DE2727156A1 - Auftreffplatte und auftreffplattenanordnung fuer eine aufnahmeroehre und verfahren zu deren herstellung - Google Patents
Auftreffplatte und auftreffplattenanordnung fuer eine aufnahmeroehre und verfahren zu deren herstellungInfo
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Description
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f
PHN" P'4-4Q
Ό Voor/Va/RJ
' ■ ■ ι'··»-.--π 18.5.77
ii ΓJ, :
"Auftreffplatte und Auftreffplattenanordnung für eine
Aufnahmeröhre und \rerfahren zu deren Herstellung".
Die Erfindung bezieht sich auf eine halbleitende Auftreffplatte mit einer strahlungserapfindlichen
Schicht zur Umwandlung von Strahlung in elektrische Signale, wobei auf der Seite der einfallenden
Strahlung die strahlungsempfindliche Schicht
mit mindestens einer für die genannte Strahlung durchlassigen Elektrode versehen ist.
Die Erfindung bezieht sich auch auf eine Auf treff plattenanordnung für eine Aufnahmeröhre- mit
einer derartigen hc-ilbl eitenden Auf tref'fpl art e wobei
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auf der Seite der einfallenden Strahlung ein Fenster vorhandenist, durch das Strahlung auf die Schicht
einfallen kann, wobei die Auftreffplatte auf einem
Träger angeordnet ist, der aus einem Ring aus elektrisch isolierendem Material besteht.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine Aufnahmeröhre mit einer derartigen Auftreffplattenanordnung
und auf ein Verfahren zui- Herstellung dieser Auftreffplattenanordnung.
Auftreffplatten und Auftreffplattenanordnungen
der obenbeschriebenen Art sind allgemein bekannt. Das von der Strahlung (die, je nach der Anwendung,
elektromagnetischer sowie korpuskularer Art sein kann) erzeugte Ladungsbild bzw. Potentialbild
wird dabei von einem Elektronenstrahl abgetastet und die von der (den) Elektrode(n) herrührenden
elektrischen Signale werden als Bildsignal in einer dazu geeigneten Schaltung weiter verarbeitet.
Dabei werden die von der (den) Elektrode(n) herrührenden Signale im allgemeinen zunächst einer
Teilschaltung zugeführt, deren Ausgang das Signal in umgewandelter Form, z.B. in verstärkter Form,
oder, nachdem es einer Impedanztransformation oder einer Verzögerung unterworfen worden ist, entnommen
und zur weiteren Verarbeitung dem übrigen Teil der
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Schaltung zugeführt wird.
Für das Signal-Rausch-Verhältnis ist es dabei von besonderer Bedeutung, dass das von der (den)
Elektrode(n) herrührenden Signal über eine möglichst
niedrige Kapazität der genannten Teilschaltung zugeführt vird. Dies ergibt oft Probleme bei bekannten
Auftreffplattenanordnungeh, bei denen die Elektroden
der Auftreffplatte mit u.a. der Fassung der
Aufnahmeröhre verbunden sind und dadurch eine verhältnismässig grosse Eingangskapazität liefern.
Die Erfindung bezweckt u.a., eine Auftreffplaibte
zu schaffen, die es ermöglicht, die Anzahl von Glasdurchführungen auf ein Mindestmass
herabzusetzen oder die Anwendung dieser Glasdurchführungen sogar völlig zu vermeiden.
Die Erfindung bezweckt weiter, eine Auftreffplattenanordnung
für diese Auftreffplatte zu schaffen, die auf technologisch vorteilhafte Weise
verwirklicht werden kann und bei der die Eingangskapazität für das von der (den) Elektrode(n) der
Auftreffplatte herrührenden Signal erheblich niedriger
als bei bekannten Bauarten ist, wobei diese Auf tref fplattenanordiiung ausserdem auf sehr
einfache Weise in der Aufnahmeröhre montiert werden kann.
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Auch bezweckt die Erfindung, eine Aufnahmeröhre mit einer derartigen sehr zweckmässigen Auftreff plattenanordnung zu schaffen.
sonders vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung einer derartigen Auftreffplattenanordnung anzugeben.
Der Erfindung liegt u.a. die Erkenntnis zugrunde, dass der angestrebte Zweck dadurch erreicht werden kann, dass die vorgenannte Teilschaltung in Form einer integrierten Schaltung mit der Auftreffplatte in einer Halbleiterscheibe gebildet und der diese integrierte Schaltung ent
haltende Teil der Halbleiterscheibe ausserdem auf geeignete Weise bei der Abdichtung der Auftreffplattenanordnung verwendet wird.
Es sei bemerkt, dass der Ausdruck "integrierte Schaltung" in diesem Zusammenhang in wei
tem Sinne als Schaltung mit einem oder mehreren in der Halbleiterscheibe gebildeten Halbleiterschal-
tungselementen aufzufassen ist, wobei diese Schaltung unter Umständen aus nur einem einzigen Halb
leiterbauelement, z.B, einem Transistor, mit zugehörigen
Anochlussleitern bestehen kann.
Eine Auftreffplatte der eingangs genannten
Art ist daher dadurch {jekcnnzeiclinet, dass sic
aus einem dicken aiiikristailinen Randteil, der eine
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darin integrierte Schaltung mit mindestens einem Halbleiterschaltungselement zur Verarbeitung der
von der durchlässigen Elektrode herrührenden elektrischen Signale enthält, und aus einem dünneren mittleren Teil aufgebaut ist, der aus der strahlungsempfindlichen Schicht mit der darauf liegenden
durchlässigen Elektrode besteht, wobei diese Elek trode gleichstrommässig mit einem Eingang der integrierten Schaltung verbunden ist.
se für diejenigen Fälle, in denen die Elektroden aus einer Vielzahl von Streifen bestehen, die sich
praktisch parallel zueinander erstrecken. Eine derartige Auftreffplatte ist z.B. aus der US-PS 2,4^6.2^9 bekannt, bei der die streifenförniigen Elektroden in drei Gruppen unterteilt sind, um z.B. ein "rotes", ein "blaues" und ein "grünes" Bildsignal zu liefern. Dabei ist es in gewissen Fällen
wünschenswert, die von jeder streifenförmigen Elek— trode herrührenden Bildsignale gesondert zur Verarbeitung einem Eingang eines Schieberegisters mit
einem oder mehreren Ausgängen zuzuführen, die mit dem weiteren Teil der SignalVerarbeitungsschaltung
verbunden sind. Ein derartiges System ist z.B. in
der nicht vorvei'öffentlichten niederländischen Patentanmeldung
Nr. Ju 01 361 der Anmeldc-riu be-
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schrieben, die am 11. Februar 1976 eingereicht wurde
und deren Inhalt, sofern er für die vorliegende Erfindung von Bedeutung ist, als in der vorliegenden
-Anmeldung enthalten zu betrachten ist.
Die Erfindung schafft nun eine Konstruktion, bei der insbesondere eine derartige Kombination
streifenförmiger Elektroden und eines oder mehrerer Schieberegister auf sehr vorteilhafte Weise
unter drastischer Herabsetzung der benötigten Anzahl nach aussen führender Verbindungen erhalten
werden kann, wobei das Schieberegister in der Halbleiterschiebe integriert wird, und wobei, irn
Gegensatz zu Kombinationsmöglichkeiten üblicherer Art, keine (oft verhältnismässig hochohmigen)
Glasdurchführungen zu der Auftreffplatte erforderlich
sind. Dabei befindet sich ausserdem die integrierte Schaltung nicht in dem Röhrenvakuum
und beeinträchtigt dadurch die elektrische Feldverteilung in der Nähe der Auftreffplatte nicht
oder nahezu nicht.
Weiter ist eine Auftreffplattenanordnung
der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass die Auftreffplatte mit
der von der einfallenden Strahlung abgekehrten Seite ihres Randteiles vakuumdicht auf der Oberseite
des Trägers befestigt ist, dass sich das
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Fenster vakuumdicht dem genannten Randteil anschliesst und sich in Projektion wenigstens bis
zu dem Innenrand des ringförmigen Trägers erstreckt, und dass die Anschlüsse der Ausgänge und der für
Speisung und Steuerspannung benötigten Leitungen der integrierten Schaltung mit leitenden Schichten
verbunden sind, die sich wenigstens teilweise ausserhalb des Fensters auf dem Randteil erstrecken
und ausserhalb des Fensters mit Anschlussleitern versehen sind.
Die Auftreffplattenanordnung nach der Erfindung
weist u.a. den grossen Vorteil auf, dass die Sdgnaleingangskapazität sehr niedrig sein kann,
veil die Elektrode(n) nun nicht mehr direkt mit der Fassung der Aufnahmeröhre, sondern direkt mit
dem Eingang der integrierten Schaltung verbunden ist (sind). Weiter sind grundsätzlich keine Glasdurchführungen
durch die Röhre erforderlich, während ein druckbeständiges Fenster mit Abmessungen,
die viel kleiner als der Querschnittt der Aufnahmeröhre sind, genügend ist; dies im Gegensatz zu bekannten
Bauarten.
Um die Druckfestigkeit der Konstruktion zu vergrössern, ist eine bevorzugte Ausführungsform
dadurch gekeimzeichnet, dass das Fenster entlang
seines ganzen Randes den Innen.rand des Trägers
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überlappt, obgleich es unter Umständen genügend sein kann, dass die Ränder des Fensters und des Trägers
zusammenfallen. Spannungen in der Halbleiterscheibe werden dadurch auf ein Mindestmass beschränkt.
Die Auftreffplattenanordnung nach der Erfindung
bietet weiter den wichtigen Vorteil, dass die Gazeplatte, die in bekannten Aufnahmeröhren
zum Erzeugen eines für nahezu senkrechten Einfall des Elektronenstrahls günstigen Feldes verwendet
wird, auf einfache Weise in dieser Auftreffplattenanordnung
integriert werden kann. Dazu ist eine bevorzugte Ausführungsforni dadurch gekennzeiclrnet,
dass auf der von der Auftreffplatte abgekehrten
Seite des Trägers eine Gazeplatte vorhanden ist, deren Rand leitend auf einer am Rande des Trägers
vorgesehenen Metallisierung befestigt ist.
Vorteilhafterweise wird der vakuumdichte
Anschluss des Fensters an den Randteil der Auftreffplatte
über eine Isolierschicht, z.B. eine Glasschicht, erhalten, die sich auf der Seite der
einfallenden Strahlung über die Auftreffplatte und
die darauf liegenden Elektroden und Metallschichten erstreckt, wobei auf dieser Isolierschicht
das Fenster befestigt ist. Dies ist technologisch
vorteilhaft.
Weiter bietet die Erfindung die Möglichkeit,
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bei Anwendung zueinander paralleler streifenförmiger
Elektroden auf sehr geeignete Weise ein Farbfilter in der Auftreffplattenanordnung zu integrieren,
wobei sich das Farbfilter zwischen dem Fenster und den streifenförmigen Elektroden befindet und Bänder
mit verschiedener spektraler Durchlässigkeit enthält, die parallel zu den streifenförmigen Elektroden
verlaufen.
Ein besonders geeignetes Verfahren zur Herstellung einer Auftreffplattenanordnung der beschriebenen
Art ist weiter dadurch gekennzeichnet, dass von einer Halbleiterscheibe praktisch homogener
Dicke ausgegangen wird, dass in einem Randteil dieser Scheibe auf einer Seite eine integrierte
Schaltung gebildet wird, dass der mittlere Teil der Scheibe auf der genannten einen Seite mit mindestens
einer für Strahlung durchlässigen Elektrode versehen wird, die gleichstrommässig mit einem
Eingang der integrierten Schaltung verbunden ist, dass die Ausgänge der integrierten Schaltung mit
sich auf dem genannten Randteil erstreckenden Metallschichten versehen werden, dass dann die Halbleiterscheibe
auf der anderen Seite mit dem genannten Randteil vakuumdicht auf einen ringförmigen
Träger aus elektrisch isolierendem .Material befestigt
wird, dctss aiischl iesserid ein für die ge-
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nannte Strahlung durchlässiges Fenster auf der einen Seite derart befestigt wird, dass der Rand des Fensters
sich in Projektion wenigstens bis zu dem Innenrand des Trägers erstreckt, wobei die genannten
Metallschichten aus dem Fenster hervorragen, und dass danach der mittlere Teil der Halbleiterscheibe
auf der anderen Seite einer Materialentfernungsbehandlung unterworfen wird, wodurch das Material des
mittleren Teiles völlig entfernt wird, bis in der erhaltenen Öffnung die durchlässige Elektrode freigelegt
ist, wonach wenigstens in dieser Öffnung und auf der Elektrode eine strahlungsempfindliche
Schicht erzeugt wird.
Die Erfindung wird nachstehend für ein Ausführungsbeispiel an Hand Ider Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 schematisch im Querschnitt eine Auftreffplattenanordnung mit einer Auftreffplatte
nach der Erfindung,
Fig. 2 schematisch im Querschnitt eine Aufnahmeröhre mit einer Auftreffplattenanordnung
nach der Erfindung,
Fig. 3 schematisch in Draufsicht die Auftreffplattenanordnung, die in Fig. 1 im Querschnitt
längs der Linie 1 - I dargestellt ist,
Fig. 3a eine Abwandlung der Fig. 3,
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Ak>
Figuren k bis 9 schematisch im Querschnitt
eine Auftreffplattenanordnung nach der Erfindung in
aufeinanderfolgenden Herstellungsstufen, Fig. 10 schematisch eine Schaltung, in der
die Auftreffplatte aufgenommen ist,
Fig. 11 ein Detail der Schaltung nach Fig.
10,
Fig. 12 eine Draufsicht auf einen Teil der Schaltung nach Fig. 10, und
Fig. 13 schematisch einen Querschnitt längs der Linie XIII - XIII der Fig. 12.
Die Figuren sind rein schematisch und nicht massstäblich gezeichnet. Entsprechende Teile
sind in der Regel mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet.
Fig. 1 zeigt schematisch im Querschnitt eine Auftreffplattenanordnung für eine Aufnahmeröhre
mit einer Auftreffplatte nach der Erfindung. Die Auftreffplattenanordnung enthält eine HaIbleiterauftreffplatte
1, in diesem Beispiel aus pleitendem Silizium, mit einer strahlungsempfindlichen
Schicht 2t in diesem Beispiel aus Antimontrisulfid,
zur Umwandlung von Strahlung (in Fig.
1 mit den Pfeilen 3 angedeutet) in elektrische
Signale. Dabei ist auf der Seite der einfallenden Strahlung 3 die strahlungsempfindliche Schicht
2 mit mindestens einer für die Strahlung 3 durch-
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lässigen Elektrode k versehen. In diesem Beispiel
ist eine Anzahl zueinander praktisch paralleler streifenförmiger durchlässiger Elektroden h ,h ,k
usw. vorgesehen, wie aus der schematischen Draufsieht nach Fig. 3 deutlich ersichtlich ist. Nach
der Erfindung besteht die Auftreffplatte weiter
aus einem Randteil 7 aus einkristallinem Silizium, der eine integrierte Schaltung zur Verarbeitung
der von der durchlässigen Elektroden k herrührenden elektrischen Signale enthält, und aus einem
mittleren Teil aufgebaut ist, der aus einer strahlungsempfindlichen Schicht 2 mit den darauf vorhandenen
durchlässigen Elektroden k besteht, die gleichstrommässig mit einem Eingang 15 der genannten
integrierten Schaltung verbunden sind. Die integrierte Schaltung, die auf sehr verschiedene Weise
zusammengesetzt sein kann, ist in den Figuren 1 bis 9 nicht im Detail dargestellt, sondern liegt
innerhalb des gestrichelten mit 8 bezeichneten Gebietes des Randteiles 7· Di*« Auftref!'plattenanordnung
ist nach der Erfindung derart ausgebildet, dass die Auftreffplatte mit der von der einfallenden
Strahlung 3 abgekehrten Seite ihres Randteiles 7 vakuumdicht auf dem Träger 6 befestigt
ist, der aus einem Ring aus J.~o 1 iennaterial be-
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steht. Weiter ist auf der Seite der einfallenden Strahlung 3 ein Glasfenster 5 vorhanden, durch das
Strahlung 3 auf die Schicht 2 einfallen kann, wobei sich das Fenster 5 vakuumdicht dem genannten
Randteil 7 anschliesst und sich in Projektion wenigstens bis zu dem Innenrand 9 erstreckt und im
vorliegenden Beispiel den Innenrand 9 des ringförmigen
Trägers 6 überlappt (siehe Fig. 1). Die Anschlüsse 16 der Ausgänge und der für Speisung
und Steuerspannung benötigten Leitungen der integrierten Schaltung sind nach der Erfindung mit
leitenden Schichten 10 verbunden, die sich wenigstens teilweise ausserhalb des Fensters 5 auf dem
Randteil 7 erstrecken und ausserhalb des Fensters 5 '»it Anschlussleitern 11 versehen sind. Im hier
beschriebenen Beispiel enthält der Träger 6 an seinem Aussenrand einen dickeren, auf der Seite
der einfallenden Strahlung 3 wenigstens teilweise metallisierten Teil, wobei die mit den Ausgangs-,
SpeisungS" und Steuerspannungsanschlüssen 16 der integrierten Schaltung verbundenen Anschlussleiter
11 auf dieser Metallisierung 35 befestigt sind und sich ein äusserer Anschlussleiter 36 gleichfalls
dieser Metallisierung 35 anschliesst (siehe Fifj. 1).
Die beschriebene Auftreffplattenanord-
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nung kann mit dem Träger 6 direkt auf der Glasumhüllung 12 einer Aufnahmeröhre z.B. mittels einer Indiumschweisse
13 befestigt werden, die eine auf dem Träger 6 gebildete Metallschicht 14 mit dem
Glasrohr 12 verbindet, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Da die Elektroden h dadurch nicht mit der
Passung der Aufnahmeröhre, sondern direkt mit dem Eingang 15 dir integrierten Schaltung verbunden
sind, ist die Kapazität am Signale ingang niedr*ig.
Ein weiterer wichtiger Vorteil ist der (siehe Fig. i), dass auf der Seite der Auftreffplatte
keine Glasdurchführungen erforderlich sind und dass ein verhältnismässig kleiner Querschnitt des
Fensters 5 genügt, das nicht den vollständigen Querschnitt des Rohres 12 zu bedecken braucht und
dadurch leicht gegen den äusseren Druck beständig ist. Dadurch, dass sich das Fenster mindestens
bis zu dem Rand 9 des Trägers erstreckt, wird ein sehr druckbeständiges Gebilde erhalten. Zum
Schutz körnen noch die Abschirmkappen 17 und 18 (siehe Fig. 1) angeordnet werden.
Der vakuumdichte Anschluss des Fensters 5 an den Randteil 7 der Auftreffplatte wird in
diesem Beispiel durch eine Isolierschicht, in diesem Falle eine Siliziumoxidsch.icht 19» hergestellt,
die sich auf der Seite der einfallenden
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Strahlung 3 über die Auftreffplatte und die darauf
liegenden Elektroden k und Metallschichten 10 erstreckt, wobei das Fenster 5 auf dieser Isolierschicht
19, in diesem Beispiel mit Hilfe eines durchsichtigen Kitts 20 (siehe Fig. 1), befestigt
ist. Grundsätzlich ist es aber auch möglich, das Fenster direkt auf der Auftreffplatte und den
Elektroden festzukitten. Durch Anwendung der isolierenden Glas- oder Oxidschicht 19 werden Beschädigungen
der Auftreffplatte, insbesondere des dünnen
mittleren Teiles derselben, vermieden.
Vorzugsweise sind, wie im vorliegenden Beispiel, der Randteil 7 der Auftreffplatte auf
der Seite des Trägers 6 sowie der Träger 6 an der Stelle seiner Berührungsfläche mit der Auftreffplatte
metallisiert. Diese Metallisierung 21 erstreckt sich im vorliegenden Beispiel auch über
den Innenrand des Trägers 6, was aber nicht erforderlich ist.
Wie in Fig. 1 angegeben ist, kann bei einer Auftreffplattenanordnung nach der Erfindung
auf besonders vorteilhafte Weise die übliche Gazeplatte, die zur Förderung des senkrechten Einfalls
des Elektronenstrahls dient, angeordnet werden.
Dies kann nämlich dadurch erfolgen, dass der Rand 22 dieser Gazeplatte 23 leitend auf der bereits
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genannten am Rand des Trägers 6 vorgesehenen Metallisierung 14 befestigt wird, wodurch diese Gazeplatte
23 mit der Auftreffplattenanordnung ein Ganzes
bildet.
Fig. 2 zeigt, wie die beschriebene Auftreffplattenanordnung
in einer Aufnahmeröhre nach der Erfindung montiert ist, wobei diese Aufnahmeröhre
weiter die üblichen Mittel (Glühkathode 2k, Wehneltzylinder 25, Ablenkspulen 26, usw.) enthält,
um einen Elektronenstrahl 27 zu erzeugen, mit dem die
von der einfallenden Strahlung 3 abgekehrte Seite der Auftreffplatte abgetastet werden kann, wobei
der Aussenrand des Trägers 6 auf der von der Strahlung 3 abgekehrten Seite vakuumdicht auf dem
Rand der Aufnahmeröhre 12 befestigt ist.
Eine Auftreffplattenanordnung nach den
Figuren 1 und 3 wird nach der Erfindung mit Vorteil auf folgende Weise hergestellt.
Es wird (siehe Fig. k) von einer HaIbleiterscheibe
30 aus z.B. p-leitendem Silizium mit einem spezifischen Widerstand von z.B. 6
Xz .cm und z.B. einer (100)-0rientierung ausgegangen.
Die Scheibe 30 weist eine praktisch homogene Dicke von 250/uni auf. In einem Randteil dieser Scheibe
wird dann durch Anwendung in der Hai blei t ortec lino
logie allgemein üblicher Dotierungstecluii ken,
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2a
z.B. Diffusion oder·Ionenimplantation, die für die
Erfindung nicht wesentlich sind und daher hier nicht im Detail beschrieben werden, auf einer Seite eine
integrierte Schaltung gebildet. Diese integrierte Schaltung, die viele Formen aufweisen kann, ist
schematisch in Fig. 5 mit einer gestrichelten Linie 8 angegeben. Während der Herstellung dieser integrierten
Schaltung wird auf der 'Scheibe 30 eine
Oxidschicht 31 erzeugt, die in diesem Beispiel, obschon dies nicht unbedingt notwendig ist, von
der Unterseite der Scheibe entfernt wird, während weiter auf übliche Weise auf photolithographischem
Wege in die Schicht 31 Kontaktfenster (32,33) zum
Anschliessen von Leitern an die integrierte Schaltung geätzt werden.
Der mittlere Teil der Scheibe 30 wird nun
auf der genannten einen Seite, auf der sich die integrierte Schaltung befindet, mit mindestens einer
für Strahlung durchlässigen Elektroden h versehen.
In diesem Beispiel werden mehrere zueinander parallele streifenförmige Elektroden 4 angeordnet,
die z.B. aus SnO- und/oder InO„-Schichten mit einer
Dicke von z.B. 0,2/um bestehen, Fig. 6 zeigt einen Querschnitt durch eine der Elektroden 4.
Unter Umständen könnte aber auch eine einzige Elektrode 4, die den ganzen mittleren Teil der
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Scheibe bedeckt, verwendet werden. Die Elektroden k sind mit je einem Eingang 15 der integrierten
Schaltung über ein Fenster 32 verbunden. Die SnO-Schicht
wird z.B. durch Aufdampfen (siehe z.B.
"Thin Solid Films", Band 33. 1976, S. L 5) oder
durch Aufspritzen erhalten. Die Schicht wird in die Form streifenförmiger Elektrodenschichten k
gebracht, z.B. dadurch, dass die Schicht mit einer Chrommaske bedeckt und der nichtmaskierte
Teil der Schicht durch Zerstäuben entfernt wird, wonach das Chrom entfernt wird.
Die Ausgangsanschlüsse 16 der integrierten
Schaltung werden mit Metallschichten 10, z.B. Aluminiumschichteii, versehen, die sich auf dem
Randteil der Scheibe auf der Oxidschicht 3I erstrecken
und sich über die Fenster 33 der integrierten Schaltung anschliessen (siehe Fig. 6).
Diese Schichten werden dadurch erzeugt, dass Aluminium aufgedampft und durch Anwendung des üblichen
photolithographischen Atzverfahrens in die gewünschte Form geätzt wird. Dann wird über das
Ganze eine 0,6 /um dicke Schutzschicht 19 aus Siliziumoxid durch pyrolytische Ablagerung gebildet.
Dies ist für die Erfindung jedoch nicht unbedingt notwendig.
Anschliessend wird die Halbleiterscheibe
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30 auf der anderen Seite mit ihrem Randteil vakuumdicht auf einem ringförmigen Träger 6 befestigt
(siehe Fig. 7)· Der Träger 6 besteht aus elektrisch 'isolierendem, im vorliegenden Beispiel keramischem,
Material. Die Ränder des Trägers sind im vorliegenden Beispiel z.B. mit einer Kupfer- oder Aluminiumschicht
21 metallisiert. Da in diesem Beispiel die Oxidschicht 3I von der Unterseite der Scheibe
30 entfernt irorden ist, kann diese mit ihrem Rand
leicht, z.B. mittels einer Silizium-Gold-Legierung, auf der Metallisierung 21 des Trägers erzeugt werden.
Wenn die Oxidschicht 3I nicht von der Unterseite der Scheibe entfernt wird, wird ein anderes
Verfahren zum vakuumdichten Anschliessen (Kitten) gewählt.
Dann wird auf der einen Seite, auf der sich die integrierte Schaltung befindet, ein für
die einfallende Strahlung durchlässiges Fenster 5 vorgesehen. In diesem Fall ist dieses Fenster ein
Glasfenster mit einer Dicke von einigen Millimetern, z.B. zwischen 1 und 6 mm, auf dem ein Farbfilter
angeordnet ist, das aus aufgedampften Streifen mit verschiedener spektraler Durchlässigkeit besteht,
die abwechselnd drei komplementäre Farben, z.B.
Rot, Grün und Blau, durchlassen. Diese Streifen bestehen z.B. aus TiO -SiO^-Schichten. Die Strei-
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fen 3^1» 3^0 usw· des sich auf dem Fenster 5 befindenden
Farbfilters 3k (siehe Fig. 3) liegen je einem
Elektrodenstreifen 4.. , k usw. gegenüber. Sie
können auf einfache Weise direkt darauf ausgerich- tet werden, wonach das Fenster mit der Filterseite
mittels einer transparenten Kittschicht 20 auf der Oxidschicht 19 befestigt wird. Dabei wird der
Durchmesser des Fensters 5 derart gewählt, dass es sich in Projektion mindestens bis zu dem Innen-
rand des Trägers 6 erstreckt, wobei in diesem Beispiel das Fenster diesen Innenrand überlappt (siehe
Piß. 8).
Anschliessend wird der mittlere Teil der Siliziumscheibe von der dem Träger 6 zugewandten
Seite her, z.B. in einem KOH, K„Cr?07 und Isopro-
panol enthaltenden Atzbad oder in einem hydrazinhaltigen
Atzmittel, weggeätzt, wobei die übrigen Teile der Anordnung vor diesem Atvorgang durch
eine in der Zeichnung nicht dargestellte Ätzmaske geschützt werden. Der Ätzvorgang wird dabei
automatisch gestoppt, wenn das Silizium über die ganze Dicke durchgeätzt ist, weil die Siliziumoxidschicht
31 von dem Atzbad praktisch nicht angegriffen
wird. Danach wird in einem zweiten Atzschritt, z.B. nit einem HF-haltigen Ätzmittel, die
Oxidschicht 'JT auf dem mittleren Teil der Scheibe
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entfernt, bis die Elektrodenschichten 4 freigelegt sind. Auf diesen Elektrodenschichten h und auf dem
Rande der Scheibe 30 wird anschliessend durch Aufdampfen
im Vakuum über eine Maske eine z.B. 1 /um dicke strahlungsempfindliche Schicht 2, im vorliegenden
Beispiel aus Antimontrisulfid (Sb„S ) erzeugt. Weiter können erwünschtenfalls in dieser
Stufe die Leiter 11 gebildet werden, die sich metallisierten Teilen 35 des Trägers 6 anschliessen.
Die Auftreffplattenanordnung ist nun grundsätzlich fertig. Erwünschtenfalls kann eine
Gazeplatte 23 aus z.B. Kupfergaze nun mit ihrem Rande 22 leitend auf der Metallisierung i4 des
Trägers 6, z.B. durch Punktscliweissen, befestigt werden, wonach das Ganze durch die Indiumschweisse
13 auf der Glasumhüllung 12 der Aufnahmeröhre befestigt .werden kann (siehe Figuren 1 und 2),
worauf die Röhre mit ihren weiteren Einzelteilen auf bekannte Weise fertigmontiert wird.
Es sei noch bemerkt, dass, wenn die Auftreffplatte nicht für sichtbares Licht, sondern
ZvB. im Infrarotbereich verwendet wird, die Elektrodenschichten k auch mit Vorteil aus polykristallinem
Silizium hergestellt werden können,
was technologisch günstig sein kann. Die Weise,
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auf die eine Auftreffplatte der obenbeschriebenen
Art verwendet werden kann, ist im Detail in der vorgenannten älteren nicht vorver'offentlichten niederländischen Patentanmeldung Nr. 76 01 36I beschrie-
ben. Die Wirkungsweise wird ausserdem in grossen
Zügen an Hand der Figuren 10 bis 13 beschrieben
werden.
In Fig. 10 ist schematisch die Schaltung^ dargestellt, mit der die Auftreffplatte der Auf
nahmeröhre, wie oben beschrieben, ausgelesen wird.
Auf die strahlungsempfindliche Schicht 2 fällt über die durchsichtigen Elektrodenstreifen 4.. , 4 usw.
ein Strahlungsbild ein. Vor dem Einfallen der Strahlung ist die gegenüberliegende Oberfläche
durch Abtasten mit dem Elektronenstrahl 27 auf
das Potential des Elektronenstrahlerzeugungssystems, das im vorliegenden Beispiel an Erde
liegt, gebracht. Durch die einfallende Strahlung werden die durch die unter den Streifen 4 liegen
den Teile der Schicht 2 gebildeten Kapazitäten
mehr oder weniger entladen. Dadurch wird ein dem Strahlungsbild entsprechendes Potentialbild auf
der strahlungsempfindlichen Schicht 2 erhalten. Indem die Schicht 2 aufs neue mit dem Elektronen
strahl 27 in einer zu der der Streifen 4 senkrech
ten Richtung (nach dem Pfeil 4θ in Fig. 10) abge-
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PHN 18.5.77
tastet wird, wird die abgetastete Oberfläche wieder auf Erdpotential gebracht und wird das Potentialbild
auf die Streifen 4 übertragen. Von den Strei-'fen k wird das Signal im vorliegenden Beispiel auf
zwei Ausgänge U und U„ dadurch übertragen, dass
wechselweise Schalter geschlossen werden, die durch MOS-Transistoren T und T_ gebildet werden.
Dazu sind die Elektrodenstreifen h in zwei Gruppen
unterteilt, wobei die Transistoren T mit den Streifen h , U usw. und die Transistoren T2 mit
den zwischenliegenden Streifen H , U. usw. verbunden
sind. Nur einige Streifen k sind in den Figuren 3 und 10 dargestellt; tatsächlich beträgt
ihre Anzahl meist 400 bis 800.
Wenn z.B. der zu dem Elektrodenstreifen
4. gehörige Transistor T leitend wird, wird die
zu diesem Streifen gehörige Kapazität über die Ausgangsleitung U , in der ein Verstärker A. mit
rückgekoppeltem Widerstand r aufgenommen ist, entladen und am Ausgang U tritt ein entsprechendes
Videosignal auf, das in einer weiteren nicht dargestellten Schaltung auf übliche Weise verarbeitet
wird. Auf gleiche Weise liefern die Streifen U2, k. usw. ein Videosignal am Ausgang U2 über
den Verstärker A„ mit rückgekoppelten Widerstand
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PHN 8449
as 18·5·77
Die Spannungsimpulse an den Gate-Elektroden
der Transistoren T und T3, mit denen diese leitend
gemacht werden, werden von einem Schieberegister R mit identischen Stufen R1,R ...R geliefert.
Dieses Schieberegister ist im vorliegenden Beispiel von dem in "I.E.E.E. International Solid State Circuits
Conference", Februar 1971, S. 130 - 131 beschriebenen
Typ. Das elektrische Schaltbild einer Stufe (R1) ist in Fig. 11 dargestellt; jede Stufe
enthält vier MOS-Transistoren T_ bis T^. Das
3 ο
Schieberegister R weist einen Erdanschluss C auf; die ungeraden Stufen R , R usw. und die geraden
Stufen R_, R. usw. werden mit Taktimpulsen 0. bzw.
02 betrieben, deren Form in der Figur schematisch
dargestellt ist. Ein am Anfang des Schieberegisters an einem Transistor T eingeführter Startimpuls
wird von dem Taktimpuls durch das Register geschickt und liefert bei jeder Stufe eine Spannung
an der Gate-Elektrode desi.an diese Stufe angeschlossenen Feldeffekttransistors (T bzw. T3),
wodurch dieser Transistor zu diesem Zeitpunkt leitend wird und ein Ausgangssignal an U bzw. UQ
liefert, Auf diese Weise wird die Auftreffplatte ausgelesen und dieses Auslesen wird nach jeder
Teilbildabtastperiode wiederholt.
Nach der Erfindung werden im vorliegen-
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PHN 8449 18.5.77
den Beispiel die Transistoren T und T_ sowie das
Schieberegister als eine integrierte Schaltung in den Randteil 7 der Auftreffplatte aufgenommen. Zur
'Illustrierung ist der in Fig. 10 von der strichpunktierten Linie umrahmte Teil in Draufsicht in
Fig. 12 dargestellt, während Fig. I3 schematisch einen Querschnitt durch einen Teil des Randes 7 der
Auftreffplatte längs der Linie XIII - XIII der Fig. 12 zeigt. Die Kontaktlöcher sind in den Figuren 3i
Ja. und 12 mit einem diagonalen Kreuz bezeichnet;
die Metallschichten sind schraffiert; die Begrenzungen der in das p-leitende Gebiet 7 eindiffundierten
η-leitenden Zonen sind mit vollen Linien angedeutet. Der Einfachheit halber ist in Fig.
die Oxidschicht 31 überall mit gleicher Dicke angegeben,
d.h., dass Dickenunterschiede zwischen Feld- und Gate-Oxid vernachlässigt worden sind;
auch sind Details, wie z.B. die üblichen kanalunterbrechenden Zonen, weggelassen. Wie aus den
Figuren 12 und 13 ersichtlich ist, werden die Leiter U , U , 0 , 0. und C durch hochdotierte
η-leitende Zonen gebildet, die an anderen Stellen auf der Scheibe kontaktiert werden. Die weiteren
Verbindungen und die Gate-Elektroden werden durch Metallschichten gebildet, die sich auf der
Oxidschicht 3I erstrecken. Nach einer Abwandlung,
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PHN 8449 ι* 18.5.77
die in Fig. 3a in Draufsicht schematisch dargestellt
ist, kann der Randteil 7 der Scheibe zweckmässiger dadurch benutzt werden, dass die Elektrodenstreifen
'4 wechselweise auf gegenüberliegenden Seiten der Scheibe an zwei einander gegenüber liegende Schieberegister
R . . .R und S ...S angeschlossen werden, die Ausgänge U , U und Taktspannungen φ φ bzw.
U , U·, 0 und φ, und einen gemeinsamen Anschluss
C aufweisen, wobei die Taktspannungen erwünschtenfalls
miteinander gekoppelt sein können. Eine weitere Abwandlung kann dadurch erhalten werden, dass
die Elektrodenstreifen 4 z.B. in drei Gruppen (für
drei komplementäre Farben) miteinander verbunden und ausgelesen werden. Veiter können erwünschtenfalls
auch die Verstärker A und A in den Randteil der Halbleiterscheibe aufgenommen werden.
Vie aus den Figuren hervorgeht, ist nach der Erfindung trotz einer Vielzahl von Elektrodenstreifen
nur eine geringe Anzahl von Durchführungen nach aussen erforderlich, zu welchem Zweck bei der
Auftreffplattenanordnung gemäss der Erfindung ausserdem
keine Glasdurchführungen verwendet zu werden brauchen.
Die Ausführung mit streifenförmigen Elektroden
und unter Verwendung von Schieberegistern ist nur beispielsweise gegeben; die Ausführung der
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Elektrodenschicht(en) 4 und der integrierten Schaltung
kann beliebig geändert werden. Auch können Schieberegister von einem ganz anderen Typ als die
hier beschriebenen Register Anwendung finden.
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Claims (1)
- PHN 18.5-77Patentansprüche;1. / Halbleitende Auftreffplatte mit einer strahlungsempfindlichen Schicht zur Umwandlung von Strahlung in elektrische Signale, wobei auf der Seite der einfallenden Strahlung die strahlungsempfindliche Schicht mit mindestens einer für die genannte Strahlung durchlässigen Elektrode versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Auftreffplatte aus einem dicken einkristallinen Randteil, der eine darin integrierte Schaltung mit mindestens einem Halbleiterschaltungselement zur Verarbeitung der von der durchlässigen Elektrode herrührenden elektrischen Signale enthält, und aus einem dünneren mittleren Teil aufgebaut ist, der aus der strahlungsempfindlichen Schicht mit der darauf liegenden durchlässigen Elektrode besteht, wobei diese Elektrode gleichstrommässig mit einem Eingang der integrierten Schaltung verbunden ist.2. Halbleitende Auftreffplatte nach Anspruch1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Anzahl zueinander praktisch paralleler streifenförmiger durchlässiger Elektroden vorhanden ist.3. Halbleitende Auftreffplatte nach Anspruch -2, dadurch gekennzeichnet, dass die integrierte Schaltung mindestens ein Schieberegister enthält. k. Halbleitende Auftreffplatte nach einem709882/0726ORIGINAL INSPECTEDPHN 18.5.77der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens die eine für Strahlung durchlässige Elektrode aus polykristallinem Silizium besteht. 5· Auftreffplattenanordnung für eine Aufnahmeröhre mit einer halbleitenden Auftreffplatte nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei auf der Seite der einfallenden Strahlung ein Fenster vorhanden ist, durch dass Strahlung auf die Schicht einfallen kann, wobei die Auftreffplatte auf einem Träger angeordnet ist, der aus einem Ring elektrisch isolierenden Materials besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Auftreffplatte mit der von der einfallenden Strahlung abgekehrten Seite ihres Randteiles vakuumdicht auf der Oberseite des Trägers befestigt ist; dass sich das Fenster vakuumdicht dem genannten Randteil anschliesst und sich in Projektion wenigstens bis zu dem Innenrand des !•±ng£örm±ggn Trägers erstreckt, und dass die Anschlüsse der Ausgänge und der für Speisung und Steuerspannung benötigten Leitungen der integrierten Schaltung mit leitenden Schichten verbunden sind, die sich wenigstens teilweise ausserhalb des Fensters auf dem Randteil erstrecken und ausserhalb des Fensters mit Anschlussleitern versehen sind.
6. Auftreffplattenanordnung nach Anspruch709882/0726PHN 8*4^ 18.5.775» dadurch gekennzeichnet, dass das Fenster entlang seines ganzen Randes den Innenrand des Trägers überlappt .7. Auftreffplattenanordnung nach Anspruch5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass der vakuumdichte Anschluss des Fensters an den Randteil der Auftreffplatte mit Hilfe einer Isolierschicht gebildet wird, die sich auf der Seite der einfallenden Strahlung über die Auftreffplatte und die darauf liegenden Elektroden und Metallschichten erstreckt, wobei das Fenster auf dieser Isolierschicht befestigt ist.8. Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 7» dadurch gekennzeichnet, dass der Randteil der Auftreffplatte auf der Seite des Trägers und der Träger an der Stelle seiner Berührungsfläche mit der Auftreffplatte metallisiert sind.9. Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass auf der von der Auftreffplatte abgekehrten Seite des Trägers eine Gazeplatte vorhanden ist, deren Rand leitend auf einer am Rande des Trägers gebildeten Metallisierung befestigt ist.10. Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 9» dadurch gekennzeichnet, dass709882/0728PHN
18.5.77das Fenster auf der Seite der streifenförmigen Elektroden ein Farbfilter mit Streifen verschiedener spektraler Durchlässigkeit enthält, die sich parallel zu den streifenförmigen Elektroden erstrecken.11. Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger an seinem Aussenrand einen dickeren, auf der Seite der einfallenden Strahlung wenigstens teilweise metallisierten Teil enthält, wobei die mit den Ausgangs-, Speisungs- und Steuerspannungsanschlüssen der integrierten Schaltung verbundenen Anschlussleiter auf dieser Metallisierung befestigt sind und sich ein äusserer Anschlussleiter auch dieser Metallisierung anschliesst.12. Aufnahmeröhre mit einer Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 11 und Mitteln zur Erzeugung eines Ekektronenstrahls, mit dem die von der einfallenden Strahlung abgekehrte Seite der Auftreffplatte abgetastet werden kann, dadurch gekennzeichnet, dass der Aussenrand des Trägers auf der von der einfallenden Strahlung abgekehrten Seite vakuumdicht auf dem Rand der Aufnahmeröhre befestigt ist.13· Verfahren zur Herstellung einer Auftreffplattenanordnung nach einem der Ansprüche 5 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass von einer Halbleiter-709882/0728PHN 8hh 18.5.77scheibe praktisch homogener Dicke ausgegangen wirdf dass in einem Randteil dieser Scheibe auf einer Seite eine integrierte Schaltung gebildet wird; dass .der mittlere Teil der Scheibe auf der genannten einen Seite mit mindestens einer für Strahlung durchlässigen Elektrode versehen wird, die gleichstrommässig mit einem Eingang der integrierten Schaltung verbunden ist; dass die Ausgänge der integrierten Schaltung mit sich auf dem genannten Randteil erstreckenden Metallschichten versehen werden; dass dann die Halbleiterscheibe auf der anderen Seite mit dem genannten Randteil vakuumdicht auf einem ringförmigen Träger aus elektrisch isolierendem Material befestigt wird; dass anschliessend ein für die genannte Strahlung durchlässiges Fenster auf der einen Seite derart befestigt wird, dass sich der Rand des Fensters in Projektion mindestens bis zu dem Inneni'and des Trägers erstreckt, wobei die genannten Metallschichten aus dem Fenster hervorragen) und dass danach der mittlere Teil der Halbleiterscheibe auf der anderen Seite einer Materialentfernungsbehandlung unterworfen wird, wodurch das Material des mittleren Teiles völlig entfernt wird, bis in der erhaltenen Öffnung die durchlässige Elektrode freigelegt ist, wonach wenigstens in dieser Öffnung und auf der Elektrode eine strahlunL;sempfindlichc Schicht erzeugt *vird.7Ω9882/0726
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---|---|---|---|
NL7607095A NL7607095A (nl) | 1976-06-29 | 1976-06-29 | Trefplaatmontage voor een opneembuis, en werkwijze voor de vervaardiging daarvan. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2727156A1 true DE2727156A1 (de) | 1978-01-12 |
DE2727156C2 DE2727156C2 (de) | 1989-02-23 |
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DE19772727156 Granted DE2727156A1 (de) | 1976-06-29 | 1977-06-16 | Auftreffplatte und auftreffplattenanordnung fuer eine aufnahmeroehre und verfahren zu deren herstellung |
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Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5854454B2 (ja) * | 1978-02-17 | 1983-12-05 | 株式会社日立製作所 | 撮像管用面板の製造方法 |
JPS54144817A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-12 | Hitachi Ltd | Pick up tube |
JPH0241815Y2 (de) * | 1981-03-31 | 1990-11-07 | ||
JPS5983327A (ja) * | 1982-11-04 | 1984-05-14 | Hitachi Ltd | 光電変換装置 |
JPS60110787U (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-27 | 株式会社クボタ | フランジガスケツト |
US4644390A (en) * | 1984-11-19 | 1987-02-17 | Fuji Photo Film Co. Ltd. | Photoelectric sensor array support package |
US4668891A (en) * | 1984-12-12 | 1987-05-26 | Rca Corporation | Pickup tube having a mesh assembly with field modifying means |
US4585513A (en) * | 1985-01-30 | 1986-04-29 | Rca Corporation | Method for removing glass support from semiconductor device |
JPS63101577A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | インテ−クマニホ−ルドガスケツト |
JPS63158651U (de) * | 1987-04-02 | 1988-10-18 | ||
GB2213632A (en) * | 1987-12-11 | 1989-08-16 | Philips Electronic Associated | Flat cathode ray tube display apparatus |
US5354695A (en) * | 1992-04-08 | 1994-10-11 | Leedy Glenn J | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
US4923825A (en) * | 1989-05-01 | 1990-05-08 | Tektronix, Inc. | Method of treating a semiconductor body |
DE69122168T2 (de) * | 1990-05-23 | 1997-04-03 | Hitachi Ltd | Bildaufnahmeröhre und Verfahren zum Betrieb derselben |
NL9100327A (nl) * | 1991-02-25 | 1992-09-16 | Philips Nv | Kathode. |
US6714625B1 (en) * | 1992-04-08 | 2004-03-30 | Elm Technology Corporation | Lithography device for semiconductor circuit pattern generation |
US6551857B2 (en) * | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
US5915167A (en) * | 1997-04-04 | 1999-06-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
US6748994B2 (en) * | 2001-04-11 | 2004-06-15 | Avery Dennison Corporation | Label applicator, method and label therefor |
US7402897B2 (en) * | 2002-08-08 | 2008-07-22 | Elm Technology Corporation | Vertical system integration |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2446249A (en) * | 1946-05-04 | 1948-08-03 | Rca Corp | Pickup tube for color television |
DE1801247B1 (de) * | 1968-10-04 | 1970-08-06 | Fernseh Gmbh | Fernsehaufnahmeroehre |
DE2011325A1 (de) * | 1969-03-15 | 1970-10-01 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Aufnahmeröhre mit isolierten Dioden und einer Widerstandsschicht |
US3814965A (en) * | 1971-07-28 | 1974-06-04 | Matsushita Electronics Corp | Color image pick-up tube having a silicon target plate |
DE2504187A1 (de) * | 1974-02-14 | 1975-08-21 | Philips Nv | Halbleiteranordnung zum sichern und nichtdestruktiven auslesen von bildinformation und speichersystem mit einer solchen anordnung |
DE2522971A1 (de) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 | Sony Corp | Elektrodenanordnung |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3548233A (en) * | 1968-11-29 | 1970-12-15 | Rca Corp | Charge storage device with pn junction diode array target having semiconductor contact pads |
US3740458A (en) * | 1969-09-18 | 1973-06-19 | Sony Corp | Image pickup tube |
BE759057A (de) * | 1969-11-19 | 1971-05-17 | Philips Nv | |
JPS5130438B1 (de) * | 1970-04-06 | 1976-09-01 | ||
DE2031320A1 (de) * | 1970-06-24 | 1971-12-30 | Siemens Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Auslesen des Informationsgehaltes eines optischen Speichers |
JPS5016134B1 (de) * | 1970-12-26 | 1975-06-11 | ||
US3725711A (en) * | 1971-06-01 | 1973-04-03 | Texas Instruments Inc | Image pick-up tube support structure for semiconductive target |
JPS5141536B2 (de) * | 1972-01-31 | 1976-11-10 | ||
NL7314804A (nl) * | 1973-10-27 | 1975-04-29 | Philips Nv | Opneembuis. |
US4107568A (en) * | 1973-12-03 | 1978-08-15 | Hitachi, Ltd. | Face plate for color pick-up tube |
US4070230A (en) * | 1974-07-04 | 1978-01-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor component with dielectric carrier and its manufacture |
US4103203A (en) * | 1974-09-09 | 1978-07-25 | Rca Corporation | Wafer mounting structure for pickup tube |
NL7601361A (nl) * | 1976-02-11 | 1977-08-15 | Philips Nv | Televisiekamera en daarvoor geschikte opneembuis. |
-
1976
- 1976-06-29 NL NL7607095A patent/NL7607095A/xx not_active Application Discontinuation
-
1977
- 1977-06-16 DE DE19772727156 patent/DE2727156A1/de active Granted
- 1977-06-22 CA CA281,117A patent/CA1081304A/en not_active Expired
- 1977-06-22 US US05/808,786 patent/US4166969A/en not_active Expired - Lifetime
- 1977-06-24 GB GB26589/77A patent/GB1567657A/en not_active Expired
- 1977-06-27 AU AU26495/77A patent/AU509437B2/en not_active Expired
- 1977-06-28 FR FR7719805A patent/FR2357059A1/fr active Granted
- 1977-06-28 JP JP7622877A patent/JPS533019A/ja active Pending
-
1979
- 1979-05-09 US US06/037,267 patent/US4251909A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-07-26 JP JP1984112594U patent/JPS60113951U/ja active Granted
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2446249A (en) * | 1946-05-04 | 1948-08-03 | Rca Corp | Pickup tube for color television |
DE1801247B1 (de) * | 1968-10-04 | 1970-08-06 | Fernseh Gmbh | Fernsehaufnahmeroehre |
DE2011325A1 (de) * | 1969-03-15 | 1970-10-01 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Aufnahmeröhre mit isolierten Dioden und einer Widerstandsschicht |
US3814965A (en) * | 1971-07-28 | 1974-06-04 | Matsushita Electronics Corp | Color image pick-up tube having a silicon target plate |
DE2504187A1 (de) * | 1974-02-14 | 1975-08-21 | Philips Nv | Halbleiteranordnung zum sichern und nichtdestruktiven auslesen von bildinformation und speichersystem mit einer solchen anordnung |
DE2522971A1 (de) * | 1974-05-23 | 1975-12-04 | Sony Corp | Elektrodenanordnung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU509437B2 (en) | 1980-05-15 |
AU2649577A (en) | 1979-01-04 |
US4251909A (en) | 1981-02-24 |
JPS533019A (en) | 1978-01-12 |
DE2727156C2 (de) | 1989-02-23 |
CA1081304A (en) | 1980-07-08 |
FR2357059B1 (de) | 1980-05-16 |
FR2357059A1 (fr) | 1978-01-27 |
NL7607095A (nl) | 1978-01-02 |
GB1567657A (en) | 1980-05-21 |
JPS60113951U (ja) | 1985-08-01 |
US4166969A (en) | 1979-09-04 |
JPS6114127Y2 (de) | 1986-05-01 |
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