westinghouse Brake & Signal Verfahren zur Herstellung von Kupferoxyd-Gleichrichterplatten

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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