DE543136C - Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Platten fuer Kupferoxydgleichrichter

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DE543136C
DE543136C DES83094D DES0083094D DE543136C DE 543136 C DE543136 C DE 543136C DE S83094 D DES83094 D DE S83094D DE S0083094 D DES0083094 D DE S0083094D DE 543136 C DE543136 C DE 543136C
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DE
Germany
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plates
copper oxide
temperature
manufacture
copper
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Expired
Application number
DES83094D
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English (en)
Inventor
Dr Emil Duhme
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens Corp
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Publication date
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Description

DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM
1. FEBRUAR 1932
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
KLASSE 21 g GRUPPE
Patentiert im Deutschen Reiche vom 11. Dezember 1927 ab
Die Güte der durch Erhitzen in sauerstoffhaltiger Atmosphäre und nachfolgendes Abschrecken erhaltenen Platten für Kupferoxydgleichrichter hängt von ganz verschiedenen S .Faktoren ab. Sehr wichtig ist dabei die Einhaltung der richtigen Oxydationstemperatur. An und für sich ist es zweckmäßig, bei einer Temperatur zu oxydieren, die nicht allzu weit unter dem Schmelzpunkt des Kupfers liegt, weil sich bei hohen Temperaturen eine Oxydulschicht von der gewünschten Stärke natürlich leichter und schneller als bei niedrigen bildet. Geht man jedoch mit der Oxydationstemperatur allzusehr in die Höhe, so entsteht die Gefahr einer Herabsetzung des Schmelzpunktes des Grundmetalls infolge leichterer Löslichkeit des Kupferoxyduls im Kupfer. Andererseits ist es unzweckmäßig, die Oxydationstemperatur niedriger als etwa 1025 ° zu halten, da sich herausgestellt hat, daß bei Temperaturen von der ungefähren Größenordnung 1015° das unerwünschte schwarze Kupferoxyd (CuO) noch nicht restlos beseitigt, d. h. in rotes Kupferoxyd (Cu2O) und Sauerstoff dissoziiert ist. Unter Berücksichtigung aller dieser Umstände gelangt man zu einem praktisch sehr brauchbaren Ergebnis, wenn man die Kupferplatten innerhalb des Temperaturbereichs 1025 bis 1040 ° C oxydiert, sie dann zur Vermeidung einer Rückbildung von rotem Kupferoxyd (Cu2O) zu schwarzem Kupferoxyd (CuO) in erwärmtem Wasser (etwa 40 bis 60 °) abschreckt und sie schließlich einer längere Zeit andauernden Erhitzung auf etwa 300 bis 500 ° unterwirft. Durch die nachträgliche Erhitzung wird vor allem der elektrische Leitwert der gleichrichtenden Schicht in der Richtung des gleichgerichteten Stromes bedeutend erhöht, während gleichzeitig der elektrische Leitwert in der entgegengesetzten Richtung bis auf einen verschwindend kleinen Betrag her abgeht.
Da sich die Kupferplatten bei den hohen Oxydationstemperaturen etwas verziehen, ist es notwendig, sie durch Anwendung eines mäßigen Druckes wieder gerade zu richten. Es ist zweckmäßig, dieses Geraderichten nach dem Abschrecken der Platten und vor dem erneuten Erhitzen vorzunehmen. Bei der verhältnismäßig niedrigen Temperatur, auf die die Platten nachher erwärmt werden (300 bis 500 ° C), findet dann kein neues Verziehen statt.

Claims (2)

  1. Patentansprüche:
    i. Verfahren zur Herstellung von Platten für Kupferoxydgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß Kupferplatten in sauerstoffhaltiger Atmosphäre auf eine Tempe-
    */ Von dem Patentsucher ist als der Erfinder angegeben worden:
    Dr. Emil Duhme in Berlin-Siemensstadt.
    ratur zwischen 1025 und 1040 ° C erhitzt, sodann in angewärmtem Wasser abgeschreckt und schließlich während längerer Zeit auf eine Temperatur von 300 bis 500° C erhitzt werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die infolge der Erhitzung auf die Oxydationstemperatur verzogenen Platten vor der zweiten Wärmenachbehandlung geradegerichtet werden.
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