AT114769B - Verfahren zum Herstellen mit einer Oxydschicht versehener, den elektrischen Strom nur in einer Richtung leitender Vorrichtungen. - Google Patents
Verfahren zum Herstellen mit einer Oxydschicht versehener, den elektrischen Strom nur in einer Richtung leitender Vorrichtungen.Info
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Description
<Desc/Clms Page number 1> Verfahren zum Herstellen mit einer Oxydschicht versehener, den elektrischen Strom nur in einer Richtung leitender Vorrichtungen. EMI1.1 Gleichrichter, bilden sich vielfach ausser der für die Gleichrichtung wesentlichen Oxydschicht von verhältnismässig niedrigem Widerstand noch andere Oxydationsprodukte, welche die gleichrichtende Wirkung nicht erhöhen und wegen ihres hohen Widerstandes unerwünscht sind. Man konnte die Bildung solcher unerwünschter Oxydationsprodukte bisher nur dadurch verhindern, dass man den zu oxydierenden Körper bei einer Temperatur, die nicht allzu weit unterhalb des Schmelzpunktes des betreffenden Metalls liegt, oxydierte und ihn dann, z. B. in erwärmtem Wasser, abschreckte. Wählt man aber die Reaktion- temparatur nur wenige Grade zu niedrig, so lässt sich die Bildung der unerwünschten Oxydationsprodukte trotzdem nicht vermeiden. Den Gegenstand der Erfindung bildet ein Verfahren zum Herstellen der eingangs erwähnten EMI1.2 vermieden wird, auch wenn wesentlich unter dem Schmelzpunkte des betreffenden Metalls liegende Reaktionstemperaturen angewendet werden. Die Erfindung beruht auf der Erkenntnis, dass für jedes Metall ein ganz bestimmter Zusammenhang zwischen der Temperatur, bei welcher die Oxydation vor sich geht, und dem Dissoziatiol1sdruck der Metalloxyde der höheren Oxydationsstufen besteht. So gehört z. B. nach Angabe des Handbuch der anorganischen Chemie"von Abegg und Auerbach, Band II, erste Abteilung, 1908, Seite 604, für Kupferoxyd (CuO) zu einem Dissoziationsdruck von 50 mm Quecksilbersäule eine Reaktionstemperatur von 960 C, während die entsprechende Temperatur bei einem Dissoziationsdruck von 155 mm 1011 C und bei 158 mm (= dem Sauerstoffpartial- EMI1.3 Die Erfindung besteht nun darin, die Oxydation, d. h. die Erhitzung des Metalls in sauerstoffhaltiger Atmosphäre, bei geringerem Sauerstoffpartialdruck als in der Luft unter normalem Druck oder aber bei vermindertem Druck vorzunehmen, u. zw. wird erfindungsgemäss der Luftdruck soweit herabgesetzt, dass der Partialdruck des in der oxydierenden Atmosphäre enthaltenen Sauerstoffs den der gewählten Reaktionstemperatur eigentümlichen Dissoziationsdruck des gebildeten Metalloxyds nicht übersteigt. Will man bei noch tieferen Temperaturen als 960 C oxydieren und dabei die Bildung von CuO vermeiden, so muss man, da in diesem Falle der Dissoziationsdruck des Kupferoxyds unter 50 mm Queck- silbersäule liegt, auch den Partialdruck des zur Oxydierung verwendeten Sauerstoffs noch unter 50 mm herabsetzen. Das Verfahren gemäss der Erfindung lässt sich, wie Versuche ergeben haben, beispielsweise recht gut bei einer Oxydationstemperatur von etwa 8600 C durchführtn, wenn man durch Beimischung einer genügenden Menge eines indifferenten Gases oder Dampfes zur Luft (etwa im Verhältnis 50 : 1) den Sauerstoffpartialdruck der oxydierenden Atmosphäre bis auf rund 3 mm Quecksilbersäule erniedrigt. **WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- Der Hauptvorteil des beschriebenen Verfahrens liegt darin, dass man bei Anwendung niedriger Reaktionstemperatur besser in der Lage ist, durch Abkürzung der Reaktionsdauer eine dünne Oxydschicht auf dem Gleichrichter zu erzielen und dadurch einen Gleichrichter von niedrigerem inneren EMI1.4 temperaturen. Dabei erweist sich die Herabsetzung der Reaktionstemperatur auch noch durch die damit verbundene Wärmeersparnis als vorteilhaft. EMI1.5 Verfahren zum Herstellen mit einer Oxydschicht versehener, den elektrischen Strom nur in einer Richtung leitender Vorrichtungen, z.B. von Kupfer-Kupferoxydulelektroden für ruhende, trockene Gleichrichter, dadurch gekennzeichnet, dass die Oxydation bei einer erheblich unterhalb des Schmelzpunktes des betreffenden Metalls liegenden Temperatur in oxydierender Atmosphäre, deren Sauerstoffpartialdruck den der gewählten Reaktionstemperatur eigentümlichen Dissoziationsdruck des zu bildenden Metalloxyds nicht übersteigt, vorgenommen wird. **WARNUNG** Ende CLMS Feld Kannt Anfang DESC uberlappen**.
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