DE743586C

DE743586C - Verfahren zur Herstellung eines Antimon-Mosaiks fuer speichernde Bildsenderoehren

Info

Publication number: DE743586C
Application number: DET57711D
Authority: DE
Inventors: Georg Kressin
Original assignee: Telefunken AG
Current assignee: Telefunken AG
Priority date: 1942-07-16
Filing date: 1942-07-17
Publication date: 1943-12-29

Description

Verfahren zur Herstellung eines Antimon,-Mosaiks für speichernde Bildsenderöhren Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Antimon-Mosaiks für speichernde'Bildsenderöhren.
Es ist bekannt, das Mosaik einer Mosaikclektrode dadurch herzustellen, daß man auf eine Isolierplatte, beispielsweise auf eine Glimmerplatte, im Vakuum eine dünne Silberschicht aufdampft und diese Schicht dann durch eine anschließende Wärmebehandlung zum Aufreißen- bringt. Danach erfolgt die Aktivierung des Silbers mit Cäsium.
Es sind nun bereits Photozellen mit einer sog. Legierungskathode, bestehend aus einer Antimon-Cäsium-Legierung, bekanntgeworden. Diese Käthoden weisen eine günstigere spektrale Empfindlichkeit auf als die bekannten Silber-Alkali-Schichten. Versuche, diese T-egierungskathoden auch für Bildsenderöhren mit lichtempfindlichen Mosaikelektroden anzuwenden, sind bislang an einem geeigneten Verfahren zur Herstellung des Mosaiks gescheitert, da das obenerwähnte Herstellungsverfahren zwar für Silber ausgezeichnete Resuhate liefert, jedoch für Antimon nicht anwendbar ist. Auch das Aufdampfen von Antimon in sehr dünner Schicht führt zu keinem Ergebnis.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Antimon-Mosaiks für speichernde Bildsenderöhren. Hierzu wird das Antimon in einer stickstoffhaltigeil Atmosphäre von io bis 15Onnn Hg Druck auf eine Isolierunterlage aufgedampft und darauf im Hochvakutim auf 25o bis 300' C erhitzt. Anschließend erfolgt dann eine Aktivierung mit Cäsium. An Stelle von Cäsium kännen Puch andere Alkalimetalle, z. B. Rubidium, verwendet werden.
Das metallische Antimon wird vorzugsweise auf eine oder mehrere Wolfran-lwendeln aufgebracht und von diesen in der genannten Stickstoffatmosphäre abgedampft. Hierbei bildet sich- eine stickstoffhaltige Verbindung des Antimon, wahrscheinlich ein nitridartiger Körper. Diese Verbindung schlägt sich auf die als Schichtträger verwendete Isolierplatte, Z. B. aus Glimmer, als feiner weißer Beschlag nieder. Unter dein Mikroskop erkennt man eine mosaikartige Verteilung winzig kleiner Kristalle. Diese Schicht wird gemäß der Erfindung im Hochvakuum auf 25o bis 300' C erhitzt, wodurch die Verbindung unter Stickstoffabgabe rückbleiben, zerfällt die dann, und wie Antimonteilchen bei der bekannten zu- ' Legierungsphotokathode# mit Cäsium aktiviert werden.
Das Verfahren hat den großen Vorteil, daß die Korngröße der einzelngn Mosaikelemente nur :2 bis 5,a beträgt. Hierdurch ergibt sich eine Bildsenderöhre mit weit besserer Auflösung, als wenn man Antimonteilchen durch Aufstäuben oder Sedimentieren aufbringt.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung eines Antimon-Mosaiks für speichernde Bildsenderöhren, dadurch gekennzeichnet, daß das Antimon in einer stickstoffhaltigen Atmosphäre von io bis i5o mm Hg Druck auf eine Isolierunterlage aufgedampft wird, so -daß ein Mosaik einer Antimon-Stickstoff-Verbindung entsteht, welches darauf im Hochvakuum erhitzt wird, wodurch die Antimonverbindung in das reine Nietall übergeführt wird, wonach anschließend eine Aktivierung mit Cäsium erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen von einer oder mehreren Wolframwendein erfolgt, die mit einer Antimonschicht bedeckt sind. Zur Abgrenzung des Anmeldungsgegenstandes vom Stand der Technik sind im Erteilungsverfahren folgende Druckschriften in Betracht gezogen worden: britische Patentschrift Nr. 498 134-