DE512818C - Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes

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Description

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Gleichrichtern für Wechselströme und besonders die Herstellung von Gleichrichterelementen derjenigen Art, bei welchen ein Metall mit einem auf der Oberfläche gebildeten Oxyd des Metalls Anwendung findet.
Bei derartigen Gleichrichterelementen hat sich herausgestellt, daß der hohe Widerstand an der Verbindungsstelle zwischen Metall und Oxyd liegt, während der niedrige Widerstand über die ganze Dicke des Oxyds entsprechend einem bestimmten Widerstandsgefälle verteilt ist. Infolgedessen ist, je dünner die Oxydschicht ist, um so niedriger der Widerstand in der Richtung des niedrigeren Widerstandes und demzufolge um so größer das Verhältnis von hohem und niedrigem Widerstand bzw. das Gleichrichtungsverhältnis des Elements. Wenn das Metall nur in einer Luftatmosphäre oxydiert ist, haben sich Schwierigkeiten ergeben, die für die Gleichrichtung beste Kristallbildung und zugleich eine sehr dünne Oxydschicht, d. h. eine Oxydschicht von geringerer Dicke als 0,0035 bis 0,004" (°.°8 bis 0,1 mm), zu erhalten. Durch das verbesserte Verfahren nach vorliegender Erfindung kann indes die Oxydschicht die erwünschte Dünne erhalten und gleichzeitig den Typ von Kristallen enthalten, der für elektrische Gleichrichtung am besten geeignet ist.
Gemäß der Erfindung wird das Metallstück, z. B. ein Stück aus reinem Kupfer, zuerst auf Oxydationstemperatur in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre erhitzt, bis Kupferoxydul von der gewünschten Dicke aus dem Metall gebildet ist. Die Sauerstoffatmosphäre, in welcher diese Stufe des Verfahrens stattfindet, kann Luft sein, und die Temperatur liegt vorzugsweise in der Nachbarschaft von 1000 ° C. Das Metallstück wird dann in eine Atmosphäre gebracht, die im wesentlichen keinen Sauerstoff enthält, bei einer Temperatur, welche die beste Kristallstruktur ergibt. Diese Temperatur kann ebenfalls in der Nachbarschaft von iooo0-liegen, und diese Stufe des Verfahrens wird vorzugsweise in einem luftdichten Ofen ausgeführt, in welchem die das Metallstück enthaltende Atmosphäre nur wenig oder keinen Sauerstoff enthält. Während dieser zweiten Stufe des Verfahrens wird die Kristallstruktur des Kupferoxyds verbessert, dagegen die Dicke der Oxydschicht nicht wesentlich vergrößert.
Die zwei Stufen des Verfahrens können in ein und demselben Ofen ausgeführt werden, wenn der Ofen geeignet konstruiert und mit Anordnungen versehen ist, um ihn in geeigneter Weise bezüglich der Zulassung von Luft zu der das Metallstück enthaltenden Kammer zu überwachen.

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    ι. Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes, bestehend aus einem MetaUkörper, auf dem eine Oxydschicht des Metalls durch Erhitzung des Metallkörpers auf die Oxydationstemperatur in Anwesenheit von Luft oder Sauerstoff gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß diese Erhitzung
    to nur so lange fortgesetzt wird, bis eine Oxydschicht von der gewünschten Dicke gebildet ist, und daß alsdann der oxydierte Körper weiter bei der gleichen oder einer niedrigeren Temperatur in einer Atmosphäre erhitzt wird, die nur wenig oder keinen Sauerstoff enthält.
    z. Verfahren nach Anspruch 1 in der Anwendung auf die Bildung einer Schicht von Kupferoxydul auf einem Kupferstück, dadurch gekennzeichnet, daß das Kupfer- ao stück zuerst in Luft auf annähernd 10000 erhitzt und dann in eine Atmosphäre gebracht wird, die im wesentlichen keinen Sauerstoff enthält, und darin weiter bei annähernd der gleichen Temperatur erhitzt wird,
    3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zwei Erhitzungsstufen des Metallkörpers in dem gleichen Ofen ausgeführt werden und daß Luft oder Sauerstoff während der zweiten Erhitzungsstufe ausgeschlossen werden.
    4. Ein nach dem Verfahren gemäß Anspruch ι hergestelltes Gleichrichterelement, bestehend aus einem Kupferkörper mit einer darauf gebildeten Oxydschicht, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydschicht eine Dicke von weniger als 0,1 mm hat.
DEW76703D 1926-07-29 1927-07-29 Verfahren zur Herstellung eines Gleichrichterelementes Expired DE512818C (de)

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US2825668A (en) * 1956-03-20 1958-03-04 Jack F Koons Jr Process of making a plate oxide rectifier

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GB275152A (en) 1928-04-20

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