JPS588152B2 - ダイオ−ド ト ソノセイゾウホウ - Google Patents
ダイオ−ド ト ソノセイゾウホウInfo
- Publication number
- JPS588152B2 JPS588152B2 JP49036981A JP3698174A JPS588152B2 JP S588152 B2 JPS588152 B2 JP S588152B2 JP 49036981 A JP49036981 A JP 49036981A JP 3698174 A JP3698174 A JP 3698174A JP S588152 B2 JPS588152 B2 JP S588152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass layer
- glass
- slurry
- wafer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体ｐｎ接合ダイオードに関し、主として
ＤＨＤ（ダブル・ヒートシンク・ダイオード）形ダイオ
ードの製造法を対象とする。
ＤＨＤ（ダブル・ヒートシンク・ダイオード）形ダイオ
ードの製造法を対象とする。
上記ＤＨＤ形ダイオードはｐｎ接合ダイオード素子の両
電極に導体を接触させた状態で、該導体部においてガラ
ス封止させた構造を有し、簡単に製造できるため現在多
く採用されている。
電極に導体を接触させた状態で、該導体部においてガラ
ス封止させた構造を有し、簡単に製造できるため現在多
く採用されている。
このＤＨＤ形ダイオードのガラス封止技術としては特公
昭４１−１０７３９や特公昭４７−３１０７６などがあ
るが、ガラス封止の際に内部に異物が混入されることは
完全に避けられなかった。
昭４１−１０７３９や特公昭４７−３１０７６などがあ
るが、ガラス封止の際に内部に異物が混入されることは
完全に避けられなかった。
一般に半導体からつくる素子は半導体ウエハの段階でｐ
ｎ接合や電極形成等の各処理を施した後にスクライブし
てペレットに分割するので半導体ペレットのカットされ
た側面は露出したままで保護されない。
ｎ接合や電極形成等の各処理を施した後にスクライブし
てペレットに分割するので半導体ペレットのカットされ
た側面は露出したままで保護されない。
そのためにガラス封止段階で異物が入ると、半導体ペレ
ット側面と主面の突状電極（バンプ）との間または電極
接続部附近で短絡を生じることがしばしば起った。
ット側面と主面の突状電極（バンプ）との間または電極
接続部附近で短絡を生じることがしばしば起った。
本発明は上記問題を解決するべくなされたもので、その
目的は半導体接合ダイオードによって、半導体ペレット
側面にパシペーションを施し、半導体ペレット側面と電
極との間に異物介入による短絡等の発生を防止すること
にある。
目的は半導体接合ダイオードによって、半導体ペレット
側面にパシペーションを施し、半導体ペレット側面と電
極との間に異物介入による短絡等の発生を防止すること
にある。
上記目的を達成するための本発明の要旨は、半導体ウエ
ハの一主面にｐｎ接合を含む複数の素子を形成する工程
、上記各素子に接続する電極を形成する工程、上記素子
の形成された半導体ウエハ主面表面にスラリー状ガラス
層を形成する工程、レーザースクライブにより半導体ウ
エハの表面の各素子間をカットすると共に上記ガラス層
を部分的に固化する工程、上記固化したガラス層以外の
スラリー状ガラス層を除去する工程、上記ウエハをペレ
ットに分割する工程、上記分割されたべレットの両主面
にそれぞれ導体部を接触させＤＨＤ封止する工程とから
なることを特徴とするＤＨＤ型ダイオードの製造法にあ
る。
ハの一主面にｐｎ接合を含む複数の素子を形成する工程
、上記各素子に接続する電極を形成する工程、上記素子
の形成された半導体ウエハ主面表面にスラリー状ガラス
層を形成する工程、レーザースクライブにより半導体ウ
エハの表面の各素子間をカットすると共に上記ガラス層
を部分的に固化する工程、上記固化したガラス層以外の
スラリー状ガラス層を除去する工程、上記ウエハをペレ
ットに分割する工程、上記分割されたべレットの両主面
にそれぞれ導体部を接触させＤＨＤ封止する工程とから
なることを特徴とするＤＨＤ型ダイオードの製造法にあ
る。
以下実施例の製造工程にそって第１図を参照し本発明を
具体的に説明する。
具体的に説明する。
（ａ） シリコン等のｎ形半導体単結晶ウエハ１の一
主面に酸化膜（Ｓ１０２）２をマスクとしてボロンＢの
選択拡散により基板をｐｎ接合をつくるｐ形領域３を複
数個配列的に形成し、露出ｐ領域表面にニッケル等を下
地金属として銀をメッキして銀バンプ電極４を形成する
。
主面に酸化膜（Ｓ１０２）２をマスクとしてボロンＢの
選択拡散により基板をｐｎ接合をつくるｐ形領域３を複
数個配列的に形成し、露出ｐ領域表面にニッケル等を下
地金属として銀をメッキして銀バンプ電極４を形成する
。
なおウエハの他主面にもニッケル、銀等による金属電極
５を形成しておく。
５を形成しておく。
（ｂ）低融点ガラスの粉末体を例えばブチルアルコール
等にけんだくさせてスラリー状となし、前記銀バンブ電
極の形成されたウエハ主面上に全面に塗布する。
等にけんだくさせてスラリー状となし、前記銀バンブ電
極の形成されたウエハ主面上に全面に塗布する。
スラリーガラス層６の厚さは銀バンブ電極がかくれる程
度の例えば５０μ厚さであればよい。
度の例えば５０μ厚さであればよい。
この後、室温で上記スラリーガラス層を充分に乾燥させ
る。
る。
（Ｃ）レーザースクライバーを使用し、ウエハの前記素
子形成面に対して各素子の境界部をカットする。
子形成面に対して各素子の境界部をカットする。
このときレーザーによるスクライブ溝７に接する附近の
スラリーガラス層８はレーザーの高温加熱により焼付い
てガラス化し同図のように盛上った状態となる。
スラリーガラス層８はレーザーの高温加熱により焼付い
てガラス化し同図のように盛上った状態となる。
このあと溶剤中に入れて超音波洗浄することにより、ガ
ラス化されない他の部分のスラリーガラス層は除去され
る。
ラス化されない他の部分のスラリーガラス層は除去され
る。
（ｄ）このあと前記スクライブ溝７にそってウエハを割
り、同図に示すようなペレットに分割する。
り、同図に示すようなペレットに分割する。
このようにして得られたペレットは第２図に示すように
両電極４，５に対して導体部（ヒートシンク）９．１０
を接触させた状態でガラス管１１内に収納し、ガラス管
を加熱して封止すれば、前記のスラリー状ガラスがガラ
ス化した低融点ガラス層８は前記ｄの図面に示すように
軟化して少なくとも切断面を含む側面部を覆うことにな
る。
両電極４，５に対して導体部（ヒートシンク）９．１０
を接触させた状態でガラス管１１内に収納し、ガラス管
を加熱して封止すれば、前記のスラリー状ガラスがガラ
ス化した低融点ガラス層８は前記ｄの図面に示すように
軟化して少なくとも切断面を含む側面部を覆うことにな
る。
以上の実施例で述べた本発明によれば下記の理由でその
目的が達成できる。
目的が達成できる。
（１）ウエハ表面につけたスラリーガラスがレーザース
クライブの際にスクライブ溝附近のガラスのみを固化さ
せ、他部を洗浄することにより選択的に除去できる。
クライブの際にスクライブ溝附近のガラスのみを固化さ
せ、他部を洗浄することにより選択的に除去できる。
したがってガラス封止時には必要とするペレット側面部
のみにガラスが存在するのでバンブ電極にガラスがかぶ
さることなく、支障なくパシベーションすることができ
る。
のみにガラスが存在するのでバンブ電極にガラスがかぶ
さることなく、支障なくパシベーションすることができ
る。
（２）ウエハ表面につけたスラリーガラスは、スクライ
ブ溝附近にガラス化してのこった状態でガラス封止をす
る際に、封止温度により溶融し、ペレットの側面にも流
れるので、ペレットのｐｎ接合を有する上部側面をガラ
スにより有効に保護することになり、したがって短絡等
を防止することができる。
ブ溝附近にガラス化してのこった状態でガラス封止をす
る際に、封止温度により溶融し、ペレットの側面にも流
れるので、ペレットのｐｎ接合を有する上部側面をガラ
スにより有効に保護することになり、したがって短絡等
を防止することができる。
本発明の応用できる範囲はガラス封止形のダイオードの
すべてについてである。
すべてについてである。
第１図は本発明の一実施例の製造工程を示す工程時各断
面図、第２図は本発明の一実施例の完成時の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体ウエハ、２・・・・・・半導体酸
化膜、３・・・・・・拡散領域、４・・・・・・銀バン
ブ電極、５・・・・・・金属電極、６・・・・・・スラ
リーガラス層、７・・・・・・スクライブ溝、８・・・
・・・ガラス化したスラリーガラス層、９，１０・・・
・・・導体部（ヒートシンク）、１１・・・・・・封止
ガラス管。
面図、第２図は本発明の一実施例の完成時の断面図であ
る。 １・・・・・・半導体ウエハ、２・・・・・・半導体酸
化膜、３・・・・・・拡散領域、４・・・・・・銀バン
ブ電極、５・・・・・・金属電極、６・・・・・・スラ
リーガラス層、７・・・・・・スクライブ溝、８・・・
・・・ガラス化したスラリーガラス層、９，１０・・・
・・・導体部（ヒートシンク）、１１・・・・・・封止
ガラス管。
Claims (1)
- １ 半導体ウエハの一主面にｐｎ接合を含む複数の素子
を形成する工程、上記各素子に接続する電極を形成せる
工程、上記素子の形成された半導体ウエハ主面表面にス
ラリー状ガラス層を形成する工程、レーザースクライブ
により半導体ウエハの表面の各素子間をカットすると共
に上記ガラス層を部分的に固化する工程、上記固化した
ガラス層以外のスラリー状ガラス層を除去する工程、上
記ウエハをペレットに分割する工程、上記分割されたペ
レットの両主面にそれぞれ導体部を接触させＤＨＤ封止
する工程とからなることを特徴とするＤＨＤ型ダイオー
ドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49036981A JPS588152B2 (ja) | 1974-04-03 | 1974-04-03 | ダイオ−ド ト ソノセイゾウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49036981A JPS588152B2 (ja) | 1974-04-03 | 1974-04-03 | ダイオ−ド ト ソノセイゾウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS50131473A JPS50131473A (ja) | 1975-10-17 |
| JPS588152B2 true JPS588152B2 (ja) | 1983-02-14 |
Family
ID=12484917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49036981A Expired JPS588152B2 (ja) | 1974-04-03 | 1974-04-03 | ダイオ−ド ト ソノセイゾウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS588152B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189556A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 血球分析装置 |
| US11890787B2 (en) | 2018-09-25 | 2024-02-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Delivery device, mold using same, and delivery method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3632434A (en) * | 1969-01-21 | 1972-01-04 | Jerald L Hutson | Process for glass passivating silicon semiconductor junctions |
| US3669731A (en) * | 1969-06-18 | 1972-06-13 | Gen Electric | Silicon device having a lead-silicate thereon and method of forming the same |
| JPS499263A (ja) * | 1972-05-15 | 1974-01-26 |
-
1974
- 1974-04-03 JP JP49036981A patent/JPS588152B2/ja not_active Expired
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3632434A (en) * | 1969-01-21 | 1972-01-04 | Jerald L Hutson | Process for glass passivating silicon semiconductor junctions |
| US3669731A (en) * | 1969-06-18 | 1972-06-13 | Gen Electric | Silicon device having a lead-silicate thereon and method of forming the same |
| JPS499263A (ja) * | 1972-05-15 | 1974-01-26 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6189556A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 血球分析装置 |
| US11890787B2 (en) | 2018-09-25 | 2024-02-06 | Honda Motor Co., Ltd. | Delivery device, mold using same, and delivery method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS50131473A (ja) | 1975-10-17 |
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