DE744768C - Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefaess befindliche, verschieden zu behandelnde Photo- und/oder Sekundaeremissionselektroden und Anordnung zu seiner Durchfuehrung - Google Patents

Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefaess befindliche, verschieden zu behandelnde Photo- und/oder Sekundaeremissionselektroden und Anordnung zu seiner Durchfuehrung

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DE744768C
DE744768C DEF85344D DEF0085344D DE744768C DE 744768 C DE744768 C DE 744768C DE F85344 D DEF85344 D DE F85344D DE F0085344 D DEF0085344 D DE F0085344D DE 744768 C DE744768 C DE 744768C
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vapor deposition
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secondary emission
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Expired
Application number
DEF85344D
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English (en)
Inventor
Dr Werner Hartmann
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Robert Bosch Fernsehanlagen GmbH
Original Assignee
Fernseh GmbH
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J40/00Photoelectric discharge tubes not involving the ionisation of a gas
    • H01J40/02Details
    • H01J40/04Electrodes
    • H01J40/06Photo-emissive cathodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation

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  • Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)

Description

  • Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefäß befindliche, verschieden zu behandelnde Photo- und/oder Sekundäremissionselektroden und Anordnung zu seiner Durchführung Bei der Herstellung von Photo- und Sekundäremissionskathoden kommt es oft darauf an, in ihrer Empfindlichkeit möglichst homogene Oberflächen zu erhalten. Dies ist besonders dann der Fall, wenn :es sich z. B. um Photokathoden für Bildwandler- oder Bildzerlegerröhren handelt, Photokathoden also, bei denen die Elektronenemission bei gleicher Belichtung an allen. Flächenelementen innerhalb kleiner Schwankungsgrenzen gleich sein muß. In solchen Fällen muß das aktivierende Metall, z. B. Cäsium, außerordentlich gleichmäßig aufgedampft werden.
  • Dieses Aufdampfen geschieht im allgemeinen in der Weise, daß die Metalldampfquelle in einem Ansatz der Röhre untergebracht ist, der nach der Aufdampfung abgeschmolzen wird. Der Metalldampf muß dann, um in das Vakuumgefäß zu gelangen, an der Abschmelzstelle ;einen Raum durchströmen, dessen Länge erheblich größer ist ',als .sein Durchmesser. Dies hat zur Folge, daß der Dampf mit bestimmter Richtung in das Vakuumgefäß eintritt und .auf die zu bedampfende Elektrode auftrifft. Bestimmte Stellen der Elektrode werden durch den gerichteten Strahl also stärker bedampft als. die umliegenden Zonen. Dies hat eine nicht unheträchtliche Inhom:ogenität der aufgedampften Metalloberfläche zur Folge.
  • Wenn sich weiterhin in einem Vakuumgefäß verschieden zu behandelnde Elektroden bzw. Elektrodengruppen befinden, für die getrennte Dampfzuführungen vorgesehen sind, so tritt das Problem auf, eine gegenseitige Beeinflussung der verschiedenen Be dampfungsvorgänge zu vermeiden. Als Beispiel sei angenommen, daß, Sich in einem Vakuumgefäß eine Photokathode und eine Sekundäremissionskathode befinden,. die mit verschiedenen Metallen, sei es als Unterlage für die empfindliche Schicht, sei es zur Aktivierung, bedampft werden sollen. Für jede Elektrode ist eine besondere Dampfzuführung vorgesehen, durch die das entsprechende Metall, z. B. 'das Aktivi@erungsmetall, eingeleitet wird. Um nun zu verhüten, daß das für die eine Elektrode bestimmte Metall sich auch auf der anderen niederschlägt, ist es z. B. üblich, mechanische Trennwände vorzusehen, die bei Inbetriebnahme des Vakuumgefäßes zerstört oder auf andere Weise entfernt werden müssen. Dieses umständliche Verfahren wird durch Anwendung des Verfahrens nach der Erfindung überflüssig.
  • Dieses Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefäß befindliche, verschieden zu behandelnde Photo-und oder Sekundäremissionselektroden bzw. -elektrodengruppen, für deren B:edampfung getrennte Dampfzuführungen vorgesehen sind, besteht darin, daß vor dem Aufdampfen das Vakuumgefäß mit einem indifferenten Gas von solchem Druck gefüllt wird, daß die freie Weglänge der Metallatome kleiner als der Abstand einer Dampfquelle von der nächsten mit eigener Dampfzufuhr versehenen Elektrode, aber doch so groß ist, daß die zu bedampfenden Elektroden bestimmt von den Metallatomen der zugehörigen Dampfquelle erreicht werden. Hierdurch wird ein Auftreffen der für die eine Elektrode bestimmten Metallatome auf eine andere, die in anderer Weise zu behandeln ist, vermieden.
  • Es ist bekannt, in einem Vakuumgefäß den Dampfdruck so zu wählen, daß die freie Weglänge der Metallatome klein ist gegenüber den Röhrenabmessungen. Es handelt sich hierbei darum, daß eine dunkel gefärbte, eine matte Oberfläche zeigende Silberschicht gebildet werden soll. Hierbei ist die Farbe von der Größe der Silberteilchen, aus denen die Schicht aufgebaut ist, abhängig. Die Größe der Teilchen wiederum hängt von-der Konzentration, die beim Niederschlagen aus der indifferenten Gasatmosphäre angewendet wird, ab. Je größer die Konzentration ist, desto größer sind auch die Abmessungen der niedergeschlagenen Silberteilchen. Bei Herstel-Jung der bekannten Röhre soll nun die Konzentration und der Druck der Gasatmosphäre derart gewählt werden, daß sich die Silberatome vor dem Niederschlagen zwar kombinieren, aber doch nur Teilchen von sehr keinen Ausmaßen bilden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich für die Herstellung aller photo- und sekundäremissionsfähigen Oberflächen, gleichgültig, ob es sich um zusammenhängende oder in Mosaikelemente aufgeteilte Flächen handelt.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefäß befindliche, verschieden zu behandelnde Photo- und/oder Sekundäremissionselektroden bzw. -elektrodengruppen, für deren Bedampfung getrennte Dampfzuführungen vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufdampfen das Vakuumgefäß mit einem indifferenten Gas von solchem Druck gefüllt wird, daß 'die freie Weglänge der Metallatome kleiner als der Abstand einer Dampfquelle von der nächsten mit eigener Dampfzufuhr versehenen Elektrode, aber doch so groß ist, daß die zu bedampfenden Elektroden bestimmt von den Metallatomen der zugehörigen Dampfquelle erreicht werden.
  2. 2. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Metalldampfquellen in Ansätzen des Glasgefäßes, die nach der Aufdampfung abgeschmolzen werden, untergebracht sind. Zur Abgrenzung des Anmeldungsgegenstandes vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: schweizerische Patentschrift N r. 192231, USA.-Patentschriften . . . . . Nr. 2074281, 1 58472s.
DEF85344D 1938-07-17 1938-07-17 Verfahren zum Aufdampfen von Metallen auf mehrere im gleichen Gefaess befindliche, verschieden zu behandelnde Photo- und/oder Sekundaeremissionselektroden und Anordnung zu seiner Durchfuehrung Expired DE744768C (de)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1234873B (de) * 1952-12-13 1967-02-23 Zeiss Ikon Ag Verfahren zur Herstellung einer Photokathode
WO1985002866A1 (en) * 1983-12-23 1985-07-04 Ion Tech Limited Sputter deposition

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1584728A (en) * 1922-04-18 1926-05-18 Case Res Lab Inc Method of manufacturing mirrors
US2074281A (en) * 1933-07-13 1937-03-16 Sommer Ludwig August Method and apparatus for the production of metallic coatings on electrically nonconducting substances by the thermal vaporization of metals in vacuo
CH192231A (de) * 1935-07-29 1937-07-31 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer photo-elektrischen Elektrode.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1584728A (en) * 1922-04-18 1926-05-18 Case Res Lab Inc Method of manufacturing mirrors
US2074281A (en) * 1933-07-13 1937-03-16 Sommer Ludwig August Method and apparatus for the production of metallic coatings on electrically nonconducting substances by the thermal vaporization of metals in vacuo
CH192231A (de) * 1935-07-29 1937-07-31 Philips Nv Verfahren zur Herstellung einer photo-elektrischen Elektrode.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1234873B (de) * 1952-12-13 1967-02-23 Zeiss Ikon Ag Verfahren zur Herstellung einer Photokathode
WO1985002866A1 (en) * 1983-12-23 1985-07-04 Ion Tech Limited Sputter deposition

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