JPS5951741B2 - 樹脂封止形半導体装置 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置Info
- Publication number
- JPS5951741B2 JPS5951741B2 JP13264277A JP13264277A JPS5951741B2 JP S5951741 B2 JPS5951741 B2 JP S5951741B2 JP 13264277 A JP13264277 A JP 13264277A JP 13264277 A JP13264277 A JP 13264277A JP S5951741 B2 JPS5951741 B2 JP S5951741B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- pellet
- resin
- diode
- mesa groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、樹脂封止形半導体装置に係り、特にペレッ
トがろう付けされるベースの改良に関するものである。
トがろう付けされるベースの改良に関するものである。
以下、従来の樹脂封止形半導体装置の説明を樹脂封止形
ダイオードを例にとつて行う。
ダイオードを例にとつて行う。
第１図は従来の樹脂封止形ダイオードの一例の縦断面図
でフある。１は内部にＰｎ接合が形成されたダイオード
ペレット、２はダイオー゛ドペレツト１の両主面に設け
られた金属電極層、３はダイオードペレット１の後述の
ベースにはんだ付けされる側の主面よりＰｎ接合を横切
つて形成され表面に設けられ・たガラスパシベーシヨン
層を有するメサ溝、４は銅を主成分としダイオードペレ
ット１がはんだ付けされるベース、５はダイオードペレ
ット１とベース４とのはんだ付けが容易になるようにベ
ース４の表面に設けられた銀メッキ層、６はダイオーｌ
ドペレツト１とベース４とをはんだ付けするはんだ、７
はダイオードペレット１のベース４にはんだ付けされる
主面と反対側の主面にはんだ付けされたリード線、８は
ダイオードペレット１とリード線７とをはんだ付けする
はんだ、９はベース４のダイオードペレット１がはんだ
付けされた主面と反対側の主面を露出させ、ベース４、
ダイオードペレット１およびリード線７の所定部を樹脂
封止する樹脂、１０はｐｎ接合のダイオードペレット１
の側面への露出部分、Ｊ、はメサ溝３より内側のｐｎ接
合、Ｊ。
でフある。１は内部にＰｎ接合が形成されたダイオード
ペレット、２はダイオー゛ドペレツト１の両主面に設け
られた金属電極層、３はダイオードペレット１の後述の
ベースにはんだ付けされる側の主面よりＰｎ接合を横切
つて形成され表面に設けられ・たガラスパシベーシヨン
層を有するメサ溝、４は銅を主成分としダイオードペレ
ット１がはんだ付けされるベース、５はダイオードペレ
ット１とベース４とのはんだ付けが容易になるようにベ
ース４の表面に設けられた銀メッキ層、６はダイオーｌ
ドペレツト１とベース４とをはんだ付けするはんだ、７
はダイオードペレット１のベース４にはんだ付けされる
主面と反対側の主面にはんだ付けされたリード線、８は
ダイオードペレット１とリード線７とをはんだ付けする
はんだ、９はベース４のダイオードペレット１がはんだ
付けされた主面と反対側の主面を露出させ、ベース４、
ダイオードペレット１およびリード線７の所定部を樹脂
封止する樹脂、１０はｐｎ接合のダイオードペレット１
の側面への露出部分、Ｊ、はメサ溝３より内側のｐｎ接
合、Ｊ。
はメサ溝３より外側のｐｎ接合である。上記のダイオー
ドにおいて、はんだ６は本来、図に示すＡの部分にのみ
あるのが望ましいにもかかわらず、はんだ６が図に示す
Ｂの部分まで流れる。
ドにおいて、はんだ６は本来、図に示すＡの部分にのみ
あるのが望ましいにもかかわらず、はんだ６が図に示す
Ｂの部分まで流れる。
はんだ６がＡの部分にだけあるならば、リード線７に正
の電圧、ベース４に負の電圧が印加された場合、印加電
圧は、ダイオードペレット１のガラスパシベーシヨン層
で露出面が保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみかかるが、は
んだ６がＢの部分まで流れると、同様の印加電圧は、ガ
ラスパシベーシヨン層で露出面が保護されていないＰｎ
接合Ｊ。にもかかり、Ｐｎ接合（Ｊ。）の露出部分１０
で洩れ電流が非常に大きくなり、従つて、このダイオー
ドは、逆電圧阻止能力が著しく悪く、正常なダイオード
特性を持たないダイオードとなる。従来のダイオードの
上記のような欠陥を無くするために、改良され実用化し
ている他の従来のダイオードに、第２図にその縦断面図
を示すものがある。
の電圧、ベース４に負の電圧が印加された場合、印加電
圧は、ダイオードペレット１のガラスパシベーシヨン層
で露出面が保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみかかるが、は
んだ６がＢの部分まで流れると、同様の印加電圧は、ガ
ラスパシベーシヨン層で露出面が保護されていないＰｎ
接合Ｊ。にもかかり、Ｐｎ接合（Ｊ。）の露出部分１０
で洩れ電流が非常に大きくなり、従つて、このダイオー
ドは、逆電圧阻止能力が著しく悪く、正常なダイオード
特性を持たないダイオードとなる。従来のダイオードの
上記のような欠陥を無くするために、改良され実用化し
ている他の従来のダイオードに、第２図にその縦断面図
を示すものがある。
第２図に示すダイオードにおいては、ダイオードペレツ
ト１とベース４とをはんだ付けするはんだ６が、図に示
すＡの部分にしか存在しないように、ベース４のダイオ
ードペレツト１がはんだ付けされる主面のＡの部分にＢ
の部分より突出したペレツト台１１を設けている。従つ
て、はんだ６はペレツト台１の表面にのみ存在し、余分
なはんだ６はベース４のペレツト台１１より低くなつて
いる部分１２に流れて、Ｅの部分で、ダイオードペレツ
ト１とベース４とが電気的に短絡することが無い。リー
ド線７に正の電圧が、ベース４に負の電圧が印加された
場合、印加電圧は、露出面がガラスパシベーシヨン層に
よつて保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみかかるので、この
ダイオードは、正常なダイオード機能を果す。しかしな
がら、第２図に示したダイオードにも大きな欠陥がある
。
ト１とベース４とをはんだ付けするはんだ６が、図に示
すＡの部分にしか存在しないように、ベース４のダイオ
ードペレツト１がはんだ付けされる主面のＡの部分にＢ
の部分より突出したペレツト台１１を設けている。従つ
て、はんだ６はペレツト台１の表面にのみ存在し、余分
なはんだ６はベース４のペレツト台１１より低くなつて
いる部分１２に流れて、Ｅの部分で、ダイオードペレツ
ト１とベース４とが電気的に短絡することが無い。リー
ド線７に正の電圧が、ベース４に負の電圧が印加された
場合、印加電圧は、露出面がガラスパシベーシヨン層に
よつて保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみかかるので、この
ダイオードは、正常なダイオード機能を果す。しかしな
がら、第２図に示したダイオードにも大きな欠陥がある
。
すなわち、ダイオードペレツト１の周辺部分において、
ベース４との間にできた大きな間隙１３に樹脂が充填さ
れるから、このダイオードを、例えば２４０℃に温めて
おき２５℃の水中へ投げ込んで急冷するとか、２５℃の
温度にあるダイオードを２４０℃の加熱炉の中に入れて
急熱すると、ダイオードペレツト１はメサ溝３附近で割
れ１４を生ずる場合がしばしばある。その理由は、ダイ
オードペレツト１周辺の間隙１３に充填された樹脂の急
膨張、急縮小によつて起こるものと考えられる。すなわ
ち、ダイオードペレツト１の周辺部分とベース４との間
の間隙１３が大きいと、充填される樹脂の量が多くなり
、それに伴つて急熱、急冷による樹脂の第２図に示すＣ
方向の伸び・縮みが大きくなり、従つて、ダイオードペ
レツト１に力が加わり、メサ溝３が形成されている部分
でダイオードペレツト１に割れ１４を生ずるものと考え
られる。この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので
、ベースの半導体ペレツトのメサ溝に取り囲まれた領域
に対向する部分にのみ、はんだが着き易い層を設けるこ
とによつて、半導体ペレツトのメサ溝より外部の領域が
ベースと電気的に短絡するのを防ぐとともに、急熱・急
冷に伴う樹脂の膨張・縮小による半導体ペレツトの割れ
を防止した樹脂封止形半導体装置を提供することを目的
としたものである。
ベース４との間にできた大きな間隙１３に樹脂が充填さ
れるから、このダイオードを、例えば２４０℃に温めて
おき２５℃の水中へ投げ込んで急冷するとか、２５℃の
温度にあるダイオードを２４０℃の加熱炉の中に入れて
急熱すると、ダイオードペレツト１はメサ溝３附近で割
れ１４を生ずる場合がしばしばある。その理由は、ダイ
オードペレツト１周辺の間隙１３に充填された樹脂の急
膨張、急縮小によつて起こるものと考えられる。すなわ
ち、ダイオードペレツト１の周辺部分とベース４との間
の間隙１３が大きいと、充填される樹脂の量が多くなり
、それに伴つて急熱、急冷による樹脂の第２図に示すＣ
方向の伸び・縮みが大きくなり、従つて、ダイオードペ
レツト１に力が加わり、メサ溝３が形成されている部分
でダイオードペレツト１に割れ１４を生ずるものと考え
られる。この発明は、上記の点に鑑みてなされたもので
、ベースの半導体ペレツトのメサ溝に取り囲まれた領域
に対向する部分にのみ、はんだが着き易い層を設けるこ
とによつて、半導体ペレツトのメサ溝より外部の領域が
ベースと電気的に短絡するのを防ぐとともに、急熱・急
冷に伴う樹脂の膨張・縮小による半導体ペレツトの割れ
を防止した樹脂封止形半導体装置を提供することを目的
としたものである。
以下、樹脂封止形ダイオードに適用した実施例に基づい
て、この発明を説明する。
て、この発明を説明する。
第３図はこの発明の一実施例である樹脂封止形ダイオー
ドの縦断面図である。
ドの縦断面図である。
第３図において、第１図および゛第２図と同一の符号は
第１図および゛第２図にて示したものと同様のものを表
わしている。２ａはメサ溝３に囲まれた金属電極層、１
５は銀などのはんだのぬれが良い金属からなりベース４
の金属電極層２ａに対向する面上に設けられその周辺が
金属電極層２ａの周辺とほぼ同じ位置またはそれより少
し内側にある金属層である。
第１図および゛第２図にて示したものと同様のものを表
わしている。２ａはメサ溝３に囲まれた金属電極層、１
５は銀などのはんだのぬれが良い金属からなりベース４
の金属電極層２ａに対向する面上に設けられその周辺が
金属電極層２ａの周辺とほぼ同じ位置またはそれより少
し内側にある金属層である。
金属層１５はめつき、真空蒸着などの方法で形成される
。ベース４のダイオードペレツト１に対向する面の金属
層２ａが被着された部分以外の部分はベース４の構成金
属が酸化したままの状態にしておくか、または積極的に
ほうろう加工などを施す。上記の実施例のダイオードに
おいては、ベース４の金属電極層２ａに対向する面には
、はんだのぬれの良い金属からなる金属層１５が形成さ
れており、それ以外の面は酸化したままの状態にあるか
または積極的にほうろう加工などが施されているので、
はんだ６はベース４の金属層１５が施されている部分以
外には流れて行かない。
。ベース４のダイオードペレツト１に対向する面の金属
層２ａが被着された部分以外の部分はベース４の構成金
属が酸化したままの状態にしておくか、または積極的に
ほうろう加工などを施す。上記の実施例のダイオードに
おいては、ベース４の金属電極層２ａに対向する面には
、はんだのぬれの良い金属からなる金属層１５が形成さ
れており、それ以外の面は酸化したままの状態にあるか
または積極的にほうろう加工などが施されているので、
はんだ６はベース４の金属層１５が施されている部分以
外には流れて行かない。
そのため、間隙１３が生ずるので、ダイオードペレツト
１とベース４とが、図に示すＢの部分で電気的に短絡す
ることがない。従つて、リード線７に正の電圧、ベース
４に負の電圧を印加しても、露出部がガラスパシベーシ
ヨン層により保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみ電圧がかか
り、ガラスパシベーシヨン層によつて保護されない露出
部分１０を有するＰｎ接合Ｊ，には電圧がかからないか
ら、このダイオードは、逆電圧阻止能力が悪くなること
なく、正常な電気的特性を示す。また、間隙１３はＢの
部分にはんだ６が流れないため生じたものであるから、
その大きさが小さく、従つて間隙１３に入る樹脂９の量
は少なく、樹脂の急熱・急冷による図に示すＣ方向の樹
脂９の伸び・縮みは小さく、第２図に示したダイオード
のようにダイオードペレツト１のメサ溝３が存在する部
に割れが生ずることもない。上記の実施例では樹脂封止
形ダイオードについて述べたが、この発明はダイオード
に限らず、樹脂封止形サイリスタ、樹脂封止形トランジ
スタなどの樹脂封止形半導体装置に広く適用することが
できるものである。
１とベース４とが、図に示すＢの部分で電気的に短絡す
ることがない。従つて、リード線７に正の電圧、ベース
４に負の電圧を印加しても、露出部がガラスパシベーシ
ヨン層により保護されたＰｎ接合Ｊ，にのみ電圧がかか
り、ガラスパシベーシヨン層によつて保護されない露出
部分１０を有するＰｎ接合Ｊ，には電圧がかからないか
ら、このダイオードは、逆電圧阻止能力が悪くなること
なく、正常な電気的特性を示す。また、間隙１３はＢの
部分にはんだ６が流れないため生じたものであるから、
その大きさが小さく、従つて間隙１３に入る樹脂９の量
は少なく、樹脂の急熱・急冷による図に示すＣ方向の樹
脂９の伸び・縮みは小さく、第２図に示したダイオード
のようにダイオードペレツト１のメサ溝３が存在する部
に割れが生ずることもない。上記の実施例では樹脂封止
形ダイオードについて述べたが、この発明はダイオード
に限らず、樹脂封止形サイリスタ、樹脂封止形トランジ
スタなどの樹脂封止形半導体装置に広く適用することが
できるものである。
また、上記の実施例においては、ダイオードペレツトと
ベースとをろう付けするのに、はんだを用いる場合につ
いて述べたが、はんだに限られるわけでなく、他の適当
なろう材であつてもよい。
ベースとをろう付けするのに、はんだを用いる場合につ
いて述べたが、はんだに限られるわけでなく、他の適当
なろう材であつてもよい。
以上詳述したように、この発明による樹脂封止形半導体
装置においては、ベースの半導体基体に対向する主面の
メサ溝に取り囲まれた半導体基体の領域に対向する部分
にろう材のぬれの良い金属層が設けられ上記主面の他の
部分にはろう材のぬれの悪い被膜があるから、上記ベー
スと上記半導体基体とをろう付けするろう材が上記金属
層の外部に流れ出すことなく、上記金属層の外側の部分
で上記ベースと上記半導体基体との間に間隙を生じるた
め、メサ溝の外部で上記ベースと上記半導体基体とが電
気的に短絡することがない。従つて、この半導体基体に
印加される電圧がパシベーシヨン層にて保護されていな
いＰｎ接合にかかることがないから、この半導体装置は
正常な電気的特性を示す。また、上記ベースと上記半導
体基体との間に生ずる上記間隙は小さいから、この間隙
に入り込む樹脂の量は少ない。従つて、急熱・急冷によ
る樹脂の伸び・縮みは小さいので、半導体基体に割れを
生ずることが無い。
装置においては、ベースの半導体基体に対向する主面の
メサ溝に取り囲まれた半導体基体の領域に対向する部分
にろう材のぬれの良い金属層が設けられ上記主面の他の
部分にはろう材のぬれの悪い被膜があるから、上記ベー
スと上記半導体基体とをろう付けするろう材が上記金属
層の外部に流れ出すことなく、上記金属層の外側の部分
で上記ベースと上記半導体基体との間に間隙を生じるた
め、メサ溝の外部で上記ベースと上記半導体基体とが電
気的に短絡することがない。従つて、この半導体基体に
印加される電圧がパシベーシヨン層にて保護されていな
いＰｎ接合にかかることがないから、この半導体装置は
正常な電気的特性を示す。また、上記ベースと上記半導
体基体との間に生ずる上記間隙は小さいから、この間隙
に入り込む樹脂の量は少ない。従つて、急熱・急冷によ
る樹脂の伸び・縮みは小さいので、半導体基体に割れを
生ずることが無い。
第１図および第２図はそれぞれ従来の樹脂封止形ダイオ
ードの一例の縦断面図、第３図はこの発明の一実施例で
ある樹脂封止形ダイオードの縦断面図で゛ある。 図において、１はダイオードペレツト （半導体基体）
、２，２ａは金属電極層、３はメサ溝、４はベース、６
，８ははんだ（ろう材）、７はりード線（外部電極）、
９は樹脂、１５は金属層である。
ードの一例の縦断面図、第３図はこの発明の一実施例で
ある樹脂封止形ダイオードの縦断面図で゛ある。 図において、１はダイオードペレツト （半導体基体）
、２，２ａは金属電極層、３はメサ溝、４はベース、６
，８ははんだ（ろう材）、７はりード線（外部電極）、
９は樹脂、１５は金属層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一つのＰｎ接合と、互いに対向する第１
及び第２の主表面と、上記第１の主表面から上記Ｐｎ接
合に達するように設けられたメサ溝と、上記第１、第２
の両主表面に設けられた金属電極層とを有する半導体基
体、互いに対向する第１及び第２の主面と、上記半導体
基体の上記メサ溝に取り囲まれた部分に対向する上記第
１の主面の部分に設けられろう材のぬれの良い材料で構
成された第１の層と、上記第１の主面の他の部分に形成
されろう材のぬれの悪い材料で構成された第２の層とを
有し、上記金属電極層の上記メサ溝に囲まれた部分と上
記第１の層との間にろう材を介することにより上記半導
体基体を接着するベース、上記半導体基体の第２の主表
面側の金属電極層にろう付された外部電極、並びに上記
ベースの上記第２の主面を露出させ上記ベース、上記半
導体基体、及び上記外部電極の所要の部分を樹脂封止す
る樹脂を備えた樹脂封止形半導体装置。 ２ 第１の層の周辺が金属電極層のメサ溝に取り囲まれ
た部分の周辺と実質的に同位置にあることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止形半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13264277A JPS5951741B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 樹脂封止形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13264277A JPS5951741B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 樹脂封止形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5465477A JPS5465477A (en) | 1979-05-26 |
| JPS5951741B2 true JPS5951741B2 (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=15086090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13264277A Expired JPS5951741B2 (ja) | 1977-11-04 | 1977-11-04 | 樹脂封止形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951741B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0581038U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-02 | トッパン・ムーア株式会社 | カード付き封筒 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112016005685T5 (de) | 2015-12-11 | 2018-09-20 | Rohm Co., Ltd. | Halbleiterbauteil |
| JP2016105508A (ja) * | 2016-02-29 | 2016-06-09 | 株式会社三社電機製作所 | 半導体装置 |
| JP7018394B2 (ja) | 2016-08-19 | 2022-02-10 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1977
- 1977-11-04 JP JP13264277A patent/JPS5951741B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0581038U (ja) * | 1992-03-31 | 1993-11-02 | トッパン・ムーア株式会社 | カード付き封筒 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5465477A (en) | 1979-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3591839A (en) | Micro-electronic circuit with novel hermetic sealing structure and method of manufacture | |
| US3508118A (en) | Circuit structure | |
| WO2019220788A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002110893A (ja) | 半導体装置 | |
| US3736474A (en) | Solderless semiconductor devices | |
| US20200365498A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP2006066716A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10242383A (ja) | 半導体装置 | |
| US3248615A (en) | Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses | |
| US3532944A (en) | Semiconductor devices having soldered joints | |
| JPS5951741B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置 | |
| USRE27934E (en) | Circuit structure | |
| KR950006970B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| US20220278026A1 (en) | Method for Fabricating a Substrate with a Solder Stop Structure, Substrate with a Solder Stop Structure and Electronic Device | |
| JP2019212808A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1970962B1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH03177069A (ja) | ショットキー・バリア・ダイオード | |
| US3032695A (en) | Alloyed junction semiconductive device | |
| JP6011410B2 (ja) | 半導体装置用接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール | |
| WO2019207996A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3446829B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US3226609A (en) | High conduction semiconductor diode | |
| JPH05218454A (ja) | 半導体装置 | |
| JP7492375B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2518044B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置の製造方法 |