AT134029B - Verfahren zur Behandlung von Kupferoxydulkörpern. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Behandlung von Kupferoxydulkörpern. 



   Es ist vorgeschlagen worden, kompakte Kupferoxydulkörper in der Weise herzustellen, dass Kupfer in geeigneter Form in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre längere Zeit auf Temperaturen erhitzt wird, die bei etwa 1000  C oder darüber liegen. Werden diese Körper in geeigneter Weise weiterbehandelt, so sind sie gut zur Herstellung von Thermoelementen, Gleichrichtern und lichtelektrischen Zellen geeignet.
Sie zeigen jedoch den Nachteil, dass ihre Leitfähigkeit für den elektrischen Strom gering ist, so dass die in dieser Weise gewonnenen Einrichtungen einen hohen inneren Widerstand besitzen. 



   Für   Gleichrichterlamellen ist   bereits ein   ähnliches   Verfahren bekannt. Diese Gleichrichterlamellen bestehen aus einem Kupferblech, auf dem sich eine   dünne, glasurähnliche Schicht   von Kupferoxydul befindet. Diese Lamellen hat man auf Temperaturen von etwa   6500 C   erhitzt und dann abgeschreckt, um einen festen und innigen Kontakt zwischen dem Kupferkörper und der Oxydulschicht herzustellen.
Im Gegensatz hiezu richtet sich das neue Verfahren auf die Behandlung von kompakten Kupferoxydulkörpern, die durch und durch aus Kupferoxydul bestehen, so dass also vom Standpunkt des bekannten
Verfahrens aus eine Wärmebehandlung keinen Sinn mehr haben wurde. 



   Gemäss der Erfindung werden die Kupferoxydulkörper zur Erzielung einer hohen elektrischen Leitfähigkeit auf Temperaturen bis zu etwa   6500 C erhitzt   und darauf abgeschreckt. Durch eine derartige Wärmebehandlung gelingt es bei geeigneter Bemessung der Temperatur und genügend langem Erhitzen, den Widerstand auf etwa den vierzigsten Teil desjenigen Widerstandes herabzusetzen, den die Körper besitzen, wenn sie nach erfolgter Umwandlung des Kupfers in Kupferoxydul unmittelbar von der bei etwa 1000  C liegenden Temperatur auf   Zimmertemperatur   abgekühlt werden. 



   Die Wirkung des Erhitzens auf höchstens   6500 C   und des darauffolgenden Abschreckens macht sich bereits bemerkbar, wenn der Glühvorgang etwa 5-10 Minuten gedauert hat. Die Leitfähigkeit wird jedoch noch weiter verbessert, wenn der   Glühprozess   über eine längere Zeit erstreckt wird. Die Höhe derjenigen Temperatur, auf die der Kupferoxydulkörper vor dem Abschrecken erhitzt wird, ist von wesentlichem Einfluss auf die erzielte Leitfähigkeit. Bei Temperaturen, die wesentlich über 650  C liegen, ist die Leitfähigkeit des Kupferoxyduls ausserordentlich gering. Die besten Werte werden durch eine Wärmebehandlung bei etwa   5350 C   erhalten.

   Doch auch bei niedrigen Temperaturen ist die erhaltene Leitfähigkeit wesentlich besser als die durch direktes Abkühlen des Kupferoxyduls von bei etwa 1000  C liegenden Temperaturen auf Zimmertemperatur erzielten. Um noch eine wesentliche 
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 temperatur im allgemeinen nicht unter   4000 C liegen. Jcdoch   auch noch bei Anwendung von Temperaturen von etwa   3000 C macht   sich eine Verbesserung der Leitfähigkeit bemerkbar. 



   Das neue Verfahren kann vorzugsweise derart durchgeführt werden, dass die durch Glühen bei etwa 1000  C erhaltenen   Kupferoxydulkörper   auf die gewünschte unter etwa   6500 C   liegende Temperatur abgekühlt und nach längerem Verweilen auf dieser Temperatur abgeschreckt werden. Sollen die nach dem neuen Verfahren behandelten Kupferoxydulkörper weiterhin verarbeitet werden und z. B. zur Herstellung von lichtelektrischen Zellen oder Gleichrichtern Verwendung finden, so sollen im Laufe des weiteren Arbeitsganges die Temperaturen, denen das Kupferoxydul ausgesetzt wird, im allgemeinen nicht über   1000 C   steigen, da sonst die hohe Leitfähigkeit wieder herabgemindert wird. Eine Erhitzung auf etwa   150-200  C   kann die Leitfähigkeit auf etwa die Hälfte ihres Wertes herabsetzen.

   Dies ist 

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 insbesondere zu beachten. wenn die   Kupferoxydulkörper   einer Säureätzung unterworfen werden, um auf die geätzte Fläche solche Elektroden aufzubringen, die gegenüber dem Kupferoxydul eine unipolare Sperrwirkung zeigen. Es ist vorteilhaft, diese Säure ätzung bei Zimmertemperatur durchzuführen. 



   Werden die   Kupferoxydulkörper,   die nach dem neuen Verfahren behandelt sind, in geeigneter Weise mit Elektroden versehen, so liefern sie lichtelektrische Zellen, Gleichrichter und Thermoelemente, die wegen ihres geringen inneren Widerstandes für die verschiedensten   Anwendungszweeke   hervorragend brauchbar sind. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Behandlung von kompakten   Kupferoxydulkörpern,   dadurch gekennzeichnet,' dass das Kupferoxydul zur Erzielung hoher elektrischer Leitfähigkeit nach Erhitzung auf Temperaturen bis zu etwa   650  C abgeschreckt   wird.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Kupferoxydulkörper auf wenigstens 400 C, vorzugsweise auf etwa 535 C vor dem Abschrecken erhitzt wird.

   3. Verfallren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Kupferoxydulkörper nach dem Abschrecken einer Säureätzung ohne Erhöhung der Temperatur unterworfen werden.

   4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass das durch Erhitzen auf etwa 10000 ein sauerstoffhaltiger Atmosphäre aus Kupfer hergestellte Kupferoxydul auf höchstens 6500 C abgekühlt und dann abgeschreckt wird.