DE1639359A1 - Optischer Halbleitersender - Google Patents
Optischer HalbleitersenderInfo
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 25
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 14
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 8
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 23
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 4
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000881711 Acipenser sturio Species 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282320 Panthera leo Species 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000981595 Zoysia japonica Species 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 210000003608 fece Anatomy 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02576—N-type
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02625—Liquid deposition using melted materials
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Description
Stuttgart, den 26. Februar 1968 P 2088
Anmelder:
Nippon Electric Company» Limited,
7-15» Shiba Gochome, Minato-ku,
Tokio-to, Japan
Vertreter:
Patentanwalt Dipl.»Ing. Max Bunke 7 Stuttgart W, Schloßetraße 73B
Erfindung betrifft einen optieoaen Halbleiter3ender aus
einem Halbleiterkristall mit direktem Übergangsverhalten,
ait einer ersten Zone des einen Leitfähigkeitstyps und einer zweiten Zone des entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps, die {
durch einen tN-Lberganp; voneinander getrennt sind, wobei
innerhalb der ersten Zone in der Nähe des IN-obergangs
aufgrund eines otromflusses in Durchlaßrichtung iiekombinationsstrahlung
auftritt. Insbesondere betrifft die Erfindung einen optischen Halbleitersender mit erzwungener Emission
oder einen Halbleiterlaser.
Innerhalb eines solchen Halbleitersenders tritt eine Rekombinationsstrahlung
von Ladungsträgern in der Nähe der Lbergangsschicht
auf, und das erzeugte Licht tritt durch die E- oder P-Zone nach außen, wenn jeweils ein elektrischer Strom in
Durchlaßrichtung durch den PN-übergang fließt. Bei Galliumarsenid,
das für diesen Zweck am weitesten verbreitet ist, erfolgt die Lichtemission innerhalb der P-Zone in der Nähe
des Übergangs parallel zu demselben. Bas emittierte Licht
erleidet in der Stoffmenge des Halbleiterelements eine Absorption, deren Größe sich mit Änderung des Leitfähigkeitstyps (P-Typ oder N-Typ) sowie mit der änderung der Störstelienkonzentration
in jeder Schicht ändert. Die Absorption ist besonders groß in der Hähe der Energielücke. Andererseits
stimmt die Wellenlänge des emittierten Lichts normalerweise mit der Energie in der Nähe dieser Energielücke überein.
Wenn die Störstellenkonzentration ansteigt, wird die Energielücke verwischt und die Zuetandsdichte wird innerhalb der
Energielücke gesteigert, so daß der sog. exponentiell Abfall entsteht. Die P-Zone absorbiert in Galliumarsenid
einen großen Lichtanteil der Wellenlänge, die mit der Energie in der Nähe der Energielücke übereinstimmt, gegenüber der
N-Zone, wenn man jeweils gleiche Störstellenkonzentrationen in der P- und N-Zone betrachtet. Diese Erscheinungen sind z.B.
in "Physical Review" Bd. 133, No. 3A, (1964) S.A 866- A 872,
beschrieben« Nach Messungen bei 770K wird die Änderung der
Zuetandsdichte am Ende des exponentiellen Abfalls merklich,
wenn die Störet«llenkonzentration innerhalb der P-Zone einen
10Ö885/UOI
BAD OBiGiNAL
18 —7·
'.Vert von 7x10 cm J und in der K-Zone einen .'.ert von 5 x 10 cm" überschreitet. Je größer die ötörstellenkonzentration wird, umsomehr Licht derjenigen »ellenlange wird absorbiert» die der Energie in der Nähe der i'nergielücke entspricht. In einem Halbleitersender werden kohärente Lichtwellen innerhalb der !-Zone in der Nähe des l-N-übergangs erzeugt, doch das Licht dringt in einen viel breiteren Bereich ein» wo es absorbiert wird, so daß ein Lichtverlust unvermeidlich ist. '»Venn man eine Licht emittierende Diode mit" einer Licht aufnehmenden Diode kombiniert, wird das sich durch die N-Zone ausbreitende Licht benutzt, auch wenn die N-Zone dicker als die P-Zone ist, da in der I-Zone eine stärkere Absorption erfolgt. Da anderer-seits das Licht innerhalb der P-Zone in der Nähe des Übergangs erzeugt wird, wird mehr Licht emittiert, wenn die Störstellenkonzentration in der Ε-Zone angeiioben wird und wenn außerdem die Störstellenkonzentration in der N-Zone zwecks Verbesserung der Elektroneninjektionsausbeute gesteigert wird. Besonders bei Zimmertemperatur wird die Lichtemission aus einer Galliumarsenid-Lichtemissionsdiode schwach, wenn nicht die Störstellenkonzentration in der P-Zone groß ist, so daß man den iimissionswirkungsgrad durch Vergrößerung der Störstellenkonzentration verbessern möchte. Der Absorptionsverlust wird jedoch merklich ansteigen, wenn die Störstellenkonzentration größer wird.* Nach der obigen Beschreibung ist eine Anhebung der Emissions- '^ ausbeute notwendigerweise von einer Vergrößerung des Verlustes begleitet, wenn man einen bekannten optischen Halbleitersender zugrunde legt.
'.Vert von 7x10 cm J und in der K-Zone einen .'.ert von 5 x 10 cm" überschreitet. Je größer die ötörstellenkonzentration wird, umsomehr Licht derjenigen »ellenlange wird absorbiert» die der Energie in der Nähe der i'nergielücke entspricht. In einem Halbleitersender werden kohärente Lichtwellen innerhalb der !-Zone in der Nähe des l-N-übergangs erzeugt, doch das Licht dringt in einen viel breiteren Bereich ein» wo es absorbiert wird, so daß ein Lichtverlust unvermeidlich ist. '»Venn man eine Licht emittierende Diode mit" einer Licht aufnehmenden Diode kombiniert, wird das sich durch die N-Zone ausbreitende Licht benutzt, auch wenn die N-Zone dicker als die P-Zone ist, da in der I-Zone eine stärkere Absorption erfolgt. Da anderer-seits das Licht innerhalb der P-Zone in der Nähe des Übergangs erzeugt wird, wird mehr Licht emittiert, wenn die Störstellenkonzentration in der Ε-Zone angeiioben wird und wenn außerdem die Störstellenkonzentration in der N-Zone zwecks Verbesserung der Elektroneninjektionsausbeute gesteigert wird. Besonders bei Zimmertemperatur wird die Lichtemission aus einer Galliumarsenid-Lichtemissionsdiode schwach, wenn nicht die Störstellenkonzentration in der P-Zone groß ist, so daß man den iimissionswirkungsgrad durch Vergrößerung der Störstellenkonzentration verbessern möchte. Der Absorptionsverlust wird jedoch merklich ansteigen, wenn die Störstellenkonzentration größer wird.* Nach der obigen Beschreibung ist eine Anhebung der Emissions- '^ ausbeute notwendigerweise von einer Vergrößerung des Verlustes begleitet, wenn man einen bekannten optischen Halbleitersender zugrunde legt.
Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines optischen Halbleitersenders
mit hohem ümissionswirkungsgrad und geringem Absorptionsverlust.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch gelöst, daß
innerhalb dieser ersten Zone im Anschluß an den PN-Übergang und über den Bereich der Diffusionslänge der Ladungsträger
109885/1401
BAD ORIGINAL
eine hochdotierte Schicht gleichen Xeitf&higkeitstyps vorhanden
ist.
Bei Galliumarsenid, wo die 2ekonibinationsstrahlung in der I-Zone
entsteht, werden aus dem Hi-lbergang in die I-Zone
Elektronen injiziert. Die Diffusionslänge von .Elektronen in
Galliumarsenid liegt etwa zwischen.1 ja - 3/u in einem Temperaturbereich
zwischen 77°' bis zu tezipifätur und bei einer
Störstellenkonzentration zwischen 10 und 10 ' cm";. Bei einer
Temperatur von 77°K ist die Diffusionslänge für den angegebenen Konsentrationsbereich etwa 1 /o, bis 1,5^. In Galliumphosphid
liegt die Diffusionslänge von Elektronen normalerweise zwischen 4/u und 5 n. Die Diffusionslänge von Ladungsträgern hängt in
sehr verwickelter Weise von zahlreichen Größen ab, z.B. Temperatur
und Störstellenkonzentration; die Bestimmung, erfolgt deshalb in vielen Fällen durch Messungen. Bei einem Halbleitersender
mit einem Kristall aus Galliumarsenid, Indiumarsenid, Indiumantimonid, Galliumphosphid oder dgl., wo die Rekombinationsstrahlung
in der I-Zone auftritt, hat der Kristall nach der Erfindung einen PP+K~Aufbau, wo die Dicke der P+-Schicht
im Anschluß an den -Mi-Übergang innerhalb der Diffusionslängeder
Trägerelektronen liegt. Bei einem Kristall, wo die Rekombinationaetrahlung
in der N-Zone auftritt, handelt es sich bei
den Ladungsträgern selbstverständlich um Löcher.
Da die Dicke der hochdotierten Schicht im Anschluß an den tN-übergang
nicht größer als die Diffusionslänge der Ladungsträger
ist, erfolgt die Rekombination der aus dem Übergang injizierten Ladungsträger im wesentlichen innerhalb dieser
Schicht. In der hochdotierten Schicht liegt die Zustandsdichte innerhalb der Energielücke, so daß die Wellenlänge des emittier
ten Lichts groß wird, d,h, die Quantenenergie ist gering. Andererseite ist in den die hochdotierte Schicht einschließenden
Zonen die Zustandsdichte innerhalb der Energielück© klein,
und das erzeugte Licht wird nur wenig absorbiert, da die Störatellenkonzentration
vergleichsweise gering ist. Deshalb kann
109885/1408
das in der hochdotierten Schicht erzeugte Licht, auch wenn es
in die anschließenden Zonen eindringt, in den Außenraum gelangen, ohne daß es in diesen umgebenden Z.onen absorbiert wird.
In der hochdotierten schicht ist der Lichtemissionswirkungsgrac
infolge der hohen Störstellenkonzentration größer. Deshalb begünstigen die starke Lichtemission in der hochdotierten
Schicht und die geringe Lichtabsorption in den anderen Zonen
die Lichtemission nach außen merklich.
Unter der Dicke der hochdotierten Schicht ist die effektive Dicke zu verstehen. Eine Dicke gleich der Diffusionslänge
der Ladungsträger dieser Schicht ist vorzuziehen und Liegt damit die Obergrenze des effektiven Dickenreiches fest»
Eine die Diffusionslänge überschreitende Dicke führt zu einer starken Zunahme der Absorption des emittierten Lichts, ^ndererßeits
muß die hochdotierte Schicht eine ähnliche Dicke haben, damit man die durch die Erfindung erstrebte wirkung erzielt.
Die Störstellenkonzentration in der hochdotierten Schicht muß etwa das 1,5-fache oder mehr des Wertes derjenigen Zone betragen,
in der diese Schicht ausgebildet ist. «Venn die Storstellenkonzentration
geringer ist, ist, die V.irkung der Schicht nicht merklich. Die genannte Schicht muß eine Störstellenkonzentration
zwischen 5 und 7 x 10 VcnT* oder mehr haben, damit
man eine Laserwirkung erhält. Die Laserwirkung tritt also in einer entarteten Zone auf. Nach der Erfindung muß also bei
einem Halbleiterlaser die Schicht im Anschluß an den Ki-übergang
innerhalb des Bereichs der Diffusionslänge der Ladungsträger entartet sein: die Störstellenkonzentration in dem
/spyps
restlichen Teil der Zone gleichen Leitfähigkeit wie die entartete Schicht muß um einen faktor 1/1$5 oder weniger geringer
sein. Eine solche Entartung einer Licht emittierenden Schicht ist für einen gewöhnlichen optischen Halbleitersender ohne
Laserwirkung nicht notwendig.
Nach der Erfindung kann man eine genügend groß© Ausgangs-Lichtintensität
auch in Richtung senkrecht zu dem übergang
erreichen, wenn ein emittierender Bereich eines Leibfähigkeits
vorhanden ist, s.B. die !«Zone im falle von Gailr,marsen
109885/140*
Durch Ausnutzung der Reflexion an den Kristallflächen, die
im wesentlichen parallel zu der Übergangsfläche verlaufen,
erhält man in Licht emittierenden Dioden eine hohe Ausgangsintensität.
Die Erfindung wird im folgenden anhand "bevorzugter Ausführungsformen
unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
Die Figuren i(a) bis 1(e) zeigen perspektivische Ansichte:
eines Halbleitersenders nach der Erfindung in verschiedenen Stufen der Herstellung,
Figur 2 zeigt ein Diagramm der otörstellenverteilung
innerhalb des Halbleiterkörper,
Figur 3 ist eine Seitenansicht einer .weiteren Ausführung.
form der Erfindung,
Figur 4' eine perspektivische Ansicht einer Laserdiode,
Figur 5 eine perspektivische Ansicht einer Licht emittierenden
Diode nach der Erfindung und
Figur 6 zeigt einen Schnitt disrcli ein anderes Beispiel
einer Licht. emittieyeMsn Diode nach der irf in-
- » dung'.
Fig. iXa) zeigt einen Einkristall 11 aus K-leitendem Galliumarsenid
mit einem Telluriumgehalt von 2 χ 10 Atomen/cnr
und mit einer Dicke von etwa 300/1. Auf diesen Einkristall
11 wird eine nichtdargestellte P+-Schicht aus einem Galliumarsenideinkristall
in einer Dicke von etwa 100 p. durch Ziehen aus einer Lösung aufgewachsen, wo die Behandlungsdauer etwa
70 min bei einer maximalen Temperatur von etwa 900°C beträgt und eine Lösung mit einem Gehalt von 4,5 g Gallium* Gß5 g
Zink und 0,7 g Galliumarsenid benutzt wird. Einzelheiten dieses Lösungs-Ziehverfahrens sind in "RCA Review" Dezember
1963> S. 603-615 beschrieben. Die aufgewachsene Jchicht
• ' 18 —i erreicht eine Störstellenkonzentratiön von etwa 8 χ 10 csi"*^.
Dann wird der mit einer aufgewachsenen 3chicht bedeckte .Einkristall poliert, so daß man eine Verjüngung von 5° *
erhält und anschließend in eine üisclilösung von Salpetersäure
und Flußsäure im Volumenverhältais 1 : 1 während der Dauer von etwa einer Sekunde eingetaucht, damit der l·N-^;bergang
in dem verjüngten Abschnitt freigelegt wird* Darauf wird die P+~Schigi|t-vojp den Dberfiäclien de.i νΛnkrlstails mit
BAD ORIGINAL
ausnähme der eine einzige Oberfläche bedeckenden Jchicht 12
vollständig abgeschliffen. Die dadurch erhaltene r'orjn dos
Kristalls ist in Fig. 1(Td) gezeigt, oodann wird die verbliebene
I "^-Schicht 12 auf eine Dicke von etwa 1O.u auf die üüte einer^
Spiegelfläche poliert. Dann werden. l\ickelbeläge 13 und 1J1 in
einer Dicke von etwa 2CO^ auf nichtelektrolytischem ..ege
an beJÄen Enden der polierten Spiegelfläche der I -Schicht
abgeschieden, Fig. 1(c). Der Kristall wird darauf iL-
mit
ng 8
ng 8
mit .
in einer wäßrigen Lösung 8 °/b Kaliumhydroxyd elektrolytisch
poliert, wobei die Kickelbeläge 13 und 13'■ als Jlleifcroden
d±nen, damit die P+-ochicht 12 dünner wird. In diesem Verfahren.. Λ
gang wird die Dicke der !"""-ochicht 12 indirekt mittels eines
zwischen den elektroden 13 und 13' fließenden elektrischen
Stromes gemessen, wobei die Änderung des ochichtwiderstandes
auf einem Oszillographenschirm beobachtet wird. .Venn die I+-
öchicht 12 mit einer Anfangsdicke von 10 η auf eine .rinddicke
von z.B. 1/U gebracht werden soll, wird das elektrolytische
Polieren solange fortgesetzt, bis der Widerstand der Schicht den zehnfachen Wert gegenüber dem Ausgangswert erreicht hat.
Wenn z„B. die Abmessungen der !-"^-Schicht 12 1 cm in der Länge,
5 mm in der Breite "und 10 λι in der Dicke betragen, hat die
1 -Schicht 12 einen widerstand von etwa 5 Sc. . Wenn die Dicke
der Ssiiicht 12 auf 1yu abgenommen hat, erreicht der Widerstand
50 O ο Den erhaltenen Körper zeigt Fig. 1(d). In der nächsten f
Behandlungsstufe werden die .Elektrodenbeläge 13 "und 13' entfernt
und sine P-Zone 14 in Form eines Galliumarsenidein-
17 —·5 krisialles mit einer Störstellenkonzentration von 7 x 10 'cm
in einer Dicke von etwa 100 λι durch das Lösungszieirverfahren
aufgewachsen, wobei eine Behandlung während einer Dauer von 70 min bei einer maximalen Temperatur von 9000C in einer
Lösung erfolgt, die 4,5 g Gallium, 0,01 .g Zink und 0,7 g
Galliumarsenid, enthält. Damit erhält man den Kristall nach Fig. 1(e) mit einem IP+N-AUfbau.
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Der N-leitende Einkristall 11 in !''ig. 1(a) kann auch durch
einen !^leitenden Galliumarsenideinkristall mit einer hohen
Störstellenkonzentration ersetzt werden. In diesem i('all wird
durch Lösungsziehen mittels einer Lösung mit einem Gehalt von 4,5 g Gallium, 0,01 g 'üellurium und 0,7 g Galliumarsenid eine
N-leitende Einkristallschicht auf den :t+-leitenden iiinkristall
aufgewachsen, so daß man einen I+N-Aufbau erhält. In nachfolgenden
Behandlungsstufen entsprechend den Behandlungsstufen
nach den Fig. 1(c) bis 1(e) ergibt sich ein entsprechender PP+N-Aufbau. Anstelle des Lösungsziehverfahrens kann man zur ,
Abscheidung der beiden Einkristallschichten in gesonderten Behandlungsstufen auch das Epitaxialverfahren anwenden. Die
Einstellung der Dicke der I+-öchicht kann auch durch verschiedene
chemische folierverfahren anstelle von elektrolytischen Polierverfahren genügend genau erfolgen.
Fig. 2 zeigt die Verteilung der 3törstellenkonzentration
in dem Kristallkörper nach Fig. 1(e) in schematischer Darstellung.
Die Abszisse gibt den Abstand L von der Oberfläche 15
des Kristallkörpers nach Fig. 1(e) an, wogegen auf der*Ordinate
di£ Störstellenkonzentration aufgetragen ist. In der oberen Ordinatenhalbebene'oberhalb der Abszissenach.se ist die Akzeptorkonzentration
N^ aufgetragen (bei dem Kristallkörper nach Fig. 1 die Zinkkonzentration), wogegen in der unteren Halbebene,
die Donatorkonzentration K^ angegeben ist (im Falle der
Fig. 1 die Telluriumkonzentration). Die ausgezogene Vertei-Iuig3kurve
21 gibt schematisch die Verteilung der Störstellen-' konzentration aufgrund der oben beschriebenen Behandlung an.
Tatsächlich stellt sich jedoch die Verteilung nach der gestrichelten Kurve 22 ein, da die Störstellen während des'Ziehens
der verschiedenen Kristallschichten nach außen diffundieren.
Folglich sind die übergänge zwischen der ί +-3chicht 12 mit
1/ü. und der P-Zone 14 sowie zwischen der i-+~ochicht 12 und der
N-Zone 11 nicht steil. Im Rahmen dieser Beschreibung wird als
effektive Dicke der P*-ächicht der Abstand zwischen dem i K-*
tbergang und demjenigen lunkt festgelegt, wo die Konzentration
genau den Mittelwert zwischen dem höchsten Konzentrationswert
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und dem Konzentrationswert 24 der i-Zone 14 erreicht. In dem
Kristall der Fig. i(e) ist die i:+-ochicht 1 μ dick. Jelbst wenn
die tatsächliche Dicke der. i-+~oc.hicht in der Größe von 2 u in
der Behandlungsstufe nach i?ig. 1(d) ausgewählt wird, kann man die effektive Dicke auf 1/U oder weniger einstellen, indem
während der Ab*oheidung der üristalischicht e-ine Erhitzung
erfolgt» ' ' \ .-.
In dem Kristall nach Fig. 1(e) bewirken Elektronen, die bei
Anlegen einer Spannung in Durchlaßrichtung aus dem Hi-Gbergang
in die P-Zone injiziert werden, eine Bekombinationsstrahlung
innerhalb der !-"^-Schicht 12, während deren Dicke im wesentlichen
J Λ
mit der Diffusionslänge der Elektronen übereinstimmt. Da die Löcherkonzentration in der l+-3chicht 12 hoch ist, erhält man/
eine intensive 'Lichtemission. Dagegen ist die Störstellenkonzentration
in der anschließenden P-Zone 14 klein, so daß die Absorption des emittierten Lichts in dieser Zone gering ist.
Auch in der anschließenden N-Zone 11 ist die Lichtabsorption
18 —^
gering, da dort tin« Storstellenkoneentration von 2 χ 10 cnT^
vorherrscht. Infolgedessen kann das in der P+-Schicht 12 ·
erzeugte Licht ohne merkliche Absorptionsschwächung nach außen treten.
Fig. 3 seigt eine Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung, wo zusätzlich eine N+-8chicht 31 in den Aufbau
nach Fig. 1(e) eingefügt ist, damit man einen höheren Injektions wirkungsgrad erhält. Dieser Aufbau kann nach verschiedenen
Verfahren hergestellt werden. Z.B. können die P+-Schicht 52 und
wie die P-Zone 33 in entsprechender Weise, anhand der Fig. 1(a) bis
1(e) erläutert, auf einer N^Galliumarsenidschicht 31 mit einer
18 'S
Telluriumkonzentration von 8 χ 10 Atomen/cnr gezogen werden.
Darauf wird die Schicht 31 auf ein© Dicke von etwa 5/U in der
oben beschriebenen V/eise poliert; schließlich wird eine N-Zone
17 -5S 34 mit einer Telluriinnkonzentration von 5 x 10 'cm J in gleicher
Weise wie. oben beschrieben gezogen« indem man eine Lösung mit*
einem Gehalt von 4,5 g Gallium, 0,01 g Tellurium und 0,7 g
Galliumarsenid benutzt.
Wenn durch diese Anordnung ein elektrischer Strom in Durchlaß-
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richtung fließt, steigt der Injektionewirkungsgrad aus der.
N+-3chicht 31 in die !^-Schicht 32 an, wodurch die L'ichtemieaion
infolge der Hekombinationsstrahlung in der P "'"-Schicht
32 weiter vermehrt wird. Obgleich die Lichtabsorption der N+-Schicht 31 für das in der P+-Schicht 32 erzeugte Licht
nicht überragend groß ist, ist- es doch zweckmäßig, -die N+-
ochicht 31 so dünn wie möglich zu machen, damit diese Lichtabsorption
möglichst gering blei.t. Im Hahmen des Ausführungsbeispiels ist eine Dicke von 5/i gewählt. Bie Lichtabsorption
in der P-Zone 33 und in der N-Zone 34 ist nach der obigen
Beschreibung klein· Insgesamt bringt der Aufbau nach Fig. eine weitere Erhöhung der Ausbeute eines HaIbIeitersenders
nach der Erfindung.
Pig. 4 zeigt' eine Diode mit induzierter Emission, .eine sog.
,Laserdiode. Dabei handelt es sich um eine Galliumarsenidlaserdiode
mit einem PP+N-Aufbau aus einer I-Zone 4-1, einer
I'+-Schicht 42 und einer N-Zone43. Die Dicke und Jtörstellenkonzentration
einer jfden Zone oder Schicht entspricht den
Werten für die Zonen 11, 12 und 1.4 in Fig. 1(e). Einander
gegenüberliegende Stirnflächen 44 und 45 werden gespalten oder maschinell poliert, so daß man zueinander parallele, ebene
Spiegelflächen zur Verwirklichung eines ffabry-Perot-Resonators
erhält. Die beiden andern einander gegenüberliegenden ojbiraflachen
46 und 4? erhalten eine geringere Oberflächengüte.
Auf den Ober- und Unterflächen wird durch nichtelektrolytische Flattierung Nickel abgeschieden und gesintert, so daß man
Elektroden 48 und 49 erhält.
Wenn ein elektrischer otrom bei der Temperatur von flüssigem
Stickstoff in Durchlaßrichtung zwischen den Elektroden 48 und 49 fließt, setzt bei einer Stromdichte oberhalb eines ochwel-.
lenwerts eine Laserschwingung ein. E±ttBeispiel solcher Arbeitswerte
wird im folgenden angegeben. Bei einer Länge des Resonators (dem Abstand zwischen den Stirnflächen 44 und 4J?)
von 150/u ergibt sich die Schwellenwert-Stromdichte etwa su
2000 A.cm"2 und die Wellenlänge der Schwingung zu 8490 A.
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"1V' S
,Andererseits erhält man mit .einer bekannten ί +Ιί-Laserdiode,
die nach dem Lösungsziehverfahren hergestellt war und bei der
die Abmessungen des Kristalls und Größe der otörstellenkonzen-·
tration in der Endzone und der 1+-Zone mit der Diode nach der
Erfindung übereinstimmen, unter gleichen Anregungsbedingungen
eine Schwellenwert-Stromdichte von etwa 5000 A/cm und eine
ο Wellenlänge der Schwingung von 84?0 A. Die Laserdiode nach der
Erfindung ist somit durch wesentlich geringere Lichtabsorptionsverluste
ausgezeichnet.
Fig, 5. zeigt einen optischen Biodensender nach der Erfindung,
wo das Licht auf der Seite der P-Zone austritt. Die Dicke und ^
die Störstellenkonsentration ^eder Zone oder Schicht des Pt+N- ™
Aufbaus entsprechen den Werten für den Aufbau nach Fig. i(e).
Bei bekannten optischen Sendern dieser Art macht man als Gegenmaßnahme zur Ausschaltung der Lichtabsorption in der 1-Zone
dieselbe außerordentlich dünn. Im Rahmen der Erfindung absorbiert dagegen die 1-Zon.e 51 weniger des in der !-"^-Schicht
52 erzeugten Licht, so daß die Ausgangsintensität des Lichts ausreichend stark ist, ohne daß man die Zone ungewöhnlich
dünn machen müßte. Die obere Elektrode 54 und die untere Gegenelektrode
55 sind durch Sintern von nichtelektrolytisch abgeschiedenem
Nickel hergestellt." Wenn ein Strom in Durchlaßrichtung zwischen diesen Elektroden fließt, kann ein Ausgangsiichtbündel
56 in Sichtung senkrecht zu der Fläche des Übergangs
durch die ϊ-Zone 51 nachgewiesen werden.
Fig. 6 zeigt einen weiteren Diodensender, bei dem eine Heflexionsflache
61 zur Erhöhung der Lichtausbeute des durch die K-Zone austretenden Lichtbündels dient. Die I-Zone 64, die
Γ -ochicht 63 und die N-Zone 64 entsprechen jeweils den Zonen
14, 12 und 11 in Fig. 1(e). Die Reflexionsfläche 61 wird durch
iolieren auf optische Güte Oder durch Plattieren mit einer
Silberschicht hergestellt. Auf einem Teil der ReflexionsfläcMe
61 wird die Nickelelektrode 65 durch das oben beschriebene Verfahren erzeugt, entsprechend auf einem Teil der unteren
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163S359
Spiegelfläche 66 die Gegenelektrode 67. .*enri ein elektrischer
Ütrom in Durchlaßrichtung zwischen den elektroden 65 und 6?
fließt, tritt der in der 1:-+-*chicht 63"erzeugte Lichtanteil 68
durch die N-Zone nach unten und tritt aus dem Element aus, wogegen der nach oben gerichtete"Lichtanteil 69 durch die r-Zone
62 tritt und an der Heflexionsflache 61 reflektiert wird,
worauf er wieder durch die 1-Zone.62, die I+-ochicht 6$ und
schließlich durch die Γ.-Sone 64 austritt. Die I-Zone 62 und dit
N-Zone 64 absorbieren das in der I:+-Schicht 63 erzeugte Licht
nur zu einem geringen Anteil. Die I+-ochicht 63 absorbiert
das reflektierte Licht nur'wenig., da die i:+-8chicht 53 vollständig
innerhalb der Emissionszone"liegt und außerdem eine geringe Dicke hat. Das aus der N-Zone austretende Licht hat
eine etwa doppelte Intensität gegenüber einem bekannten optischen Senderelement, wo das Licht durch die N-Zone ausgestrahlt
wird und wo die 1-Zone einen großen Lichtanteil absor^
biert. Im Vergleich zu einem bekannten optischen oenderelement gleicher Größe und gleicher ätörstellenverteilung in der I+-
ßchicht und in der N-Zone mit einem Lichtaustritt durch die N-Zone beträgt die Ausgangsintensität des optischen 3ehderelements
mit versilberter fiefleacionsfläche nach der Erfindung
gemäß Fig. 6 etwa da3 1,8-fache.
Wenn man bei dem optischen otßd#r«l6Ki*nt; nach Fig» 6 die . ·
untere Spiegelfläche 66 versilbert und als Reflexioneflache
auebildet und das Liont durch dl« Oberfläche 61 austreten
läßt, erreicht man.selbstverständlich eine entsprechende
Wirkung wie zuvor beschrieben, d.h. die Lichtausgangsintensität steigt etwa auf das Doppelte gegenüber einem bekannten
Diodensender an.
Wenn bei dem Element nach Fig. 5 die Elektrode 55 auf einem
Teil der Unterfläche in entsprechender Weise wie die elektrode 67 in Fig. 6 angeordnet wird und die Unterfläche als Spiegelfläche
'ausgebildet ist, damit das Licht durch dieselbe au·-
treten kann, kann man Lichtbündel nahezu gleicher Intensität
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in zwei zueinander entgegengesetzten dichtungen durch die 1-Zone
51 und- die IT-Zone 53 austreten lassen.
Im vorigen sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
beschrieben, doch ist die Erfindung selbstverständlich nicht auf diese Ausführungsformen eingeschränkt. Die i'ig. Λ, 5 und 6
zeigen entsprechend der i-'i-j. 1 nur den H+N-Auf bau. Diese Ausführungsformen
können jedoch auch durch einen IP+U+K-AUfbau
nach Fig. 3 verwirklicht werden. Be.i einem Halbleitersender oder Halbleiterlaser, wo die Lichtemission in der H-Zone
auftritt, kann men einen HN+P-Aufbau oder KN+P+P-Aufbau
stattdessen vorsehen«, Man kann auch mehrere der oben beschriebenen
Elemente innerhalb eines Grundkörpers hinterbringen,
indem man eine selektive Ziehtechnik und eine selektive Diffus ionstechnik anwendet. Anateile von Galliumarsenid kann man
auch andere Halbleiteratoffe mit direktem tbergangsverhalten
benutzen, bei denen die Störstoffe zur Festlegung d-es LeitfätLgkeitstyps
entsprechend dtn jeweiligen Gegebenheiten ausgewählt werden.
Claims (7)
1. Optischer Halbleitersender aus einem Kalbleiterkristall
mit direktem Lbergangsvernalten, mit einer ersten Zone des
einen Leitfähigkeitstyps und einer zweiten Zone des entgegengesetzten
Leitfähigkeitstyps, die durch einen Ηί-ί/oergang
voneinander getrennt sind, wobei innerhalb der ersten Zone in der Nähe des IN-Übergangs aufgrund eines ötromflusses
in Durchlaßrichtung Hekombinationsstrahlung auftritt, dadurch
gekennzeichnet, daß innerhalb, dieser ersten Zone (14) im Anschluß an den HS-Übergang und über den Bereich der .Diffusionslänge der Ladungsträger eine hochdotierte schicht (12) gleichen
Leitfähigkeitstyps vorhanden ist.
2. Optischer Halbleitersender, dadurch gekennzeichnet, daß
die ötörstellendichte innerhalb der hochdotierten Schicht
mindestens das 1,5-fache des Wertes in der ersten Zone ausmacht;»
3. Optiacher Halbleitersender nach Anspruch. 1 oder 2 mit erzwungener
Erniesion, dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte
Schicht in entartetem Zustand vorliegt.
4. Optischer Halbleitersender nach einem der Ansprüche 1 - 3>
bei dem die Rekombinationestrahlung innerhalb der i-Zone
auftritt, dadurch gekennzeichnet,. &*ß die hochdotierte Schicht
innerhalb der P-Zone eine P+-Schicht ist.
5. Optischer Halbleitersender nach einem der Ansprüche 1-3,
bei dem die Rekombinationsstrahlung in der N-Zone auftritt,
dadurch gekennzeichnet, daß die hochdotierte Schicht innerhalb der N~Zone eine N+-Schicht ist.
6. Optischer Halbleitersender nach einem der Ansprüche 1-5» "
gekennzeichnet durch einen If^K^li-Halbleiterkörper.
7. Optischer Halbleitersender nach einem der Ansprüche 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß eine parallel zu der.l-K-tbergangs.
fläche verlaufende Oberfläche des Halbleiterkörpers als
Spiegelfläche ausgebildet ist (Figur 6).
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Lee rs e i te
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1276967 | 1967-02-27 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1639359A1 true DE1639359A1 (de) | 1972-01-27 |
DE1639359B2 DE1639359B2 (de) | 1972-12-14 |
DE1639359C3 DE1639359C3 (de) | 1978-09-28 |
Family
ID=11814593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1639359A Expired DE1639359C3 (de) | 1967-02-27 | 1968-02-27 | Elektrolumineszente Halbleiterdiode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3501679A (de) |
DE (1) | DE1639359C3 (de) |
GB (1) | GB1222527A (de) |
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- 1968-02-27 DE DE1639359A patent/DE1639359C3/de not_active Expired
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE1639359C3 (de) | 1978-09-28 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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