DE2031884A1 - Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes - Google Patents

Verfahren zum Ausbilden einer SilikatgJasschicht auf der Oberfläche eines Sihciumplattchens eines Halb leiterbauelementes

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DE2031884A1
DE2031884A1 DE19702031884 DE2031884A DE2031884A1 DE 2031884 A1 DE2031884 A1 DE 2031884A1 DE 19702031884 DE19702031884 DE 19702031884 DE 2031884 A DE2031884 A DE 2031884A DE 2031884 A1 DE2031884 A1 DE 2031884A1
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glass
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Description

6332 ,
GEiIEHAL ELECTRIC COMPANY, Schenectady -, W.Y., V.St.A.
Verfahren zum Ausbilden einer Silikatglasschicht auf der Oberfläche eines Siliciumplättchens eines Halbleiterbauelementes
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ausbilden einer zum Passivieren und Gettern dienenden Silikatglasschicht auf der Oberfläche eines Siliciumplättchens eines Halbleiterbauelements und auf ein Halbleiterbauelement mit einem nach dem Verfahren hergestellten Siliciumplättehen .
Es ist bekannt, daß selbst in ein reinstes Siliciumplättehen beim nachfolgenden Erhitzen Verunreinigungen eindiffundieren ä können, falls diese Verunreinigungen auf der Oberfläche des Siliciumplättchens durch ein . chemisches"Ätzmittel zurückgelassen worden sind. Bei diesen Verunreinigungen handelt es sich im allgemeinen um Metalle, beispielsweise um Eisen, Nickel oder Kupfer. Diese Metalle sind als schnell diffundierende Stoffe bekannt, da sie beim Erhitzen des Siliciumplättchens in weniger als einer Minute durch das Plättchen diffundieren und dadurch die Kennwerte der dotierten Zonen ändern. Falls in dem Plättchen eine PN-Übergangszone ausgebildet worden ist, dann scheiden sich die schnell diffundierenden Stoffe im allgemeinen an Dislokationen auf der Oberfläche des Siliciumplättchens ab und können auf diese Weise die Übergangszone' kurzschließen. .
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Es wurden daher große Anstrengungen unternommen-, auf dem Silieiumplättchen einen Überzug auszubilden, der diese Metallverunreinigungen anzieht oder getfcert. Dieser Vorgang beruht auf der Tatsache, daß die Metallverunreinigungen in dem Überzug löslicher sind als in der Siliciunstruktur. Weiterhin seil ein derartiger Überzug die PN-Üborgangszonen gegenüber weiteren Verunreinigungen abschirmen. So soll der Überzug di-s 221-Übergänge auch gegenüber den Umweltbedingungen schützen, beispielsweise gegen Feuchtigkeit und zusätzliche Verunreinigungen.
Die bekannten Überzüge enthalten im allgemeinen ein Metalloxid, beispielsweise Bleioxid, das infolge irgendeiner Reaktion zwischen dem Metalloxid und dem Silicium oder Siliciumdioxid an dem Plättchen haftet. Diese Oxide zeigten jedoch im all- ! gemeinen keine Getterwirkung. Weiterhin v/aren die Oxide nicht dauerhaft. Durch Einflüsse der Umwelt konnte das Oxid entfernt werden.
Weiterhin hat man bereits versucht, auf dem Silicium eine Glasschicht aufzubringen.. Gegenüber einem Oxid hat Glas den Vorteil, daß es dicker oder stärker ausgebildet werden kann, so daß die Schutzwirkung erhöht wird. Außerdem hat man gefunden, daß geeignet ausgebildetes Glas die Verunreinigungen des Siliciums gettert. Bei den bekannten Verfahren zum Ausbilden von Glas auf einer Halbleiterstruktur wird der Halbleiter in eine Atmosphäre gebracht, die das verdampfte Oxid eines Metalls enthält, beispielsweise das Oxid von Blei. Das Halbleiterplättchen wird in dieser Atmosphäre derart erhitzt, daß sich auf seine: Oberfläche ein Silikatglas ausbildet, das das Metall enthält. Derartige Verfahren haben den Nachteil, daß die Oberflächen, auf denen das Glas ausgebildet werden soll, nur durch mechanisches Abdecken oder Maskieren begrenzt werden können. Dadurch wird der Halbleiter erneut verunreinigt. Weiterhin hat sich herausgestellt, daß die Dämpfe gewisser. Metalloxide, beispielsweise von Bleioxid, dem Silicium schädlich
sind· 009882/164 7
BAU ÖFMGiNAl
*'le Aufgabe der Lrfindung besteht aarin, die Unzulänglichkeiten aer bekannten Verfahren zu überwinden;
Geci Zweck ist das eingangs beschriebene Verfahren nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß auf der Plättcheno'.icrfltlohe eine Aufsehlemmüng aus einem Bleioxid und einem flüchtigen Träger aufgebracht wird, daS der Träger verflüchtigt wird, daß das oiliciumplätlchen in einer sauerstoffenthultenen Atmosphäre auf eine Temperatur erhitzt wird, die über der eutektischen Temperatur des Bleioxids und Siliciumdioxids liegt, so daß auf der Oberfläche des Siliciutaplättchens ein 31eisilikatglas erschmolzen wird, und daß das Siliciumplattchen mit einer Geschwindigkeit abgekühlt v/ird, die unter der Abüchreckgeachwindigkeit liegt, so daß das Bleisilikatglas die schnell diffundierenden Ketallverunreinigungen aus dem Siliciumplattchen entfernen kann.
Bei derr. erfindungsgemäßen Verfahren wird also die Abkühlungsgeschwinaigkett derart gesteuert, daß das ausgebildete Glas eine hervorragende Getterwirkung zeigt und das Siliciumplattchen vollkommen schützt.
009882/1847
BAD ORIGINAL
■ - 4 -
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung werden anhand von Figuren beschrieben.
Figur 1 zeigt als Diagramm die erfindungsgemäßen Verfahrensschritte.
Figur 2 zeigt im dritten Quadranten die Spannungs-Stromkennlinie eines Siliciumgleichrichters vor und nach dem Erhitzen .
Figur 3 zeigt einen Querschnitt durch eine Siliciumplatte mit einem Überzug aus Bleisilikatglas nach der Erfindung.
Zunächst wird auf Figur 1 bezug genommen, die in groben Zügen die Verfahrensschritte zeigt. Als erstes wird ein Brei oder eine Aufschlemmung aus einem Bleioxid und einem flüssigen Träger aufbereitet. In der folgenden Beschreibung wird als Bleioxid PbO benutzt. Man kann aber auch Bleimennige Pb-,0. verwenden, die sich beim Erhitzen in Bleioxid zersetzt. Als organischer Träger wird vorzugsweise eine organische Flüssigkeit benutzt^ die aus Kohlenstoff, Wasserstoff und Sauerstoff besteht. Hierfür kommen beispielsweise Alkohole, Glykole, Aldehyde, Ketone, Äther, Ester usw. in Betracht. Diese organischen Flüssigkeiten besitzen keine Atome, die die Siliciumplatte verunreinigen könnten. Die Auswahl an Trägern ist allerdings groß. Es wird jedoch gewünscht, daß der Träger eine gleichförmige Suspension von Bleioxid bildet und eine hohe Verfüchtigungsfähigkeit hat, so daß beim Aufbringen auf die Oberfläche eines Silicumplättchens eine schnelle Verdampfung einsetzt. Die Menge des in dem Träger aufgeschlemmten Bleioxids ist nicht kritisch und kann ohne nachteilige Wirkung in einem - , großen Bereich verändert werden.
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Der zweite Schritt "besteht darin, die Aufschlemmung oder Suspension auf ein Siliciumplättchen aufzubringen. Dies kann in herkömmlicher Weise geschehen, beispielsweise durch Aufstreichen, Aufsprühen oder Eintauchen. Das An- oder Aufstreichen hat den Vorteil, daß die Aufschlemmung ohne Maskierung oder Abdeckung auf einen ausgewählten Bereich der Oberfläche des Siliciumplättchen aufgebracht werden kann. Außerdem kann man die aufgebrachte Bleimenge durch visuelle Beobachtung der Farbe des Plättchens grob abschätzen. So zeigt beispielsweise ein mit Bleioxid angestrichenes Siliciumplättchen eine gelbe Farbe. Die Farbintensität hängt dabei von der aufgetragenen Schichtstärke ab. .
Bevor die Aufschlemmung auf das Plättchen aufgetragen wird, kann es gereinigt werden. Dazu kann man beispielsweise eine Mischung verwenden, die aus gleichen G.ewiehtsteilen von Ameisensäure und Wasserstoffperoxid gebildet ist. Im Anschluß daran kann das Plättchen in einer Lösung aus entionisiertem Wasser abgewaschen werden. Es können auch andere bekannte Reinigungsverfahren angewendet werden. Allerdings ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht notwendig, eine Reinigung vorzunehmen, die über das beim Verarbeiten von Silicumplättchen übliche Reinigen hinausgeht.
Nach dem Aufbringen der Aufschlemmung wird der organische Träger-verflüchtigt. Das Verflüchtigen kann durch Verdampfen des Trägers bei Zimmertemperatur oder, falls die Verflüchtigungsgeschwindigkeit erhöht werden soll, durch Erhitzen des Plättchen vorgenommen werden. Nach dem Verdampfungsvorgang ist das Siliciumplättchen mit einer gleichmäßigen Schicht aus Bleioxidteilchen überzogen.
Um das Bleioxid auf der Plättchenoberfläche in ein Bleisilikatgas umzuwandeln, das in der Lage ist, Verunreinigungen zii gettern und die Übergangszone zu schützen* wird das Plättchen auf eine über dem Schmelzpunkt von Silicium dioxid und Bleioxid· liegende Temperatur erhitzt. Wenn ein Siliciumplättchen
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bei normaler Zimmertemperatur der.Atmosphäre oder der Luft ausgesetzt ist, bildet sich auf der Oberfläche des Plättchens eine dünne Schicht aus Siliciumdioxid mit einer Stärke in der Größenordnung von einigen Av Beim Aufbringen des Bleioxids auf die Plättchenoberfläche kann daher bereits eine geringe Menge von Siliciumdioxid vorhanden sein,, wobei jedoch die Menge des Bleioxids wesentlich größer ist. Durch Erhitzen des Plättchens auf die minimale eutektische Temperatur des Siliciumdioxids und Bleioxids, die 7100O beträgt, wird die Verschmelzung des Siliciumdioxids und Bleioxide ausgelöst, so daß sich eine dünne GIasaberfläche aus Bleisilikat bildet. Um eine maximale Verschmelzung des Siliciumdioxids und Bleioxids zugewährleisten, wird das Plättchen vorzugsweise auf eine Temperatur von mindestens 7600C erhitzt· Dies ist diejenige Gleichgewichtstemperatur, oberhalb der Mischungen, aus Siliciumdioxid und Bleioxid sich in Anteilen mischen, die einen Bereich von etwa 70 bis 95 Gewichtsprozent Bleioxid umfassen.
Das Plättchen wird auf die obengenannten Temperaturen in einer sauerstoffenthaltenden Atmosphäre gebracht. Palis das Plättchen nachjäem Aufbringen des Bleioxids in einer Sauerstoff freien Atmosphäre erhitzt wird, beispielsweise in Argon, dann wird zwar auch infolge des anfgangs auf der Oberfläche des Plättchens vorhandenen Siliciumdioxids die Verschmelzung bei 7100O eingeleitet, es kann jedoch erforderlich sein, das Plättchen auf höhere Temperaturen zu bringen, beispielsweise bis auf 8800C um die maximalmögliche Verschmelzung zu erreichen. In diesem Falle ist der Anteil des Siliciumdioxids .jedoch klein und es wird nur eine sehr dünne Bleisilikatschicht gebildet, da der Mangel an Sauerstoff die Glasbildung begrenzt. ·
Das Siliciumplättchen wird daher vorzugsweise in einer sauerstoff enthaltenden Atmosphäre erhitzt, um das vorhandene Bleioxid wirkungsvoll auszunutzen, eine stärkere Glasschicht zu erhalten und die Verschmelzungstemperatur auf einem möglichst
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"Kleinen '.Vert zu halten. Durch die Verwendung einer sauerstoff enthalt enden Atmosphäre wird einen Mangel an Siliciumdioxid, der die Ausbildung einer G-Ia s Silikats chic ht behindert, dadurch abgeholfen, uaß der Sauerstoff mit dem Jilicium reagiert, so daß zusätzliches Siliciumdioxid gebildetwird, Da bei Beginn des Erhitzens der Anteil des Bleioxide in hohem Maße den Anteil des Siliciumdioxids uberoteigt - weniger als 70 Gewichtsprozent Bleioxid - und die Bildung des Bieisilikatgl&ses die Reaktion des Siliciums mit-dem vorhandenen Sauerstoff an der Plätte'-snoberfläche begrenzt, besteht keine Gefahr, daß überschüssiges Siliciumdioxid vorhanden ist, was eine höhere Verschmelzungstemperatur irar Folge hätte, man kann daher die Bildung von Bl-.isilikatglö-s in einer Sauerstoffatmosphäre während des Erhitzens wirkungsvoll dadurch steuern, daß die ursprünglich vorhandene Menge an Bleioxid begrenzt wird und daß die Temperatur über den minimalen Verscnnelzungspunkt von Siliciumdioxid und Bleioxid erhöht wird. Aus diesem Grunde kann auch nach dem Verschmelzen' ein Erhitzen zum Bilden von Bleisilikatglas vorgenommen werden, ohne daß dabei die Passivierung des Plättchens verändert wird. Das Erhitzen kann in zahlreichen sauerstoffenthaltenden Atmosphären vorgenommen werden, beispielsweise in Sauerstoff, Luft und Misc.ungen aus Sauerstoff und einem inerten Gas. JDie Atmosphäre muß allerdings von Bleioxiddämpfen freigehalten werden, weil sonst das Siiiciumplättchen nachteilig beeinträchtigt wird.
Nachdem sich das Glas auf der Oberfläche des Siliciumplättchens gebildet hat, wird es auf Zimmertemperatur abgekühlt. Es hat sich allerdings gezeigt, daß die Abkühlungsgeschwindigkeit des Glases vorgegeben werden muß, um günstige Getterwirkungen zu erhalten. Beim Eindiffundieren von Verunreinigungen in ein Silicumplättchen zwecks Herstellung eines PN-tJberg angs ist es bekannt, daß, obwohl die Diffusion unter Bedingungen vorgenommen wird, bei denen größtmögliche Reinheit und Sauberkeit herrscht ,ein Reinigen des Plättchens mit einem chemischen Ätz-
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mittel eine große Anzahl von Verunreinigungen auf der Oberfläche des Plättchens zurückläßt. Dabei handelt es sich vorwiegend um Metalle, die sehr schnell diffundieren, beispielsweise Eisen, Nickel oder Kupfer. Bei einem nachfolgenden Erhitzen des Siliciumplättchens, wie es bei dem Verfahren nach der Erfindung der Pail ist, diffundieren die Verunreinigungen sehr schnell in das Siliciumplättchen ein. Dabei versuchen sich die Verunreinigungen insbesondere an Dislokationen an- der Oberfläche des Siliciumpl-ättchens aus- oder abzuscheiden. Dies hat. für den PN-Übergang die Wirkung eines Kurzschlusses.Der geschilderte Vorgang ist als Vergiftung des Übergangs bekannt. Dadurch werden die elektrischen Kennwerte der Übergangszone, insbesondere im Sperrbereich verschlechtert. In diesem Zusammenhang wird auf das in Pigur 2 gezeigte Diagramm hingewiesen. Die Kurve 10 zeigt die Sperrkennlinie eines Siliciumgleichrichters vor dem Erhitzen und die Kurve 111. die gleiche Kennlinie nach dem Erhitzen, wenn Verunreinigungen auf der Gleichrichteroberflache vorhanden sind. Infolge des rechtwinkligen Kurvenverlaufs gibt man einem. Gleichrichter mit der Sperrkennlinie 10 den Vorrang gegenüber einem Gleichrichter mit der Kennlinie 11. Den Gleichrichter mit der Kennlinie 11 kann man weder als Sperrdiode noch als in Rückwärtsrichtung betriebenen Spannungsregler benutzen.
Die Erfindung hat nun Vorsorge getroffen, daß nach dem Erhitzen eine Verschlechterung der Kennlinie nicht auftritt. Es hat sich gezeigt, daß die genannten, schnell diffundierenden Stoffe ein Glas gegenüber der Oberfläche eines Siliciutnplättchens bevorzugen, sehr v/ahrscheinlich deswegen, weil sie darin löslicher sind. Das glasüberzogene Siliciumplättchen muß man daher mit einer beeinflussten oder gesteuerten Geschwindigkeit abkühlen, und zwar mit einer solchen Geschwindigkeit, daß die Verunreinigungenvcm Silicium in das Glas wandern können. Versuche haben ergeben, daß hinreichendgute Ergebnisse erzielt werden, wenn das Siliciumplättchen von der Gläßschmelztemperatur in einer Zeitspanne von nicht weniger als einer Minute
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auf Zimmertemperatur abgekühlt wird. Kühlt "man das Plättchen schneller ab, dann bleibt die gewünschte Getterwirkung aus. In diesem Falle haben nämlich die schnell diffundierenden Stoffe keine Zeit, um von dem Silicium zur Glasschicht zu wandern. Auf die noch folgenden Beispiele mit quantitativen Werten wird schon jetzt hingewiesen. Zusätzlich zu der Getterwirkung, also dem Anziehen von Verunreinigungen aus dem Süiciumplättchen, nimmt das Bleisilikatglas vorzugsweise auch noch Verunreinigungen aus der Atmosphäre auf, die sonst das erhitzte Plättchen verseuchen würden. Dadurch wird sichergestellt, daß das Silicium während'des Bearbeitungsverfahrens rein gehalten wird. Nach der Abkühlung schützt oder passiviert die Glasschicht die Übergangszone des Siliciumplättchens. Auf diese Weise wird das Silie.iumplättchen frei von Verunreinigungen und Verschmutzungen gehalten, und die Sperrspannung des Plättchens wird verbessert. .
Ein nach dem erfindungsgemäßen Verfahren bearbeitetes Siliciumplättchen ist S3hematisch in Figur 3 dargestellt. Das Plättchen enthält eine N-leitende Zone 20 und eine planar eindiffundierte, P-leitende Zone 21. Durch diese Zonen'wird ein PN-Übergang 22 gebildet, der sich bis zur Oberfläche 23 des Siliciumplättchens erstreckt. Die Außenoberfläche des Siliciumplättchens ist mit einem Bleisilikatglas 24 überzogen. Pur die praktische Anwendung ist es lediglich erforderlich, die Oberfläche 23 gegenüber dem Übergang mit dem Silikatglas zu überziehen. Vorzugsweise sind jedoch alle Außenflächen des Siliciumplättchens mit dem,Glas bedeckt. An der P- und, N-Zone des Siliciumplättchens sind Anschlußdrähte 26 befestigt. Die Befestigungsstellen sind nicht mit Glas bedeckt.
Die folgenden Beispiele dienen zur Erläuterung der Erfindung. Die Beispiele Z und II führten zu einem Glas unterschiedlicher Qualität, jedooh ohne Getterwirkung. Die Beispiele III und IV führen zu einen Glas guter Qualtität mit Getterwirkung. ■
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Ein Siliciumplättchen mit einem PN-Übergang wird in einer kochenden Lösung aus Ameisensäure und Wasserstoffperoxid gereinigt. Gleichzeitig wird eine Aufschlemmung aus PbO und Äthylenglykolmonoäthylather aufbereitet. Nach dem Reinigungsvorgang wird die Aufschlemmung auf die Oberfläche des Siliciumplättchens aufgebracht. Beim Trocknen bildet sieh auf dem Siliciumplättchen eine gelbe Schicht.
Durch einen auf 8380C vorerhitzten Ofen wird Sauerstoff geleitet. Der Sauerstofffluß wird während des gesamten Verfahrens aufrechterhalten. Das beschichtete Siliciumplättchen wird für 3 Mintuen in den Ofen gebracht. Anschließend wird das Plättchen in weniger als 30 Sekunden auf Zimmertemperatur abgekühlt.
Das auf diese V/eise behandelte Plättchen ist mit einer im allgemeinen klaren Glasschicht überzogen, die einige sichtbare Pehlsteilen aufweist. Ein vor diesor Behandlung durchgeführter Versuch ergab, daß das Siliciumplättehen eine scharfe, gut deffinierte Sperrkennlinie aufwies, wie die in Figur 2 gezeigte Kurve 10. Durch Versuche wurde nachgewiesen, daß sich die Sperrkennlinie des Siliciumplättchens verschlechtert hat. Es wies jetzt als Kennlinie die in Pig. gezeigte Kurve 11 auf. Ein Gettervorgang hatte also nicht stattgefunden.
Dieses Experiment wurde bei einer Temperatur von 8120G wiederholt« Es führt0 zu identischen Ergebnissen.
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Dae Experiment von Beispiel I wird wiederholt, mit der Ausnahme , daß der Ofen auf einer Temperatur von 6880C gehalten wird. Unter dem Kikroskop wurde festgestellt, daß das Glas, nicht durchgeschmolzen war und ein eis- oder reifartiges Aussehen hatte. Las gleiche Ergebnis erzielte man bei einer Temperatur von 7040C. Eine Getterwirkung wurde nicht erreicht. Dies konnte der verschlechterten Sper.-^ennlinie entnommen werden.
Das Experiment von Beispiel I wird durchgeführt, mit der Ausnahme, daß der Ofen auf einer Temperatur von 7540C gehalten wird. Die Abkühlung wurde auf einen längeren Zeitraum ausgedehnt, und zwar auf eine Kinute. Die anschließenden Versuche zeigten, daß eine Getterung eingetreten war. Es wurde die in Figur 2 gezeigte Kurve 10 als Sperrkennlinie nachgewiesen. Die Hitzebehandlung hatte also die Sperrspannungskennlinie nicht nachteilig beeinflußt. Bei einem Erhitzen auf 7300C ergab sich ebenfalls ein gutes Ergebnis.
Das gleiche Experiment wie .beim Beispiel I wird durchgeführt, mit der Ausnahme, daß der Ofen auf einer Temperatur von 7720C gehalten wird. Die Schmelzzeit des Glases beträgt 45 Sekunden. Das Glas wird während eines Zeitraums von 1 Minute abgekühlt.
Das auf diese Weise hergestellt Glas war von einem besonders hohen klaren Aussehen. Ferner wurde eine sehr gute Getteiwirkung erzielt. Es ergab sich die in Figur 2 gezeigte Kurve 10. Eine durch das Erhitzen hervorgerufene Verschlechterung der Sperrspannungskennlinie kennte also nicht nachgewiesen werden.
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Claims (1)

  1. 2U3138A
    - Ί L'-
    Patentansprüche
    1 «/Verfahren zum Ausbilden einer zum Passivieren und Gettern dienenden Silikatglasschicht auf der Oberfläche eines Siriciumpläftchens eines Halbleiterbauelements, dadurch gekennzeichnet,
    daß auf der Plättchenoberfläche eine Aufschlemmung aus einem Bleioxid und einem flüchtigem Träger aufgebracht wird, daß der Träger verflüchtigt wird, daß das üiliciumplättchen in einer sauerstoffenthaltenden Atmosphäre auf eine Temperatur erhitzt wird, die über der eutektischen Temperatur des Bleioxids und Siliciumdioxids liegt, so daß auf der Oberfläche des Siliciumplättchens ein Bleisilikatglas.erschmolzen wird, und daß das Siliciumplättchen mit einer Geschwindigkeit abgekühlt wird, die unter der Abschreckgeschwindigkeit liegt, so daß das Bleisilikatglas die schnell diffundierenden Metallverunreinigungen aus dem Siliciumplättchen entfernen kann.
    2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Bleioxid PbO ist.
    ■z j ·
    Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß das Siliciuaplättchen auf.eine Verschmelzungstemperatur von über 7100C erhitzt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 1 ,
    ο dadurch gekennzeichnet,
    äaß das Siliciumplättchen auf eine Verschmelzungstemperatur
    von mehr als 7600C erhitzt wird.
    oo
    -a 5. Verfahren nach Anspruch 1,
    ^ dadurch gekennzeichnet, *° da2 der flucheige Träger eine aus Kohlenstoff,Wasserstoff und Sauerstoff bestehende, organische Flüssigkeit ist»
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    6. Verfahren nach Anspruch 1, . dadurch gekennzeichnet, daß. es sich bei dem flüchtigen Träger um ein Glykol. handelt.
    7. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumplättchen von der Verschmelzurtgstemperatur des Glases während einer Zeitdauer, die größer als eine Minute ist, auf Zimmertemperatur abgekühlt wird.
    8. Verfahren nach Anspruch 1,
    d~a & u r c h - -. gekennzeichnet,
    daß das Bleioxid lediglich auf ausgewählten Oberflächen des Siliciumplättchens aufgebracht wird und daß das gebildete' Bleisilikatglas auf diese Oberflächenbere-iche beschränkt bleibt.
    9. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch · gekennzeichnet,
    daß die beim Erhitzen des Plättchens benutzte Sauerstoffatmosphäre von Bleidämpfen freigehalten wird.
    10. Halbleiterbauelement mit einem nach einem der vorstehenden g Ansprüche hergestellten Siliciumplättchen,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß die Bleisilikatschicht insbesondere die Übergangszonen
    bedeckt. · ■ '
    ReLi/Lo
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    L e e r s e i t e
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