DE2031884A1 - Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes - Google Patents
Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementesInfo
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- DE2031884A1 DE2031884A1 DE19702031884 DE2031884A DE2031884A1 DE 2031884 A1 DE2031884 A1 DE 2031884A1 DE 19702031884 DE19702031884 DE 19702031884 DE 2031884 A DE2031884 A DE 2031884A DE 2031884 A1 DE2031884 A1 DE 2031884A1
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 64
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 13
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 6
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000003827 glycol group Chemical group 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
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- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
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Description
6332 ,
GEiIEHAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady -, W.Y., V.St.A.
Verfahren zum Ausbilden einer Silikatglasschicht auf der Oberfläche eines Siliciumplättchens eines Halbleiterbauelementes
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden einer zum Passivieren und Gettern dienenden Silikatglasschicht auf
der Oberfläche eines Siliciumplättchens eines Halbleiterbauelements und auf ein Halbleiterbauelement mit einem nach dem
Verfahren hergestellten Siliciumplättehen .
Es ist bekannt, daß selbst in ein reinstes Siliciumplättehen beim nachfolgenden Erhitzen Verunreinigungen eindiffundieren ä
können, falls diese Verunreinigungen auf der Oberfläche des Siliciumplättchens durch ein . chemisches"Ätzmittel zurückgelassen
worden sind. Bei diesen Verunreinigungen handelt es sich im allgemeinen um Metalle, beispielsweise um Eisen,
Nickel oder Kupfer. Diese Metalle sind als schnell diffundierende
Stoffe bekannt, da sie beim Erhitzen des Siliciumplättchens in weniger als einer Minute durch das Plättchen
diffundieren und dadurch die Kennwerte der dotierten Zonen ändern. Falls in dem Plättchen eine PN-Übergangszone ausgebildet
worden ist, dann scheiden sich die schnell diffundierenden Stoffe im allgemeinen an Dislokationen auf der Oberfläche des
Siliciumplättchens ab und können auf diese Weise die Übergangszone' kurzschließen. .
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Es wurden daher große Anstrengungen unternommen-, auf dem
Silieiumplättchen einen Überzug auszubilden, der diese Metallverunreinigungen anzieht oder getfcert. Dieser Vorgang beruht
auf der Tatsache, daß die Metallverunreinigungen in dem Überzug löslicher sind als in der Siliciunstruktur. Weiterhin seil
ein derartiger Überzug die PN-Üborgangszonen gegenüber weiteren
Verunreinigungen abschirmen. So soll der Überzug di-s 221-Übergänge
auch gegenüber den Umweltbedingungen schützen, beispielsweise gegen Feuchtigkeit und zusätzliche Verunreinigungen.
Die bekannten Überzüge enthalten im allgemeinen ein Metalloxid, beispielsweise Bleioxid, das infolge irgendeiner Reaktion
zwischen dem Metalloxid und dem Silicium oder Siliciumdioxid an dem Plättchen haftet. Diese Oxide zeigten jedoch im all- !
gemeinen keine Getterwirkung. Weiterhin v/aren die Oxide nicht
dauerhaft. Durch Einflüsse der Umwelt konnte das Oxid entfernt werden.
Weiterhin hat man bereits versucht, auf dem Silicium eine Glasschicht aufzubringen.. Gegenüber einem Oxid hat Glas den
Vorteil, daß es dicker oder stärker ausgebildet werden kann, so daß die Schutzwirkung erhöht wird. Außerdem hat man gefunden,
daß geeignet ausgebildetes Glas die Verunreinigungen des Siliciums gettert. Bei den bekannten Verfahren zum Ausbilden
von Glas auf einer Halbleiterstruktur wird der Halbleiter in eine Atmosphäre gebracht, die das verdampfte Oxid
eines Metalls enthält, beispielsweise das Oxid von Blei. Das Halbleiterplättchen wird in dieser Atmosphäre derart erhitzt,
daß sich auf seine: Oberfläche ein Silikatglas ausbildet, das das Metall enthält. Derartige Verfahren haben den Nachteil,
daß die Oberflächen, auf denen das Glas ausgebildet werden soll, nur durch mechanisches Abdecken oder Maskieren begrenzt
werden können. Dadurch wird der Halbleiter erneut verunreinigt. Weiterhin hat sich herausgestellt, daß die Dämpfe gewisser.
Metalloxide, beispielsweise von Bleioxid, dem Silicium schädlich
sind· 009882/164 7
*'le Aufgabe der Lrfindung besteht aarin, die Unzulänglichkeiten
aer bekannten Verfahren zu überwinden;
Geci Zweck ist das eingangs beschriebene Verfahren nach
der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß auf der Plättcheno'.icrfltlohe
eine Aufsehlemmüng aus einem Bleioxid und einem
flüchtigen Träger aufgebracht wird, daS der Träger verflüchtigt
wird, daß das oiliciumplätlchen in einer sauerstoffenthultenen
Atmosphäre auf eine Temperatur erhitzt wird, die über
der eutektischen Temperatur des Bleioxids und Siliciumdioxids liegt, so daß auf der Oberfläche des Siliciutaplättchens ein
31eisilikatglas erschmolzen wird, und daß das Siliciumplattchen
mit einer Geschwindigkeit abgekühlt v/ird, die unter der Abüchreckgeachwindigkeit
liegt, so daß das Bleisilikatglas die schnell diffundierenden Ketallverunreinigungen aus dem Siliciumplattchen
entfernen kann.
Bei derr. erfindungsgemäßen Verfahren wird also die Abkühlungsgeschwinaigkett
derart gesteuert, daß das ausgebildete Glas eine hervorragende Getterwirkung zeigt und das Siliciumplattchen
vollkommen schützt.
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■ - 4 -
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden anhand von Figuren beschrieben.
Figur 1 zeigt als Diagramm die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte.
Figur 2 zeigt im dritten Quadranten die Spannungs-Stromkennlinie
eines Siliciumgleichrichters vor und nach dem
Erhitzen .
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch eine Siliciumplatte
mit einem Überzug aus Bleisilikatglas nach der Erfindung.
Zunächst wird auf Figur 1 bezug genommen, die in groben Zügen
die Verfahrensschritte zeigt. Als erstes wird ein Brei oder eine Aufschlemmung aus einem Bleioxid und einem flüssigen
Träger aufbereitet. In der folgenden Beschreibung wird als Bleioxid PbO benutzt. Man kann aber auch Bleimennige Pb-,0.
verwenden, die sich beim Erhitzen in Bleioxid zersetzt. Als organischer Träger wird vorzugsweise eine organische Flüssigkeit
benutzt^ die aus Kohlenstoff, Wasserstoff und Sauerstoff
besteht. Hierfür kommen beispielsweise Alkohole, Glykole, Aldehyde, Ketone, Äther, Ester usw. in Betracht. Diese organischen
Flüssigkeiten besitzen keine Atome, die die Siliciumplatte
verunreinigen könnten. Die Auswahl an Trägern ist allerdings groß. Es wird jedoch gewünscht, daß der Träger eine gleichförmige
Suspension von Bleioxid bildet und eine hohe Verfüchtigungsfähigkeit
hat, so daß beim Aufbringen auf die Oberfläche eines Silicumplättchens eine schnelle Verdampfung einsetzt.
Die Menge des in dem Träger aufgeschlemmten Bleioxids ist
nicht kritisch und kann ohne nachteilige Wirkung in einem - , großen Bereich verändert werden.
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Der zweite Schritt "besteht darin, die Aufschlemmung oder
Suspension auf ein Siliciumplättchen aufzubringen. Dies kann in herkömmlicher Weise geschehen, beispielsweise durch Aufstreichen,
Aufsprühen oder Eintauchen. Das An- oder Aufstreichen hat den Vorteil, daß die Aufschlemmung ohne Maskierung
oder Abdeckung auf einen ausgewählten Bereich der Oberfläche des Siliciumplättchen aufgebracht werden kann.
Außerdem kann man die aufgebrachte Bleimenge durch visuelle
Beobachtung der Farbe des Plättchens grob abschätzen. So zeigt beispielsweise ein mit Bleioxid angestrichenes Siliciumplättchen
eine gelbe Farbe. Die Farbintensität hängt dabei von der aufgetragenen Schichtstärke ab. .
Bevor die Aufschlemmung auf das Plättchen aufgetragen wird, kann es gereinigt werden. Dazu kann man beispielsweise eine
Mischung verwenden, die aus gleichen G.ewiehtsteilen von
Ameisensäure und Wasserstoffperoxid gebildet ist. Im Anschluß daran kann das Plättchen in einer Lösung aus entionisiertem Wasser
abgewaschen werden. Es können auch andere bekannte Reinigungsverfahren
angewendet werden. Allerdings ist es bei dem erfindungsgemäßen
Verfahren nicht notwendig, eine Reinigung vorzunehmen, die über das beim Verarbeiten von Silicumplättchen
übliche Reinigen hinausgeht.
Nach dem Aufbringen der Aufschlemmung wird der organische Träger-verflüchtigt.
Das Verflüchtigen kann durch Verdampfen des Trägers bei Zimmertemperatur oder, falls die Verflüchtigungsgeschwindigkeit
erhöht werden soll, durch Erhitzen des Plättchen vorgenommen werden. Nach dem Verdampfungsvorgang ist das Siliciumplättchen
mit einer gleichmäßigen Schicht aus Bleioxidteilchen überzogen.
Um das Bleioxid auf der Plättchenoberfläche in ein Bleisilikatgas umzuwandeln, das in der Lage ist, Verunreinigungen
zii gettern und die Übergangszone zu schützen* wird das Plättchen
auf eine über dem Schmelzpunkt von Silicium dioxid und Bleioxid· liegende Temperatur erhitzt. Wenn ein Siliciumplättchen
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bei normaler Zimmertemperatur der.Atmosphäre oder der Luft
ausgesetzt ist, bildet sich auf der Oberfläche des Plättchens
eine dünne Schicht aus Siliciumdioxid mit einer Stärke in der Größenordnung von einigen Av Beim Aufbringen des Bleioxids
auf die Plättchenoberfläche kann daher bereits eine geringe Menge von Siliciumdioxid vorhanden sein,, wobei jedoch
die Menge des Bleioxids wesentlich größer ist. Durch Erhitzen des Plättchens auf die minimale eutektische Temperatur des Siliciumdioxids und Bleioxids, die 7100O beträgt,
wird die Verschmelzung des Siliciumdioxids und Bleioxide ausgelöst, so daß sich eine dünne GIasaberfläche aus Bleisilikat
bildet. Um eine maximale Verschmelzung des Siliciumdioxids und Bleioxids zugewährleisten, wird das Plättchen vorzugsweise
auf eine Temperatur von mindestens 7600C erhitzt· Dies ist
diejenige Gleichgewichtstemperatur, oberhalb der Mischungen, aus Siliciumdioxid und Bleioxid sich in Anteilen mischen, die
einen Bereich von etwa 70 bis 95 Gewichtsprozent Bleioxid umfassen.
Das Plättchen wird auf die obengenannten Temperaturen in einer sauerstoffenthaltenden Atmosphäre gebracht. Palis das Plättchen
nachjäem Aufbringen des Bleioxids in einer Sauerstoff freien
Atmosphäre erhitzt wird, beispielsweise in Argon, dann wird zwar auch infolge des anfgangs auf der Oberfläche des
Plättchens vorhandenen Siliciumdioxids die Verschmelzung bei 7100O eingeleitet, es kann jedoch erforderlich sein, das
Plättchen auf höhere Temperaturen zu bringen, beispielsweise bis auf 8800C um die maximalmögliche Verschmelzung zu erreichen.
In diesem Falle ist der Anteil des Siliciumdioxids .jedoch klein und es wird nur eine sehr dünne Bleisilikatschicht
gebildet, da der Mangel an Sauerstoff die Glasbildung begrenzt. ·
Das Siliciumplättchen wird daher vorzugsweise in einer sauerstoff enthaltenden Atmosphäre erhitzt, um das vorhandene Bleioxid
wirkungsvoll auszunutzen, eine stärkere Glasschicht zu erhalten und die Verschmelzungstemperatur auf einem möglichst
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"Kleinen '.Vert zu halten. Durch die Verwendung einer sauerstoff
enthalt enden Atmosphäre wird einen Mangel an Siliciumdioxid,
der die Ausbildung einer G-Ia s Silikats chic ht behindert, dadurch abgeholfen, uaß der Sauerstoff mit dem
Jilicium reagiert, so daß zusätzliches Siliciumdioxid gebildetwird,
Da bei Beginn des Erhitzens der Anteil des Bleioxide in hohem Maße den Anteil des Siliciumdioxids uberoteigt
- weniger als 70 Gewichtsprozent Bleioxid - und die Bildung des Bieisilikatgl&ses die Reaktion des Siliciums
mit-dem vorhandenen Sauerstoff an der Plätte'-snoberfläche
begrenzt, besteht keine Gefahr, daß überschüssiges Siliciumdioxid vorhanden ist, was eine höhere Verschmelzungstemperatur
irar Folge hätte, man kann daher die Bildung von Bl-.isilikatglö-s
in einer Sauerstoffatmosphäre während des Erhitzens wirkungsvoll dadurch steuern, daß die ursprünglich vorhandene
Menge an Bleioxid begrenzt wird und daß die Temperatur über den minimalen Verscnnelzungspunkt von Siliciumdioxid und Bleioxid
erhöht wird. Aus diesem Grunde kann auch nach dem Verschmelzen' ein Erhitzen zum Bilden von Bleisilikatglas vorgenommen werden, ohne daß dabei die Passivierung des Plättchens
verändert wird. Das Erhitzen kann in zahlreichen sauerstoffenthaltenden Atmosphären vorgenommen werden, beispielsweise
in Sauerstoff, Luft und Misc.ungen aus Sauerstoff und einem
inerten Gas. JDie Atmosphäre muß allerdings von Bleioxiddämpfen
freigehalten werden, weil sonst das Siiiciumplättchen nachteilig
beeinträchtigt wird.
Nachdem sich das Glas auf der Oberfläche des Siliciumplättchens
gebildet hat, wird es auf Zimmertemperatur abgekühlt. Es hat sich allerdings gezeigt, daß die Abkühlungsgeschwindigkeit des
Glases vorgegeben werden muß, um günstige Getterwirkungen zu
erhalten. Beim Eindiffundieren von Verunreinigungen in ein Silicumplättchen zwecks Herstellung eines PN-tJberg angs ist
es bekannt, daß, obwohl die Diffusion unter Bedingungen vorgenommen wird, bei denen größtmögliche Reinheit und Sauberkeit
herrscht ,ein Reinigen des Plättchens mit einem chemischen Ätz-
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ORIGINAL
203188A
mittel eine große Anzahl von Verunreinigungen auf der Oberfläche des Plättchens zurückläßt. Dabei handelt es sich vorwiegend
um Metalle, die sehr schnell diffundieren, beispielsweise Eisen, Nickel oder Kupfer. Bei einem nachfolgenden Erhitzen des
Siliciumplättchens, wie es bei dem Verfahren nach der Erfindung
der Pail ist, diffundieren die Verunreinigungen sehr schnell in das Siliciumplättchen ein. Dabei versuchen sich die Verunreinigungen
insbesondere an Dislokationen an- der Oberfläche des Siliciumpl-ättchens aus- oder abzuscheiden. Dies hat. für den PN-Übergang
die Wirkung eines Kurzschlusses.Der geschilderte Vorgang
ist als Vergiftung des Übergangs bekannt. Dadurch werden die elektrischen Kennwerte der Übergangszone, insbesondere im
Sperrbereich verschlechtert. In diesem Zusammenhang wird auf das in Pigur 2 gezeigte Diagramm hingewiesen. Die Kurve
10 zeigt die Sperrkennlinie eines Siliciumgleichrichters vor dem Erhitzen und die Kurve 111. die gleiche Kennlinie nach dem
Erhitzen, wenn Verunreinigungen auf der Gleichrichteroberflache
vorhanden sind. Infolge des rechtwinkligen Kurvenverlaufs gibt man einem. Gleichrichter mit der Sperrkennlinie
10 den Vorrang gegenüber einem Gleichrichter mit der Kennlinie 11. Den Gleichrichter mit der Kennlinie 11 kann man weder
als Sperrdiode noch als in Rückwärtsrichtung betriebenen Spannungsregler benutzen.
Die Erfindung hat nun Vorsorge getroffen, daß nach dem Erhitzen eine Verschlechterung der Kennlinie nicht auftritt.
Es hat sich gezeigt, daß die genannten, schnell diffundierenden Stoffe ein Glas gegenüber der Oberfläche eines Siliciutnplättchens
bevorzugen, sehr v/ahrscheinlich deswegen, weil sie darin löslicher
sind. Das glasüberzogene Siliciumplättchen muß man daher mit einer beeinflussten oder gesteuerten Geschwindigkeit abkühlen,
und zwar mit einer solchen Geschwindigkeit, daß die Verunreinigungenvcm Silicium in das Glas wandern können. Versuche
haben ergeben, daß hinreichendgute Ergebnisse erzielt
werden, wenn das Siliciumplättchen von der Gläßschmelztemperatur
in einer Zeitspanne von nicht weniger als einer Minute
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BAD ORIGINAL
- 9 -.■■"■■ · :
auf Zimmertemperatur abgekühlt wird. Kühlt "man das Plättchen
schneller ab, dann bleibt die gewünschte Getterwirkung aus.
In diesem Falle haben nämlich die schnell diffundierenden
Stoffe keine Zeit, um von dem Silicium zur Glasschicht zu wandern. Auf die noch folgenden Beispiele mit quantitativen
Werten wird schon jetzt hingewiesen. Zusätzlich zu der Getterwirkung, also dem Anziehen von Verunreinigungen aus dem Süiciumplättchen,
nimmt das Bleisilikatglas vorzugsweise auch noch Verunreinigungen aus der Atmosphäre auf, die sonst das erhitzte
Plättchen verseuchen würden. Dadurch wird sichergestellt, daß das Silicium während'des Bearbeitungsverfahrens
rein gehalten wird. Nach der Abkühlung schützt oder passiviert
die Glasschicht die Übergangszone des Siliciumplättchens. Auf diese Weise wird das Silie.iumplättchen frei von Verunreinigungen
und Verschmutzungen gehalten, und die Sperrspannung des Plättchens wird verbessert. .
Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren bearbeitetes Siliciumplättchen
ist S3hematisch in Figur 3 dargestellt. Das Plättchen
enthält eine N-leitende Zone 20 und eine planar eindiffundierte,
P-leitende Zone 21. Durch diese Zonen'wird ein PN-Übergang 22
gebildet, der sich bis zur Oberfläche 23 des Siliciumplättchens erstreckt. Die Außenoberfläche des Siliciumplättchens ist
mit einem Bleisilikatglas 24 überzogen. Pur die praktische Anwendung ist es lediglich erforderlich, die Oberfläche 23 gegenüber
dem Übergang mit dem Silikatglas zu überziehen. Vorzugsweise sind jedoch alle Außenflächen des Siliciumplättchens
mit dem,Glas bedeckt. An der P- und, N-Zone des Siliciumplättchens
sind Anschlußdrähte 26 befestigt. Die Befestigungsstellen sind nicht mit Glas bedeckt.
Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung.
Die Beispiele Z und II führten zu einem Glas unterschiedlicher
Qualität, jedooh ohne Getterwirkung. Die Beispiele III und IV
führen zu einen Glas guter Qualtität mit Getterwirkung. ■
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- ίο -
Ein Siliciumplättchen mit einem PN-Übergang wird in einer kochenden Lösung aus Ameisensäure und Wasserstoffperoxid gereinigt. Gleichzeitig wird eine Aufschlemmung aus PbO und
Äthylenglykolmonoäthylather aufbereitet. Nach dem Reinigungsvorgang wird die Aufschlemmung auf die Oberfläche des Siliciumplättchens
aufgebracht. Beim Trocknen bildet sieh auf dem Siliciumplättchen eine gelbe Schicht.
Durch einen auf 8380C vorerhitzten Ofen wird Sauerstoff geleitet.
Der Sauerstofffluß wird während des gesamten Verfahrens
aufrechterhalten. Das beschichtete Siliciumplättchen wird für 3 Mintuen in den Ofen gebracht. Anschließend wird
das Plättchen in weniger als 30 Sekunden auf Zimmertemperatur abgekühlt.
Das auf diese V/eise behandelte Plättchen ist mit einer im allgemeinen klaren Glasschicht überzogen, die einige sichtbare
Pehlsteilen aufweist. Ein vor diesor Behandlung durchgeführter Versuch ergab, daß das Siliciumplättehen eine
scharfe, gut deffinierte Sperrkennlinie aufwies, wie die in Figur 2 gezeigte Kurve 10. Durch Versuche wurde nachgewiesen,
daß sich die Sperrkennlinie des Siliciumplättchens
verschlechtert hat. Es wies jetzt als Kennlinie die in Pig. gezeigte Kurve 11 auf. Ein Gettervorgang hatte also nicht
stattgefunden.
Dieses Experiment wurde bei einer Temperatur von 8120G wiederholt«
Es führt0 zu identischen Ergebnissen.
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Dae Experiment von Beispiel I wird wiederholt, mit der Ausnahme
, daß der Ofen auf einer Temperatur von 6880C gehalten
wird. Unter dem Kikroskop wurde festgestellt, daß das Glas,
nicht durchgeschmolzen war und ein eis- oder reifartiges Aussehen
hatte. Las gleiche Ergebnis erzielte man bei einer
Temperatur von 7040C. Eine Getterwirkung wurde nicht erreicht.
Dies konnte der verschlechterten Sper.-^ennlinie entnommen
werden.
Das Experiment von Beispiel I wird durchgeführt, mit der Ausnahme,
daß der Ofen auf einer Temperatur von 7540C gehalten wird. Die Abkühlung wurde auf einen längeren Zeitraum ausgedehnt,
und zwar auf eine Kinute. Die anschließenden Versuche
zeigten, daß eine Getterung eingetreten war. Es wurde die in Figur 2 gezeigte Kurve 10 als Sperrkennlinie nachgewiesen. Die Hitzebehandlung hatte also die Sperrspannungskennlinie nicht nachteilig beeinflußt. Bei einem Erhitzen
auf 7300C ergab sich ebenfalls ein gutes Ergebnis.
Das gleiche Experiment wie .beim Beispiel I wird durchgeführt,
mit der Ausnahme, daß der Ofen auf einer Temperatur von 7720C
gehalten wird. Die Schmelzzeit des Glases beträgt 45 Sekunden. Das Glas wird während eines Zeitraums von 1 Minute abgekühlt.
Das auf diese Weise hergestellt Glas war von einem besonders
hohen klaren Aussehen. Ferner wurde eine sehr gute Getteiwirkung
erzielt. Es ergab sich die in Figur 2 gezeigte Kurve 10. Eine
durch das Erhitzen hervorgerufene Verschlechterung der Sperrspannungskennlinie kennte also nicht nachgewiesen werden.
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Claims (1)
- 2U3138A- Ί L'-Patentansprüche1 «/Verfahren zum Ausbilden einer zum Passivieren und Gettern dienenden Silikatglasschicht auf der Oberfläche eines Siriciumpläftchens eines Halbleiterbauelements, dadurch gekennzeichnet,daß auf der Plättchenoberfläche eine Aufschlemmung aus einem Bleioxid und einem flüchtigem Träger aufgebracht wird, daß der Träger verflüchtigt wird, daß das üiliciumplättchen in einer sauerstoffenthaltenden Atmosphäre auf eine Temperatur erhitzt wird, die über der eutektischen Temperatur des Bleioxids und Siliciumdioxids liegt, so daß auf der Oberfläche des Siliciumplättchens ein Bleisilikatglas.erschmolzen wird, und daß das Siliciumplättchen mit einer Geschwindigkeit abgekühlt wird, die unter der Abschreckgeschwindigkeit liegt, so daß das Bleisilikatglas die schnell diffundierenden Metallverunreinigungen aus dem Siliciumplättchen entfernen kann.2. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß das Bleioxid PbO ist.■z j ·Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet,daß das Siliciuaplättchen auf.eine Verschmelzungstemperatur von über 7100C erhitzt wird.4. Verfahren nach Anspruch 1 ,ο dadurch gekennzeichnet,äaß das Siliciumplättchen auf eine Verschmelzungstemperaturvon mehr als 7600C erhitzt wird.
oo-a 5. Verfahren nach Anspruch 1,^ dadurch gekennzeichnet, *° da2 der flucheige Träger eine aus Kohlenstoff,Wasserstoff und Sauerstoff bestehende, organische Flüssigkeit ist»BAD ORIGINAL6. Verfahren nach Anspruch 1, . dadurch gekennzeichnet, daß. es sich bei dem flüchtigen Träger um ein Glykol. handelt.7. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumplättchen von der Verschmelzurtgstemperatur des Glases während einer Zeitdauer, die größer als eine Minute ist, auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.8. Verfahren nach Anspruch 1,d~a & u r c h - -. gekennzeichnet,daß das Bleioxid lediglich auf ausgewählten Oberflächen des Siliciumplättchens aufgebracht wird und daß das gebildete' Bleisilikatglas auf diese Oberflächenbere-iche beschränkt bleibt.9. Verfahren nach Anspruch 1,dadurch · gekennzeichnet,daß die beim Erhitzen des Plättchens benutzte Sauerstoffatmosphäre von Bleidämpfen freigehalten wird.10. Halbleiterbauelement mit einem nach einem der vorstehenden g Ansprüche hergestellten Siliciumplättchen,dadurch gekennzeichnet,daß die Bleisilikatschicht insbesondere die Übergangszonenbedeckt. · ■ 'ReLi/Lo009882/1647L e e r s e i t e
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US83441269A | 1969-06-18 | 1969-06-18 | |
US83771769A | 1969-06-30 | 1969-06-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2031884A1 true DE2031884A1 (de) | 1971-01-07 |
Family
ID=27125705
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702028422 Pending DE2028422A1 (de) | 1969-06-18 | 1970-06-10 | Verfahren zum Passivieren von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Feldeffekttransistoren |
DE19702031884 Pending DE2031884A1 (de) | 1969-06-18 | 1970-06-27 | Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19702028422 Pending DE2028422A1 (de) | 1969-06-18 | 1970-06-10 | Verfahren zum Passivieren von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Feldeffekttransistoren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3783119A (de) |
BE (1) | BE750240A (de) |
DE (2) | DE2028422A1 (de) |
FR (2) | FR2046838B1 (de) |
GB (2) | GB1309764A (de) |
Families Citing this family (6)
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---|---|---|---|---|
US3892650A (en) * | 1972-12-29 | 1975-07-01 | Ibm | Chemical sputtering purification process |
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-
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- 1969-06-18 US US00834412A patent/US3783119A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-06-30 US US837717A patent/US3669731A/en not_active Expired - Lifetime
-
1970
- 1970-05-11 BE BE750240D patent/BE750240A/xx unknown
- 1970-05-12 FR FR7017084A patent/FR2046838B1/fr not_active Expired
- 1970-06-10 DE DE19702028422 patent/DE2028422A1/de active Pending
- 1970-06-12 GB GB2850870A patent/GB1309764A/en not_active Expired
- 1970-06-18 GB GB1257597D patent/GB1257597A/en not_active Expired
- 1970-06-27 DE DE19702031884 patent/DE2031884A1/de active Pending
- 1970-06-30 FR FR7024282A patent/FR2048075A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2028422A1 (de) | 1971-01-07 |
FR2048075A1 (de) | 1971-03-19 |
US3783119A (en) | 1974-01-01 |
FR2046838B1 (de) | 1973-12-07 |
GB1309764A (en) | 1973-03-14 |
BE750240A (fr) | 1970-10-16 |
US3669731A (en) | 1972-06-13 |
FR2046838A1 (de) | 1971-03-12 |
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