DE1189210B - Speicherelektrode fuer Kathodenstrahlroehren in Form einer Speichermembran und Verfahren zur Herstellung der Speichermembran - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

Int. Cl.:

HOIj

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Deutsche Kl.: 21g-13/25

Nummer: 1189 210

Aktenzeichen: G 32309 VIII c/21 g

Anmeldetag: 18. Mai 1961

Auslegetag: 18. März 1965

Die Erfindung betrifft eine Speicherelektrode in Form einer Speichermembran, die nur an ihrem Umfang von einem ringförmigen Stützkörper gehaltert ist und aus einer filmartigen Schicht eines homogenen, polykristallinen Magnesiumoxids mit einer Dicke von etwa 500 bis 1000 A besteht, die die Elektronen gradlinig hindurchleitet, aber einen hohen Widerstand in Querrichtung aufweist.

Es ist bereits eine Speicherelektrode mit einem dünnen Film bekannt, die einen ringförmigen Stützkörper und eine äußerst dünne, gestraffte Speichermembran mit niedriger Masse aus homogenem, polykristallinem Magnesiumoxid enthält, die sich quer über den ringförmigen Stützkörper erstreckt und allein an ihrem Umfang von diesem Stützkörper gehaltertwird. Diese Auffangelektrode ist insbesondere für eine äußerst hohe Empfindlichkeit, eine verbesserte Auflösung und hohe Resonanzfrequenzen geeignet, da unerwünschte mechanische Schwingungen und sich aus diesen ergebende unerwünschte elektrische Signalmodulationen vermieden werden.

Ferner ist eine Speicherelektrode für Bildwandler-Bildspeicherröhren bekannt, bei der auf einer Trägerplatte aus Aluminium durch anodische Oxydation eine Aluminiumoxidschicht erzeugt ist. Bei einer weiteren Bedampfung mit Siliciummonoxid im Vakuum und einer Oxydation wird auf der Aluminiumoxidschicht eine Quarzschicht ausgebildet, auf die bei der Abtastung der Elektronenstrahl auf-Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren in Form einer Speichermembran und Verfahren zur Herstellung der Speichermembran

Anmelder:

General Electric Company, Schenectady, N. Y.

(V. St. A.)

Vertreter:

Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt, Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13

Als Erfinder benannt:

Herbert James Hannam, Guilderland, N. Y.

(V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v. Amerika vom 19. Mai 1960 (30 153)

Spannung der Membran steigern, um die Resonanzfrequenz auf einen gewünschten hohen Betrag zu steigern und die Amplitude der mechanischen Schwingungen auf einen gewünschten geringen Betrifft. Da bei Abwesenheit der Quarzschicht die auf- 30 trag zu vermindern. Außerdem soll die Körnigkeit fallenden Elektronen durch submikroskopische Risse des Membranmaterials herabgesetzt werden, um des Aluminiumoxids zu der Metallplatte hindurchtreten, wird die leitende Speicherelektrode durch die
Quarzschicht vor dem direkten Auftreffen von Elek-

eine Anzeige der Körner in den Bildern zu vermeiden, die mit derartigen Auffangelektroden übertragen werden.

Zweckmäßigerweise enthält die Speicherelektrode der eingangs genannten Art einen ringförmigen Haltekörper, dessen Durchmesser oder Querabmessung im allgemeinen dem Durchmesser einer Siebelektrode entspricht, die zusammen mit einer

tronen geschützt.

Ein Ziel der Erfindung ist eine Speicherelektrode der eingangs erwähnten Art, bei der jedoch durch Anwendung einer zusammengesetzten Membran die Sekundärelektronenemission weitgehend herabgesetzt

ist, damit eine Störung des Betriebs durch umher- 40 Speicherelektrode verwendet wird. Quer zu der ringwandernde Sekundärelektronen möglichst unter- förmigen Elektrodenhalterung verläuft straffgebunden wird. spannt eine einzige allein von dieser getragene zu-Bei der Speicherelektrode der eingangs genannten sammengesetzte Membran, die eine Schicht aus Art ist daher gemäß der Erfindung an der Membran einem homogenen, polykristallinen Magnesiumoxid eine weitere Schicht aus homogenem, polykristalli- 45 und eine weitere Materialschicht aus homogenem nem Aluminiumoxid oder aus Edelmetall ange- polykristallinem Aluminiumoxid oder einem Edelmetall enthält. Die Speicherelektrode kann dadurch hergestellt werden, daß zuerst ein verdampfbarer Stützfilm auf einem ringförmigen Haltekörper aus-50 gebildet, dann auf dem Stützfilm eine Aluminiumsperrschicht niedergeschlagen, dann ein Magnesiumüberzug auf dem Aluminium aufgebracht und ferner-

509 519/328

schmolzen, die ebenfalls einen großen elektrischen Widerstand in Querrichtung aufweist, so daß sie praktisch die einzelnen Punkte der Membran nicht kurzschließt.

Bei der Herstellung der beschriebenen Speicherelektrode möchte man außerdem die mechanische

hin die Anordnung in einer oxydierenden Atmosphäre zur Zerlegung des verdampfbaren Stützfilms und zur Umwandlung des Aluminiums in homogenes, polykristallines Aluminiumoxid und des Magnesiums in homogenes, polykristallines Magnesiumoxid erwärmt wird, so daß eine straffgespannte Membran aus zusammengesetztem polykristallinem Aluminiumoxid und Magnesiumoxid zurückbleibt, die allein von dem ringförmigen Haltekörper abgestützt ist. Andererseits kann die Speicherelektrode dadurch hergestellt werden, daß zuerst ein verdampfbarer Stützfilm auf dem ringförmigen Haltekörper ausgebildet, eine Edelmetallsperrschicht auf dem Stützfilm niedergeschlagen, dann ein Magnesiumüberzug auf der Edelmetallschicht aufgebracht und ferner die Anordnung in einer oxydierenden Atmosphäre zur Zerlegung des verdampfbaren Stützfilms und zur Umwandlung des Magnesiums in homogenes, polykristallines Magnesiumoxid und zur Zusammenballung des Edelmetalls zwecks Bildung einer Schicht aus einer sehr großen Zahl getrennter Tröpfchen oder Inselchen des Edelmetalls erwärmt wird, die an die Oberfläche des Magnesiumoxids angeschmolzen werden.

Zum besseren Verständnis seien die Figuren näher erläutert.

F i g. 1 ist ein vergrößerter Schnitt durch eine beschriebene Speicherelektrode, bei der die Dicke der verschiedenen Materialschichten zur besseren Veranschaulichung übertrieben gezeichnet ist;

F i g. 2 ist ein Schema, mit dem die Verfahrensschritte bei der Herstellung einer Speicherelektrode dargestellt werden;

F i g. 3 ist ein vergrößerter Schnitt durch eine Speicherelektrode und zeigt die Struktur an einer speziellen Stelle des Herstellungsverfahrens;

F i g. 4 ist ein vergrößerter Schnitt durch eine Speicherelektrode gemäß einer weiteren Ausführungsform;

F i g. 5 ist ein Schema, das die Verfahrensschritte eines weiteren Herstellungsverfahrens einer Speicherelektrode zeigt.

In F i g. 1 ist der Aufbau einer Speicherelektrode 1 zu sehen, die einen ringförmigen Haltekörper 2 enthält, an dessen Oberfläche ein weiterer Stützring 3 befestigt ist. Je nach Wunsch können diese Körper aus einem Stück bestehen und ein Ganzes bilden.

Quer zum Ring 3 wird von diesem allein eine zusammengesetzte durchsichtige halbleitende Membran 4 gehaltert. Sie enthält eine Schicht 5 aus homogenem, polykristallinem Magnesiumoxid, das halbleitend ist und die Elektronen im wesentlichen gradlinig an den Korngrenzen hindurchleitet und auf dem eine angeschmolzene Schicht 6 aus einem Material vorgesehen ist, das die gewünschte Leitfähigkeit der Oxidschicht beibehält und eine niedrigere Sekundärelektronenemission als die zuvor erwähnte Oxidschicht aufweist.

Vorzugsweise ist die Membran 4 derart konstruiert, daß die Schicht 5 aus untereinander verbundenen Körnern homogenen, polykristallinen Magnesiumoxids und die Schicht 6 aus untereinander verbundenen Körnern homogenen, polykristallinen Aluminiumoxids besteht, die durch ein Reaktionsprodukt an den Körnern der Magnesiumoxidschicht angeschmolzen sind. Die Magnesiumoxidkörner bestehen aus Magnesiumoxidkristalliten von etwa 300 A Länge. Die Gesamtdicke der zusammengesetzten Membran 4 liegt zwischen etwa 500 und 1000 A, vorzugsweise bei etwa 750 A. Außerdem beträgt die Dicke der Aluminiumoxidschicht etwa 0,5 bis 10% der Gesamtdicke der Membran. Vorzugsweise ist die Dicke der Aluminiumoxidschicht auf 1 bis 3% der Gesamtdicke der Membran eingestellt.

Die Speicherelektrode 1 kann in einer Speicherelektrodenanordnung gemäß der zuvor erwähnten Patentschrift eingesetzt werden, deren elektronendurchlässiges Sieb in geringem Abstand parallel zu

ίο der Magnesiumoxidschicht gehaltert ist; die Anordnung wird in einer Kameraröhre verwendet. Bei einem derartigen Gerät ist die Magnesiumoxidoberfläche am Vorderende der Röhre der Photokathode frei gegenübergestellt, während die Aluminiumoxidoberfläche dem Elektronenstrahl ausgesetzt ist. In der Speicherelektrode gemäß der Figur ist die Membran 4 äußerst straff gespannt, während die frei liegende Oberfläche der Magnesiumoxidschicht 5 feinkörnig und im wesentlichen frei von Flecken ist; die Körner der Schicht weisen nur eine Größe von annähernd 10 μ und darunter auf. Infolge dieser Feinkörnigkeit werden ziemlich große Korngrenzen in der Membran auf ein Mindestmaß herabgesetzt, die einer größeren Sekundäremission unterworfen sind und in unerwünschter Weise in einem übertragenen Bild erscheinen können. Die Aluminiumoxidschicht 6 leitet ebenfalls die Elektronen hindurch und verschlechtert somit nicht die erwünschten elektrischen Eigenschaften des Magnesiumoxids. Außerdem weist das Aluminiumoxid eine geringere Sekundärelektronenemission als das Magnesiumoxid auf, kann besser den aufschlagenden Elektronen des Strahls ausgesetzt werden und dient dazu, das Auftreten von Korngrenzen in einem übertragenen Bild auf ein Mindestmaß herabzusetzen.

Bei einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung der Auffangelektrode gemäß der Fig. 1, das in einem Schema der F i g. 2 umrissen ist, wird ein dünner verdampfbarer Film, der vorteilhafterweise aus Nitrozellulose gebildet sein kann, quer zu dem ringförmigen Haltekörper 3 gebildet, wie an einer Stelle 7 in F i g. 3 zu sehen ist. Der verdampfbare Film 7 kann dadurch hergestellt werden, daß zuerst eine geringere Menge Nitrozellulose, die in einem geeigneten organischen Lösungsmittel, z. B. Amylazetat, aufgelöst ist, tropfenweise auf die Oberfläche einer Wasserschale fallengelassen wird. Diese Lösung breitet sich infolge der Oberflächenspannung auf der Wasseroberfläche als dünner Film aus, so daß das Lösungsmittel verdampft und einen plastischen Film auf der Wasseroberfläche zurückläßt. Danach wird der Membranhaltering 3, der vor der Bildung des Films ins Wasser gelegt oder am äußeren Abschnitt des Films im Wasser eingetaucht wird, sanft zur Aufnahme des Films auf der Oberfläche des Ringes herausgehoben.

Nachdem der Film vollständig auf dem Ring getrocknet ist, wird der Ring in ein Verdampfungsgerät gelegt, in dem ein dünner Überzug 8 aus AIu- minium (F i g. 3) auf dem plastischen Film bis zu einer Dicke aufgedampft wird, die etwa 2 bis 35% der optischen Trübung entspricht.

Anschließend wird auf dem Aluminiumüberzug ein Magnesiumüberzug 9 aufgedampft. Die Dicke des derart aufgedampften Magnesiums wird mit Hilfe der mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Auffangelektrode bestimmt und derart eingestellt, daß die gewünschte Elektronendurchlässigkeit und

die gewünschten Anteile der endgültigen zuvor genannten Oxidschichten Zustandekommen.

Anschließend wird der Aufbau in einen Ofen gelegt und in einer oxydierenden Atmosphäre, z. B. Luft, zuerst auf eine Temperatur von annähernd 170⁰C und schließlich auf eine Temperatur von etwa 430° C erwärmt. Die Erwärmung dauert etwa annähernd 5 Stunden. Diese thermische Behandlung dient der Zersetzung und Verdampfung des Nitrozellulosefilms, der vollständig verschwindet, und außerdem zur Umwandlung des Aluminiums in homogenes, polykristallines Aluminiumoxid und des Magnesiums in homogenes polykristallines Magnesiumoxid und schließlich zur Verschmelzung der sich ergebenden Schichten aus untereinander verbundenen kristallinen Oxidkörnern, so daß die zuvor beschriebene, zusammengesetzte, sich selbst tragende, homogene, polykristalline Oxidmembran entsteht, die allein an ihrem Umfang von dem Haltering abgestützt wird. Außerdem weist die Membran eine wesentlich größere Straffheit oder Gespanntheit auf; die Korngröße des Magnesiumoxids, das die Schicht bildet, ist gleichförmig feiner als die nach dem bisherigen Verfahren erhaltene, bei dem das Magnesium unmittelbar auf dem verdampfbaren Film während des Herstellungsverfahrens niedergeschlagen wird.

Die gesteigerte Festigkeit der Membran und die gewünschte Feinheit der Kornstruktur des Magnesiumoxids sind auf verschiedene Umstände zurückzuführen. Wie man annimmt, entsteht durch den Niederschlag des metallischen Aluminiums auf dem plastischen Film vor dem Niederschlag des Magnesiums eine glattere, gleichmäßigere und wasserfreiere Oberfläche, auf der sich das verdampfende Magnesium während des Niederschlags absetzt. Die Bedingungen an der Oberfläche, auf der das Magnesium niedergeschlagen wird, sollen zu der vergrößerten Festigkeit und der glatteren, feinkörnigeren Struktur der Magnesiumoxidschicht beitragen, die mit diesem Verfahren erhältlich ist. Außerdem soll das Aluminium nicht so leicht wie das Magnesium mit der Nitrozellulose reagieren. Wie man daher annimmt, dient die metallische Aluminiumschicht, die auf dem verdampfbaren Film niedergeschlagen ist, damit auf ihr das metallische Magnesium aufgedampft werden kann, als Sperrschicht zwischen dem Magnesium und dem verdampfbaren Filmmaterial, wodurch Reaktionen zwischen dem heißen Magnesium und dem Wasser in dem dünnen Film oder ein Durchbruch der organischen Bestandteile im Film vermieden werden. Wie man ferner glaubt, können derartige Reaktionen des heißen Magnesiums mit dem Wasser und der Durchschlag des Filmmaterials eine unerwünschte Wirkung auf die verbesserte Korngröße und die Verringerung der mechanischen Spannung des Magnesiumoxids ausüben. Man glaubt außerdem, daß diese Reaktionen während der nachfolgenden Bearbeitung des Elektrodenaufbaus stattfinden können, wenn das Magnesium durch eine Wärmebehandlung in einer oxydierenden Atmosphäre oxydiert wird.

Die Aluminiumschicht dient als wirksame Sperrschicht während der Aufdampfung des Magnesiums und während der nachfolgenden Behandlung, um unerwünschte Reaktionen mit dem Wasser enthaltenden Film und den Abbauprodukten des verdampfbaren Filmmaterials zu vermeiden, und verzögert außerdem das Kornwachstum, so daß die Kornstruktur verbessert wird und eine festere und dichtere Membran zustandekommt. Die Verwendung des Aluminiums ist äußerst wünschenswert, weil bei der Umwandlung in ein Oxid es einen hohen seitlichen Widerstand und eine starke geradlinige Elektronenleitfähigkeit, vergleichbar mit der des Magnesiumoxids, aufweist. Somit ist das Aluminiumoxid in der Weise wirksam, daß es gesonderte Punkte der Magnesiumoxidschicht nicht elektrisch überbrückt

ίο oder kurzschließt und die gewünschten elektrischen Eigenschaften der Magnesiumoxidschicht nicht verschlechtert. Wie zuvor erwähnt, zeichnet sich die Aluminiumoxidschicht außerdem durch eine niedrigere Sekundärelektronenemission als das Magnesiumoxid aus und ist besser für die von Elektronen beaufschlagte Seite der Membran geeignet.

In F i g. 4 ist eine andere Ausführungsform einer Auffangelektrode 10 zu sehen. Diese Konstruktion ist auf denselben Anwendungsgebieten wie die gemaß der USA.-Patentschrift bekannte Konstruktion zu verwenden. Außerdem enthält die Konstruktion zwei ringförmige Stützkörper 11 und 12. Quer zum Stützkörper 12 verläuft eine zusammengesetzte Speichermembran 13, die eine halbleitende Schicht 14 und eine Schicht aus einer sehr großen Zahl gesonderter Tröpfchen oder Inselchen 15 eines nicht oxydierenden, leitenden Materials enthält, die an der einen Oberfläche der Schicht 14 angeschmolzen sind. Die Schicht 14 wird aus untereinander verbundenen Körnern eines homogenen, polykristallinen Oxids aufgebaut, die sich selbst trägt, so daß sie nur an ihrem Umfang abgestützt zu werden braucht. Außerdem ist sie halbleitend und läßt die Elektronen im wesentlichen geradlinig hindurchgehen. Dadurch, daß die Inselchen oder Tröpfchen 15 getrennt eine unterbrochene leitende Oberfläche bilden, können sie nicht die gesonderten Punkte der Schicht 14 elektrisch überbrücken und verschlechtern nicht den gewünschten Elektronendurchgang durch die Oxidschicht. Außerdem bestehen die Inselchen 15 aus einem Material, das eine niedrigere Sekundärelektronenemission als die Oxidschicht aufweist.

Vorzugsweise enthält die Konstruktion gemäß det F i g. 4 die Schicht 14 aus homogenem, polykristallinem Magnesiumoxid und eine weitere angeschmolzene Schicht aus einem Edelmetall, das in unzählige gesonderte Tröpfchen oder Zusammenballungen unterteilt ist. Die Gesamtdicke der zusammengesetzten Membran 13 liegt zwischen annähernd 500 und 1000 A, vorzugsweise bei etwa 750A. Ferner liegt die Dicke der Tröpfchen oder Inselchenschicht 15 zwischen 1 und 10%, vorzugsweise bei etwa 5^fl/o der Gesamtdicke der Membran. Bei dieser Ausführungsform ist die Membran 13 ebenfalls äußerst straffgespannt, die Magnesiumoxidschicht 14 fast frei von Flecken und sehr feinkörnig; die Korngröße beträgt nur bis zu etwa 10//. Infolge dieser Feinkörnigkeit werden die umfangreichen Korngrenzen in der Membran beträchtlich verringert, die einer größeren Sekundäremission unterworfen sein würden und auf einem übertragenen Bild erscheinen können. Außerdem ist bei dieser Konstruktion das Edelmetall ein schlechterer Sekundärelektronenemitter als das Magnesiumoxid und somit besser für einen Aufprall des Elektronenstrahls geeignet. Infolge der Tatsache, daß das Edelmetall in unzählige voneinander getrennte und elektrisch isolierte Inselchen unterbrochen ist, kann es nicht gesonderte

Punkte der ersten Schicht elektrisch überbrücken, was mit einer nachteiligen Wirkung auf die elektrischen Eigenschaften der Oxidschicht verbunden wäre.

In F i g. 5 ist das Verfahren schematisch dargestellt, gemäß dem die Auffangelektrode der F i g. 4 konstruiert wird. In diesem Verfahren wird ein verdampfbarer Film quer zu dem ringförmigen Haltekörper 12 gebildet, was in derselben Weise geschehen kann, wie in Verbindung mit der Konstruktion der Elektrode gemäß F i g. 1 beschrieben ist. Nachdem der verdampfbare Film ausgebildet und vollkommen getrocknet ist, wird die Halterung in ein Verdampfungsgerät gelegt und eine Schicht von annähernd 10 bis 100A eines Edelmetalls, z.B. Gold, »5 auf dem verdampfbaren Film aufgebracht. Hiernach wird auf der Edelmetallschicht ein Magnesiumoxidüberzug aufgedampft. Die Dicke des derart aufgebrachten Magnesiums wird durch die gewünschte Elektronenleitfähigkeit und die gewünschten mechanischen und elektrischen Eigenschaften der Speicherelektrode festgelegt und derart beeinflußt, daß die gewünschten Eigenschaften der fertigen zusammengesetzten Membrananordnung zustande kommen. In diesem Stadium des Herstellungsverfahrens hat die noch nicht fertige Konstruktion einer Anordnung der Materialschichten ein Aussehen, das mit dem gemäß der Fig. 3 vergleichbar ist.

Anschließend wird die Anordnung derselben Wärmebehandlung unterzogen, wie bereits in Verbindung mit F i g. 1 beschrieben ist. Hierdurch wird der plastische Stützfilm in gewünschter Weise abgebaut und verdampft und das Magnesiumoxid in ein homogenes, polykristallines Magnesiumoxid, das sich selbst trägt, umgewandelt, so daß nur eine Halterung am Umfang durch den ringförmigen Stützkörper 3 erforderlich ist. Während der thermischen Behandlung dient das Edelmetall als Sperrschicht zwischen dem Magnesium und der Nitrozellulose in derselben Weise wie das Aluminium bei dem zuerst beschriebenen Verfahren, so daß eine straffe Membran mit einer feinkörnigen Magnesiumoxidoberfläche entsteht, die eine geringe Sekundärelektronenemission aufweist und der Photokathode in einer Kameraröhre gegenübergestellt werden kann.

Nachdem das Edelmetall als Sperrschicht gedient hat, ballt es sich bei der erhöhten Temperatur zusammen und bildet einen unterbrochenen Film oder eine unterbrochene Schicht aus unzähligen gesonderten Inselchen 15, die an der Oberfläche des Magnesiumoxids angeschmolzen sind. Die unterbrochene Art des Films oder die elektrische Isolation der gesonderten Inselchen gewährleistet, daß nachteilige Wirkungen auf die Elektronendurchlässigkeit des Magnesiumoxids in der zuvor beschriebenen Weise nicht zustande kommen. Außerdem besitzen die Inselchen 15 eine geringe Sekundärelektronenemission im Vergleich zu der des Magnesiumoxids, das daher als Oberfläche für den auftreffenden Strahl verwendet werden kann.

Claims (6)

Patentansprüche:

1. Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren in Form einer Speichermembran, die nur an ihrem Umfang von einem ringförmigen Stützkörper gehaltert ist und aus einer filmartigen Schicht eines homogenen, polykristallinen Magnesiumoxids mit einer Dicke von etwa 500 bis 1000 A besteht, die die Elektronen geradlinig hindurchleitet, aber einen hohen Widerstand in Querrichtung aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß an der Membran eine weitere Schicht aus homogenem, polykristallinem Aluminiumoxid oder aus Edelmetall angeschmolzen ist, die ebenfalls einen großen elektrischen Widerstand in Querrichtung aufweist, so daß sie praktisch die einzelnen Punkte der Membran nicht kurzschließt.

2. Speicherelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Aluminiumoxidschicht etwa 0,5 bis 10% der Gesamtdicke der Speicherschicht beträgt.

3. Speicherelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die weitere Schicht des Edelmetalls aus zahlreichen gesonderten Inselchen besteht, die an der ersten Schicht angeschmolzen sind.

4. Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß quer zum Stützkörper ein verdampfbarer Stützfilm ausgebildet wird, auf dem eine Schicht aus einem Metall niedergeschlagen wird, das nicht leicht mit den Bestandteilen des Stützfilms reagiert, daß eine Schicht metallischen Magnesiums auf der ersten Metallschicht niedergeschlagen wird und daß die Anordnung in einer oxydierenden Atmosphäre zur Zerlegung und Verdampfung des verdampfbaren Films und zur Umwandlung des Magnesiums in einen straffgespannten, homogenen, polykristallinen Magnesiumoxidkörper erwärmt wird, der von dem Stützkörper gehaltert wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als erste Metallschicht Aluminium verwendet wird, das bei der Erwärmung in eine Schicht homogenen, polykristallinen Aluminiumoxids umgewandelt wird, das mit der Magnesiumoxidschicht verschmilzt und gemeinsam mit dieser eine straffgespannte Membran bildet.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als erste Metallschicht ein Edelmetall verwendet wird, das bei der Erwärmung sich zusammenballt und eine unterbrochene Schicht aus unzähligen, gesonderten Edelmetallinselchen oder -tröpfchen bildet, die an der Oberfläche des Magnesiumoxids angeschmolzen sind.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 868 305;
USA.-Patentschrift Nr. 2 922 907.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

509 519/328 3.65 © Bundesdruckerei Berlin