DE2020355A1

DE2020355A1 - Aufnahmeroehre

Info

Publication number: DE2020355A1
Application number: DE19702020355
Authority: DE
Inventors: Hoeberechts Arthur Mari Eugene; Else Kooi
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1969-05-06
Filing date: 1970-04-25
Publication date: 1970-11-19
Also published as: ES379290A1; CA984888A; FR2047292A5; BE749983A; JPS5421694B1; US3737702A; GB1298866A; AT307524B; NL6906939A; SE361553B; CH521022A

Description

PHN.4044 ZeH*

r. ^,V, Philips' G!oel!ampenfabrfekeD
Akte No. pHH- 4044

Anmeldung vom« 23. April 1970

"Aufnahmeröhre".

wm m ·**

Die Erfindung bezieht eich auf eine Aufnahmeröhre »it einer Elektronenquelle und einer von einen von dieser Quelle herrührenden Elektronenstrahl abzutastenden strahlungsempfindlichen Auftreffplatte, die durch eine ^albleiterplatte gebildet wird, die auf der vom Elektronenstrahl abzutastenden Seite mit einem Mosaik von Gebieten versehen ist, die voneinander durch Nuten getrennt sind, in denen sich ein Isoliermaterial befindet, welche Gebiete j· einen gleichrichtenden Uebergang mit dem angrenzenden Teil von einem Leitungetyp der Halbleiterplatte (als Substrat bezeichnet) bilden.

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Eine derartige Aufnahmeröhre ist aus der amerikanischen Patentschrift 3.456.312 bekannt. .Nach dieser Anmeldung sind die Nuten der Halbleiterplatte völlig mit einem Isoliermaterial ausgefüllt, wodurch die Platte eine praktisch ebene Oberfläche aufweist. Diese Aufnahmeröhre schafft eine nachstehend noch näher zu beschreibende Verbesserung in bezug auf eine andere bekannte Aufnahmeröhre, die eine Auftreffplatte vom planeren Typ hat. Bei einer Auftr-effplatte vom plan» ren Typ sind keine Nuten vorgesehen und bildet das Isoliermaterial eine Schicht auf der Oberfläche einer Halbleiterplatte, in welcher Schicht Oeffnungen _an der Stelle von üebieten angebracht sind, die mit einem Substrat vom einen Leitungstyp gleichrichtende Uebergänge bilden, während die Isolierschicht auf der Oberfläche das Substrat und die gleichrichtenden UebergSnge bedeckt. Ohne das Isoliermaterial würden - sowohl bei einer Aufnahmeröhre der eingangs erwähnten Art wie auch bei der Aufnahmeröhre mit einer Auftreffplatte vom planaren Typ - die gleichrichtenden Uebergänge kurzgeschlossen werden» oder würde der Elektronenstrahl durch die Gebiete» die voa Jölektronenstrahl aufgeladen werden» in Richtung auf das Substrat abgelenkt werden» wodurch Entfokuesierung des Elektronenstrahls auftritt und endgültig , eine erhebliche Kontrastverringerung im Fernsehbild herbeigeführt wird«

Bsi der Aufnahmeröhre alt einer Auftreffplatte ve» planaren Typ wird die isolierschicht vom Elektronen·trahl aufgeladen und veranlasst eine von der obenerwähnten Ablenkung verschiedene Ablenkung, und zwar eine Ablenkung, bei der der Elektronenstrahl nur teilweise oder gar nicht auf die Platte auftrifft. Im letzteren Falle ist die

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R öhre unwirksam.

Lie Ablenkung, bei der der Elektronenstrahl höchstens teilweise auf die Platte auftrifft, ist bei der Aufnahmerohre mit einer Auftreffplatte vom planaren Typ namentlich so stark, weil die vom Elektronenstrahl aufgeladene Isolierschicht, in Richtung des Elektronenstrahls gesehen, näher als die vom Elektronenstrahl abzutastenden Oberflächen der Gebiete liegt, wodurch die Ladungen in der Schicht einen erheblichen Einfluss auf die Ablenkung dea Elektronenstrahls ausüben.

Es sind eine Anzahl von Massnahmen bekannt, durch die der Ablenkung durch Ladungen auf oder in einer isolierschicht entgegengewirkt werden kann. Z.B. ist es bekannt, auf den Gebieten und auf der Isolierschicht eine leitende Metallschicht anzubringen, die die Ladungen abführt. Diese Massnahmen sind häufig verwickelt, führen neue Probleme herbei und müssen durch zusätzliche Herstellungsschritte verwirklicht werden.

Die in der amerikanischen Patentschrift 3·456.312 beschriebene Aufnahmeröhre schafft in bezug auf die Aufnahmeröhre mit einer Auftreffplatte vom planaren Typ eine erhebliche Verbesserung, weil bei der ersteren Röhre die ^uebiete und die mit Isoliermaterial ausgefüllten Nuten praktisch eine ebene Oberfläche bilden, wodurch, in Richtung des Elektronenstrahls gesehen, die Ladungen im Isoliermaterial in den Nuten ±n gleicher Entfernung wie die abzutastenden Oberflächen der Gebiete liegen, wodurch die Ladungen einen geringeren Einfluss auf den Elektronenstrahl ausüben und die Ablenkung geringer ist.

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Die Erfindung bezweckt u.a., die Wirkung der eingangs erwähnten Aufnahmeröhre weiter zu verbessern. Ihr liegt die Erkenntnis zugrunde, dass eine weitere Verbesserung dadurch erhalten werden kann, dass das isoliermaterial die Nuten nicht völlig ausfüllt.

Die eingangs erwähnte Aufnahmeröhre ist nach der Erfindung dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens die Oberfläche des Substrats in den Nuten und die Ränder der gleichrichtenden Uebergänge mit einer ersten dünnen Isolierschicht versehen sind. Eine derartige dünne Isolierschicht hat den Vorteil, dass die Ladungen, die gegebenenfalls durch den Elektronenstrahl auf oder in der Schicht herbeigeführt werden, in Richtung des Elektronenstrahls gesehen, in grösserer Entfernung als die vom Elektronenstrahl abzutastenden Überflächen der ^uebiete liegen, wodurch wenigstens in erheblichem Masse vermieden wird, dass der Elektronenstrahl durch die erwähnten Ladungen derart abgelenkt wird, dass die ^ebiete nicht oder nur teilweise vom Elektronenstrahl getroffen werden.

ψ Unter einen dünnen Schicht ist hier eine Schicht zu verstehen, die die Nuten nicht völlig ausfüllt. Die gleichrichtenden Uebergänge sind im allgemeinen praktisch flach und die Ränder sind Schnittlinien der Uebergänge mit den Wänden der Nuten.

Vorzugsweise enthält die Isolierschicht Siliciumoxyd

und besteht die Halbleiterplatte aus Silicium. Eine Siliciurnoxydschicht auf einer Siliciumplatte ergibt den Vorteil, dass sie als eine dichte und homogene Schicht angebracht werden kann.

Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Aufnahmeröhre

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nach der Erfindung ist auf jedem Gebiet eine Metallschicht angebracht, die über den an das Gebiet grenzenden Nuten hervorragt. Eine derartige Aufnahmeröhre hat den Vorteil, dass die Möglichkeit, dass die I-solierschicht in den Nuten vom Elektronenstrahl aufgeladen wird, durch die abschirmende Wirkung der hervorragenden Teile der Metallschicht erheblich verringert wird. Ausserdem werden die Prallflächen der Gebiete grosser und kann mehr Ladung in den Gebieten herbeigeführt werden.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform der Aufnahmeröhre nach der Erfindung ist eine erste Oberflächenzone des Substrats, die den gleichen Leitungstyp wie das Substrat aufweist und die an die Wände der Nuten grenzt, s.tärker als der an diese Oberflächenzone grenzende Teil des Substrats dotiert, welche erste OberflSchenzone sich höchstens bis zu den gleichrichtenden Uebergängen erstreckt. Mit einer derartigen Aufnahmeröhre wird verhindert, dass unter dem Einfluss von Ladungen auf oder in der in den Nuten befindlichen Isolierschicht eich Erschöpfungszonen von den gleichrichtenden Uebergängen her lunge der Oberfläche des an die Nuten grenzenden Teiles des Substrats ausbreiten, wodurch an dieser Oberfläche ein zusätzlicher Leckstrom erzeugt wird und sogar eine elektrische Verbindung zwischen den Gebieten gebildet werden kann·

Die erste OberflSchenzone hat auch noch einen weiteren Vorteil, der erhalten wird, wenn die Oberflächenzone wenigstens teilweise nicht parallel zu der anderen der abzutastenden Seite gegenüber liegenden Seite des Substrats verläuft. Wenn in der Oberflächenzone die Konzentration der Verunteinigung vom einen Leitungstyp in Richtung

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auf die Nutenwände hin zunimmt, ergibt sich daraus ein Driftfeld für Minoritätsladungsträger in der entgegengesetzten Richtung. Dieses ' Feld trägt dazu bei, dass beim Betrieb der Aufnahmeröhre im Substrat von einfallender Strahlung erzeugte MinorlfcStsladungsträger zu den näcbstliegenden Gebieten abgeführt werden.

Diese Wirkung der Oberfläohenzone wird bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Aufnahmeröhre nach der Erfindung noch verstärkt, bei der eine zweite Oberflächenzone des Substrats, die den gleichen Leitungstyp wie das Substrat aufweist und die an die andere der abzutastenden üeite gegenüber liegende Seite grenzt, stärker als der an die zweite Oberflächenzone grenzende Teil des Substrats dotiert ist. Die zweite Oberflächenzone wird nämlich nicht nur zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten, sondern auch zum Erhalten eines Driftfeldes verwendet,' das zu der anderen Seite nahezu senkrecht ist und auf die vom Elektronenstrahl abzutastende Seite gerichtet ist.

Insbesondere wenn der Konzentrationsverlauf der den Leitungstyp bestimmenden Verunreinigung in der ersten OberflSchenzone und die Dicke dieser Zone, wenigstens in nicht an die gleichrichtenden UebergSnge grenzenden Teilen, praktisch gleich dem Konzentrations« verlauf dieser Verunreinigung in der zweiten Oberflächenzone bzw. der Dicke dieser Zone sind, kann die Aufnahmeröhre auf einfache Weise hergestellt werden.

Bei einer weiteren Aueftthrungsform der Aufnahmeröhre naoh der Erfindung bestehen die Gebiete aus zwei Teilgebieten, die zusammen mit dem Substrat eine Transistorstruktur bilden. Die Isolierschicht in den Nuten, insbesondere eine dichte und homogene Schicht, erweist sich nämlich als besonders geeignet zur Herabsetzung unerwünschter

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Oberflächenerseheinungen an den Rändern der ^ebergänge zwischen den beiden Teilgebieten entgegengesetzter Leitungstype, wodurch eine Aufnahmeröhre mit der erwähnten Struktur ein von Strahlung erzeugtes Signal erheblich verstärkt.

Vorzugsweise sind der Konzentrationsverlauf der den Leitungstyp bestimmenden Verunreinigung in der zweiten Oberflächenzone und die Dicke dieser Zone praktisch gleich dem Konzentrationsverlauf dieser Verunreinigung in einem Teilgebiet vom gleichen -^eitungstyp wie das Substrat bzw. gleich der Dicke dieses Teilgebietes. Eine derartige Aufnahmeröhre hat eine Auftreffplatte mit einer Transistor-Struktur, die nahezu vollständig vor OberflächenrekombinationBeffekten geschützt ist, wobei diese Auftreffplatte sich ausserdem auf einfache Weise herstellen lässt. Eine Konfiguration, bei der das Substrat auf der anderen Seite mit einer zweiten Isolierschicht versehen ist, eignet sich gleichfalls besondere zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten auf dieser Seite.

Insbesondere lässt sich eine Aufnahmeröhre, bei der die erste und die zweite Schicht Oxyd des Halbleitermaterials des Substrats enthalten und praktisch die gleiche Dicke haben, auf einfache Weise herstellen.

Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf eine strahlungsempfindliche Auftreffplatte, die sich zur Anwendung in einer Aufnahmeröhre eignet, welche Auftreffplatte durch eine Halbleiterplatte gebildet wird, die auf einer Seite mit einem Mosaik von Gebieten versehen ist, die voneinander durch Nuten getrennt sind, in denen sich ein Isoliermaterial befindet, welche Gebiete je einen gleichrichtenden

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Uebergang mit dem genannten angrenzenden Teil vom einen Leitungstyp der Halbleiterplatte (als Substrat bezeichnet) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens die Oberfläche dee Substrats in den Nuten und die Ränder der gleichrichtenden Uebergänge mit einer ersten dünnen Isolierschicht versehen sind.

Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Auftreffplatte, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine Halbleiterplatte vom einen Leitungstyp auf einer Seite mit einer mit Oeffnungen versehenen Maskierungsschicht überzogen wird, wobei die Nuten, die die zu bildenden Gebiete voneinander trennen, dadurch erhalten werden, dass die OberflSche der Platte an der Stelle der Oeffnungen einer Materialentfernungsbehandlung unterworfen wird, während die Oberfläche der Halbleiterplatte in den Nuten durch Oxydation mit einer ersten isolierenden Oxydschicht versehen wird. Nach diesem Verfahren wird z.B. eine Siliciumhalbleiterplatte durch Oxydation dieser Platte mit einer Siliciumoxydschicht versehen, die homogen und dicht ist.

Vorzugsweise werden die Nuten durch Aetzen erhalten und wird eine fitz- und oxydationsbestSndige siliciumnitridhaltige Maskierungsschicht verwendet. Eine derartige Schicht maskiert sowohl bei einer Aetzbehandlung zum Anbringen der Nuten wie auch bei einer anßchließsenden Oxydation bei erhöhter Temperatur. Diese Schicht kann nach der Aetzung und Oxydation auf übliche Weise entfernt werden. Siliciumnitrid und Siliciumoxyd können, wenn sie nebeneinander auf eine Oberfläche angebracht aind, selektiv entfernt werden, wodurch ein Ausrichtsohritt mit einer Maske entbehrt werden kann und die Herstellung erheblich vereinfacht wird,

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Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung werden die Nuten durch Aetzen erhalten und wird als Maskierungsschicht eine ätzbeständige Metallschicht verwendet. Bei der Anwendung einer Metallschicht wird vor dem Aetzen der Nuten die Maskierungsschicht in Metallschichten auf den Gebieten unterteilt und tritt beim Aetzen der Nuten jeweils Unterätzung des Iialbleitermaterials unter den Metallschichten auf, so dass, wenn diese Schichten endgültig nicht entfernt werden, die Metallschichten über den an die Gebiete grenzenden Nuten hervorragen, wodurch eine Auftreffplatte für eine Aufnahmeröhre erhalten wird, die die oben bereits beschriebenen Vorteile aufweist.

Es sei noch bemerkt, dass es nicht erforderlich ist, dass die Maskierungsschicht und die erste isolierende Oxydschicht verschiedene Zusammensetzungen aufweisen. Bei einer weiteren günstigen Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung werden als Maskierungsschicht und als erste isolierende Oxydschicht Schichten praktisch gleicher Zusammensetzung verwendet« Diese Ausführungsform des Verfahrens weist einige Vorteile auf· So können bei Anwendung von Silicium ale Material für die Halbleiterplatte sowohl die Maskierungsschicht wie auch die erste Isolierschicht auf einfache Weise durch Oxydation der Halbleiterplatte erhalten werden.

Auch bei Halbleiterplatten aus anderen Halbleitermaterialien, die eich nicht leicht durch Oxydation der Halbleiterplatte mit Oxyd versehen lassen, können sowohl die MaBkierungsschicht wie auch die erste Isolierschicht durch Oxydation von z.B. Silan aus der Gasphase erhalten werden»

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Nachdem die erste Isolierschicht angebracht worden ist, wird die aus Oxyd bestehende Maskierungsschicht entfernt, wobei die erste Isolierschicht intakt bleiben muss. Diese Entfernung erfolgt z.B. durch Polieren oder durch Polieren und vorsichtiges Aetzen, welcher Vorgang aber besonders kritisch ist. Auch kann die Oberfläche der Halbleiterplatte, z.B. durch Eintauchen, mit einer ätzbeständigen Schicht versehen werden, wonach mit einem weichen Tuch die ätzbeständige Schicht von der Oberfläche der Maskierungsschicht entfernt, die Maskierungsschicht weggeätzt und anschliessend die ätzbeständige Schicht in den Nuten gelöst wird.

Vorzugsweise wird die Maskierungsschicht dadurch entfernt, dass die Oberfläche der Halbleiterplatte mit einer ätzbeständigen positiven Photolackschicht versehen, die Photolackschicht während einer in bezug auf übliche Belichtungszeiten kurzen Zeit belichtet und dann entwickelt wird, wonach die Maskierungsschicht weggeätzt wird.

Bei dieeer Ausführungsform wird die erste Isolierschicht nicht entfernt. Es stellt sich nämlich heraus, dass die Dicke der ) Photolackschicht auf der ersten Isolierschicht in den Nuten im Vergleich zu der Dicke der Photolackschicht auf der Maskierungsschicht auf den Gebieten groes ist, insbesondere an den Rändern der Maskierungpschicht. Durch eine kurzzeitige Belichtung wird eine dicke positive Photolackßchicht, wie die in den Nuten befindliche Photolacksohicht, nur oberflächlich in einem zugehörigen Lösungsmittel löslich, während eine dünne Schicht, wie sie auf der Maskierungsschicht, wenigstens an den Rändern, vorhanden ist, völlig löslich wird.

Beim Aetzen nach der Entwicklung werden wenigstens die Ränder der Maakierungsschicht geätzt und dann wird durch Unterätzung die ganze Maskierungsschicht entfernt. FJs hat sich herausgestellt,

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dass bei dieser Unterätzung nicht die Ränder der gleichrichtenden Uebergänge erreicht werden·

Bei einer weiteren bevorzugten Ausfübrungsform dee erfindungsgemässen Verfahrens wird vor der Oxydation eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp durch die Wände der Nuten in das Substrat eindiffurxdiert, damit eine erste höher dotierte Oberflächenzone vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat erhalten wird, wobei die maximale Konzentration dieser Verunreinigung in der ersten OberflSchen· zone kleiner als die der Verunreinigung vom entgegengesetzten Lei— tungstyp in denjenigen Teilen der Gebiete ist, die an die gleichrichtenden Uebergänge grenzen. Dadurch wird eine Auftreffplatte mit einem üriftfeld für eine Aufnahmeröhre der obenerwähnten Art erhalten, in der beim Betrieb die Ableitung von Minoritäteträgern zu dem nächetliegenden Gebieten verbessert wird.

Bei der Diffusion der Oberflächenzone wird dafür gesorgt, dass ein gegebenenfalls bereits angebrachter gleichrichtender Uebergang aufrechterhalten wird und höchstens, z.B. an den Rändern, einigermassen verformt wird.

Auch wird dafür gesorgt, dass bei der nach der Diffusion erfolgenden Oxydation die Oberflächenzone nur teilweise oxydiert wird·

Vorzugsweise wird die Maskierungsschicht von den Gebieten entfernt, riachdea die andere der abzutastenden Seite gegenüber liegende Seite des Substrats einer Behandlung zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten unterworfen worden ist*

Eine derartige Behandlung besteht meistens aus einer Oxydatione- und/oder einer Diffusions behänd lung. Durch die Ma st? nähme

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naoh der letzteren bevorzugten Ausfuhrungeform wird verhindert, aase Oxydation und/oder unerwünschte Ui!Tueion von Verunreinigungen in den Gebieten aultritt.

Vorzuge weise wird ssugleicn mit der Diffusion der Verunreinigung zum Erhalten der ersten OberfiXchenaone die gleiche Verunreinigung über di· andere Seite in daß Substrat eindiffundiert, damit eine zweite Oberflächenzone zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten auf dieser Seite erhalten wird. Durch diese Massnahme wird auf einfache Weise die obenbeschriebene Struktur erhalten, wobei der Konzentrationsverlauf der den Leitungstyp bestimmenden Verunreinigung in der ersten Oberflfichenzone und die Dicke dieser Zone, wenigstens in nicht an die gleichrichtenden UebergSnge grenzenden Teilen, praktisch gleich dem Konzentrationsverlauf dieser Verunreinigung in der zweiten Oberflächenzone bzw. der Dicke dieser letzteren Zone sind.

Nach einer weiteren besonderen Ausführungsform des Verfahrens gemäss der Erfindung wird über die Oberflfichen von Teilen der zu bildenden Gebiete eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp eindiffundiert, damit pro Gebiet zwei Teilgebiete erhalten werden, die zusammen mit dem Substrat eine Transistorstruktur bilden, während zugleich mit dieser Diffusion die gleiche Verunreinigung über die andere Seite in das Substrat eindiffundert wird, um eine zweite Oborflächenzone zur Herabsetzung von Oberflöchenrekombinationseffekten auf dieser Seite zu erhalten, wodurch auf einfache Weise eine Auftreffplatte nach der Erfindung mit einer Transietorstruktur erhalten wird, die nahezu vollständig vor OberflSchenrekombinntionseffekten geschützt ist,

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Vorzugsweise wird eine Oxidationsbehandlung der anderen Seite zum firhalten einer zweiten Oxydschicht zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten zugleich mit der Oxydation zum Erhalten der ersten Oxydschicht durchgeführt. Durch diese Massnahme wird auf einfache Weise eine Auftreffplatte nach der Erfindung mit z.B. einer Transistor- oder Diodenstruktur erhalten, welche Auftreffplatte nahezu vollständig vor Oberflachenrekombinationseffektett geschützt ist.

Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Ks zeigern

Fig. 1 schematisch einen Schnitt durch eine Ausführungsform einer Aufnahmeröhre nach der Erfindung, und

Fig. 2 in vergrössertem Masstab schematisch einen Schnitt durch einen Teil einer Ausführungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung;

Fig. 3 schematisch eine Draufsicht auf einen Teil der Auftreffplatte nach Fig. 2;

Figuren 4 - ° schematisch einen Schnitt durch die Auftreffplatte nach Fig. 2 in einer Anzahl von Herstellungsstufen;

Pig. 9 schematiscli einen Schnitt durch die Auftreffplatte nach Fig. 2 in einer Stufe eines abgewandelten Herstellungsverfahrens;

Fig. 10 schema tisch einen Schnitt: durch eine Auftreffplatte nach der Erfindung mit einer etwas abgeänderten Struktur;

Fig. 11 schematisch einen Schnitt durch einen Teil einer dritten Ausführungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung; Fig. 12 Bchematinch einen Schnitt durch einen Teil einer

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vierten Ausfuhrungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung;

Fig, 13 schematisch einen Schnitt durch einen Teil einor fünften Ausführungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung ;

Fig. 14 schematisch einen Schnitt durch einen Teil einer sechsten Ausführungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung; Fig. 15 scheraatisch einen Schnitt durch einen Teil

einer siebenten Ausführungsform einer Auftreffplatte nach der Erfindung.

Die Aufnahmeröhre 1, z.B. eine Fernsehaufnahmeröhre, nach Fig. 1 hat eine Elektronenquelle oder Kathode 2 und eine von einem von dieser Quelle 2 herrührenden Elektronenstrahl abzutastende strahlungsempfindIiehe Auftreffplatte 9 (siehe auch Figuren 2 und 3). Die Auftreffplatte 9 wird durch eine Halbleiterplatte 10 gebildet, die auf der vom Elektronenstrahl abzutastenden Seite mit einem Mosaik von Gebieten 11 versehen ist, die voneinander durch Nuten 12 getrennt sind und die je einen gleichrichtenden Uebergang 13 mit dem an diese Gebiete grenzenden Teil 14 vom einen Leitungstyp der Halbleiterplatte (als Substrat 14 bezeichnet) bilden.

Nach der Erfindung sind die Oberfläche des Substrats I4 in den Nuten 12 und die RSnder der gleichrichtenden Uebergänge 13 mit einer ersten dünnen Isolierschicht 15 versehen.

Die Aufnahmeröhre enthält auf übliche Weise Elektroden 5 zur Beschleunigung von Elektronen und zum Fokussieren des Elektronenstrahls. Ferner sind übliche Mittel zur Ablenkung des Elektronenstrahls vorgesehen, so dass die Auftreffplatte 9 abgetastet worden kann. Diese Mittel bestehen z.B. aus einem Spulensystem 7» Die Elektrode 6

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dient zur Abschirmung der Röhrenwand gegen den Elektronenstrahl. Ein aufzunehmendes Bild wird mit Hilfe der Linee 8 auf die Auftreffplatte 9 projiziert, wobei die Wand 3 der Röhre für Strahlung durchlässig ist. Ferner ist auf übliche Weise ein Sammelgitter 4 vorgesehen. Mit Hilfe dieses Gitters, das z.B. auch eine ringförmige Elektrode sein kann, können z.B. von der Auftreffplatte 9 herrührende Sekundärelektronen abgeführt werden.

Beim Betrieb wird das Substrat 14» das aus n-leitendem Silicium besteht, positiv in bezug auf die Kathode 2 vorgespannt. In Pig. 2 muss die Kathode 2 mit dem Punkt C verbunden werden. Wenn der Elektronenstrahl 30 ein Gebiet 11 passiert, wird dieses Gebiet praktisch auf das Kathodenpotential aufgeladen, wobei der gleichrichtende liebergang 1} in der Sperrichtung vorgespannt wird. Das Gebiet 11 wird dann völlig oder teilweise entladen, in Abhängigkeit von der Intensität der Strahlung 18, die in der Umgebung des betreffenden Gebietes 11 auf die Auftreffplatte auftrifft. Wenn der Elektronenstrahl wiederum das Gebiet 11 passiert, wird wieder Ladung zugesetzt, bis das Gebiet praktisch das Kathodenpotential angenommen hat. Diese Aufladung führt einen Strom über dem Widerstand R herbei. Dieser Strom ist ein Mass für die Intensität der Strahlung 18, die in einer einzigen Abtastperiode das Gebiet 11 völlig oder teilweise entladen hat» Ausgangssignale werden den Klemmen A und B über den Widerstand R entnommen.

Im vorliegenden Ausführungsbeispiel "bestehen die Gebiete 11 aus p-leitendem Silicium und sind die gleichrichtenden tlebergänge 13 pn-Uebergänge.

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Das Substrat I4 beÄteht aus η-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von 7 - 10χι.cm und hat, in Abhängigkeit von der Wellenlange der zu detektierenden Strahlung, eine Dicke von z.B. 10 bis 25u.m bei Anwendung für gewöhnliches Licht oder von etwa 200 UUm bei Anwendung für Infrarotdetektion. Die Gebiete 11 weisen einen Durchmesser von etwa 14IJUa und einen gegenseitigen Abstand von etwa 11Um auf. Die Nuten 12 haben eine Tiefe von etwa 5U-m, während die erste dünne Isolierschicht I5 aus Siliciumoxyd besteht und eine Dicke von etwa 0,7 L\m aufweist.

Die Auftreffplatte 9 lässt sich auf folgende Weise herstellen.Es wird von einer η-leitenden Siliciumplatte 10 ausgegangen (siehe Fig. 4), deren grosse Flächen i Uli -Flüchen eines Siliciuiakristalls sind. Der spezifische Widerstand der Platte beträgt 7 bis 10 -Q.. cm, der Durchmesser 2,5 cm und die Dicke 300 Um.

Die Platte wird auf übliche Weise gereinigt und geätzt, wonach die Dicke 200n_m beträgt. Dann wird auf übliche Weise Boroxyd auf eine Oberfläche der Platte aufgebracht und Bor in die Platte eindiffundiert, wodurch eine Zone 42 vom p-Leitungstyp gebildet wird. Der Schichtwiderstand der Zone 42 beträgt 16O.£L/£j und die Diffusionstiefe 3f6|Am. Dann werden mit Hilfe von HF-Lb'sung die während der Diffusion gebildeten Oxyde entfernt.

Anschliessend wird auf übliche Weise eine Maskierungsschicht aus Siliciumnitrid 43 mit einer D.i cke von 0,2η, m auf der Oberfläche gebildet, auf der eine Siliciumoxyd 44 mit einer Dicke von gleichfalls 0,2 um angebracht wird. Die Schicht 44 wird mit einer Schicht 45 überzogen, die aus einem nßgativen Photolack besteht,

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der unter dem Handelsnamen KTFR käuflich erhältlich ist. Ein negativer Photolack ist ein Lack, der durch Belichtung in einem zugehörigen Lösungsmittel weniger gut löslich wird.

Mit Hilfe einer nicht dargestellten Maske wird der

Photolack 45 belichtet, während die unbelichteten Teile in einem zugehörigen Lösungemittel gelöst werden, wodurch Oeffnungen 46 gebildet werden (siehe Fig. 5), Die übrigen Teile der Photolackschicht haben einen Durchmesser von 20ura und einen gegenseitigen Abstand von

Die Photolackschicht 45 wirkt beim Aetzen der Siliciumoxydschicht 44 als Maske, wonach diese Photolackschicht entfernt wird.

Die Siliciumoxydschicht 44 wirkt ihrerseits als Aetzraaske für die Siliciumnitridschicht 43, die auf übliche Weise geätzt wird, wonach diese Siliciumoxydschicht entfernt wird. Dann wird eine SiIiciumplatte 10 mit einer diffundierten Zone 42 und einer aus Siliciumnitrid bestehenden Maskierungsschicht 43 erhalten, wobei diese Siliciurmitridechicht aus Teilen mit einem Durchmesser von etwa ?0hm besteht, deren gegenseitiger Abstand etwa 5 LL m beträgt. (Siehe Fig. 6).

Die Oberfläche der Platte wird nun an der Stelle der Uef'fnungen in der aus Siliciumnitrid bestehenden Maskierungsschicht einer Materialontfernurigsbehandlung unterworfen. Die Siliciumnitrid-Hchieht 45 wirkt zunächst als Maske beim Aetzen der Platte. Zu diesem Zweck wird dio Platte bei 2 "Q während einer Minute mit einer Lösung behandelt, die aus 1'/ VoI./j konzentrierter HNO,, 2Ü VoI,5» rauchender HNO,, 11 Vol.';i 40 i" HF und 44 VoI.',« Hi sees ig besteht. Dadurch werden

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in der Platte Nuten 12 (siehe Fig.7) geätzt, die eine Tiefe von etwa 5U.ni haben, wobei unter der Siliciumnitridschicht an der Oberfläche der Schicht 42 eine Unteratzung von etwa 3u,m auftritt. Nun haben sich Gebiete 11 mit einem Durchmesser von etwa 14Um und einem gegenseitigen Abstand von etwa 11 Um gebildet.

Dann wirkt die Siliciumnitridschicht 43 als Maske bei einer Oxydation, wodurch die Oberfläche der Platte in den Nuten mit der Oxydschicht I5 (siehe Fig. ö) versehen wird; die Oxydation erfolgt dadurch, dass die Platte zwei Stunden lang bei v1050 ⁰C einer Atmosphäre ausgesetzt wird, die aus N„ besteht, das bei 95 ⁰C mit Wasserdampf gesättigt worden ist» Die dabei gebildete Silieiunoxydschicht hat eine Dicke von 0,8um. Anschliessend wird wahrend 2 Minuten in einem NH .F/HF-Puffer geätzt, um den Teil des Nitrids, der während der Oxydation in Siliciumoxyd umgewandelt worden ist, zu entfernen. Die Dicke der Siliciumoxydschicht I5 beträgt dann 0,7ü.m. Schliesslich wird die Siliciumnitridschicht 43 auf übliche Weise entfernt (siehe Fig. 2).

Dann wird die Siliciumplatte auf übliche Weise auf eine Dicke von 10 bis 25|oLm abgeätzt. Diese Dicke ist üblich, wenn die Aufnahmeröhre für gewöhnliches Licht verwendet wird. Bei Anwendung für Detektion von Infrarotstrahlung braucht die letztere Aetzbehandlung nicht durchgeführt zu werden.

Die Konfiguration nach Fig. 2 wird auch erhalten, weiln als Maskierungsschicht und als erste isolierende Oxydschicht Schichten verwendet werden» die eine gleiche Zusammensetzung aufweisen. Dabei wird auf der p-loitenden Zone 42 keine Siliciumnitridschicht 43

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angebracht, sondern eine Siliciumoxydschicht wird unmittelbar auf der Zone 42 angebracht. In diesem Falle kann die Oxydschicht durch Oxydation der Halbleiterplatte erhalten werden.

Die Oxydschicht übernimmt nun die Punktion der Nitridschicht als Maskierungsschicht beim Aetzen der Platte. Die Oxydschicht ist in Fig. 9 mit 48 bezeichnet.

Nachdem die Nuten 12 durch Oxydation mit der ersten Oxydschicht 15 versehen worden eiiid, wird die Halbleiterplatte in einen positiven Photolack eingetaucht. Ein positiver Photolack ist ein Lack, der durch Belichtung in einem zugehörigen Lösungsmittel besser löslich wird. Auf übliche Weise wird der Photolacküberschuss von der Halbleiterplatte dadurch entfernt, dass die Platte bei 3000 Umdrehungen/Minute geschleudert wird. Die Photolackschicht ist, wie sich herausgestellt hat, auf der Maskierungsschicht 48, insbesondere an den Rändern dieser Schicht, erheblich dünner als auf den Wänden der Nuten 12, insbesondere unter den Teilen der Maskierungsschicht 48, die über den Nuten 12 hervorragen.

Dann wird die Photolackschicht 47 während der Hälfte einer für die Photolackschicht üblichen Belichtungszeit belichtet und in einem zugehörigen Lösungsmittel entwickelt.

Es Btellt sich dann heraus, dass die Photolackschicht auf der Maskierungsschicht 48 wenigstens teilweise entfernt ist, während sich auf den Wänden der Nuten noch eine dichte Schicht befindet. Bei dem dann erfolgenden Aetzschritt werden auf übliche Weise die MaskierungsBchicht 48 und anschliessend die Reste der Photolackschicht 47 entfernt, wodurch die Konfiguration nach i'iig. 2 erhalten wird ·

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Fig, 10 zeigt eine in bezug auf die Ausführungsform

nach Figuren 2 und 3 etwas abgewandelte imsführungsform, bei der auf jedem Gebiet 11 eine Metallschicht ijO angebracht ist, die über den an das Gebiet grenzenden Hüten 12 hervorragt.

Während der Herstellung der Auftreffplatte nach Fig. 10 wird nach der Diffusion von Bor auf elektrolytischem Wege eine Rhodiumschicht, mit einer Dicke von 0,5m. m, angebracht.

^ Die Oxyd schicht 15 in den Nuten 12 wird dadurch erhal i:-on,

dass die Halbleiterplatte 10 nach dem Aetzen der Khodiunschicht während 1-jk· Stunden bei 65Ο ⁰C in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre in einem Abstand von etwa 0,2 mn von einem bleioxydhaltigen Stoff angeordnet wird. Die Metallschicht ^lj0 braucht nicht entfernt zu werden, Mine Aufnal ineröhre mit einer Auftreffplatte nach Pig. 10 i η f einen oben bereits beschriebenen Vorteil.

Fig. 11 zoigt eine dritte Ausführungsforiri, bei der ednn erste Oberflächenzono 51 des Substrats 14» die den gleichen Leitungstyp wie der angrenzende Teil des Substrats aufweint, aber stärker ' als dieser Teil dotiert ist, an die Wände der Nuten 12 grenzt. Die Oberflcächenzone 5I erstreckt sich bis r,u den gleichrichtenden UebergSngen 1.5· VShrend der HersIeIlung der Auftreffplatte nach Fig. 10 wird nach dem Aetzen der Nuten und vor der Oxydation der Oberfläche der Halbleiterplatle in den Nuten auC übliche Weife eine Verunreinigung vom gleichen ^eitungstyp wie das Substrat eindiffundiert, wobei gesichert wird, dans die maximale Konzentration dieser Verunreinigung in der Oberflächenzonr 5I Uloiner als die einer Verunreinigung vom entgogengpKptzten Leitungaty]' in den an die gloichrirh ton-

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den Uebergänge grenzenden Teilen der Gebiete 11 ist.

Bei einer derartigen Diffusion bildet sich oft eine Oxydschicht auf der Oberfläche der Nuten im Substrat, welche Schicht eine Verunreinigung vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat enthält. Jiiine derartige Schicht kann oft zugleich als isolierende Oxydschicht wirken, so dass n\cht nochmals eine Oxydation stattzufinden braucht.

Es ist einleuchtend, dass die ^uebiete 11 statt auf obenbeachriebene Weise, und zwar durch eine Bordiffusion am Anfang, auch nach dem Anbringen der Oxydschicht 15 und der Entfernung der Maskie rungs-schicht erhalten werden können.

Vorzugsweise wird die Maskierungsschicht entfernt, nachdem die andere der abzutastenden Seite gegenüber liegende Seite des Substrats einer Behandlung zur Herabsetzung von Oberflächenrekonbinationseffekten unterworfen worden ist. Wenn diese Behandlung eine .Diffusionsbehandlung ist, wird sie derart durchgeführt, dnss eine Auftreffplatte erhalten wird, die eine zweite Überflächenzone 52 des Substrats 14 enthält (siehe Fig. 12), die den gleichen Leitungstyp wie uer angrenzende Teil des Substrats aufweist, aber stärker als 'Unser Teil dotiert ist, und die an die andere der abzutastenden 'Jnite gegenüber Li tuende Seite grenzt.

Vorzugsweise wird der Einfachheithalber zugleich mit

d«r Diffusion der Vorunreini_fiun/i zum Erhalten der ersten Oberflächenzone i>1 die gleiche Verunreinigung Über die andere Seite zum Erhalten der zweiten ()bf*rf löchonssone b'<' in das Substrat eindi !'fundiert.

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Bei der erwähnten Diffusionsbehandlung bildet sich häufig eine Oxydschicht auf der anderen Seite des Substrats, welche Schicht die Verunreinigung vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat enthält. Eine derartige Schicht kann oft OberflächerirekonbLnationsef fekte herabsetzen.

Eine Behandlung zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten auf der anderen Seite des Substrats kann auch lediglich aus einer Oxydationsbehandlung bestehen, hei der eine Auftreffplatte erhalten wird (isiehe Fig. 13)» hei der las Substrat auf der erwähuten Seite mit einer zweiten Oxydschicht 53 versehen wird. Vorzugsweise wird das Substrat gleichzeitig mit der ersten und der zweiten Oxydschicht (den Schichten Ii) bzw. 53) versehen.

Fig, 14 zeigt eine sechste Ausführungsform, bei der die Gebiete aus zwei Teilgebieten 55 und 56 bestehen, die zusammen mit dem Substrat I4 eine Transistorgtruktür bilden.

Bei der Herstellung der Transistorstruktur wird eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp diffundiert, nachdem eine Verunreinigung vom entgegengesetzten Leitungstyp, wie Bor, zum Erhalten der Schicht 42 diffundiert worden ist (siehe Fig. 4).

Vorzugsweise wird über die Oberflächen von Teilen der zu bildenden Gebiete eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp zum Erhalten zweier Teilgebiete 55 und 56 pro Gebiet diffundiert (sinhe Pig. 15)» welche Teilgebiete zusammen mit dem Substrat I4 eine Translstoratruktur bilden, während zugleich mit dieser Diffusion die · gleiche Verunreinigung über die andere Seite zum Erhalten einer zwei ten Oberflächenzone 54 in das Substrat eindiffundiert wird, damit Oberi'lächenrekoiubinationseffekte auf dieser Seite herabgesetzt werden.

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Es ist einleuchtend, dass sich die Erfindung nicht auf die beschriebenen Ausführung«formen beschränkt und dass im Rahmen der Erfindung für den Fachmann viele Abarten möglich sind.

Das Substrat kann statt η-leitend p-leitend sein und die Gebiete können statt p-leitend η-leitend sein, wobei ein Elektronenstrahl mit schnellen Elektronen vorwendet wird, so dass das SekundaremisnionnverhSltnis grosser als 1 ist und die Gebiete statt mit negativer Ladung mit positiver Ladung aufgeladen werden. Dabei muss das Sammelgitter 4 der Fig. 1 ein höheres Potential als das Substrat der Auftreffplatte 9 aufweisen.

Die Strahlung 18 kann aussfjr sichtbarem Licht oder Infrarotstrahlung auch Röntgenstrahlung oder Strahlung geladener Teilchen sein.

Ferner kann die die Auftreffplatte bildende Halbleiter-

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platte statt aus Silicium z.B. aus Germanium oder einer A B »Verbindung bestehen. Die die Auftreffplatte bildende Halbleiterplatte braucht nicht eine freitragende Halbleiterplatte zu sein, sondern kann aus einer ^albleiterschicht bestehen, die auf einem isolierenden, z.B. durchsichtigen 'i'räger angebracht ist.

Die erste isolierende Oxydschicht 15 kann z.B. aus einer Siliciumoxydschicht auf der Oberfläche der HaIbJeiterplatte in den Nuten bestehen, auf der eine Phosphatglasschicht angebracht ist.

Auf der ersten dünnen Isolierschicht kann eine .Schicht

mit einem Quadratswiderstand von 10 ^J - 10 XL/Qangebracht verden, die zum Abführen von Ladung verwendet werden kann, die vom Elektronenstrahl im Oxyd herbeigeführt wird. Eine derartige Schicht Uns.& ,.,."υ. aus PbO, nbyS, und GaAs bestehen.

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Claims

Patentanspruche:

(IJ Aufnahmeröhre nit einer Elektronenquelle und einer von einem von dieser Quelle herrührenden Elektronenstrahl abzutastenden strahlungsempfindlichen Auftreffplatte, die durch eine Halbleiterplatte gebildet wird, die auf der vom Elektronenstrahl abzutastenden Seite mit einem Mosaik von Gebieten versehen ist, die voneinander durch Nuten getrennt sind, in denen sich ein Isoliermaterial befindet, r welche Gebiete je einen gleichrichtenden Uebergang mit dem angrenzenden Teil vom einen ^eitungstyp der Halbleiterplatte (als Substrat bezeichnet) bilden, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens die Überfläche des Substrate in den Nuten und die Ränder der gleichrichtenden Ueberßänge mit einer ersten dünnen Isolierschicht versehen sind.

2. Aufnahmeröhre nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Isolierschicht Siliciumoxyd enthält und das Substrat aus Silicium besteht.

3. Aufnahmeröhre nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf jedem Gehiet eine Metallschicht angebracht ist, die über den an das Gebiet grenzenden Nuten hervorragt. 4· Aufnahmeröhre nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Überflächenzone des Substrats, die den gleichen Leitungstyp wie das Substrat aufweist und die an die Wände der Nuten grenzt,.stärker als der an diese Oberflächenzone grenzende Teil des Substrats dotiert ist, welche erste Überflächenzone sich höchstens bis zu den gleichrichtenden üehergängen erstreckt,

!?» Aufnahmeröhre na oh einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine '/,weite OberflSchenzone

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des Substrats, die den gleichen. Leitungstyp wie das Substrat aufweist und die an die andere der abzutastenden Seite gegenüberliegende Seite grenzt,stärker als der an die zweite Oberflächenzone grenzende Teil des Substrats dotiert ist.

6. Aufnahmeröhre nach den Ansprüchen 4 und 51 dadurch gekennzeichnet, dass der Konzentrationsverlauf der den Leitungstyp bestimmenden Verunreinigung in der ersten Oberflächenzone und die Dicke dieser Zone, wenigstens in nicht an die gleichrichtenden Uebergänge grenzenden Teilen, praktisch gleich dem Konzentrationsverlauf dieser Verunreinigung in der zweiten Oberflächenzone bzw. der Dicke dieser Zone sind.

7. Aufnahmeröhre nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gebiete aus zwei Teilgebieten bestellen, die zusammen mit dem Substrat eine Transistorstruktur bilden.

8. Aufnehmeröhre nach den Ansprüchen 5 und 7» dadurch gekennzeichnet, dass der Konzentrationsverlauf der den ^eitungsty.p bestimmenden Verunreinigung in der zweiten Oberflächenzone und die Dicke dieser Zone praktisch gleich dem Konzentrationsverlauf dieser Verunreinigung in einem Teilgebiet vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat bzw. gleich der Dicke eines solchen ^üebietes sind.

9« Aufnahmeröhre nach einem oder mehreren der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass- das Substrat auf der anderen Seite mit einer zweiten isolierschicht versehen ist. 10. Aufnahmeröhre nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daas die ernte Schicht und die zweite Schicht Oxyd des Halbleitermaterials des Substrats enthalten und praktisch die gleiche Dicke

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aufweisen.

11. Strahlungsempfindliehe Auftreffplatte zur Anwendung in einer Aufnahmeröhre nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche die durch eine Halbleiterplatte gebildet wird, die auf einer Seite mit einem Mosaik von Gebieten versehen ist, die voneinander durch Nuten getrennt sind, in denen sich ein Isoliermaterial befindet, welche Gebiete je mit dem angrenzenden Teil vom einen Leitungstyp der Halbleiterplatte (als Substrat bezeichnet) einen gleichrichtenden Üebergang bilden, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens die Oberfläche des Substrats in den Nuten und die Ränder der gleichrichtenden Uebergänge mit einer ersten dünnen Isolierschicht vorsehen sind.

12. Verfahren zur Herstellung einer strahlungsempfindliclen Auftreffplatte nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass eine Halbleiterplatte vom einen Leitungstyp auf einer Seite mit einer Maskierungsschicht überzogen wird, die mit Oeffnungen versehen ist, wobei die Nuten, die die zu bildenden Gebiete voneinander trennen,

f dadurch erhalten werden, dass die OberflSche der Platte an der Stelle der Oeffnungen einer Materialentfernungsbehandlung unterworfen wird, während die OberflSche der Halbleiterplatte in den Nuten durch Oxydation mit einer ersten isolierenden Oxydschicht versehen wird.

13, Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Nuten durch Aetzen erhalten werden und dass eine Stz- und oxydationsbeständige siliciumnitridhaltige Maskierungsschicht verwendet wird.

14, Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Maskierungsschicht und als erste isolierende Oxydschicht

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Schichten verwendet werden, die eine praktisch gleiche Zusammensetzung haben.

15. Verfahren nach Anspruch 14» dadurch gekennzeichnet, dass die Maskierungsschicht dadurch entfernt wird, dass die Oberfläche der Halbleiterplatte mit einer Stzbeständigen positiven Photolackschicht versehen, die Photolackschicht während einer in bezug auf übliche Belichtungszeiten kurzen Zeit belichtet und dann entwickelt wird, wonach die Maskierungsschicht weggeätzt wird.

16. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Hüten durch Aetzen erhalten werden und dass als Maskierungsschicht eine 8tz- und oxydationsbeständige Metallschicht verwendet wird.

17. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass vor der Oxydation eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp durch die Wände der Nuten in das Substrat eindiffundiert wird, um eine erste hb*her dotierte OberflSchenzone vom gleichen Leitungstyp wie das Substrat zu erhalten, wobei die maximale Konzentration dieser Verunreinigung in der ersten Oberflächenzone kleiner als die der Verunreinigung vom entgegengesetzten Leitungstyp in den an die gleichrichtenden Uebergünge grenzenden Teilen der Gebiete ist,

18. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 17, dadurch gekennzeichnet,-dass die Maskierungsschicht von den Gebieten entfernt wird, nachdem die andere der abzutastenden Seite gegenüber liegende Seite des Substrats einer Behnadlung zur Herabsetzung von OberflEchenrekombinationseffekten unterworfen worden ist.

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19· Verfahren nach den Ansprüchen 17 und 18, dadurch gekenn-' zeichnet, dass zugleich mit der Diffusion der Verunreinigung zum Erhalten der ersten Oberflächenzone die gleiche Verunreinigung über die andere Seite zum Erhalten einer zweiten Oberflächenzone zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten auf dieser Seite in das Substrat eindiffundiert wird.

20. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass über die Oberflächen von Teilen der zu

w bildenden Gebiete eine Verunreinigung vom einen Leitungstyp diffundiert wird, um zwei Teilgebiete pro Gebiet zu erhalten, die zusammen mit deni Substrat eine Transistorstruktur bilden, während zugleich mit dieser Diffusion die gleiche Verunreinigung über die andere Seite zum Erhalten einer zweiten Oberflächenzone zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten auf dieser Seite in das Substrat eindiffundiert wird.

21. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 12 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oxydationsbehandlung der anderen Seite zum Erhalten einer zweiten Oxydschicht zur Herabsetzung von Oberflächenrekombinationseffekten zugleich mit der Oxydation zum Erhalten der ersten Oxydschicht durchgeführt wird.

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