DE892193C - Selengleichrichter - Google Patents

Selengleichrichter

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DE892193C DES23645A DES0023645A DE892193C DE 892193 C DE892193 C DE 892193C DE S23645 A DES23645 A DE S23645A DE S0023645 A DES0023645 A DE S0023645A DE 892193 C DE892193 C DE 892193C
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Hermann Dr Rer Nat Strosche
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Description

Es ist bekamt, bei Selengldchrichtern auf die Trägerelektrode aius Leichtmetall eine vorzugsweise sehr dünne Wismiutzwischenschicht aufzubringen, auf welche damm die Halbleiterschicht aus Selen aufgebracht wird. Die Wirkung dieser WiSm1Utschicht wird darin gesehen, daß die auf dem Leichtmetall befindliche, sich spontan bildende Oxydschicht 'Uinischiäidlich gemacht wird.
Es wurde fernerhin vorgeschlagen, auch bei ίο Eisengrundplatten eine dünne Wismutzwischenr schicht anzubringen, da sich herausstellte, 'daß diese Wismutzwischenischicht auch hier von günstiger Wirkung ist. Auch wurde bereits der Vorschlag gemacht, auf die Trägergrundplatte ein Wismutselenid oder eine Zwischenschicht aus Tellur aufzubringen.
Durch Versuche hat sich nun ergeben, daß eine, gemäß der Erfindung, durch Verdampfen von Wismuttellurid oder Wismut und Tellur im Vakuum oder in einem geeigneten sonstigen Medium oder Atmosphäre erzeugte vorzugsweise dünne Zwischenschicht die Eigenschaften des Selengleichrich'iers zu verbessern vermag. Es ist vorteilhaft, die Grundplatte aufzurauhen. Beim Verdampfen von Wismuttellurid gehen Wismut und Tellur ungefähr zu gleichen Anteilen in das Kondensat über, im Gegensatz zu der Verdampfung von Wismutselenid, wo eine Fraktionierung eintritt. Das Verfahren ist somit bei Wismuttelliurid vergleichsweise einfach und gewährleistet gleichmäßige Ergebnisse. Gegenüber reinem Wismut ergibt sich der weitere Vorteil, daß die Schicht kgerbeständig ist, sie alsio fertigungsmäßig bequemer zu handhaben ist. Es ist im übrigen möglich, Wismut und Tellur in reiner Form aus verschiedenen Verdampfern gleichzeitig niederzuschlagen, wodurch die Anteile der beiden
Komponenten an der Zwischenschicht gesteuert werden können.
Die Messung· von auf diese Weise mit Zwischenschicht von etwa o; 5 μ Stärke versehenen Selengleichrichtern ergab sehr günstige Flußsteomwerte,
Auf diese Zwischenschicht kann späterhin 'die Selenschicht in bekannter Weise durch Auf dampfen, Aufpressen iod. dgl. aufgebracht werden.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    i. Selengleichrichter mit Trägerelektrode z. B. aus Eisen oder Leichtmetall oder aus Legierungen mit anderen geeigneten Metallen^ dadurch gekennzeichnet, 'daß zwischen die Trägerelektrodle ulrud die Selenschicht-eine vorzugsweise ■sehr dünne Schicht eingebracht ist, die alus Wismut und Tellur besteht.
  2. 2. Verfahren zur Herstellung von Selenzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichniet, daß ein Wismuttellurid aus einem Verdampfer oder daß Wismut und Tellur aus einem oder mehreren Verdampfern verdampft und der Dampf der Verbindung· oder das Dampfgemisch auf der Trägerelektrode niedergeschlagen wird.
DES23645A 1939-01-22 1951-06-22 Selengleichrichter Expired DE892193C (de)

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