DE923496C - Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Info

Publication number
DE923496C
DE923496C DEP46616D DEP0046616D DE923496C DE 923496 C DE923496 C DE 923496C DE P46616 D DEP46616 D DE P46616D DE P0046616 D DEP0046616 D DE P0046616D DE 923496 C DE923496 C DE 923496C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
selenium
bismuth
layer
air
iron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP46616D
Other languages
English (en)
Other versions
DE896391C (de
Inventor
Hermann Dr Rer Nat Strosche
Joachim Dr-Ing Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG
Original Assignee
Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG filed Critical Standard Elektrizitaetas Gesellschaft AG
Priority to DEP46616D priority Critical patent/DE923496C/de
Priority to CH289521D priority patent/CH289521A/de
Priority to FR1020650D priority patent/FR1020650A/fr
Application granted granted Critical
Publication of DE923496C publication Critical patent/DE923496C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/12Application of an electrode to the exposed surface of the selenium or tellurium after the selenium or tellurium has been applied to the foundation plate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/02425Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439Materials
    • H01L21/02491Conductive materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

Es wurde bereits ein Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern vorgeschlagen, bei welchen auf eine Grundplatte aus einem Metall der Eisengruppe eine Wis-mutschicht aufgebracht wird, bevor auf diese in irgendeiner Weise, sei es durch Aufdampfen, durch elektrolytische oder galvanische Methoden, die Selengleichrichterschicht aufgebracht wird. Besonders vorteilhaft ist es dabei, -die Selenschicht durch Aufdampfen auf die Wismutschicht niederzuschlagen. Es zeigt sich jedoch, daß die auf die Wismutschicht aufgedampfte Selenschicht zur Blasenbildung neigt, also mindestens teilweise in sehr mangelhafter mechanischer Verbindung mit der Grundplatte steht. Wie Versuche ergeben haben, tritt dieser Mangel dann ein, wenn in der aufgebrachten Wismutschicht Luft absorbiert ist. Sorgt man dagegen erfindungsgemäß dafür, daß die Wismutschicht vor der Bedampfung mit Selen mit einem geeigneten Gas, etwa mit Stickstoff, in Berührung kommt, wobei gegebenenfalls die am Wisr mut adsorbierte Luft, insbesondere der Sauerstoff der Luft durch Vakuumanwendung entfernt wird und die Wismutschicht mit Stickstoff z. B. von Atmosphärendruck in Berührung gebracht, gewissermaßen aufgeladen wird, dann unterbleibt Blasenbildung. Es zeigt sich nämlich, daß für die Blasenbildung der Sauerstoff der Luft infolge von Oxydationsvorgängen verantwortlich ist. Dies ergibt sich durch den folgenden Versuch: Bringt man eine mit Wismut überzogene Trägerplatte, die
mit Luft in Berührung war, in ain Vakuumgefäß, evakuiert und läßt alsdann Stickstoff in· das Gefäß, dann tritt keine Blasenbildung nach der Aufdampfung des Selens ein. Ist aber die Wismutschicht einmal mit Stickstoff aufgeladen, dann ist die Wirkung so nachhaltig, daß auch nach längerem Verweilen der Trägerplatte an der Luft bei später aufgedampfter Selenschicht keine Blasenbildung mehr eintritt. Dabei ist es so, daß das bei der nachträgliehen Selenaufdampfung erforderliche Vakuum die an der Wismutschicht adsorbierte Luft nicht zu entfernen vermag. Vielmehr ist ein Aufladen mit einem geeigneten Gas notwendig, um die Berührung der Wismutschicht mit atmosphärischer Luft unwirksam zu machen. Man kann zwar, wie es bereits vorgeschlagen wurde, im selben Vakuum nach dem Bedampfen der Grundplatte mit Wismut gleich das Selen auf diese Wismutschicht aufbringen. Dieses Verfahren hat jedoch die Nachteile, daß nicht nur eine komplizierte Apparatur mit zwei Verdampfern benötigt wird, sondern daß auch durch vagabundierende Dämpfe beide Schmelzen verunreinigt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren vermeidet diese Nachteile und hat den Vorteil, daß die mit Wismut bedampften Grundplatten dem Vakuumraum der ersten Apparatur entnommen und (nach eventueller Lagerung) in einer zweiten Apparatur oder in der ersten nach Auswechseln des Verdampfers mit Selen bedampft werden können.
Auf diese Weise erhält man reine Wismut- und Selenschichten, wie sie in einer Apparatur mit zwei Verdampfern nicht erhalten werden können. Außerdem kann beispielsweise das Aufdampfen des Selens in einer Halogenatmosphäre, wie an sich bekannt, durchgeführt werden, ohne daß das Wismut davon angegriffen wird.
Es ist auch bekannt, zu bedampfende Teile zu entgasen und in einem Schutzgas zu lagern. Abgesehen davon, daß dieses Verfahren nicht bei der Herstellung von Selengleichrichtern bekanntgeworden ist oder angewendet wurde, hielt man es nicht für möglich, daß die mit Schutzgas Geladenen Teile auch für längere Zeit an der Luft gelagert werden könnten, ohne daß die Schutzwirkung verlorengeht.
Gemäß der Erfindung erfolgt also die Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern, bei welchen auf eine Trägerplatte aus Eisen, vernickeltem Eisen oder aus einem Werkstoff der Eisengruppe des Periodischen Systems der Elemente eine Wismutschicht aufgebracht worden ist, um auf diese die Selenschicht aufzudampfen, in der Weise, daß die wismutierte Trägerelektrode vor der Bedampfung mit Selen durch Evakuierung und durch anschließende Aufladung mit einem geeigneten Gas, wie Stickstoff, vorzugsweise unter Atmosphärendruck, von den an der Wismutschicht adsorbierten Luft- bzw. Sauerstoffresten befreit wird. Als geeignet hat sich neben Stickstoff z. B. noch Leuchtgas gezeigt.
Mit diesem Verfahren werden Selengleichrichter erzielt, bei welchen die Neigung zur Blasenbildung unterdrückt ist und welche vorzügliche elektrische Eigenschaften und nur geringe Alterung aufweisen. Wenn einmal die Wismutschicht mit Stickstoff aufgeladen ist, kann eine längere Zeit bis zur Bedampfung mit Selen verstreichen, ohne daß Blasenbildung zu befürchten ist, d. h., die Platte kann auch mit Luft in Berührung kommen. Die Wismut- und die Selenfoedampfung kann also mit Zeitabstand in zwei getrennten Vorgängen erfolgen. Es wird bemerkt, daß auch ibei . Leichtmetallgrundplatten Blasenbildung eintritt, welche mit denselben Maßnahmen, wie sie für Eisengrundplatten vorgesehen worden sind, unterbunden werden kann.

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern, bei welchen auf eine Trägerplatte aus Eisen, vernickeltem Eisen oder aus einem Werkstoff der Eisengruppe des Periodischen Systems der Elemente oder auch aus Leichtmetall eine Wismutschicht aufgebracht worden ist, um auf diese die gleichrichtende Selenschicht aufzudampfen, dadurch gekennzeichnet, daß bei Berührung der aufgedampften oder sonstwie aufgebrachten Wismutschicht mit der Luft die wismutierte Trägerelektrode vor der Bedampfung mit Selen durch Evakuierung und durch anschließende Aufladung mit einem geeigneten Gas, z. B. Stickstoff oder Leuchtgas, vorzugsweise unter Atmosphärendruck, von den in der Wismutschicht adsorbierten Luft- bzw. Sauerstoffresten befreit wird.
    Angezogene Druckschriften: Espe und Kno-Il »Handbuch der Vakuumtechnik«, Verlag Springer, Berlin 1936, S. 120.
    9596 2.55
DEP46616D 1949-06-21 1949-06-21 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern Expired DE923496C (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP46616D DE923496C (de) 1949-06-21 1949-06-21 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
CH289521D CH289521A (de) 1949-06-21 1950-06-21 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern.
FR1020650D FR1020650A (fr) 1949-06-21 1950-06-21 Procédé de fabrication de redresseurs secs au sélénium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP46616D DE923496C (de) 1949-06-21 1949-06-21 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE923496C true DE923496C (de) 1955-03-07

Family

ID=7381845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP46616D Expired DE923496C (de) 1949-06-21 1949-06-21 Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern

Country Status (3)

Country Link
CH (1) CH289521A (de)
DE (1) DE923496C (de)
FR (1) FR1020650A (de)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *

Also Published As

Publication number Publication date
CH289521A (de) 1953-03-15
FR1020650A (fr) 1953-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE892193C (de) Selengleichrichter
DE2631881C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
EP0962546A1 (de) Elliptischer keramischer Verdampfer
DE923496C (de) Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern
DE747205C (de) Verfahren zum Aufbringen einer sekundaeremissionsfaehigen Schicht auf eine Elektrodeeines Entladungsgefaesses
DE3011381C2 (de)
DE1277306B (de) Speicherelektrode fuer Bildaufnahmeroehren und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2450834C3 (de) Verfahren zum Aluminisieren der Innenseite der Schirmwanne einer Fernsehbildröhre
CH207351A (de) Verfahren zur Erzeugung festhaftender Metallüberzüge auf metallischen Gegenständen.
DE628900C (de) Verfahren zum Herstellen von hochemittierenden Kathoden in Mehrsystemroehren
DE809219C (de) Verfahren zur Herstellung der Oxydkathode einer elektrischen Entladungsroehre und nach diesem Verfahren hergestellte Entladungsroehre
DE3839903C2 (de)
DE2616270C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer schweroxidierbaren Schicht auf einem Körper aus einem leichtoxidierenden Metall oder einer entsprechenden Metallegierung
DE875968C (de) Elektrisch unsymmetrisch leitendes System
DE803919C (de) Verfahren zur Herstellung einer Kathode einer elektrischen Entladungsroehre
DE905762C (de) Verfahren zur Herstellung von Sekundaeremissionsschichten
DE1195135B (de) Verfahren zur Verbesserung der elektrischen Leitfaehigkeit von auf Unterlagen, wie Glas und Kunststoffen, insbesondere durch Vakuum-bedampfen aufgebrachten duennen, licht-durchlaessigen oxydischen Schichten
DE900481C (de) Verfahren zur Herstellung von Getterpraeparaten
DE1639363C3 (de) Verfahren zum Herstellen von einer elektrischen Entladungsröhre mit einer Photokathode, welche aus einer stark p-leitenden AIII-BV-Verbindung besteht
DE619133C (de) Oxydkathode (Oxydkathodendraht) und Verfahren zur Herstellung
DE1041582B (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters aus einer chemischen Verbindung aus mindestens zwei chemischen Elementen als Komponenten auf einem Traeger
DE574272C (de) Gewinnung von Wasserstoffsuperoxyd
AT109261B (de) Verfahren zur Herstellung von hochemittierenden Oxydkathoden für Elektronenröhren.
DE971697C (de) Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern
AT159891B (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Entladungsröhre mit einer Sekundäremissionselektrode.