DE970420C - Elektrisches Halbleitergeraet - Google Patents

Elektrisches Halbleitergeraet

Info

Publication number
DE970420C
DE970420C DES22281A DES0022281A DE970420C DE 970420 C DE970420 C DE 970420C DE S22281 A DES22281 A DE S22281A DE S0022281 A DES0022281 A DE S0022281A DE 970420 C DE970420 C DE 970420C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
compound
bodies
group
devices according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DES22281A
Other languages
English (en)
Inventor
Dr Heinrich Welker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Original Assignee
Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Schuckertwerke AG, Siemens AG filed Critical Siemens Schuckertwerke AG
Priority to DES22281A priority Critical patent/DE970420C/de
Priority to CH310622D priority patent/CH310622A/de
Priority to GB6228/52A priority patent/GB719873A/en
Priority to US275785A priority patent/US2798989A/en
Priority to FR1057038D priority patent/FR1057038A/fr
Priority to NL168019A priority patent/NL113910C/xx
Priority to DES27594A priority patent/DE971459C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE970420C publication Critical patent/DE970420C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/06—Epitaxial-layer growth by reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/18—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage by varying effective impedance of discharge tubes or semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02241—III-V semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
    • H01L21/31654—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself
    • H01L21/31658—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe
    • H01L21/31666—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of semiconductor materials, e.g. the body itself by thermal oxidation, e.g. of SiGe of AIII BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
    • H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/85—Thermoelectric active materials
    • H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
    • H10N10/853—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising arsenic, antimony or bismuth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/02—Contacts, special
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/022—Controlled atmosphere
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/065—Gp III-V generic compounds-processing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/072—Heterojunctions
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/107—Melt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

(WiGBl. S. 175)
AUSGEGEBEN AM 18. SEPTEMBER 1958
S 22281 VIII c j 21g
In den letzten Jahren haben die Elemente der IV. Nebengruppe des Periodischen Systems (C, Si, Ge, Sn) als Halbleiter für Gleichrichter und Kristallverstärker, aber auch für andere Anwendungszwecke, wie für photo- und thermoelektrische Anwendungszwecke, eine große Bedeutung erlangt. Der Kohlenstoff, der nur in der Modifikation des Diamanten ein Halbleiter (bzw. Isolator) ist, besitzt wegen des hohen Preises des Diamanten und der Unmöglichkeit, denselben synthetisch herzustellen, bisher lediglich wissenschaftliches Interesse. Das Silicium hat als Detektorkristall für elektromagnetische Wellen Bedeutung erlangt, obgleich seine Reindarstellung in kristalliner Form noch große Schwierigkeiten bereitet und daher die theoretische obere Grenze seines elektrischen Widerstandes bei weitem noch nicht erreicht ist. Das Germanium, dessen Reindarstellung praktisch bis zur theoretischen oberen Grenze seines elektrischen Widerstandes möglich ist, hat daher trotz seines hohen Preises das Silicium im Detektorbau weitgehend verdrängt und ferner die Herstellung von steuerbaren Kristallen für industrielle Zwecke ermöglicht. Das Zinn, welches in diesem Zusammenhang vor allem in der Form des grauen Zinns (Diamantgitter) interessiert, hat bisher nur wissenschaftliches Interesse, da graues Zinn nur bei tiefen Temperaturen stabil ist und da zudem die Herstellung von größeren Kristallen Schwierigkeiten bereitet.
Die vier genannten Stoffe besitzen als gemeinsames Kennzeichen das Diamantgitter, mit der wichtigen Eigenschaft, daß die vier nächsten Nachbarn eines herausgegriffenen Atoms auf den Eckpunkten eines gleichseitigen Tetraeders liegen, in dessen Mittelpunkt sich das herausgegriffene Atom befindet. Die Atome werden durch eine gerichtete, absättigbare Valenzkraft zusammengehalten, die
809 615/58
zwischen den nächsten Nachbarn wirksam ist. Jede solche Brücke ist durch zwei Elektronen besetzt, die an sich nicht zur elektrischen Leitfähigkeit beitragen. In engem Zusammenhang mit diesen Bindungsverhältnissen steht die hohe Beweglichkeit lichtelektrisch ausgelöster oder durch Störstellen gebildeter Elektronen in diesen Körpern, die bei Germanium Werte von 3000 cm2/Volt see erreicht. Eine weitere für die halbleitenden Eigenschaften dieser Stoffe sehr wichtige Größe ist die Breite der für Elektronen verbotenen Zone. Sie nimmt mit wachsender Ordnungszahl dauernd ab. Sie beträgt 6 bis 7 eV beim Diamanten und 1,1 eV bei Silicium, ferner 0,7 eV bei Germanium und 0,1 eV beim grauen Zinn.
Die Bedeutung der vier genannten Körper für die Physik und Technik der Halbleiter einerseits, gewisse Schwierigkeiten bei diesen Körpern andererseits, wie Unmöglichkeit der synthetischen Herstellung beim Diamanten, Schwierigkeiten der Reinstdarstellung von Kristallen beim Silicium, hoher Preis beim Germanium und Instabilität des Diamantgitters beim grauen Zinn, zeigen das Problem auf, neue Körper zu finden, die das wichtige Kennzeichen der gesättigten homöopolaren Bindungen von einem Aufatom zu den vier nächsten Nachbarn besitzen. Darüber hinaus möchte man, im Hinblick auf technische Anwendungen, eine Möglichkeit finden, die Breite der verbotenen Zone in einer Weise variieren zu können, die in höherem Maße stetig ist, als dies beim Durchlaufen der Reihe C, Si, Ge, Sn der Fall ist.
Die Schwierigkeiten werden dadurch beseitigt, daß erfindungsgemäß als Halbleiter eine Verbindung mit dem Atomverhältnis 1 : 1 aus einem der Elemente Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga) oder Indium (In), die zur III. Gruppe des Periodischen Systems gehören, mit einem der Elemente Stickstoff (N), Phosphor (P), Arsen (As) oder Antimon (Sb), die zur V. Gruppe des Periodischen Systems gehören, verwendet ist. Im folgenden werden unter »AniBv-Verbindungen« die Verbindungen der vorgenannten Art verstanden.
Bei Verwendung der genannten Verbindungen werden die obenerwähnten Schwierigkeiten vermieden, andererseits stellen diese Verbindungen in ihren Eigenschaften gleichsam eine Nachbildung oder einen wirklich guten Ersatz der obengenannten Halbleiter dar. Beispiele für solche Verbindungen sind:
Ersatz für Si: AIP, GaN, Ersatz für Ge: GaAs, AlSb, InP, Ersatz für graues Sn: InSb.
Die Nachbildung ist besonders vollkommen, was den Gitterabstand betrifft: So ist
Abstand Si—Si=2,35 Ä,
während Abstand Al—P=2,36 Ä,
Abstand Ge—Ge=2,43 Ä,
während Abstand Ga—As=2,435 Ä,
Abstand Sn—Sn=2,79 Ä,
während Abstand In—Sb=2,79 Ä.
Der Erfindungsgedanke gibt auch die Möglichkeit, Verbindungen herzustellen, die Kombinationen der vier genannten Elemente entsprechen, so z. B. einen
Ersatz für Si—C: BP, AlN, Ersatz für Si—Ge (existiert nicht): AlAS,
GaP,
Ersatz für Ge—Sn (existiert nicht): GaSb, InAs.
Die Gitter der Verbindungen A111By unterscheiden sich von denen der entsprechenden Elemente dadurch, daß auf den Gitterplätzen nicht 4wertige positive Ionen sitzen, die durch die homöopolare Bindungskraft zusammengehalten werden, sondern daß die Elemente der III. Gruppe als 3wertige Ionen, die der V. als Swertige Ionen auf den Gitterplätzen, während die 3 + 5 = 8 verfügbar werdenden Elektronen die vier Brücken mit den Nachbaratomen bilden, von denen jede mit zwei Elektronen besetzt ist. Diese geringe Verschiedenheit der Ladungen der Gitterionen gibt der Verbindung einen geringfügigen Ionencharakter. Dieser Ionen-Charakter ist jedoch wesentlich schwächer als derjenige der bereits als Halbleiter bekannten Verbindungen der Elemente der II. Gruppe mit denen der VI. Gruppe des Periodischen Systems, z. B. des ZnSe. Hier sind die Gitterplätze abwechslungsweise von 2wertigen und 6wertigen positiven Ionen besetzt, der Ladungsunterschied beträgt 4 und der Ionenanteil an der Verbindung ist bereits beträchtlich. Der geringfügige Ionenanteil der Verbindungen vom Typus AmBv bringt bemerkenswerte physikalisch-chemische Eigenschaften mit sich. So ist wegen der quantenmechanischen Resonanz zwischen Ionenanteil und homöopolarem Anteil der Schmelzpunkt der Nachbildung höher als der des entsprechenden Elementes (Beispiel: Gegoo0 C, AlSb 1°° 10500 C). Dasselbe trifft zu für die Breite der verbotenen Zone, wobei jedoch die Breite der verbotenen Zone stärker zunimmt als die Erhöhung des Schmelzpunktes. Die Verbindungen vom Typus A111By haben also den technischen Vorteil, daß sie bei gleichem Schmelzpunkt eine breitere verbotene Zone besitzen als das entsprechende Element. Zum Beispiel besitzt die Verbindung AlSb einen Schmelzpunkt von 10500 C, während das entsprechende Element Ge bei 9600 C schmilzt. Der Abstand der verbotenen Zone ist jedoch noch größer als der eines fiktiven Elementes der IV. Gruppe mit einem Schmelzpunkt von 10500 C. Die Verbindung AlSb nähert sich also, was die theoretische obere Grenze seines elektrischen Wider-Standes anlangt, bereits dem Si (Schmelzpunkt 14500 C), hat aber dabei den Vorteil eines relativ niedrigen Schmelzpunktes, der technisch gut zu beherrschen ist.
Die bereits als Halbleiter bekannten Verbindun- lao gen vom Typus AnBy1 (z. B. ZnS) würden wegen ihres noch stärkeren Ionencharakters die eben genannten Vorteile in noch stärkerem Maße besitzen. Die Verbreiterung der verbotenen Zone bei diesen Verbindungen ist jedoch wegen des stärkeren Ionencharakters bereits so groß, daß diese Verbin-
düngen im thermischen Gleichgewicht sich schon beachtlich den Isolatoren nähern. Deshalb haben diese Körper bisher lediglich im Zusammenhang mit optischen Phänomen (innerer Photoeffekt) eine technische Verwendung gefunden. Die Körper vom Typus A1nBy nehmen somit in elektrischer Hinsicht die wichtige Zwischenstellung zwischen den 4wertigen halbleitenden Elementen und den bekannten Körpern vom Typus AnBy1 ein. ίο Einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung entsprechend werden als Halbleiter die Verbindungen AmBy verwendet, die in der kubischen Zinkblendestruktur kristallisieren. Dieses Gitter geht in das Diamantgitter über, wenn A identisch mit B wird, und es ist daher klar, daß diese Verbindungen eine besondere Ähnlichkeit mit den Elementen der IV. Gruppe aufweisen.
Für die Herstellung der Verbindungen ist es besonders wichtig, daß aus der geschmolzenen Verbindung die einzelnen Komponenten nur in geringfügiger Weise verdampfen. Da die Elemente der III. Gruppe im allgemeinen weniger verdampfbar sind als die der V. Gruppe, genügt es, in der letzteren eine geeignete Auswahl zu treffen. Von den Antimoniden wird erfindungsgemäß vor allem das Indiumantimonid benutzt. Es bildet wegen seines stabilen kubischen Zinkblendegitters einen guten Ersatz für das instabile graue Zinn. Indiumantimonid wird insbesondere angewendet, wenn elektrischerseits bereits in reinem Zustand eine relativ hohe Eigenleitfähigkeit (gemischte Elektronen- und Löscherleitung) gefordert wird. Das Aluminiumantimonid wird erfindungsgemäß verwendet als Nachbildung des Germaniums. Es besitzt in reinem monokristallinem Zustand eine Eigenleitung, die geringer ist als die des Germaniums. Da es nicht die geringsten Rohstoffprobleme bietet, ist Germanium vor allem in wirtschaftlicher Hinsicht überlegen.
Das Galliumantimonid gelangt erfindungsgemäß zur Anwendung, wenn ein Körper verlangt wird, dessen elektrische Eigenschaften zwischen denen des InSb und des AlSb liegen sollen.
Bei den Antimoniden zeigt sich eine gewisse technologische Überlegenheit der Körper vom Typus A1nBy über die Körper vom Typus A11By1. Während bei den letzteren die Erstarrungsschaubilder bei variierendem Byj-Gehalt wegen der Verdampfung einer Komponente nicht bekannt sind, können sie bei den Antimoniden lückenlos bestimmt werden.
Die Herstellung der Verbindungen vom Typus A111By kann auf verschiedenen Wegen erfolgen, z. B. durch Zusammenschmelzen der Komponenten (möglich bei AlSb, GaSb, InSb) oder z. B. durch Reduktion des Oxyds des 3wertigen Elementes eines des mit dem Dampf des 5wertigen Elementes beladenen WasserstofFstromes (möglich bei GaAs, InAs).
Da die elektrischen Eigenschaften dieser Stoffe in höchstem Maße von den Abweichungen von den genauen stöchiometrischen Eigenschaften abhängen, dürfen nur Grundstoffe höchster Reinheit zur Anwendung gelangen. Als Verunreinigungen, die einen wesentlichen Einfluß auf die elektrische Leitfähigkeit ausüben, kommen die Elemente der II. Gruppe des Periodischen Systems als Defektelektronenerzeuger und die der VI. Gruppe als Elektronenerzeuger in Frage. In dieser Hinsicht verhalten sich die Verbindungen A111By anders als die EIemente.
Eine bemerkenswerte Eigenschaft dieser Verbindungen besteht, wie die Erstarrungsschaubilder zeigen, vielfach darin, daß im thermodynamisch^ Sinne keine Löslichkeit der Komponenten in der festen Verbindung möglich ist. Dies ist eine Voraussetzung für die Möglichkeit der Herstellung der reinen kristallisierten Verbindungen.
Für die meisten elektrischen Anwendungen der Halbleiter A111By, insbesondere für den Steuerungseffekt, ist es erforderlich, daß einElektronenlöscherpaar im Kristall einen möglichst großen Weg zurücklegt, bevor es rekombiniert. Um dies zu erreichen, muß der betreffende Halbleiter in monokristalliner Form hergestellt werden, z. B. dadurch, daß ein definierter Temperaturgradient mit definierter Geschwindigkeit durch die Schmelze wandert oder durch Ziehen des Einkristalls aus der Schmelze, wobei in beiden Fällen ein monokristalliner Keim mit der Schmelze in Berührung gebracht werden kann.
Um die elektrischen Eigenschaften der Verbindungen A111By zu beeinflussen, werden die folgenden Verfahren angewendet: Schmelzen im Vakuum, um durch die Verdampfung einer der Komponenten die Zusammensetzung zu ändern, Gießen unter Schutzgas (Edelgas, eventuell Stickstoff oder Wasserstoff), um das Abdampfen einer Komponente, z.B. während eines Kristallisationsprozesses, zu verhindern. Letzteres kann auch wirkungsvoll verhindert werden durch Gießen in einem abgeschlossenen Gefäß, z. B. einem evakuierten abgeschmolzenen Quarzrohr oder einem verschließbaren Graphittiegel, wobei alle Teile dieses Gefäßes auf hoher Temperatur sein müssen, um ein Nieder- i°5 schlagen einer Komponente an kälteren Gefäßteilen zu vermeiden.
Als Tiegelmaterial zum Schmelzen der Verbindungen AniBy eignet sich Graphit, insbesondere für die Antimonide. Dies ist wichtig, weil Graphit in beliebiger spektraler Reinheit hergestellt werden kann.
Geteilte Graphitformen sind besonders geeignet zum Gießen von halbleitenden Kristallen der Verbindungen A111By mit Profilen, die dem Verwendungszweck angepaßt sind. Dies ist besonders wichtig, da die Halbleiterkristalle A111By spröde Körper sind, die einer nachträglichen mechanischen Bearbeitung Schwierigkeiten bereiten.
Die gegossenen Kristalle (für Gleichrichter und Steuerzwecke) müssen aus Gründen der äußeren Form oft eine mechanische Bearbeitung durch Schleifen erfahren, die mit einer Störung der kristallinen Struktur verbunden ist. Durch elektrolytische Oberflächenbehandlung, vorzugsweise anodisch, kann die ungestörte Kristallstruktur wieder-
hergestellt und ferner die physikalischen Eigenschaften der Oberfläche beeinflußt werden.
Die Verbindungen A111By, insbesondere die Antimonide, eignen sich sehr gut zum Verdampfen und damit zur Herstellung dünner halbleitender Schichten, allerdings sehr gestörter kristalliner Struktur.

Claims (14)

  1. Patentansprüche:
    i. Elektrisches Halbleitergerät, wie Gleichrichter, steuerbarer Kristallverstärker, ""photo- oder thermoelektrisches Gerät und der Steuerung dienende Geräte, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter eine Verbindung mit dem Atomverhältnis 1 : 1 aus einem der Elemente Bor (B), Aluminium (Al), Gallium (Ga), Indium (In), die zur III. Gruppe des Periodischen Systems gehören, mit einem der Elemente Stickstoff (N), Phosphor (P), Arsen (As), Antimon (Sb), die zur V, Gruppe des Periodischen Systems gehören, verwendet ist.
  2. 2. Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter eine solche Verbindung verwendet ist, welche die kubische Zinkblendenstruktur besitzt.
  3. 3. Gerät nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleiter die stabile Nachbildung des grauen Zinns, nämlich die Verbindung InSb, verwendet ist.
  4. 4. Gerät nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter eine Abweichung von der genauen stöchiometrischen Zusammensetzung im Sinne der Bildung von Störstellen aufweist.
  5. 5. Gerät nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterverbindung Fremdstoffe (Verunreinigungen) enthält, die hinsichtlich ihrer anteiligen Menge kontrolliert sind und die Leitfähigkeit (in ihrem Wert wie auch in ihrem Leitungstypus) bestimmen.
  6. 6. Gerät nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß als Defektelektronenerzeuger Elemente der II. Gruppe des Periodischen Systems und als Elektronenerzeuger Elemente der VI. Gruppe des Periodischen Systems verwendet sind.
  7. 7. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß eine monokristalline Struktur erzielt wird durch Gießen der Verbindung, derart, daß durch die Schmelze ein definierter Temperaturgradient mit definierter Geschwindigkeit wandert, oder durch Ziehen eines Einkristalls aus der Schmelze, gegebenenfalls in Verbindung mit dem weiteren Merkmal, daß beim Gießen der Verbindung oder beim Ziehen eines Einkristalls ein monokristalliner Keim mit der Schmelze in Berührung gebracht wird.
  8. 8. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterverbindung — zur Beeinflussung der elektrischen Eigenschaften — nach dem Erstarren unter einer Schutzgasatmosphäre (Edelgas, Stickstoff, Wasserstoff u. dgl.) von geeignetem Druck geschmolzen wird.
  9. 9. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterverbindung in einem geschlossenen Gefäß, z.B. einem solchen aus Quarzglas oder aus Graphit, geschmolzen wird und daß hierbei das betreffende Gefäß sich vollständig auf hoher Temperatur befindet.
  10. 10. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zum Schmelzen der Halbleiterverbindung ein Tiegel aus hochreinem ausgeglühtem Graphit verwendet wird.
  11. 11. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterverbindung in einer vorzugsweise teilbaren Gießform gegossen wird, derart, daß Profile der kristallisierten Substanz, entsprechend dem jeweiligen technischen Verwendungszweck, erzielt werden.
  12. 12. Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkörpern für die Verwendung in Geräten nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter — gegebenenfalls nach einer mechanischen Bearbeitung durch Sägen, Schleifen od. dgl. — einer Oberflächenbehandlung unterworfen wird, deren Hauptwirkung in einer Feinabtragung (d. h. die kristalline Struktur des Restkörpers nicht störenden Abtragung) einer kristallinisch gestörten Oberflächenschicht besteht.
  13. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter einer elektrolytischen Oberflächenbehandlung unterworfen wird, bei der der Halbleiter die Anode bildet.
  14. 14. Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergerätes nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter durch Aufdampfen in einer dünnen Schicht aufgebracht wird.
    In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 518 421, 600410, 014, 617 071;
    französische Patentschrift Nr. 803 697;
    E. J u s t i, »Leitfähigkeit und Leitungsmechanismus fester Stoffe«, Göttingen, 1948, S. 167 bis 169; F.Bandow, »Luminieszenz«, Stuttgart 1950, S. 154, 155;
    D'Ans-Lax, »Taschenbuch für Chemiker und Physiker«, Berlin 1943, S. 167;
    A. E. van Arkel, »Reine Metalle«, Berlin 1939,
    s.539;
    M.Hansen, »Der Aufbau der Zweistofflegierungen«, Berlin 1936, S. 171, 191, 202, 203, 345, 915, 976 und 1055;
DES22281A 1951-03-10 1951-03-10 Elektrisches Halbleitergeraet Expired DE970420C (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES22281A DE970420C (de) 1951-03-10 1951-03-10 Elektrisches Halbleitergeraet
CH310622D CH310622A (de) 1951-03-10 1952-03-07 Einen Halbleiter aufweisendes Gerät und Verfahren zu seiner Herstellung.
GB6228/52A GB719873A (en) 1951-03-10 1952-03-10 Improvements in or relating to electric semi-conductor devices and processes for their production
US275785A US2798989A (en) 1951-03-10 1952-03-10 Semiconductor devices and methods of their manufacture
FR1057038D FR1057038A (fr) 1951-03-10 1952-03-10 Matériel semi-conducteur, en particulier matériel électrique semi-conducteur
NL168019A NL113910C (nl) 1951-03-10 1952-03-10 Inrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam met ten minste één p,n-overgang
DES27594A DE971459C (de) 1951-03-10 1952-03-11 Elektrisches Halbleitergeraet und Verfahren zu seiner Herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES22281A DE970420C (de) 1951-03-10 1951-03-10 Elektrisches Halbleitergeraet

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE970420C true DE970420C (de) 1958-09-18

Family

ID=7476836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES22281A Expired DE970420C (de) 1951-03-10 1951-03-10 Elektrisches Halbleitergeraet

Country Status (6)

Country Link
US (1) US2798989A (de)
CH (1) CH310622A (de)
DE (1) DE970420C (de)
FR (1) FR1057038A (de)
GB (1) GB719873A (de)
NL (1) NL113910C (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973121C (de) * 1952-11-13 1959-12-03 Siemens Ag Elektrisches Messgeraet, das auf der AEnderung der elektrischen Eigenschaften beruht, die ein Halbleiterkoerper unter der Wirkung eines Magnetfeldes erfaehrt
DE1162486B (de) * 1959-10-16 1964-02-06 Monsanto Chemicals Leistungs-Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000íÒC mit einem Halbleiterkoerper aus kubischem Borphosphid
DE1199406B (de) * 1960-06-24 1965-08-26 Rca Corp Elektrisches Halbleiterbauelement
DE1229051B (de) * 1960-05-09 1966-11-24 Merck & Co Inc Verfahren zur Herstellung von blattfoermigen Einkristallen

Families Citing this family (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2886779A (en) * 1959-05-12 Electric current measuring transformer
US2906945A (en) * 1952-11-12 1959-09-29 Siemens Ag Apparatus for effecting an electric control in response to a magnetic field
US3162556A (en) * 1953-01-07 1964-12-22 Hupp Corp Introduction of disturbance points in a cadmium sulfide transistor
US2946955A (en) * 1953-08-31 1960-07-26 Siemens Ag Measuring apparatus comprising a magnetic field-responsive resistor as a condition-responsive element
US2847335A (en) * 1953-09-15 1958-08-12 Siemens Ag Semiconductor devices and method of manufacturing them
US2933384A (en) * 1953-09-19 1960-04-19 Siemens Ag Method of melting compounds without decomposition
IT520084A (de) * 1953-09-21
US2988650A (en) * 1953-11-11 1961-06-13 Siemens Ag Hall-effect control element with utilization circuit
NL97505C (de) * 1954-04-01
US2778802A (en) * 1954-04-26 1957-01-22 Battelle Development Corp Intermetallic compounds of groups iii and v metals containing small amounts of nickel, cobalt or iron
US2928761A (en) * 1954-07-01 1960-03-15 Siemens Ag Methods of producing junction-type semi-conductor devices
US2873303A (en) * 1954-11-01 1959-02-10 Philips Corp Photovoltaic device
US2944975A (en) * 1955-09-14 1960-07-12 Siemens Ag Method for producing and re-melting compounds having high vapor pressure at the meltig point
US3021196A (en) * 1955-09-23 1962-02-13 Siemens Ag Method for producing multi-component substances comprising a component of high volatility
US2894863A (en) * 1955-12-15 1959-07-14 Gen Electric Co Ltd Production of semi-conductor bodies
US2850688A (en) * 1956-02-08 1958-09-02 Ibm Semiconductor circuit elements
US2950220A (en) * 1956-03-13 1960-08-23 Battelle Development Corp Preparation of p-n junctions by the decomposition of compounds
US2973290A (en) * 1956-07-05 1961-02-28 Gen Electric Co Ltd Production of semi-conductor bodies by impurity diffusion through station ary interface
US3187241A (en) * 1957-03-27 1965-06-01 Rca Corp Transistor with emitter at bottom of groove extending crosswise the base
US2953617A (en) * 1957-04-16 1960-09-20 Westinghouse Electric Corp Thermoelements and devices embodying them
US2905771A (en) * 1957-05-15 1959-09-22 Bell Telephone Labor Inc Piezoresistive semiconductor microphone
US2987959A (en) * 1957-05-28 1961-06-13 Siemens Ag Device for controlling electromagnetic radiation
US2980560A (en) * 1957-07-29 1961-04-18 Rca Corp Methods of making semiconductor devices
US3111611A (en) * 1957-09-24 1963-11-19 Ibm Graded energy gap semiconductor devices
US3094387A (en) * 1957-10-21 1963-06-18 Monsanto Chemicals Process for preparing boron phosphide
US2984577A (en) * 1957-10-24 1961-05-16 Monsanto Chemicals Process for the production of boron phosphide
US3090703A (en) * 1958-03-03 1963-05-21 Monsanto Chemicals Boron phosphide articles and coatings
US2966424A (en) * 1958-03-03 1960-12-27 Monsanto Chemicals Crystallization of boron phosphide
US2966426A (en) * 1958-03-03 1960-12-27 Monsanto Chemicals Process for the production of boron phosphide
NL125018C (de) * 1958-03-03
FR1193194A (fr) * 1958-03-12 1959-10-30 Perfectionnements aux procédés de fabrication par diffusion des transistors et des redresseurs à jonctions
CH395950A (fr) * 1958-07-21 1965-07-31 Monsanto Chemicals Procédé de préparation d'arséniure de bore cristallisé
US3413092A (en) * 1958-07-21 1968-11-26 Monsanto Co Process for preparing crystalline boron arsenide
US2966033A (en) * 1958-12-03 1960-12-27 Gen Motors Corp Refrigerating apparatus
US2993340A (en) * 1959-04-09 1961-07-25 Carrier Corp Refrigeration system
US3312570A (en) * 1961-05-29 1967-04-04 Monsanto Co Production of epitaxial films of semiconductor compound material
BE620887A (de) * 1959-06-18
NL252532A (de) * 1959-06-30 1900-01-01
NL255886A (de) * 1959-09-15
US3071715A (en) * 1959-10-16 1963-01-01 Monsanto Chemicals Power rectifier
US3109758A (en) * 1959-10-26 1963-11-05 Bell Telephone Labor Inc Improved tunnel diode
US3009085A (en) * 1959-11-19 1961-11-14 Richard L Petritz Cooled low noise, high frequency transistor
US3082283A (en) * 1959-11-25 1963-03-19 Ibm Radiant energy responsive semiconductor device
GB967272A (en) * 1959-11-27 1964-08-19 Monsanto Co Thermoelectric devices
NL258863A (de) * 1959-12-11
NL131271C (de) * 1960-01-18
NL265436A (de) * 1960-01-20
NL260209A (de) * 1960-01-22
US3085032A (en) * 1960-02-26 1963-04-09 Bell Telephone Labor Inc Treatment of gallium arsenide
DE1161036B (de) * 1960-03-21 1964-01-09 Texas Instruments Inc Verfahren zur Herstellung von hochdotierten AB-Halbleiterverbindungen
US3154384A (en) * 1960-04-13 1964-10-27 Texas Instruments Inc Apparatus for growing compound semiconductor crystal
NL252383A (de) * 1960-06-07
US3099776A (en) * 1960-06-10 1963-07-30 Texas Instruments Inc Indium antimonide transistor
US3147412A (en) * 1960-10-27 1964-09-01 Monsanto Co Junction rectifier of boron phosphide having boron-to-phosphorus atomic ratio of 6 to 100
US3077506A (en) * 1960-10-27 1963-02-12 Monsanto Chemicals Thermoelectricity
US3217379A (en) * 1960-12-09 1965-11-16 Texas Instruments Inc Method for forming pn junctions in indium antimonide with special application to infrared detection
NL275516A (de) * 1961-03-02
NL275714A (de) * 1961-03-09 1900-01-01
US3148094A (en) * 1961-03-13 1964-09-08 Texas Instruments Inc Method of producing junctions by a relocation process
US3210624A (en) * 1961-04-24 1965-10-05 Monsanto Co Article having a silicon carbide substrate with an epitaxial layer of boron phosphide
NL277811A (de) * 1961-04-27 1900-01-01
US3225198A (en) * 1961-05-16 1965-12-21 Hughes Aircraft Co Method of measuring nuclear radiation utilizing a semiconductor crystal having a lithium compensated intrinsic region
US3234057A (en) * 1961-06-23 1966-02-08 Ibm Semiconductor heterojunction device
BE620627A (de) * 1961-07-10
FR1335282A (fr) * 1961-08-30 1963-08-16 Gen Electric Composés semi-conducteurs, procédés de préparation et de dépôt de ceux-ci, et dispositifs semi-conducteurs ainsi obtenus
US3265944A (en) * 1961-08-31 1966-08-09 Gen Electric Diamond-cubic boron nitride p-n junction
US3261726A (en) * 1961-10-09 1966-07-19 Monsanto Co Production of epitaxial films
US3312571A (en) * 1961-10-09 1967-04-04 Monsanto Co Production of epitaxial films
US3218203A (en) * 1961-10-09 1965-11-16 Monsanto Co Altering proportions in vapor deposition process to form a mixed crystal graded energy gap
NL282240A (de) * 1961-12-04
US3175975A (en) * 1962-04-19 1965-03-30 Bell Telephone Labor Inc Heat treatment of iii-v compound semiconductors
US3259815A (en) * 1962-06-28 1966-07-05 Texas Instruments Inc Gallium arsenide body containing copper
US3218205A (en) * 1962-07-13 1965-11-16 Monsanto Co Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of iii-v compounds
US3218204A (en) * 1962-07-13 1965-11-16 Monsanto Co Use of hydrogen halide as a carrier gas in forming ii-vi compound from a crude ii-vicompound
US3224912A (en) * 1962-07-13 1965-12-21 Monsanto Co Use of hydrogen halide and hydrogen in separate streams as carrier gases in vapor deposition of ii-vi compounds
US3373061A (en) * 1962-07-19 1968-03-12 Rca Corp Chalcogenide thermoelectric device having a braze comprising antimony compounds and method of forming said device
GB28298A (de) * 1963-07-17
GB1105314A (en) * 1963-12-23 1968-03-06 Mullard Ltd Improvements in and relating to semiconductor devices
US3324361A (en) * 1964-12-11 1967-06-06 Texas Instruments Inc Semiconductor contact alloy
US3365630A (en) * 1965-01-29 1968-01-23 Bell Telephone Labor Inc Electroluminescent gallium phosphide crystal with three dopants
GB1094831A (en) * 1965-07-21 1967-12-13 Standard Telephones Cables Ltd Semiconductor junction devices
US3836399A (en) * 1970-02-16 1974-09-17 Texas Instruments Inc PHOTOVOLTAIC DIODE WITH FIRST IMPURITY OF Cu AND SECOND OF Cd, Zn, OR Hg
US3698080A (en) * 1970-11-02 1972-10-17 Gen Electric Process for forming low impedance ohmic attachments
US3753289A (en) * 1970-11-02 1973-08-21 Gen Electric Process for manufacture of substrate supported semiconductive stack
US4034181A (en) * 1972-08-18 1977-07-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Adhesive-free process for bonding a semiconductor crystal to an electrically insulating, thermally conductive stratum
US4529996A (en) * 1983-04-14 1985-07-16 Allied Coporation Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor
US5045408A (en) * 1986-09-19 1991-09-03 University Of California Thermodynamically stabilized conductor/compound semiconductor interfaces
US5336998A (en) * 1992-06-22 1994-08-09 United States Pipe And Foundry Company Sensor for detecting faults in a magnetized ferrous object using hall effect elements
US5415699A (en) * 1993-01-12 1995-05-16 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials
US5900071A (en) * 1993-01-12 1999-05-04 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials
US5769943A (en) * 1993-08-03 1998-06-23 California Institute Of Technology Semiconductor apparatus utilizing gradient freeze and liquid-solid techniques
US5610366A (en) * 1993-08-03 1997-03-11 California Institute Of Technology High performance thermoelectric materials and methods of preparation
US6103968A (en) * 1994-02-28 2000-08-15 White Eagle International Technologies Group, Inc. Thermal generator and method of producing same
JP3676504B2 (ja) * 1996-07-26 2005-07-27 本田技研工業株式会社 熱電モジュール
GB9618893D0 (en) * 1996-09-10 1996-10-23 Pave Automation Design Dev Straightening apparatus
US6060656A (en) * 1997-03-17 2000-05-09 Regents Of The University Of California Si/SiGe superlattice structures for use in thermoelectric devices
WO1998042034A1 (en) 1997-03-17 1998-09-24 Massachusetts Institute Of Technology Superlattice structures for use in a thermoelectric device
US6229193B1 (en) * 1998-04-06 2001-05-08 California Institute Of Technology Multiple stage high power diode
US6060657A (en) * 1998-06-24 2000-05-09 Massachusetts Institute Of Technology Lead-chalcogenide superlattice structures

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE518421C (de) * 1927-02-12 1931-10-03 Kurt Brodowski Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtern fuer Wechselstrom
DE600410C (de) * 1930-12-02 1934-07-26 Siemens & Halske Akt Ges Kontaktgleichrichterelement
DE601014C (de) * 1930-06-22 1934-08-06 Aeg Verfahren zur Erzeugung der Lichtempfindlichkeit von lichtelektrisch aktiven Koerpern, wie Selen o. dgl., mittels Waermebehandlung unter Verwendung einer die Waerme auf en betreffenden Koerper uebertragenden indifferenten Fluessigkeit
DE617071C (de) * 1931-09-11 1935-08-12 Aeg Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Selenzellen
FR803697A (fr) * 1935-11-26 1936-10-06 Lampes Sa Application de certains corps à la fabrication de cellules et autres appareils photo-électriques et au redressement de courants

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US698769A (en) * 1899-07-17 1902-04-29 Elias H Bottum Process of preventing oxidation of molten metals.
AT149652B (de) * 1932-12-21 1937-05-25 Ver Edelstahl Ag Verfahren zur Herstellung von Karbiden, Karbonitriden, Nitriden, Boriden, Siliziden und Titaniden, besonders für Hartlegierungen.
US2391706A (en) * 1940-10-10 1945-12-25 Battelle Memorial Institute Method of forming blocking layers on selenium coated plates
NL70486C (de) * 1945-12-29
US2556711A (en) * 1947-10-29 1951-06-12 Bell Telephone Labor Inc Method of producing rectifiers and rectifier material
US2524035A (en) * 1948-02-26 1950-10-03 Bell Telphone Lab Inc Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials
US2569347A (en) * 1948-06-26 1951-09-25 Bell Telephone Labor Inc Circuit element utilizing semiconductive material

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE518421C (de) * 1927-02-12 1931-10-03 Kurt Brodowski Verfahren zur Herstellung von Gleichrichtern fuer Wechselstrom
DE601014C (de) * 1930-06-22 1934-08-06 Aeg Verfahren zur Erzeugung der Lichtempfindlichkeit von lichtelektrisch aktiven Koerpern, wie Selen o. dgl., mittels Waermebehandlung unter Verwendung einer die Waerme auf en betreffenden Koerper uebertragenden indifferenten Fluessigkeit
DE600410C (de) * 1930-12-02 1934-07-26 Siemens & Halske Akt Ges Kontaktgleichrichterelement
DE617071C (de) * 1931-09-11 1935-08-12 Aeg Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Selenzellen
FR803697A (fr) * 1935-11-26 1936-10-06 Lampes Sa Application de certains corps à la fabrication de cellules et autres appareils photo-électriques et au redressement de courants

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE973121C (de) * 1952-11-13 1959-12-03 Siemens Ag Elektrisches Messgeraet, das auf der AEnderung der elektrischen Eigenschaften beruht, die ein Halbleiterkoerper unter der Wirkung eines Magnetfeldes erfaehrt
DE1162486B (de) * 1959-10-16 1964-02-06 Monsanto Chemicals Leistungs-Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000íÒC mit einem Halbleiterkoerper aus kubischem Borphosphid
DE1162485B (de) * 1959-10-16 1964-02-06 Monsanto Chemicals Halbleitergleichrichter zur Verwendung bis zu Temperaturen von etwa 1000íÒ mit einemHalbleiterkoerper aus Borphosphid
DE1229051B (de) * 1960-05-09 1966-11-24 Merck & Co Inc Verfahren zur Herstellung von blattfoermigen Einkristallen
DE1199406B (de) * 1960-06-24 1965-08-26 Rca Corp Elektrisches Halbleiterbauelement

Also Published As

Publication number Publication date
CH310622A (de) 1955-10-31
NL168019B (nl) 1960-02-15
GB719873A (en) 1954-12-08
US2798989A (en) 1957-07-09
FR1057038A (fr) 1954-03-04
NL113910C (nl) 1968-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE970420C (de) Elektrisches Halbleitergeraet
CH509824A (de) Verfahren zum Herstellen eines aus mindestens zwei halbleitenden chemischen Elementen zusammengesetzten, mindestens teilweise legierten Halbleitermaterials
DE1226213B (de) Verfahren zum Herstellen von Halbleiterkoerpern aus Verbindungshalbleitermaterial mit pn-UEbergaengen fuer Halbleiterbauelemente durch epitaktische Abscheidung
DE944209C (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterkoerpern
DE2006189A1 (de) Verfahren zum Aufbringen aufeinanderfolgender Epitaxialschichten aus kristallinem Halbleitermaterial auf ein Substrat aus der Flüssigkeitsphase
DE1197058B (de) Verfahren zur Herstellung einkristalliner flacher Halbleiterkoerper
DE3301155A1 (de) Thermoelektrikum sowie verfahren zu dessen herstellung
DE1166938B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE69001780T2 (de) Verbundwerkstoff mit einer Schicht aus einer III-V-Verbindung und einer Schicht aus einem Seltenerdpnictid, Herstellungsverfahren und Verwendung.
DE1121736B (de) Halbleiteranordnung
DE2346399A1 (de) Verfahren zum zuechten von epitaxialschichten
DE968581C (de) Verfahren zur Herstellung von fuer Gleichrichter, Richtleiter, Transistoren od. dgl. bestimmten Kristallen
DE1037015B (de) Stoerstellenhalbleiter vom N-Typ fuer Transistoren od. dgl.
DE976468C (de) Verfahren zum Herstellen eines UEberschusshalbleiters aus einem Defekthalbleiter
DE966387C (de) Elektrische Gleichrichteranordnung mit Germanium als Halbleiter und Verfahren zur Herstellung von Germanium fuer eine solche Gleichrichteranordnung
DE968097C (de) Verfahren zur Herstellung von Germaniumkristallen mit Zonen bzw. Schichten entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps
DE1667655C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Slliziumkarbidkristalten
DE1235867B (de) Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen dotierten Halbleiterstabes
DE1067919B (de) Verfahren zur Herstellung galvanomagnetischer Elemente
AT240912B (de) Verfahren zur Herstellung epitaxialer Schichten auf Halbleitereinkristallen zur Vergrößerung und/oder Dotierung der Einkristalle sowie zur Erzeugung von Übergängen auf ihnen
AT242747B (de) Verfahren zur Herstellung von blattförmigen Einkristallen aus Halbleitermaterial
DE1182351B (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkoerper aus einer halbleitenden Verbindung und Verfahren zu seinem Herstellen
DE1064638B (de) Verfahren zur Herstellung von Flaechentransistoren aus drei einkristallinen Schichten
DE1951971A1 (de) Verfahren zur Herstellung kubischer Siliciumcarbidkristalle
DE1419270A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern