DE900481C - Verfahren zur Herstellung von Getterpraeparaten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Getterpraeparaten

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DE900481C
DE900481C DEF177A DEF0000177A DE900481C DE 900481 C DE900481 C DE 900481C DE F177 A DEF177 A DE F177A DE F0000177 A DEF0000177 A DE F0000177A DE 900481 C DE900481 C DE 900481C
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DE
Germany
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getter
component
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components
vapor
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Expired
Application number
DEF177A
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English (en)
Inventor
Dr Werner Flechsig
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Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Original Assignee
Fernseh GmbH
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Publication date
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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J7/00Details not provided for in the preceding groups and common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J7/14Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
    • H01J7/18Means for absorbing or adsorbing gas, e.g. by gettering
    • H01J7/183Composition or manufacture of getters

Description

  • Verfahren zur Herstellung von Getterpräparaten In der Vakuumtechnik ist es üblich, zum Beseitigen ökkludierter Gasreste usw. in den Vakuumgefäßen ein sogenanntes Gettermetall niederzuschlagen. Die bisher verwendeten Verfahren zum Gettern von Vakuumgefäßen sind mit Nachteilen verbunden. Wenn man die zur Herstellung des Getters dienenden Komponenten in pulverförmiger Beschaffenheit verwendet und diese .dann in an sich bekannter Weise in Pillenform preßt, so zeigt es sich, daß die einzelnen Bestandteile -schon kurz nach der Herstellung ider Pille miteinander Reaktionen eingehen, welche von nachteiligen Folgen für die spätere Getterverwendung sind und offenbar auf das Vorhandensein von Wasserhäuten oder anderen Verunreinigungen auf ider Oberfläche .der einzelnen Pulverkörnchen zurückzuführen sind. Bei der Verwendung des bekannten Bariummanteldrahtes, liegt das Getter:material bereits in fertiger Form vor, wobei der Metallmantel als Schutz dient. Jedoch ist .dieser Schutz erstens verhältnismäßig unzureichend, und überdies wirkt es sich als besonders nachteilig aus, idaß bereits beim Einbringen des fertigen Gettermaterials in .den Schutzmantel .Schutzmittel zum Verhindern des vorzeitigen Oxydierens,beispielsweise Paraffinöl, verwendet werden müssen, von .denen Spuren zurückbleiben, welche später beim Herstellen des Getters im Vakuumgefäß zu starken Gasausbrüchen und anderen unerwünschten Begleiterscheinungen führen.
  • Die Erfindung bezweckt, die vorerwähnten Schwierigkeiten durch Anwendung eines neuartigen Verfahrens zu vermeiden. Zum Gettern von Vakuumgefäßen, insbesondere solchen, in denen sich bereits formierte Kathoden, vor allem Photoschichten, befinden, wird erfindungsgemäß das Gettermaterial idurch Reaktion mehrerer Komponenten aufeinander erzeugt, indem die zur Herstellung des Gettermetalls geeigneten Komponenten durch Verdampfen im Vakuum aufeinander oder vermischt niedergeschlagen werden. Es ist zweckmäßig, zuerst die gegen äußere, insbesondere atmosphärische Einflüsse empfindlichere Komponente und idann erst die dagegen widerstandsfähigere Komponente aufzudampfen. Bei einer Abänderung -des erfindungsgemäßen. Verfahrens hat es sich als vorteilhaft erwiesen, statt Aufdampfens der ersten Komponente zunächst auf eine Unterlage Barium aufzudampfen und durch Zufuhr eines Gases in eine von Fremdgasen bzw. überschüssigem Gas freie Verbindung überzuführen und schließlich hierauf die weitere Komponente, vorzugsweise Idas :als Reduktionissubstanz dienende Aluminium, niederzuschlagen.
  • Im nachstehenden wird die Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen beschrieben, wobei jedoch alle zum Verständnis der Erfindung nicht unbedingt notwendigen Einzelheiten fortgelassen sind. Beispielsweise wird auf eine geeignete isolierende oder auch metallische Unterlage, die überdies noch durch Ausglühen im Vakuum ständig gasfrei gemacht wird, eine zur Erzeugung des Gettermaterials geeignete Komponente aufgedampft und auf diese im gleichen Vakuum die zweite Komponente hinzu .gedampft. Durch das Aufbringen der beiden Komponenten im gleichen Vakuum wird ein so inniger Kontakt der beiden Komponenten erzielt, daß auch beim späteren Herausnehmen des Getters aus dem Vakuum ein Eindringen von Wasser oder anderen Verunreinigungen, die zu unerwünschten chemischen Reaktionen führen können, vermieden ist. Das -Aufbringen der einzelnen Materialien kann z. B. auf einem bandförmigen Träger in einem Durchlaufverfahren geschehen, und die einzelnen später zur Verwendung kommenden Getterstückchen werden dann nach Herausnehmen aus .dem Vakuum durch Abschneiden von dem aufgespulten Metallband hergestellt und in sonst üblicher Weise in die Röhre -zur Getterung eingebaut.
  • Eine Abart,des Verfahrens besteht darin, idaß die beiden Komponenten bereits werden. Im allgemeinen wird man- es jedoch vorziehen, die gegen äußere Einflüsse empfindlichere Komponente nach unten zu legen und als zweite Komponente diejenige aufzudämpfen, die ,den äußeren atmosphärischen Einflüssen größeren Wiederstand leistet.
  • Bei einer anderen ,Abart des Verfahrens wird ,las zur Getterung dienende Material selbst aufgedampft und danach durch Zufuhr eines reinen Gases, z. B. Sauerstoff, in eine Verbindung übergeführt, die frei von Wasser und anderen Fremdbeimengungen ist. ,Auf diese wird dann wie oben die zweite Komponente aufgedampft. Dieses Verfahren gibt die Möglichkeit, auch solche Verbindungen aufzubringen, -die sich infolge geringen Dampfdruckes im allgemeinen nur sehr schwer durch Verdampfung in ausreichenden Mengen niederschlagen lassen. Das Verfahren kommt ganz besonders für die Verwendung in Vakuumgefäßen in Betracht, in :denen sich während des Getterungsprozesses sehr empfindliche formierte Kathoden, z. B. Photoschichten, befinden. Es. hat :sich gezeigt, daß es unzweckmäßig ist, 'die Getterung bereits vor der Erzeugung der Kathode vorzunehmen, da bei der nachträglichen Formierung der Kathode die Wirksamkeit des Getters außerordentlich stark beeinträchtigt wind.

Claims (1)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Getterpräparaten, aus denen das Gettermetall 'durch Auslösen einer Reaktion zwischen zwei oder mehreren Komponenten in an sich bekannter Weise frei gemacht werden kann, dadurch gekennzeichnet, daß die Komponenten aus der Dampfphase auf eine Unterlage niedergeschlagen werden, wobei die Niederschlagung äbwechselnd,oider gleichzeitig erfolgt. 2.. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daZ die gegen: äußere Einflüsse empfindlichere Komponente zuerst und die gegen äußere, insbesondere atmosphärische Einflüsse widerstandsfähigere Komponente später aufgedampft wird. 3. Albänderung .des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß statt Aufdampfens ,der ersten Komponente zunächst auf eine Unterlage das zur Getterung ,dienende Material selbst, vorzugsweise Barium, aufgedampft und durch Zufuhr eines Gases 3n eine von Fremdgasen bzw. überschüssigem Gas freie Verbindung. übergeführt wird und @daß schließlich hierauf die weitere Komponente, vorzugsweise -das als Reduktionssubstanz dienende Aluminium, niedergeschlagen wird. Angezogiene Dmuckschridten: Britische Patentschrift Nr. 267 9o2; USA.-Patentschrift Nr. 1 701 544; E s p@ :e - K n o 1 i , Werkstoffkunde ;der Hochvakuumtechnik, 19,36, S. 107, 2. Abs.
DEF177A 1949-11-01 1949-11-01 Verfahren zur Herstellung von Getterpraeparaten Expired DE900481C (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1064646B (de) * 1955-06-07 1959-09-03 Ernesto Gabbrielli Verfahren zum Herstellen von Gettern

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB267902A (de) * 1926-03-20 1928-07-23 Westinghouse Lamp Company
US1721544A (en) * 1927-04-14 1929-07-23 Kemet Lab Co Inc Process of producing high vacua

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB267902A (de) * 1926-03-20 1928-07-23 Westinghouse Lamp Company
US1721544A (en) * 1927-04-14 1929-07-23 Kemet Lab Co Inc Process of producing high vacua

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1064646B (de) * 1955-06-07 1959-09-03 Ernesto Gabbrielli Verfahren zum Herstellen von Gettern

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