AT123310B - Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichrichter. - Google Patents

Description

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  Verfahren zur Herstellung von Platten für   Kupferoxydgleichrichter.   



   Platten für Kupferoxydgleichrichter werden in der Weise hergestellt, dass in irgendeiner Art eine Kupferoxydulschicht auf der Oberfläche der Platten erzeugt wird, beispielsweise dadurch, dass die Platten in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre auf eine Temperatur in der Nähe des Schmelzpunktes des Kupfers erhitzt werden. Gemäss der Erfindung werden die in irgendeiner Weise mit Kupferoxydul überzogenen und dann bis etwa auf   Raumtemperatur   abgekühlten Platten während einer oder mehrerer   Stunden auf eine Temperatur von 300 bis 500  C erhitzt. Zweckmässig wird dabei die Oxydationstemperatur   so gewählt, dass sie oberhalb der Temperatur liegt, bei welcher die Oxydschicht zu spiegeln beginnt. 



  Diese zweite Erhitzung kann entweder in sauerstoffhaltiger Atmosphäre (Luft) oder bei beschränktem Luftzutritt geschehen. Der Zweck des angegebenen Verfahrens ist die Erzeugung von Gleichrichterplatten, die in mechanischer und elektrischer Hinsicht besonders günstige Eigenschaften aufweisen. 



  Dieser Zweck lässt sich in besonders hohem Grade erreichen, wenn man zum Abkühlen nach dem Oxydieren Wasser verwendet, das über die Raumtemperatur erwärmt ist, und ausserdem nach Beendigung der Wiedererhitzung die Platten-z. B. durch Eintauchen in kaltes   Wasser-absehreckt.   



   Im nachfolgenden sei das Verfahren an einem   Ausführungsbeispiel erläutert.   



   Die Kupferplatten werden in einem elektrischen Ofen unter Sauerstoffzutritt bei gewöhnlichem Druck erhitzt, bis sie eine Temperatur erreicht haben, die zwischen 1040  C und dem Schmelzpunkt des Kupfers liegt. Diese Temperatur liegt oberhalb desjenigen Punktes, bei welchem die Oxydschicht 
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   glasung"bezeichnete Reflexerscheinung   gemeint, die anzeigt, dass die äussere Schicht sauerstoffreichen Kupferoxydes (CuO) sich in sauerstoffarme Kupferoxid   (cru20)   und Sauerstoff dissoziiert hat. Ist dieser Punkt erreicht, so ist die Kupferoxydschicht völlig verschwunden und die aus dem Ofen kommenden Platten sind mit einer gleichmässigen Schicht roten Kupferoxyduls überzogen. 



   Die oxydierten Platten werden hierauf aus dem Ofen genommen und sofort in Wasser gebracht, das vorher auf eine oberhalb der Raumtemperatur liegende Temperatur beispielsweise   70-80'C erwärmt   worden ist. Durch das plötzliche Abkühlen wird eine   Rückbildung   der Oberfläche der Kupferoxydulschicht zu schwarzem Kupferoxyd verhindert. Durch die verhältnismässig hohe Temperatur des Kühlmittels wird das Ablösen der Oxydulschicht von der Platte vermieden. 



   Nach dem Abkühlen in erwärmtem Wasser werden die oxydierten Platten von neuem erhitzt,   11.   zw. diesmal auf eine Temperatur, die zwischen 300 und 500  C liegt, wobei es zweckmässig ist, den Luftzutritt zu   beschränken.   Wird die Erhitzung längere Zeit fortgesetzt, so nimmt der Widerstand in Richtung des Vorwärtsstromes bis auf einen sehr kleinen Wert ab, ohne dass der Widerstand in der Sperrichtung sich vermindert. Diese Wirkung lässt sich noch dadurch steigern, dass die oxydierten Platten nach dem Wiedererhitzen abgeschreckt werden, wozu diesesmal kaltes Wasser verwendet werden kann. 



   Die Temperatur, bei welcher die Dissoziation des Kupferoxyds eintritt, ist abhängig von dem Luftdruck bzw. dem Partialdruck des Sauerstoffes, bei dem die Oxydierung vor sich geht, u. zw. liegt sie um so tiefer, je geringer der Luftdruck bzw. der   Sauerstoffpartialsdruck   ist. Anderseits ist die Erscheinung   des"Spiegelns"an   das Vorhandensein einer ziemlich hohen, etwa in der Gegend von   10000 C liegenden   Temperatur gebunden. Bei einem Luftdruck von   760     ist   die Dissoziationstemperatur des Kupfer- 

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 oxyds   10150 C',   und bei dieser Temperatur tritt in diesem Falle zugleich die Spiegelung auf.

   Legt man Wert darauf, die Oxydierung der Platten bei einer unter   1000 C liegenden Temperatur vorzunehmen   und trotzdem die Bildung von schwarzem Kupferoxyd zu vermeiden, so muss man die   Oxvdierung   bei vermindertem   Luftdruck bzw. Sauerstoffpartialdrnck   vor sich gehen lassen. Auch ohne dass die Erscheinung des"Spiegelns"eintritt, wird in diesem Falle der angestrebte Zweck jedesmal dann erreicht. wenn die zu oxydierenden Platten bis zu einer Temperatur erhitzt werden, die oberhalb des dem betreffenden Druck entsprechenden Dissoziationspunktes des Kupferoxyds liegt. 



   Es hat sich   gezeigt, dass   die besten Ergebnisse bei   Oxydationstpmppraturell   erreicht werden, die zwischen 1040  C und dem Schmelzpunkt des Kupfers liegen. 



   Falls sich die Platten bei der   Wiedererhitzung   trotz der verminderten   Sauerstoffzufuhr   mit einer Haut schwarzen   Kupferoxyds   überziehen sollten, ist es zweckmässig, diese vor dem Abschrecken der Platten, z. B. durch   Behandlung   mit einem Sandstrahlgebläse, wieder zu entfernen. 



   PATENT-ANSPRÜCHE :
1. Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichriehter, dadurch gekennzeichnet. dass die zunächst in irgendeiner Weise mit Kupferoxydul überzogenen und dann bis etwa auf Raumtemperatur abgekühlten Platten während einer oder mehrerer Stunden auf   eine Temperatur   von   300-500  C   erhitzt werden.

Claims (1)

1. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Platten zunächst bis auf eine Oxydationstemperatur erhitzt werden, die oberhalb derjenigen Temperatur liegt, bei welcher die Oxydschicht zu spiegeln beginnt, dann bis auf etwa Raumtemperatur plötzlich abgekühlt und danach während einer oder mehrerer Stunden auf eine zwischen 300 und 500 C liegende Temperatur von neuem erhitzt werden. EMI2.1