DE617071C - Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Selenzellen - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von SelenzellenInfo
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf die Herstellung von Selenzellen-
Seit der Vervollkommnung der Vakuumröhrentechnik ist es üblich, Selenzellen in
Glasröhren einzuschließen und diese Röhren unter Umständen auch zu evakuieren. Trotzdem
auf diese Weise bei sorgsamer Herstellung die Güte der Zellen erheblich gesteigert
werden konnte, gelang es nicht, Zellen im sol-
" 10 eher Gleichmäßigkeit herzustellen, daß etwa die eine durch die andere ohne weiteres ersetzt
werden konnte. Die Unterschiede in den Eigenschaften der einzelnen Zellen sind offenbar
auf das Vorhandensein von Verunreinigungen bei der Herstellung der Selenschicht zurückzuführen, so daß es nicht genügt, die
Zellen in einem Gefäß gegen die Einwirkung von Luft und Feuchtigkeit abzuschließen.
Erfindungsgemäß werden die genannten
ao Mängel beseitigt, indem die Herstellung der
Selenschicht vollkommen im Vakuum erfolgt, und zwar in der Weise, daß das Selen unter
mindestens zweimaliger Vakuumdestillation in dem endgültigen Gefäß selbst auf den
Selenträger aufgebracht wird und daß die Temperaturverteilung bei der letzten Destillation
derartig gewählt wird, daß sich das Selen auf der Trägerelektrode niederschlägt und gleichzeitig in die lichtempfindliche Form
übergeführt wird, ohne daß eine weitere Wärmebehandlung hierfür notwendig ist.
DieErfindung soll an Hand der Abbildungen näher erläutert werden. Die Bildung der lichtempfindlichen
Schicht wird vorzugsweise auf einer Seite an der Glasplatte vorgenommen,
die Träger genannt werden soll und in Abb. 1 mit ι bezeichnet ist. Dieser Träger wird in
an sich bekannter Weise mit einer Goldlösung bestrichen und dann; auf ungefähr 1500 etwa
2 Stunden lang erhitzt. Der sich durch diese Vorerhitzung ergebende metallische Film 2
wird alsdann in bekannter Weise derartig geritzt, daß'sich eini zusammenhängender Linienzug
3, 4 ergibt, der den Metallüberzug in zwei Teile trennt, die elektrisch voneinander
isoliert sind. Nach dem Ritzen wird der Träger noch einmal */2 Stunde lang auf etwa
525° erhitzt und damit der Metallfilm festgebrannt.
Wie Abb. 2 deutlicher zeigt, wird eine derartig behandelte Glasplatte mittels der Metallbacken
6, der Schraubbolzen 7 und der Haltedrähte 9 an einem Glasfuß 5 befestigt. Die beiden Haltedrähte dienen gleichzeitig -als
Stromzuführungen 1S für die beiden Hälften
des Metallüberzuges der Glasplatte. Der Glasfuß 5 trägt in an sich bekannter Weise
ein kleines Entlüftungsröhrchen 10, das an
ei? on
einen Pumpstutzen angeschlossen werden kann.
Nun wird ein_ Stück. Selen auf die Glasplatte gebracht, und zwar am besten auf diejenige
Seite der Glasplatte, die nicht den Metallüberzug trägt, wie dies durch 11 in Abb. 3
angedeutet ist.
Das Selen kann auch auf andere Weise eingeführt
werden, z. B. in einer kleinen, mit einer Öffnung versehenen Kapsel, aus der es
beim Erhitzen' verdampft. Es kann auch an der Halterung oder an der Innenwand der
Glashülle 8, mit der der Glasfuß 5 verschmolzen wird, ein Selenaufstrieh angebracht wer-"
den. Wesentlich ist, daß das Selen möglichst ohne Zeitverlust in die Glashülle gelangt. Ist
das Selen eingebracht, so wird der Glasfuß 5 mit der Glashülle 8 verschmolzen. Die Röhre,
oder besser ein Satz solcher Röhren wird dann an eine Pumpvorrichtung angeschlossen,
die mit einem Traggestell 12 versehen ist. Während des Entlüftungsprozesses- wird, wie
dies in Abb; 5 dargestellt ist, über die Röhre ein Ofen 13 gesetzt, der die Glashülle erhitzt.
DieErhitzung dauert etwa 5 Minuten und wird so· hoch betrieben (etwa 350°), daß das Selen
verdampft. Der Ofen wird dann, wie in Abb. 6 angedeutet ist, entfernt, so daß sich die
Röhren abkühlen und das Selen sich an der Innenseite der Glashülle kondensiert. Um zu
verhindern, daß sich das Selen an dem Glasfuß 5 niederschlägt und dort eine elektrische
Ableitung hervorruft, wird zweckmäßigerweise am Röhrenfuß eine Heizwicklung 14
vorgesehen, wie in Abb. 4 dargestellt ist. Diese Heizwicklung kann aus zwei konzentrischen,
in Reihe geschalteten Spulen bestehen, die an dem Traggestell 12 der Pumpvorrichtung angebracht
sind, so daß der Röhrenfuß bequem hineingesteckt werden kann, und auf diese
Weise auf einer höheren Temperatur gehalten wird als der übrige Teil der Röhre.
IJm num das Selen vom der Glaswand auf
die Glasplatte überzuführen, wird, wie in Abb. 7 dargestellt, die Röhre erneut in dem
Ofen erhitzt. Wird die Ofentemperatur kurze Zeit etwa auf 4000 gehalten, so geht das Selen
. von der Glaswand fort und kondensiert sich als dünner Film gleichmäßiger Dicke auf der
Glasplatte. Der Ofen wird dann, wie in Abb.8
gezeigt, entfernt. Da die Glashülle bei dieser Art der Erhitzung vorübergehend heißer ist
als die Glasplatte, schlägt sich das Selen auf dieser nieder. Damit aber keine Rückverdampfung
eintritt, ist es zweckmäßiger, ein inertes Gas, etwa Stickstoff oder Argon, von
ι ctn Druck einzulassen^ sobald sich der Filni
ΐ■■■ vollständig niedergeschlagen hat. Hierdurch
tritt ein schneller Temperaturausgleich in der Röhre ein, der die Rückverdampfung verhindert.
Es hat sich herausgestellt, daß es zweckmäßig ist, die Glasplatte in der Längsrichtung
der Röhre gegenüber dem Fuß etwas, zu versetzen, derart, daß die mit dem Metall
überzogene Seite der Glasplatte näher der Mitte der Röhre zu liegt als die andere Seite.
Die metallüberzogene Seite der Glasplatte bleibt dann etwas kalter, so daß sich der
Selendampf im wesentlichen auf ihr niederschlägt. Die Dicke der niedergeschlagenen
Selenschicht kann durch Dosierung der ur-'sprünglich eingebrachten Selenmenge geregelt
werden.
Das Gas kann in der Röhre gelassen oder auch wieder entfernt und die Röhre dann als
Hochvakuumröhre abgeschmolzen werden.
Wie man erkennt, findet also eine -zweimalige Umdestillation des Selens, und zwar
beide Male in dem endgültigen Gefäß, statt, während dieses an die Vakuumpumpe angeschlossen
is,t. Dabei sind die Temperaturverhältnisse bei der zweiten Destillation so geregelt,
daß das Selen sich nach dieser ohne eine, weitere Wärmenachbehandlung in der
lichtempfindlichen- Modifikation auf dem Träger befindet.
Es können daher während des gesamten Herstellungsverfahrens keine Verunreinigungen auf die lichtempfindliche Schicht gelan-
. gen. Da auch nach der Herstellung der Schicht diese nach außen hin vollständig abgeschlossen
ist und bleibt, können auch hinterher keine Verunreinigungen hinzutreten. Die einzelnen Schritte des Herstellungsprozesses
sind also genau reproduzierbar. ■
Es werden auf diese Weise Zellen erhalten, die äußerst gleichmäßig sind und ihre, elektrischen
und lichtelektrischen Eigenschaften noch lange Zeit über beibehalten. too
Auch gegenüber solchen Herstellungsverfahren, bei denen das Selen sich zunächst in
einem am H-auptgefäß sitzenden Vorlageröhrchen befindet und von hier aus in das
eigentliche Gefäß hinüberdestilliert wird, hat das vorliegende Verfahren den Vorteil besonderer
Billigkeit, da das Glasgefäß einfacher ist Und das dem Abbrechen ausgesetzte Vorlagerohr·
sowie dessen gegebenenfalls schrittweises Abschmelzen vermieden wird.
Claims (5)
- Patentansprüche γι. Verfahren zur Herstellung von Selenzellen mit im' Vakuum erzeugtem SeJenüberzug, dadurch gekennzeichnet, daß das Selen unter mindestens zweimaliger VakuumdestillatioH in dem endgültigen Gefäß selbst auf den Selenträger aufgebracht wird und daß die Temperaturverteilung bei der letzten Destillation! derart gewählt wird,; daß sich das Selen auf617 ö?idem Träger niederschlägt und in die lichtempfindliche Form übergeführt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Stück Selen auf •den Träger aufgebracht, der Träger in der Hülle befestigt und die Hülle an eine Vakuumpumpe angeschlossen wird, alsdann die Hülle von außen unter gleichzeitigem Auspumpen so hoch erhitzt wird, daß das Selen verdampft, daraufhin! Teile der Gefäßwand abgekühlt werden, so daß sich der Selendampf hier niederschlägt, hierauf die Hülle von außen nochmals kurz so erwärmt wird, daß das Selen wieder verdampft und sich auf dem im Innern befindlichen kälteren Träger niederschlägt, worauf das Gefäß abgeschmolzen wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2,dadurch gekennzeichnet,, daß nach dem Niederschlagen des Selens auf dem Träger ein inertes Gas, z. B. Argon oder Stickstoff, in die Hülle eingelassen wird.
- 4. Einrichtung zur Ausübung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger aus einer an dem Glasfuß der Hülle befestigten, auf der einen Seite mit einem geritzten Metallfilm, insbesondere Goldfilm, versehenen Glasplatte besteht.
- 5. Einrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Glasplatte in der Längsrichtung der Hülle derart gegenüber dem Glasfuß und der Gefäßachse versetzt ist, daß die mit dem Metallfilm versehene Seite näher nach der Mitte der Hülle zu liegt als die andere Seite.Hierzu 1 Blatt ZeichnungenBerlin gedruckt in der reichsdruckerei
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US617071XA | 1931-09-11 | 1931-09-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE617071C true DE617071C (de) | 1935-08-12 |
Family
ID=22037570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEA67091D Expired DE617071C (de) | 1931-09-11 | 1932-09-11 | Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Selenzellen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE617071C (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE883784C (de) * | 1949-04-06 | 1953-06-03 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen |
DE970420C (de) * | 1951-03-10 | 1958-09-18 | Siemens Ag | Elektrisches Halbleitergeraet |
DE1046193B (de) * | 1955-05-04 | 1958-12-11 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen halbleitender, insbesondere photoempfindlicher Vorrichtungen durch Niederschlagen von Bleisulfid |
-
1932
- 1932-09-11 DE DEA67091D patent/DE617071C/de not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE883784C (de) * | 1949-04-06 | 1953-06-03 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Verfahren zur Herstellung von Flaechengleichrichtern und Kristallverstaerkerschichten aus Elementen |
DE970420C (de) * | 1951-03-10 | 1958-09-18 | Siemens Ag | Elektrisches Halbleitergeraet |
DE1046193B (de) * | 1955-05-04 | 1958-12-11 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen halbleitender, insbesondere photoempfindlicher Vorrichtungen durch Niederschlagen von Bleisulfid |
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