DE1109797B - Speicherelektrode fuer Kathodenstrahlroehren und Verfahren zur Herstellung der Speicherelektrode - Google Patents

Speicherelektrode fuer Kathodenstrahlroehren und Verfahren zur Herstellung der Speicherelektrode

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DE1109797B
DE1109797B DEG27103A DEG0027103A DE1109797B DE 1109797 B DE1109797 B DE 1109797B DE G27103 A DEG27103 A DE G27103A DE G0027103 A DEG0027103 A DE G0027103A DE 1109797 B DE1109797 B DE 1109797B
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Inventor
Herbert James Hannam
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General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
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Description

INTERNAT.KL. HOIj
DEUTSCHES
PATENTAMT
G27103VHIc/21g
ANMELDETAG: 22. MAI 1959
BEKANNTMACHUNG DER ANMELDUNG UNDAUSGABEDER AUSLEGESCHRIFT: 29. JUNI 1961
Die Erfindung bezieht sich auf eine Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren mit einem Haltering und auf ein Verfahren zur Herstellung der Speicherelektrode.
Es ist eine Schirmelektrodenanordnung bekannt, die in einer bekannten Bildfängerröhre, z. B. im Imageorthikon, verwendbar ist. Diese bekannte Anordnung enthält einen dünnen, durchsichtigen Film aus Magnesiumoxyd und ein leitendes Netz oder Gitter, die auf den beiden entgegengesetzten Seiten eines relativ starren Glasnetzes gehaltert werden, das zahlreiche dichtbenachbarte Öffnungen aufweist, die im allgemeinen senkrecht zum Film durch das Netz hindurchlaufen. Diese Anordnung ist mechanisch starr, so daß unerwünschte mechanische Schwingungen weitgehend herabgesetzt werden, die sich als Mikrophonie oder unerwünschte Modulationen der elektrischen Signale bemerkbar machen. Außerdem behält diese Anordnung relativ gleichbleibende elektrische Eigenschaften während einer langer Verwendungszeit bei. Es sei beachtet, daß die Leitung senkrecht zu den sich gegenüberstehenden Flächen des Magnesiumoxydfilms auf den Transport von Elektronen und nicht von ionen durch den Film zurückzuführen ist; daher tritt kein Verlust an verfügbaren Elektronen in dem Film nach einer langen Verwendungszeit im Gegensatz zu der Abnahme an verfügbaren beweglichen Ionen auf, wie es bei den bislang verwendeten Glasfilmen der Fall ist. Diese Art der Anordnung ist nicht der unerwünschten Erscheinung des Einbrennens unterworfen, wodurch die Gefahr für Nachbilder besteht, die auf der Elektrode während einer Zeitspanne beibehalten werden, die ein Vielfaches der Bildwechselfrequenz beträgt, so daß das Nachbild sich mit späteren Bildern überlagert. Von dieser Anordnung wird während des Betriebs ein Ladungsbild auf dem Magnesiumoxydfilm entsprechend den Sekundärelektronen erzeugt, die beim Aufprall der von einer Photokathode herrührenden Elektronen auf der gegenüberliegenden Fläche des Films von der einen Außenfläche des Films emittiert werden. Da der Magnesiumoxydfilm eine hohe Ausbeute an Sekundärelektronen liefert, ergibt sich eine empfindliche Schirmelektrode.
Außerdem ist ein Verfahren zur Herstellung von doppelseitigen Mosaikplatten, insbesondere für Photomosaike, in Bildzerlegeröhren bekannt, bei dem auf einer Glimmerfolie eine Metallschicht aufgebracht wird. Anschließend werden die Glimmerfolie und die Metallschicht durch Beschüß mit Siliziumkarbidpulver durchlocht. Schließlich wird das durchlochte Gebilde an der metallisierten Seite mit einer dünnen Kollodiumschicht überzogen, die alle Löcher verschließt.
Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren und Verfahren zur Herstellung
der Speicherelektrode
Anmelder:
General Electric Company, Schenectady, N. Y. (V. St. A.)
Vertreter: Dr.-Ing. W. Reichel, Patentanwalt, Frankfurt/M. 1, Parkstr. 13
Beanspruchte Priorität: V. St. v. Amerika vom 23. Mai 1958
Herbert James Hannam, Altamont, N. Y. (V. St. A.), ist als Erfinder genannt worden
Die andere Seite der Glimmerfolie wird dann unter Zwischenschaltung eines Netzes mit Metall in der Weise bedampft, daß sich in den Löchern die Mosaike bilden. Am Ende entfernt man die Kollodiumschicht, auf der zuvor die Metallmosaike durch Aufdampfung innerhalb der Maschen des Netzes gebildet sind.
Es wird eine bessere Bildauflösung erzielt, wenn gemäß der Erfindung die Speicherelektrode aus einer Membran aus homogenem polykristallinem Magnesiumoxyd besteht, die sich quer zum Haltering erstreckt und allein von diesem getragen ist. Dabei liegt die Dicke der Magnesiumoxydmembran z. B. von etwa 500 Ä in derselben Größenordnung wie die Größe der Kristalle, die die Membran bilden. Die Membran ist über den Haltering straff gespannt und kann von einer Netzelektrode einer Schirmelektrodenanordnung einen gewissen Abstand aufweisen.
Ein weiterer Vorteil den bekannten Einrichtungen gegenüber besteht darin, daß die beschriebene Speicherelektrode lediglich an ihrem Umfang eine Halterung benötigt und somit eine stärkere Sekundäremission als die Speicherelektroden liefert, die quer zu ihrer Oberfläche eine Halterung benötigen und eine verringerte Sekundäremission zeigen, die eine Folge von nachteiligen Einflüssen fremder Stoffe ist, die durch die Art der Halterung bedingt sind.
Die Membran weist eine solche Masse pro Flächeneinheit auf, daß zur Erregung einer mechanischen Schwingung eine derart hohe Frequenz notwendig ist,
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daß eine gewöhnliche Schirmelektrode praktisch Abstand annähernd 0,1 bis 3,80 mm groß sein. Beim
schwingungslos bleibt. Außerdem ist die Resonanz- einfarbigen Fernsehen reicht ein Abstand von 0,06
frequenz bei einer normalen Bildwechsel- und Ab- bis 0,07 mm gänzlich aus, während ein Abstand von
tastgeschwindigkeit fast nicht mehr feststellbar. Die etwa 0,01 mm für Farbbildfängerröhren geeignet ist.
Schirmelektrode wird in der Weise angefertigt, daß 5 Durch den Abstand zwischen dem Sieb und der Mem-
zuerst ein verdampfbarer Trägerfilm auf einem ring- bran ist die Zeitkonstante der Anordnung festgelegt;
förmigen Halteteil ausgebildet wird und daß ein diese Zeitkonstante kann also innerhalb der Grenzen
Magnesiumüberzug auf dem Film aufgedampft und des zuvor angegebenen Bereiches verändert werden,
dann das Magnesium oxydiert und der Trägerfilm Die Magnesiumoxydmembran 3 ist keiner stärkeren
verdampft wird, so daß eine straffgespannte Magne- io Beanspruchung gewachsen, brüchig und verlangt be-
siumoxydmembran zurückbleibt, die nur von der ring- sondere Herstellungs- und Bearbeitungsverfahren,
förmigen Halterung abgestützt wird. Die Magnesium- wenn eine Membran von beträchtlicher Größe er-
oxydmembran ist brüchig oder leicht zerbrechlich; halten werden soll, die durch den Membranhaltering 8
eine Beschädigung der Membran durch eine Luft- begrenzt ist. Zur Herstellung der Membran 3 wird
bewegung wird dadurch vermieden, daß ein die Luft 15 eine dünne Schicht 11 aus Nitrozellulose auf dem
absperrendes Element während der Herstellung und Membranhaltering 8 aufgebracht, in dem man eine
der Bewegungen während des Zusammenbaus dicht geringe Menge Nitrozellulose, die in einem organi-
neben der Membran festgehalten wird. sehen Lösungsmittel, z. B. Amylazetat, aufgelöst ist,
Zum besseren Verständnis der Erfindung seien auf den Wasserspiegel einer Wasserschale fallen läßt
folgende Figuren beschrieben. 20 Die Lösung breitet sich infolge der Oberflächenspan-
Fig. 1 ist ein Aufriß, der eine Bildfängerröhre zeigt, nung als dünner Film aus, wobei das Lösungsmittel
für die die Speicherelektrode anwendbar ist; verdampft und ein plastischer Film auf der Wasser-
Fig. 2 ist ein vergrößerter Aufriß, der die Elek- oberfläche zurückbleibt. Anschließend wird der Mem-
trodenanordnung einschließlich der Schirmelektrode branstützring 8, der vor der Bildung des Films ent-
im Bildteil der Röhre nach Fig. 1 zeigt; 25 weder in das Wasser gelegt oder am äußersten Rand
Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht des Aufbaus des Films in das Wasser eingetaucht ist, sanft an-
einer Schirmelektrodenanordnung; gehoben, um den Film an der Oberfläche des Rings
Fig. 4 ist eine perspektivische Teilansicht, die teil- aufzunehmen.
weise im Schnitt und stark vergrößert Einzelheiten Wenn der Film vollständig getrocknet ist, wird der
der Schirmelektrodenanordnung wiedergibt; 30 Ring in einen Verdampf apparat gelegt, in welchem ein
Fig. 5 ist eine vergrößerte Teilansicht, die einen dünner Überzug 12 nach Fig. 5 aus Magnesium auf
Schritt beim Verfahren zur Herstellung der Schirm- dem plastischen Film bis zur gewünschten Dicke auf-
elektrode anschaulich macht; gedampft wird. Die Dicke des Magnesiums, das auf
Fig. 6 ist eine vergrößerte Teilansicht, die einen diese Weise auf dem Film aufgedampft ist, ist durch
Schritt in einem anderen Verfahren zur Herstellung 35 die gewünschten mechanischen und elektrischen
der Schirmelektrode zeigt. Eigenschaften der Speicherelektrode bestimmt. In
Wie man am besten aus Fig. 4 erkennen kann, ent- dem angegebenen Ausführungsbeispiel ist der Film
hält die Schirmelektrodenanordnung eine eben aus- aus Magnesium annähernd 500 Ä dick,
gebildete, für Elektronen durchlässige Elektrode 1 und Danach werden die für Elektronen durchlässige
eine Speicherelektrode 2, die eine durchsichtige Ma- 40 Elektrode 1 und die zuvor beschriebene Schirmelek-
gnesiumoxydmembran 3 in einem gewissen Abstand trodenanordnung in der Weise, wie in Fig. 5 zu sehen
von dem für Elektronen durchlässigen Teil der eben ist, zusammengebaut; die gesamte Anordnung wird
ausgebildeten Elektrode 1 trägt. dann in einen Ofen gelegt und in Luft, ausgehend
Die Elektrode 1 kann ein auf elektrischem oder von einer Temperatur von 170° C und endigend bei
elektrolytischem Wege gebildetes Sieb, Netz oder 45 etwa 400° C, während etwa 5 Stunden gesintert.
Gitter 4 aufweisen, auf dessen beiden Seiten Alu- Durch dieses Sintern wird der Nitrozellulosefilm ver-
minium aufgebracht ist und das auf einem kreisför- dampft und das Magnesium in das Oxyd umge-
migen Haltering 5 montiert ist. Der Haltering 5 ent- wandelt, wobei sich eine glatte, straff gespannte,
hält einen ringförmigen Kanal 6, von dem ein Ein- durchsichtige, farblose Magnesiumoxydmembran
lagering 7 aufgenommen ist, der den Rand des Siebes 4 50 bildet, Während des Sinterns und anschließend wäh-
iii dem Kanal 6 und auf diese Weise das Sieb in dem rend der Bearbeitung der Anordnung wird eine Zer-
Haltering 5 festhält. störung der Magnesiumoxydmembran, die keine Be-
Die Magnesiumoxydmembran 3 der Speicherelek- anspruchung verträgt und sehr brüchig ist, durch eine trode 2 wird lediglich von einem Haltering 8 getragen, Luftbewegung durch das Sieb 4 der Elektrode 1 verder sich im allgemeinen mit dem Außenrand des das 55 mieden, das als Luftablenkkörper dient. Da das Sieb tragenden Ringes 5 der Elektrode 1 deckt. An Sieb 4 in der Anordnung eingeschlossen ist, die dem der Unterseite des Halteringes 8 ist gemäß der Fig. 4 Sintern an der Luft unterworfen wird, ist es bedeutunmittelbar die Membran 3 angebracht und z. B. sam, daß das Sieb 4 das Sintern an der Luft ohne durch Hartlöten an einem Ring 9 befestigt, der einen Oxydation vertragen kann.
winkelförmigen Querschnitt aufweist und den Ring 8 60 Bei einer Magnesiumoxydmembran mit einer Dicke
versteift. Ein ringförmiges Abstandsstück 10, das von 500 Ä ist die Zeitkonstante der Speicherelek-
zwischen den Bauteilen 5 und 8 liegt, legt den Ab- trodenanordnung für eine Wiederholungsfrequenz von
stand zwischen dem Sieb 4 und der Membran 3 fest. 30 Bildern je Sekunde geeignet, die beim Fernsehen
Auf diese Weise werden das Sieb 4 und die Mem- benutzt wird. Die Zeitkonstante nimmt zu, wenn die
bran 3 in einem bestimmten Abstand voneinander 65 Dicke der Magnesiumoxydmembran größer wird; ein
festgehalten und durch einen Hohlraum getrennt, der Informationsspeicher kann mit Magnesiumoxydfilmen
sich vollständig quer zu den entsprechenden Flächen von einer Dicke in der Größenordnung mehrerer
dieser Bauteile erstreckt. Vorzugsweise kann der tausend Ä ausgeführt werden.
Bei der Membran 3 findet eine elektronische Lei- besserte Bildauflösung erzielt wird. Außerdem weist tung statt. Sie ist also nicht an Ionen gebunden, die die Anordnung infolge des besseren Elektronensich bei den bisherigen Glasmembranen erschöpfen durchgangs eine stärkere Empfindlichkeit auf. Bei können; aus diesem Grunde ist die Leitfähigkeit der den Anordnungen, die einen Membranträger be-Schirmelektrode bei der vorliegenden Anordnung 5 nutzen, der sich quer zu der Membranoberfläche erstabil, und es rindet also kein Einbrennen statt. Bei streckt, kann die Sekundäremission außerdem be-Gebrauch von Röntgenstrahlbeugungsbildern kann trächtlich durch Fremdstoffe vermindert werden, die man finden, daß die Magnesiumoxydmembran, die sich vom Material des Halters ablösen. Bei der Memnach dem zuvor angegebenen Verfahren erhalten bran 3 ist diese Art Halterung nicht erforderlich und wird, homogen und polykristallin ist und daß die io für eine größere Sekundäremission in wünschens-Kristallgröße etwa 300 Ä beträgt. Bei einer Membran werter Weise brauchbar. Es sei außerdem betont, daß mit einer Dicke in der Größenordnung von 500 Ä Glas ein Material ist, das bei Erwärmung Gase abliegt die Membrandicke etwa in derselben Größen- gibt; die Ausschaltung des Glases in der Schirmordnung wie die Größe der Kristalle, die die elektrodenanordnung dient nicht nur der Verein-Membran bilden; daher wird die Leitfähigkeit 15 fachung der Anordnung, sondern auch der Entdurch den Film von einer Kristallgrenzflächen- fernung eines anderen Bauteils aus einer Röhre, der leitung oder einer durch den Beschüß herbeigeführten ein Anlaß für Schwierigkeiten bei der Evakuierung Leitfähigkeit vergrößert. Durch diese Art Leitung ist einer Hülle darstellen kann, die die Anordnung die Benutzung von Magnesiumoxyd als Membranstoff enthält.
möglich, selbst wenn Magnesiumoxyd einen viel 2° Andererseits kann man die Anordnung nach Fig. 3
höheren spezifischen Widerstand als das bisher ver- dadurch erhalten, daß ein verdampfbarer Film 11 auf
wendete Glas aufweist. Durch diesen hohen spe- dem Haltering 8 ausgebildet und dann mit Magnesium
zifischen Widerstand rühren äußerst geringe seitliche 12 in der Weise überzogen wird, wie es in Fig. 6 zu
Verluste her, die zur Verbesserung der Bildauflösung sehen ist; hiernach wird diese Anordnung an der
brauchbar sind. 25 Luft gesintert, während sie z. B. von mehreren am
Bei der Größe der Magnesiumoxydmembran 3 Umfang verteilten, aufrecht stehenden Teilen 13 gekönnte vermutet werden, daß die Anordnung der stützt wird. Der verdampfbare Film 11 zersetzt sich Mikrophonie infolge von Vibrationen der Membran dann, wobei der Magnesiumüberzug 12 in eine unterworfen ist. Bei der beschriebenen Anordnung Magnesiumoxydmembran 3 umgewandelt wird, welche wird jedoch die Mikrophonie weitgehend herab- 30 vollständig quer am Teil 8 verläuft und allein von gesetzt, weil die Maße je Flächeneinheit der Mem- diesem getragen wird. Wenn die Speicherelektrode bran 3 etwa lOOmal geringer als die der bisher be- auf diese Weise hergestellt ist, muß man sie zum Zunutzten Glasmembranen ist. Daher beträgt die sammenbau mit der für Elektronen durchlässigen Schwingungsfrequenz der Membran 3 etwa das Elektrode 1 transportieren, ohne daß ein Bruch oder Zehnfache gegenüber der einer Glasmembran, wenn 35 eine Beschädigung eintreten darf. Hierzu wird eine diese unter derselben Spannung steht. Außerdem Platte 14 über die Schirmelektrode gelegt und kommt kann die Membran 3 unter eine größere Spannung je mit dem Rand des Bauteils 9 in Berührung; da die Querschnittsflächeneinheit als die bisherigen Glas- benachbarten Ränder dieser Bauteile gleichzeitig gemembranen gesetzt werden. Die mechanische Schwin- genseitig eingreifen, können beide angehoben und die gimgsfrequenz der Membran 3 ist viel schwieriger an- 40 Gegenelektrode an eine Stelle transportiert werden, an zuregen; selbst wenn sie erregt wird, sind die Ver- der sie mit der für Elektronen durchlässigen Elekänderungen des Bildes, die sich durch die Erregung trode 1 zusammengebaut werden kann, wobei die ergeben, bei normalen Abtastgeschwindigkeiten im Platte 14 als Luftablenkwand dient, damit ein Bruch allgemeinen nicht wahrnehmbar und somit nicht im oder eine Beschädigung der Membran durch die Luftallgemeinen unerwünscht. Für alle praktischen Ver- 45 bewegung gegenüber der Halterung 8 vermieden wird. Wendungsmöglichkeiten kann die Membran 3 bei Nachdem die Schirmelektrode zusammengebaut und einer gewöhnlichen Schirmelektrode als schwingungs- eine Anordnung aus einer Schirmelektrode und einer los angesehen werden. für Elektronen durchlässigen Elektrode entstanden ist,
Die Anordnung nach den Fig. 3 und 4 arbeitet kann das Sieb 4 der Elektrode 1 dazu dienen, eine unter Ausnutzung der Elektronenleitung und nicht 50 Beschädigung der Membran 3 während der Bewegung der Ionenleitung, so daß sie ihre elektrischen Eigen- der Schirmelektrodenanordnung bei der Montage in schäften während längerer Gebrauchsdauer bei- der Bildfängerröhre zu vermeiden,
behält. Außerdem werden von der Membran 3 die Wie man am besten in den Fig. 2 bis 4 erkennen unerwünschten mechanischen Schwingungen und die kann, sind an dem Haltering 5 des Siebes mehrere im sich ergebende Mikrophonie wirksam beseitigt, ohne 55 Winkelabstand versetzte Arme befestigt, die schwenkdaß eine Zwischenhalterung, wie es z. B. bei dem bare, nachgiebige Zungen 16 tragen. Die Zungen 16 zuvor erwähnten Glassieb der Fall ist, benötigt können radial nach innen in die Stellung bewegt werwird. Hierdurch ist die gewünschte Ausschaltung des den, die in den Fig. 3 und 4 angegeben ist und in der bisherigen Glassiebes möglich, das gewöhnlich ein sie die Schirmelektrode 2 an der Elektrode 1 wirschwierig herzustellender Bauteil ist. Dadurch, daß 60 kungsvoll festhalten können. Außerdem trägt der die Anordnung mit einem Zwischenraum zwischen Halter 5 mehrere im Winkelabstand versetzte und dem Sieb in der Membran versehen ist, sind die Mög- seitlich mit einer Vertiefung versehene Montagestücke lichkeiten für unechte Signale infolge von Ladungs- 17, mit denen die Anordnung in einer Bildfängeranhäufungen und Verlusten quer zu den Abschnitten röhre in der Weise, die in Fig. 2 angegeben ist, mondes Materials verringert, das sich zwischen den Elek- 65 tiert wird. Beim Aufbau nach Fig. 2 wird die Schirmtroden erstreckt. Wegen des Zwischenraums zwischen elektrodenanordnung senkrecht in einer einen zylinden Elementen ist der Elektronendurchgang durch die drischen Schirm tragenden Elektrode 20 mit Hilfe Anordnung hindurch verstärkt, so daß eine ver- der mit einer Vertiefung versehenen Montagestücke
17 getragen, die auf entsprechende Haltebolzen 21 passen, die von einem nach innen umgebogenen Flansch 22 des Zylinders 20 getragen werden. Auf diese Weise wird die Schirmelektrodenanordnung gegenüber der Öffnung in einem zylindrischen Flansch 23 gehaltert, der ein Teil der Elektrode 20 ist, die die Schirmelektrodenanordnung trägt. Die letztere Elektrode bildet einen Teil der Anordnung, die eine Beschleunigungselektrode 24 und eine Verzögerungselektrode 25 enthält. Diese drei Elektroden werden koaxial in einem bestimmten Abstand in Längsrichtung von keramischen Stangen 26 getragen, die rund um den Umfang der Elektroden in bestimmten Abständen angeordnet sind und von Strippen 27 gehalten werden. Diese Anordnung sitzt im verbreiterten Bildteil der Röhre nach Fig. 1, in der die Beschleunigungsgitterelektrode 24 ein wenig von einer Photokathode 28 getrennt ist, die eine Quelle von Photoelektronen darstellt. Die Photoelektronen werden in Richtung auf die Schirmelektrodenanordnung beschleunigt, so daß an dieser ein Ladungsbild entsieht, das mit dem auf die Photokathode fallenden Bild übereinstimmt. Am entgegengesetzten Ende der Röhre befindet sich eine Elektronenquelle und ein Elektronenvervielfacher, die konzentrisch angeordnet sind. Die Elektronenquelle, die den Abtaststrahl erzeugt, ist bloß als hohle, zylindrische Gitterelektrode 30 zu sehen, in deren Endwand sich eine kleine Öfnung 31 von 0,05 mm Durchmesser befindet, von der ein dünner Abtaststrahl hergestellt wird. Die die Öffnung umgebende Außenfläche dieser Endwand stellt die erste Dynode des Elektronenvervielfachers dar, wie hiernach ausführlicher erläutert ist. Eine zylindrische Elektrode, die als metallischer Überzug 32 im Hals der Röhre ausgebildet sein kann, dient zur Fokussierung des Strahls; die das Feld beeinflussende Elektrode 25 wird gewöhnlich als Verzögerungselektrode bezeichnet. Wie leicht einzusehen ist, ist die gesamte Bildfängerröhre einem im wesentlichen homogenen, in Längsrichtung verlaufenden Magnetfeld unterworfen. Die Stärke dieses Feldes kann z. B. 75 Gauß betragen. Die Elektronen des Abtaststrahls werden entsprechend dem Ladungsoder Potentialbild gesammelt, das an der Schirmelektrode entsteht, so daß zurückkehrende Elektronen, die die in der Vorwärtsrichtung gelaufenen Elektronen des Strahls ohne die gesammelten sind, sich mit dem Ladungsbild auf der Schirmelektrode 3 ändern. Diese Elektronen treten nicht wieder in die Öffnung 31 ein, sondern schlagen statt dessen auf die die Öffnung umgebende Platte, die ein starker Sekundärelektronenstrahler ist, so daß sich eine Vervielfältigung der emittierten Elektronen im Vergleich zu den von der Speicherelektrode zurückgekehrten Elektronen ergibt.
Eine im allgemeinen zylindrische, fokussierende Elektrode 33 für den Elektronenvervielfacherteil der Röhre ist am Ende der Elektrode 30 zwischen dieser Elektrode und der den Strahl fokussierenden Elektrode 32 gehaltert.
Mehrere Elektronenvervielfacherstufen werden von Elektroden 23 bis 37 gebildet; der verstärkte Elektronenstrom wird von einer Anode 38 des Elektronenvervielfachers gesammelt, so daß ein Signal an einem Widerstand 39 entsteht, das sich entsprechend dem Ladungsbild auf der Membran 3 ändert. In der Fig. 1 sind verschiedene Gleichspannungen für die Elektroden angegeben. Diese Spannungen sind auf die Kathode bezogen und können beträchtlich von den gegebenen Werten abweichen.
Wenn die Schirmelektrode von einem Elektronenstrahl abgetastet wird, stellen die Änderungen des von der Anode 38 gesammelten Strahlstroms punktweise ein elektrisches Signal wieder her, das sich entsprechend dem Ladungsbild auf der Schirmelektrode ändert. Die Zeitkonstante der Membran 3 legt die Bildwechselfrequenz fest, mit der das Gerät arbeitet; daher ist es von wesentlicher Bedeutung, daß die Restladungen des einen Bildes gegenüber einem anderen so klein sind, daß sie nicht die Herstellung eines elektrischen Signals stören, das das auf die Photokathode fallende Bild auf einem speziellen Schirm darstellt.
Die elektrischen Eigenschaften der Magnesium-
zo oxydmembran 3 bleiben während einer langen Lebensdauer der Membran konstant. Das unerwünschte Einbrennen, unter dem man im allgemeinen eine Erschöpfung der beweglichen Ionen bei Glasmembranen versteht, tritt nicht auf. Die Magnesiumoxydmembran 3 stellt einen Schirm dar, der auf seinen beiden Seiten dem Einfall von Elektronen zur Verfügung steht. Durch die beschriebene Anordnung ist außerdem eine von mechanischen Schwingungen freie Schirmelektrode geschaffen, der im wesentlichen die unerwünschte Mikrophonie infolge von Bewegungen der Schirmelektrode fehlt. Bei der vorliegenden Konstruktion ist keine Zwischenelektrodenhalterung erforderlich, so daß eine verbesserte Auflösung, eine höhere Empfindlichkeit, eine stärkere Sekundäremission, das Fehlen bestimmter unechter Signale und eine Verminderung des Aufwandes bei der Herstellung der Elektrodenanordnung erzielt werden.

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Speicherelektrode für Kathodenstrahlröhren mit einem Haltering, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelektrode aus einer Membran aus homogenem polykristallinem Magnesiumoxyd besteht, die sich quer zum Haltering erstreckt und allein von diesem getragen ist.
2. Speicherelektrode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Membran in derselben Größenordnung wie die Größe der Kristalle liegt, die die Membran bilden.
3. Speicherelektrode nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Membran annähernd 500 Ä beträgt.
4. Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein verdampfbarer Film quer zu dem Haltering gebildet wird, dessen Abmessungen mit denen der endgültigen Elektrode vergleichbar sind, daß auf dem Film ein Magnesiumüberzug aufgedampft und diese Anordnung zur Zersetzung des Films und Oxydation des Magnesiumüberzugs erwärmt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschriften Nr. 681 015, 893 504.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
DEG27103A 1958-05-23 1959-05-22 Speicherelektrode fuer Kathodenstrahlroehren und Verfahren zur Herstellung der Speicherelektrode Pending DE1109797B (de)

Applications Claiming Priority (1)

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DEG27103A Pending DE1109797B (de) 1958-05-23 1959-05-22 Speicherelektrode fuer Kathodenstrahlroehren und Verfahren zur Herstellung der Speicherelektrode

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