DE2911011A1 - Elektrolumineszente und lichterkennende dioden sowie verfahren zur herstellung dieser dioden - Google Patents

Elektrolumineszente und lichterkennende dioden sowie verfahren zur herstellung dieser dioden

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DE2911011A1
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Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Dioden, die die Eigenschaft haben, Licht sowohl auszusenden als auch zu erkennen, sowie Dioden dieser Art selbst.
Die Dioden gemäß der Erfindung können, genauer ausgedrückt, je nach ihrer Polung entweder Licht von genau definierter Wellenlänge aussenden oder einen Strom erzeugen, wenn sie einer Lichtstrahlung ausgesetzt sind.
Insbesondere betrifft die Erfindung Dioden, die diese beiden verschiedenen Eigenschaften aufweisen und die aus ZnTe-HaIbleitermaterial hergestellt sind.
Es sind schon elektrolumineszente Dioden bekannt, die durch Ionenimplantation in ein ZnTe-HaIbleitersubstrat hergestellt werden. Die Funktionsweise derartiger Dioden ist von Pfister und Marine in ACTA ELECTRONICA, 1976, S. 166 beschrieben worden.
Die mittels herkömmlicher Verfahren hergestellten Diöden haben jedoch sowohl in Bezug auf die Emission als auch auf den Empfang von Licht einen geringen KMrkungsgrad.
Diese Dioden weisen einen Oberflächen-Einfangbereich sowie eine Isolierzone mit einem spezifischen Widerstand von etwa 10' bis 10 Jlcm auf.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Her-
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stellungsverfahren für Dioden vorzuschlagen, die sowohl lichtemittierend als auch lichterkennend sind, aber hinsichtlich dieser beiden Effekte einen höheren Wirkungsgrad gewährleisten.
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Diese Aufgabe wird gemäß dem Kennzeichen des Anspruchs gelöst.
Die erfindurtgsgemäßen Dioden, die ebenfalls mit Hilfe der Ionenimplantation in einem Substrat hergestellt werden, und zwar in einem ZnTe-Substrat, v/eisen eine Isolierschicht zwischen dem Oberflächen-Einfangbereich und dem Substrat auf, aber diese verschiedenen Bereiche des Halbleitergebildes v/erden derart optimiert, daß die Arbeitsweise der Vorrichtung merklich verbessert wird.
Vorzugsweise stellt man vor der Implantation auf der Oberfläche der kompensierten bzw. neutralisierten Schicht eine Leitungsschicht her, die als zweiter elektrischer Kontakt dienen soll, wobei man durch diese Leitungsschicht hindurchimplantiert.
Auch geilt man vorzugsweise von einem überdotierten Plättchen aus.
Nach einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens erhält man die neutralisierte isolierende Oberflächenschicht und die obere Leitungsschicht dadurch, daß man die überfläche des ZnTe-Plättchens mit einer leitenden Schicht überzieht, wobei durch Erhitzen die Atome des Materials, das die Schicht auf dem Plättchen bildet, in eine Tiefe x- eindiffundieren. Das Material ist von der Art, daß seine Diffusion in das ZnTe eine Neutrali-
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sierung des ZnTe über die erwähnte Tiefe x. bewirkt.
Auf diese Weise wird das Material ZnTe in diesem Bereich isolierend, und zwar bei einem stark erhöhten spezifischen Kiderstand.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird das Material für die Herstellung der Leitungsschicht aus derjenigen Materialgruppe ausgewählt, die eine Neutralisierung des ZnTe nach der Diffusion bewirkt, wie etwa Aluminium, Indium, Gold, Magnesium, Indiumoxyd und Zinnoxyd. Aluminium und Indiumoxyd sind als Material allerdings besonders geeignet.
Vorzugsweise entspricht die Stärke x. der neutralisierten Schicht im wesentlichen der Stärke des isolierenden, durch Ionenimplantation entstandenen Bereichs, d.h. es gilt etwa x. = x, + x~ . Für den Fall, daß das verwendete Leitungsmaterial undurchsichtig ist (z.B. bei Aluminium), muß es allerdings in Form eines transparenten Gitters geätzt werden.
Die Erfindung betrifft außerdem elektrolumineszente und/oder lichterkennende Dioden mit solchen Eigenschaften, wie sie Dioden aufweisen, die durch Anwendung des weiter unten beschriebenen Verfahrens erhalten werden. Im einzelnen weisen diese Dioden einen Oberflächenbereich mit Einfangzonen sowie eine Isolierzone, deren spezifischer Widerstand in der Größenordnung von 10 bis 10 Λ cm liegt und ein Grundsubstrat aus ZnTe vom p-Typ
auf. Hierbei hat das Grundsubstrat vorzugsweise eine Trägerdichte von 1017 bis 1018 at/cm3.
Anhand der nachfolgenden Beschreibung eines in den
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Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels des Herstellungsverfahrens wird die Erfindung noch näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 und 2 schematische Darstellungen der klassischen Anordnung einer Diode für die Lichtemission bzw. für die Li chterkennung;
Fig. 3a und 3b schematische Darstellungen der verschiedenen Schritte eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens.
In der Fig.l ist eine lichtemittierende Diode (z.B. eine GaAs-Diode) dargestellt. Diese Diode enthält eine erste Elektrode 2, die mit der positiven Klemme einer Spannungsquelle verbunden ist, sowie eine zweite, mit der negativen Klemme derselben Spannungsquelle verbundene Elektrode 4, ferner ein Halbleitersubstrat 6 mit einer oberen Zone vom p-Typ, v.'elche die Bezugszahl 8 hat und einer unteren Zone vom η-Typ mit der Bezugszahl 10. Wird die Diode direkt gepolt, wie es in der Fig.l dargestellt ist, so besteht der fließende Strom aus einem Elektronenfluß J , der aus dem Bereich 10 kommt sowie aus einem Fluß von Defektelektronen oder Löchern J , der aus dem p-leitenden Bereich 8 herrührt. Berücksichtigt man nun die Tatsache, daß die Beweglichkeit der Elektronen weit größer als die der Defektelektronen oder Löcher ist, so besteht der Gesamtstrom J im wesentlichen aus dem Strom J der Elektronen. Es sind also die in den Halbleiter vom p-Typ (Bereich 8) injizierten Elektronen, die die Lumineszenz dadurch bewirken, daß sie sich rekombinieren. Damit die Lumineszenz wirksam wird, müssen sich die Elektronen unter Abgabe von Strahlung unterhalb der
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Oberfläche rekombinieren. Anders ausgedrückt muß die Dicke der Schicht 8 (die durch χ gekennzeichnet ist) größer sein als die Tiefe der Diffusion der Elektronen. Im Fall des Halbleiters GaAs beträgt diese Diffusionstiefe beispielsweise ca. 4 Mikron. Allgemein gilt, daß sich die Hersteller von Elektrolumineszenzdioden aus GaAs auf einen Wert von χ größer als 5 Mikron geeinigt haben.
In der Fig.2 ist die gleiche Diode wie in der Fig.l dargestellt, die jedoch dieses Mal für die Strahlungserkennung vorgesehen ist.. Die Polarität der Elektroden 2 und 4 ist dabei umgekehrt. Die p-leitende Schicht 8 und die η-leitende Schicht 10 sind auch hier wieder erkennbar. Wird die Diode mit Licht beaufschlagt, dessen Energie größer als die Sperrzone des Halbleiters ist, dann nimmt die Intensität des Lichts von der Oberfläche aus nach einem exponentiell en Gesetz ab. Im Falle des Halbleiters GaAs wird das Licht auf eine Tie-
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fe von ca. 10 bis 10 cm absorbiert, d.h. auf den Bruchteil eines Mikrons. Die Defektelektronen-Paare, die von dem von dem Halbleiter absorbierten Licht erzeugt wurden, befinden sich daher hauptsächlich an der Oberfläche. Ist die Schicht 8 dick, dann können die Ladungsträger nur schwer die Verbindungsstelle erreichen, wo sie von dem inneren oder durch die Polung induzierten elektrischen Feld "gefangen" und in den externen Stromkreis der Diode geleitet werden, um die Ekennungsfunktion sicherzustellen. Damit man tatsächlich einen Strom erhält, ist es selbstverständlich nötig, die Dicke χ der Schicht 8 zu reduzieren, so daß die Ladungsträger die Übergangszone der Diode auch erreichen. Hieraus ergibt sich, daß bei einer klassischen Diode,
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die eine OberfTächenschicht und ein η-Substrat aufweist, die Funktion der Diode als lichtemittierendes Element mit ihrer Funktion als lichterkennendes Element unvereinbar erscheint. Indem man sich die Funktion einer Emitterdiode und einer Empfängerdiode, wie vorstehend geschehen, kurz in Erinnerung ruft, versteht man die Eigenschaften und Vorteile der erfindungsgemäßen Diode besser. Wie schon angedeutet, kann man mit dem erfindungsgemäßen Verfahren elektrolumineszente und lichterkennende Dioden erhalten, bei denen man eine Trennschicht findet und die im Vergleich zu bisher hergestellten Elektrolumineszenzdioden eine sehr hohe Quanten-Ausbeute aufweisen, obgleich sie auch als Detektor-Dioden gut funktionieren.
Entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens geht man von einem Plättchen aus, das aus ZnTe mit p-Leitfähigkeit besteht. Wie in Fachkreisen bekannt, wird dieses Plättchen vorzugsweise p-überdotiert. Genauer gesagt, hat das rohe gezogene ZnTe einer Trägerkonzentration von der Größenordnung von
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2-10 at/cm . Von einer Überdotierung spricht man, wenn das Ausgangsmaterial eine Trägerkonzentration von
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etwa 10 bis 10 at/cm aufweist. Diese Überdotierung kann durch Mittel erreicht werden, die jedem Fachmann geläufig sind. Auf der Oberseite des Plättchens 20 trägt man eine metallische Schicht 22 auf, die beispielsweise aus Aluminium besteht und als oberer elektrischer Kontakt dienen soll. Diese Schicht wird so geätzt, daß sie die Elementardioden abgrenzt.
Wie schon angedeutet, besteht der erste Arbeitsgang des Verfahrens darin, auf der Oberfläche des Plättchens 20
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und auf eine Tiefe χ. einen neutralen, d.h. einen isolierenden Bereich zu schaffen. Zu diesem Zweck erhitzt man das Plättchen mit der Aluminiumschicht derart, daß man eine Diffusion des Aluminiums in das ZnTe auf eine Tiefe von x. erhält. Man erhält somit die isolierende Oberflächenschicht 24 von der Stärke x., während das übrige Plättchen p-leitend
bleibt. Diese Neutralisierung ergibt sich aus einem Prozeß, der dem Halbleiter ZnTe eigen ist, dessen spezifischer Widerstand dann, wenn er mit Aluminium dotiert ist, infolge der Verbindung der immanenten Störstellen mit der eingeführten Verunreinigung um einige Zehnerpotenzen ansteigt.
In dem beschriebenen Beispiel wird "Aluminium verwendet. Es könnte allerdings statt Aluminium auch Indium, Magnesium oder eventuell auch Gold verwendet v/erden. Man hat auch schon festgestellt, daß bei Verwendung von Indiumoxid, das eventuell durch Zinnoxid ersetzt werden könnte, ein neutralisierter Bereich entstand.
Die Hauptaufgabe der Diffusion besteht in der Schaffung des neutralen Bereichs 24. Trotzdem hat die Diffusion noch einen weiteren Effekt, nämlich den, daß die Quali tat des Kontakts zwischen dem ZnTe-Plättchen und der Metallschicht 22 verbessert wird.
Der zweite Verfahrensschritt besteht darin, das Plättchen 20 einer Ionenimplantation über die Metallschicht 22 zu unterwerfen. Diese Implantation wird vorzugsweise mit Bor vorgenommen. Die Ionenimplantation in dem ZnTe hat den Zweck, einen Oberflächenbereich als Löcherfalle 26 und eine Isolierzone 28 zu schaffen. Die Stärke
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des Bereichs der Falle wird mit x, und die Stärke des isolierenden Bereichs, der allein durch die Implantation entstanden ist, mit x^ bezeichnet. Dann wird der zweite Metal 1 kontakt 30 auf dem Substrat vom p-Typ hergestellt. Es ist zu beachten, daß man diesen Kontakt sofort nach der Diffusion des Aluminiums herstellen kann.
Bei der Implantation treten zwei Regelgrößen auf, nämlieh die Implantationsmenge und die Implantationsenergie. Die implantierten Ionen werden so dosiert, daß die in der Schicht x, des Fallenbereichs befindliche Menge der Einfangzentren ausreicht. Berücksichtigt man die experimentellen Werte, dann muß die Anzahl der
12 -2
Fallenzentren größer als 5-20 cm sein. Die zu implantierende Dosis hängt von der Natur der Verunreini-
13 gung ab. Im Falle von Bor scheint das Optimum bei 3-10
2
at/cm zu liegen.
Was die Implantationsenergie E betrifft, so ermöglicht sie es, die Tiefe des Fallenbereichs x, festzulegen. Es ist zu bemerken, daß außerdem, wenn die Implantation über den oberen Metal 1 kontakt durchgeführt worden ist, ein Großteil der Störstellen, die aus der Implantation resultieren, in der Metallschicht bleiben (vergl. die französische Patentanmeldung 74 27 558 vom 8.8.1974). Entsprechend dem Wert E der Implantationsenergie kann man zwei Fälle unterscheiden. Wenn diese Energie sehr groß ist, entstehen zahlreiche Störstellen im HaIbleitermaterial, und die Stärke des Fallen- oder Einfangbereichs x» ist ebenfalls groß. Folglich müßte die Steuerspannung ebenfalls erhöht werden. Für den Fall, daß die Implantationsenergie E gering ist, treten nur
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wenige Störstellen in dem Hai bleiterkristall auf. Die Dicke des Einfangbereichs ist dann gering und weist sehr wenig aktive Fallenzentren auf.
Aus diesen beiden Gründen haben die Erfinder gezeigt, daß man ein Optimum erhält, wenn die Imp!antationsenergie so groß ist, daß sich die Lage des Maximums R der Gauss'schen Verteilung der implantierten Ionen an der Grenzfläche zwischen Metall und Halbleiter befindet.
Genauer ausgedrückt, hängt bei einer vorgegebenen Energie der Wert R einerseits von der Art der implantierten Ionen und andererseits von der Art des Metalls ab, an dem die Ionenimplantation durchgeführt wird. So ist z.B. die optimale Implantationsenergie für eine Implantation von Bor über 2000 A starkem Aluminium 57 keV.
Wie oben bereits angedeutet, ist der andere sehr wichtige Verfahrensparameter die Diffusionstiefe, welche die Tiefe χ. der Neutralisation ergibt. Die Rolle die-
ser Diffusion besteht, wie bereits erwähnt,·darin, den spezifischen Widerstand des isolierenden Bereichs zu erhöhen, so daß er einen sehr hohen Wert erreicht. Was diese Tiefe der Diffusion betrifft, so ist zu bemerken, daß dann, wenn x. klein ist (d.h. wenn x. kleiner als x^ +.x2 ist), die Schranke für die Extraktion der Löcher gering und die Wirksamkeit der Injektion der Vorrichtung vermindert ist. Wird x. vergrößert (d.h. x. ist sehr viel größer als x, + X2), dann ist die Wirksamkeit der Vorrichtung in Bezug auf die Emission verbessert. Umgekehrt rührt einerseits die Lumineszenz von dem Diffusionsbereich her, hat also eine andere Farbe als die von dem Ausgangssubstrat emittierte Lumineszenz, während andererseits die Steuerspannung der
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Vorrichtung sehr schnell ansteigen wird. Das Optimum scheint erreicht zu sein, wenn die Neutralisierungsfront, die von der Ionenimplantation abhängig ist, wenigstens diejenige Front erreicht, die von der Diffusion abhängt und wenn x. vorzugsweise x, + x? ist.
J Xc.
Man muß hinzufügen, daß der spezifische Widerstand, der aus der Diffusion des Aluminiums resultiert, von
7 9 der Größenordnung zwischen 10 und 10 /Lern ist. Im
Vergleich dazu ist der spezifische Widerstand des isolierenden Bereichs, der alleine durch die Ionenimplantation entstanden ist, von der Größenordnung zwischen 104 und 106Acm.
Würde man eine Cberdopierung des ZnTe-Ausgangsmaterials verwenden, so würde die Ionenimplantation alleine keinen isolierenden Bereich von genügender Stärke bewirken und zu einer Diode führen, die eine sehr geringe Lichtmenge emittiert, d. h. die Injektionseffizienz wäre sehr gering. In diesem Fall erscheint es notwendig, die Ausgangsneutral isierung durchzuführen, um tatsächlich eine Lumineszenz-Diode herzustellen.
Die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Diode beim Emittieren ist die folgende:
Bei direkter Polarisation gibt es es eine Lichtemission nach folgendem Mechanismus:
Solange die Klemmspannung der Vorrichtung unter einer bestimmten Schwelle liegt ( von der Größenordnung von 5-6 V), ist der Strom, der in der Übergangszone fließt, sehr schwach, da er von dem Raumladungsbereich, der sich
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im isolierenden Bereich befindet, begrenzt wird. Dieser Strom besteht im wesentlichen aus Defektelektronen, die aus dem P-Substrat kommen und zum oberen Metal 1 kontakt fließen. Auf ihrem Weg dorthin werden die Defektelektronen in dem Fallenbereich 24 eingefangen. Folglich wird die Raumladungsdichte P in dem Fallenbereich in Abhängigkeit von der Erhöhung der Vorspannung immer positiver. Da das elektrische Feld in diesem Bereich direkt mit dem Wert von 9 durch die Gleichung
E = -^- dx (wobei £ die dielektrische Konstante des Halbleiters ist)
verbunden ist, kommt ein Zeitpunkt, v/o für eine eingefangene Ladung 9 das elektrische Feld in dem Grenzbereich zwischen dem Metall 22 und dem Fallenbereich 26 einen kritischen Wert E erreicht, von dem ab die Elektronen durch den Tunneleffekt vom oberen Kontakt in das Innere des Kristalls 29 injiziert werden können. Diese Elektronen werden von dem elektrischen Feld, das in dem ' isolierenden Bereich 28 herrscht, mitgerissen, und rekombinieren unter Abgabe von Strahlung in dem Substrat 29. Das so erzeugte Licht tritt aus dem Kristall durch die Außenseite über den oberen Kontakt 22 heraus, der vorher in Form eines transparenten Gitters geätzt worden ist, um dem zu emittierenden oder zu entdeckenden Licht den Weg freizugeben. Es ist auch möglich, einen Kontakt 22 zu verv/enden, der aus einem transparenten Material, beispielsweise Indiumoxid oder Zinnoxid besteht.
Wenn die Diode nicht bzw. umgekehrt polarisiert wird, herrscht nahe der Oberfläche in der Einfangzone 26 und in dem isolierenden Bereich 28 ein elektrisches Feld.
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Indem das Licht auf der Oberfläche auftrifft, wird es - wie oben schon beschrieben - auf einer sehr geringen Tiefe (Größenordnung 0,1 Mikron) absorbiert. Folglich entstehen die Defektelektronen-Paare direkt in dem Bereich, wo ein starkes elektrisches Feld herrscht. Daher werden sie sofort der Wirkung des elektrischen Feldes ausgesetzt und wieder getrennt, und es fließt ein photoelektrischer Strom in dem äußeren Stromkreis der Diode. Die Empfindlichkeit der Lichterkennung in einem solchen System ist sehr groß, weil die Rekombinationswahrscheinlichkeit von Elektronen und Defektelektronen auf Grund der Existenz des elektrischem Feldes in der Schicht, in der sie entstehen, sehr gering ist.
Es ist zu bemerken, daß man dank der vorhergehenden Neutralisierung eines Teils des Halbleitermaterials durch Diffusion der oberen Metallschicht (in diesem Ausführungsbeispiel des Verfahrens) einen isolierenden Bereich 28 von sehr hohem spezifischem Widerstand erhält.
Dieser erhöhte spezifische Widerstand bewirkt, daß die Empfindlichkeit der Vorrichtung spürbar verbessert wird. Je höher der spezifische Widerstand dieses isolierenden Bereichs und je begrenzter der Strom der Defektelektronen ist, desto größer ist auch die Effizienz der Injektionsemission. Es sind tatsächlich die über den Kontakt auf das Substrat injizierten Elektronen, welche die Luminiszenz erzeugen, während die Defektelektronen nicht zu der Luminiszenz beitragen. Außerdem wird das elektrische Feld wirksam, um die von dem einfallenden Licht erzeugten Träger während der Funktion der Diode als Lichtsensor zu sammeln.
In dem soeben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird
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wird der neutralisierte oder kompensierte Bereich durch Diffusion des metallischen Kontakts in das ZnTe erreicht. Allerdings könnte man diesen neutralisierten Bereich auch auf andere Weise erhalten. Man könnte beispielsweise von einem ZnTe-Plättchen ausgehen, auf dessen Oberfläche man den neutralisierten Bereich direkt mittels epitaxialem Wachstum erzeugen könnte, um den isolierenden Bereich von der Stärke x. zu erhalten. Schließlich wäre der obere Metall-
überzug herzustellen. Es ist allerdings zu bemerken, daß eine leichte Diffusion des Ketal!Überzugs in diesem Fall sehr erwünscht ist, um die Qualität des Kontakts zwischen dem Metall und dem Halbleiter zu verbessern. Auf dieser Struktur wäre die ionische Implantation, wie oben beschrieben, aufzubringen.
Dioden, die gleichzeitig elektrolumineszent und lichterkennend sind, können für zahlreiche Zwecke verwendet werden, und zwar insbesondere deshalb, weil sehr viele solcher Dioden auf dem gleichen Substrat hergestellt werden können. Als Anwendungsfälle seien beispielsweise genannt:
Die Herstellung eines Bildschirmes zur Sichtbarmachung und Datenanzeige. Dieser Bildschirm', der aus einer Matrix von diskreten und individuell adressierbaren Dioden besteht, ist in der Lage, eine Informationsgesamtheit ähnlich wie ein Kathodenstrahlbi1dschirm sichtbar zu machen, wobei er gleichzeitig die Rolle einer BiIdaufnahmeröhre spielt, wenn man ihn als Detektionsgerät benutzt. Für diese beiden Betriebsweisen ist es nötig, eine elektronische Dekodierschaltung vorzusehen.
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Die Herstellung eines Systems zum Schreiben und Lesen von Dokumenten. Indem man das Bild jeder Diode auf ein lichtempfindliches Papier projiziert, ist es möglich, auf einer brauchbaren Unterlage (dem Papier) ein kodiertes elektronisches Signal wiederherzustellen.
Ebenso könnte man, wenn man auf jede Diode das Bild eines zu lesenden Dokumentes projiziert, ein elektrisches Signal erhalten, das proportional zur Menge des von jedem Punkt empfangenen Lichts ist (Videosignal). So gesehen, können die erfindungsgemäßen Dioden als Schreib- und Leseorgan bei Datenübertragungssystemen auf große Entfernungen dienen (Telekopie, Tel einformatik, etc.).
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Claims (12)

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    COMMISSARIAT A L1ENERGIE ATOMIQUE 31/33, rue de la Federation 75015 Paris
    Frankrei ch
    Eiektrolumineszente und lichterkennende Dioden sowie Verfahren zur Herstellung dieser Dioden
    Patentansprüche
    IJ Verfahren zur Herstellung einer elektrolumineszenten und/oder lichterkennenden Diode, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
    a) es wird von einem Plättchen (20) aus ZnTe-HaIbeitermaterial vom p-Typ ausgegangen;
    b) es wird auf der Oberfläche dieses Plättchens (20) eine Schicht (24) von der Stärke x- vorge-
    sehen, die so neutralisiert ist, daß sie mit erhöhtem spezifischem Widerstand isolierend wirkt;
    c) es vjerden Ionen mit einer solchen Energie implantiert, die ausreicht, um einen Einfangbereich
    (26) von der Stärke x, auf der Halbleiteroberfläche und darunter einen isolierenden Bereich (28) von der Stärke x? zu erhalten, wobei x, < x..
    9Q3S40/G'67£
    P 129-CA/79
    -2-
    d) es wird auf der anderen Seite des Plättchens
    (20) ein zweiter Metall kontakt (30) hergestellt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Implantation auf der Oberfläche der
    neutralisierten Schicht (24) eine leitende Schicht (22) aufgebracht wird, die als elektrischer Kontakt dienen kann, und daß die Implantation über diese leitende Schicht (22) erfolgt. 10
  3. 3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Schritt (b) durchgeführt wird, indem auf der Oberfläche des Plättchens (20) eine Schicht vorgesehen und wobei dieses Plättchen (20) so erhitzt wird, daß Atome des Materials, welches die Metallschicht bildet, in einer Tiefe von χ. diffundieren, wobei das Material für die
    Schicht so beschaffen ist, daß die diffundierten Atome das ZnTe-Material in dem diffundierten Bereich so neutralisieren, daß ein neutralisierter und isolierender Bereich von der Stärke x· entsteht.
  4. 4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für die Metallschicht aus der Gruppe Aluminium, Indium, Magnesium, Gold, Indiumoxid und Zinnoxid gewählt wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Material Aluminium oder Indiumoxid ist.
  6. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke x. höchstens
    gleich der Summe der Stärken x, und X2 ist.
    -3-
    909840/0876
    P 129-CA/79
    -3-
  7. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke x· gleich der Summe der Stärken x, und x„ ist.
  8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Ionen-Implantationsenergie durch die Metallschicht derart ist, daß daß Maximum der Gauss'schen Verteilung der implantierten Ionen im wesentlichen mit der Grenzschicht zwischen der oberen Metallschicht und dem neutralisierten Bereich zusammenfällt.
  9. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangsmaterial ZnTe überdotiert ist.
  10. 10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Ausgangsmaterial ZnTe eine Ladungsträger-
    dichte von 1017 bis 1018 at/cm3 hat.
  11. 11. Elektroluminiszente und/oder lichterkennende Diode, dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens aus ZnTe mit einem elektrischen Oberflächenkontakt, einer Oberflächen-Einfangzone, einer Zone mit einem spezifischen Widerstand, der von der Größenordnung von
    7 9
    10 bis 10 /vcm ist, und einem ZnTe-Grundsubstrat vom p-Typ besteht.
  12. 12. Diode nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet,
    daß das ZnTe-Substrat eine Ladungsträgerdichte von 1017 bis 1018 at/cm3 aufweist.
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DE19792911011 1978-03-23 1979-03-21 Elektrolumineszente und lichterkennende dioden sowie verfahren zur herstellung dieser dioden Withdrawn DE2911011A1 (de)

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GB2017404A (en) 1979-10-03
GB2017404B (en) 1982-04-07
CA1138558A (en) 1982-12-28
JPS54130890A (en) 1979-10-11
FR2420848B1 (de) 1982-12-31
US4295148A (en) 1981-10-13
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