DE868305C

DE868305C - Verfahren zur Herstellung einer die Oberflaeche einer Speicherelektrode schuetzenden Schicht

Info

Publication number: DE868305C
Application number: DEC3107A
Authority: DE
Inventors: George Stanley Perciva Freeman
Original assignee: Cinema Television Ltd
Current assignee: Cinema Television Ltd
Priority date: 1947-10-31
Filing date: 1950-10-03
Publication date: 1953-02-23
Also published as: FR971152A; GB640295A

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen von Verfahren zur Herstellung von Einrichtungen zum Schutz von bei Fernsehröhren od. dgl. verwendeten leitenden Speicherelektroden vor dem direkten! Auftreffen von Elektronen.

Es ist bekannt, eine Aluminiumplatte als Speicherelektrode in einer Fernsehröhre zu verwenden, bei der das Aluminium eine isolierende Schicht von Aluminiumoxyd besitzt, das beispielsweise durch anodische Oxydation erzeugt wird. Wenn eine solche isolierende Schicht aus Aluminiumoxyd von einem Elektronenstrom abgetastet wird, so zeigt es sich, daß es für Elektronen möglich ist, durch submikroskopische Risse hindurch, die durch den Unterschied in dem Ausdehnungskoeffizienten von Aluminium und dem Aluminiumoxydbelag entstehen, die Metallplatte zu erreichen.

Es wurden Verfahren vorgeschlagen zur Behebung dieses Mangels, von denen eines darin besteht, einen Film von Quarz auf die Oxydschicht aufzudampfen zur Auffüllung der sehr kleinen Risse. Aber dieses Verfahren hat den Nachteil, daß es sehr schwierig ist, Quarz aufzudampfen ohne Verunreinigung durch die Heizquelle infolge der benötigten hohen Temperaturen.

Ein weiteres Verfahren, das zur Überwindung dieses Mangels vorgeschlagen wurde, besteht darin, den Oxydbelag mit einer Lösung von Siliciumester

- anzufeuchten und den Ester zu hydrolysieren, so j daß ein Niederschlag von Quarz auf dem Aluminiumoxyd gebildet wird. Dieses Verfahren hat den wesentlichen JM achteil, daß infolge der OberfLäehenspannung der Esterlösung die kleineren Risse nicht mit Quarz gefüllt werden, und zweitens, daß, selbst wenn das Verfahren sorgfältig durchgeführt wird, eine geringe chemische Verunreinigung erfolgt, die eine Veränderung des Hintergrundwertes bei dem ίο wiedergegebenen Bild der abgetasteten Speicherelektrode zur Folge hat auf Grund der örtlichen Änderungen in der Sekundäremission, die durch die Verunreinigung hervorgerufen werden. ^₃₁ Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Niederschlag von Silicium auf einen isolierten Leiter vorzuschlagen, bei dem die obenerwähnten Mängel entweder ganz oder teilweise überwunden werden.

■„, Die Erfindung besteht in einem Verfahren zur Herstellung einer die Oberfläche einer für Fernsehröhren od. dgl. verwendeten, leitenden Speicherelektrode vor dem direkten Auftreffen von Elektronen Schützeoden Schicht und ist dadurch gekennzeichnet, daß Siliciummonoxyd im Vakuum auf einen Aluminiumoxydbelag aufgedampft wird, der auf der Oberfläche einer Platte, eines Gitters oder einer anderen Elektrodenform aus Aluminium gebildet wurde, und ferner darin, daß das Silicium- - monoxyd oxydiert wird, so· daß es in Quarz umgewandelt wird.

Gemäß· einer Weiterbildung der Erfindung wird idie "oxydierte Alumimumplatte, die das Siliciummonoxyd trägt, in einer Luft- oder Sauerstoffatmosphäre gebacken'.

Gemäß einer Ausführung der Erfindung werden Platten, Gitter oder andere Elektrodenformen "aus' Aluminium, die einen Belag von Aluminiumoxyd haben, der auf ihrer Oberfläche durch anodische Oxydation erzeugt wurde, in einen Behälter eingeschmolzen, der zunächst auf einen hohen Vakuumwert evakuiert ist, mehr als 10—⁵HIm Quecksilbersäule. Dann wird Siliciummonoxyd in dem Behälter verdampft, so daß es auf der Aluminiumoxydschicht niedergeschlagen werden kann, wobei das hohe Vakuum dazu dient, daß die feinsten Risse in dem Aluminiumoxyd von dem Siliciummonoxyd durchdrungen werden und eine Verunreinigung . der Plattenobernäche vermieden wird.'Dann ward Luft oder Sauerstoff in den Behälter eingeführt, und die Platte wird gebacken, um das Siliciummonoxyd in Quarz umzuwandeln. Die Backtemperatur liegt in der Gegend von 300⁰ C. In Abänderung dessen kann, der Siliciummonoxydfilm mittels einer Plasmaentladung bei niedrigem Sauerstoff druck oxydiert werden.

Das Verfahren gemäß der Erfindung hat im Vergleich zum Verfahren der Aufdampfung von Quarz den Vorteil, daß Siliciummonoxyd bei viel geringeren Temperaturen verdampft als Quarz.

' Weiterhin kann das Verfahren, wenn es erfindungsgemäß bei der Herstellung von Speicherelektroden für Fernsehröhren von dem IkonoskopoderBildwandler-Bildspeicher-Typ verwendet wird, durchgeführt werden, nachdem die Platte in ihre endgültige Lage in dem Röhrenkolben eingeschmolzen ist, wobei weitere durch die Hitze beim Einschmelzprozeß entstandene Brüche in der Isolation aufgefüllt werden können.

Die Figur zeigt eine gemäß der Erfindung hergestellte Speicherelektrode für die Bildwandler-Bildspeicher-Röhre. Auf eine Trägerplatte 1 aus Aluminium, auf der durch anodische Oxydation eine Aluminiumoxydschicht 2 erzeugt worden ist, wird Siliciummonoxyd im Vakuum aufgedampft. Durch Oxydation wird aus· dem Siliciummonoxyd eine Quarzschicht 3 gebildet, auf die bei der Abtastung der Elektronenstrahl 4 auftrifft.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

i. Verfahren zur Herstellung einer die Oberfläche einer für Fernsehröhren od. dgl. verwendeten leitenden Speicherelektrode vor dem direkten Auftreffen der Elektronen schützenden Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß Siliciummonoxyd im Vakuum auf einen Aluminiumoxydbelag aufgedampft wird, der an der Oberfläche einer Aluminiumplatte, eines Gitters oder einer anderen Elektrodenform aus Aluminium gebildet wurde, und daß das Siliciummonoxyd durch Oxydation -in Quarz umgewandelt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumstruktur, die das Siliciummonoxyd trägt, in einer Luft- oder ■ Sauer stoff atmosphäre gebacken wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciummonoxyd mittels einer Glimmentladung bei niedrigem Sauerstoffdruck oxydiert wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumoxydschicht durch anodische Oxydation gebildet wird. . *
5. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Vaku-. um während der Aufdampfung des Siliciummonoxyds besser als io^mm Quecksilbersäule ist.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Backprozeß bei einer Temperatur in der Nähe von 300⁰ C ausgeführt wird.
7. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche zur Herstellung einer Schutzschicht für die Oberfläche der Speicherelektrode einer Fernsehaufnahmeröhre vom Ikonoskop- oder Imageikonoskoptyp, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciummonoxyd, nachdem die Speicherelektrode in ihre endgültige Lage eingeschmolzen ist, in der Röhre verbleibt.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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