DE829018C - Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern Sperrschichtphotozellen - Google Patents
Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern SperrschichtphotozellenInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 24
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 24
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 24
- 238000005496 tempering Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical class O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02656—Special treatments
- H01L21/02664—Aftertreatments
- H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
- Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern und Sperrschichtphotozellen Selenschichten, die zur Herstellung von Trockengleichrichtern oder Sperrschichtphotozellen dienen, werden bekanntlich dadurch erzeugt, daß auf eine aufgerauhte, meistens ebene Grundplatte eine dünne Selenschicht nach einem Aufschmelz-, Aufpreß-oder Aufdampfverfahren aufgebracht wird. Auf die Oberfläche der Selenschicht wird dann gewöhnlich nach einem Spritzverfahren eine niedrig schmelzende Gegenelektrode aus Metall so aufgebracht, daß sich zwischen der Selenschicht und dieser Gegenelektrode die sogenannte Sperrschicht ausbildet.
- Es ist üblich, dem Selen zur Erhöhung der Leitfähigkeit bei der Herstellung bestimmte Substanzen; insbesondere Halogene, beispielsweise Jod, zuzusetzen. Dieser Zusatz erfolgt vor dem Aufbringen des. Selens auf die Grundplatte, und zwar in der Größenordnung von i o/oo. Um die elektrische Leitfähigkeit der aufgebrachten Selenschicht zu verbessern, wird diese für die Dauer von ungefähr einer halben Stunde einer Temperaturbehandlung kurz unter dem Schmelzpunkt des Selens unterworfen. Bei dieser Temperung tritt als erwünschter Effekt eine Vergröberung des Kristallgefüges auf. Weiterhin geht dabei ein Bruchteil des zugesetzten Halogens verloren, und zwar verarmen die obersten Teile der Selenschicht stärker an Halogen als die unteren Schichten. Auch diese zweite Wirkung des Tempervorganges ist erwünscht, da der Widerstand der Sperrschicht desto höher ansteigt, je freier die Sperrschicht von den zugesetzten Halogenen ist.
- Die Erfindung gibt nun ein Verfahren an, bei dem diese beiden erwünschten Wirkungen der Temperaturbehandlung, nämlich die Kristallvergröbe rung und die Herstellung des Konzentrationsgefälles des Halogens getrennt voneinander beeinflußt werden können.
- Bei Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern und Sperrschichtphotozellen wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, zunächst die Temperung der Selenschicht zur Umwandlung derselben in eine, die Elektrizität besser leitende Struktur in einer. halogenhaltigen Atmosphäre vorzunehmen und dann die Selenscheibe nochmals kurz in halogenfreier Atmosphäre zu tempern.
- Bei der Temperung der Selenschicht in einer halogenhaltigen Atmosphäre wird der Partialdruck des Halogens so gewählt, daß er sich mit der Dampfspannung des im Selen enthaltenen Halogens im Gleichgewicht befindet. Vorteilhaft verwendet man für die halogenhaltige Atmosphäre das gleiche Halogen, das dem Selen zugesetzt worden ist. Während dieser Behandlung tritt nur die gewünschte Strukturänderung des Selens ein und keine Halogenverarmung. Temperungszeit und -temperatur werden so gewählt, daß nahezu der erwünschte Endzustand erreicht wird.
- Anschließend an die Temperung wird eine kurzzeitige Temperaturbehandlung in halogenfreier Atmosphäre vorgenommen, die nur den Zweck hat, die Verdampfung des Halogens aus den oberen Selenschichten in dem gewünschten Umfang eintreten zu lassen. Die hierfür erforderlichen Zeit-und Temperaturwerte werden jeweils einmalig durch Versuche bestimmt.
- Es soll in diesem Zusammenhang noch erwähnt werden, daß die Entfernung des Halogens aus den oberen Selenschichten auch durch Behandlung mit organischen Lösungsmitteln, insbesondere Dialkylverbindungen, erfolgen kann. Hierfür sind besonders Oxyäther, Thioäther und Dialkylselenid geeignet, die einzeln oder gemischt angewandt we:rden können. Um eine Verarmung an Halogen herbeizuführen, kann also statt einer zweiten Temperaturbehandlung in halogenfreier Atmosphäre auch eine Behandlung in geeigneten organischen Lösungsmitteln erfolgen. Es ist aber auch möglich, zwischen der ersten Temperung in halogenhaltiger Atmosphäre und der Behandlung in organischen Lösungsmitteln noch die Temperaturbehandlung in halogenfreier Atmosphäre einzuschalten.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Temperung von Selenschichten für Trockengleichrichter und Sperrschichtphotozellen, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Temperung der Selenschicht zur Umwandlung derselben in eine die Elektrizität besser leitende Struktur in einer halogenhaltigen Atmosphäre vorgenommen wird und daß die Selenscheiben dann, entweder kurz nochmals einer Temperaturbehandlung in' halogenfreier Atmosphäre oder mit organischen Lösungsmitteln nach Art von Dialkylverbindungen, beispielsweise Oxyäther, Thioäther und Dialkylselenid behandelt werden.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß in der halogenhaltigen Atmosphäre das gleiche Halogen vorliegt wie das im Selen befindliche.
- 3. Verfahren nach Anspruch i und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Temperung in einer halogenhaltigen Atmosphäre und einer damit kombinierten Temperaturnachbehandlung in halogenfreier Atmosphäre eine Behandlung mit organischen Lösungsmitteln nach Art von Diakylverbindungen, beispielsweise Oxyäther, Thioäther und Dialkylselenid, erfolgt.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4860A DE829018C (de) | 1948-10-01 | 1948-10-01 | Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern Sperrschichtphotozellen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP4860A DE829018C (de) | 1948-10-01 | 1948-10-01 | Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern Sperrschichtphotozellen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE829018C true DE829018C (de) | 1952-01-21 |
Family
ID=7359658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP4860A Expired DE829018C (de) | 1948-10-01 | 1948-10-01 | Verfahren zur Temperung von Selenschichten zur Herstellung von Trockengleichrichtern Sperrschichtphotozellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE829018C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1107830B (de) * | 1953-09-16 | 1961-05-31 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen |
| DE1186555B (de) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfaehigkeit |
-
1948
- 1948-10-01 DE DEP4860A patent/DE829018C/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1107830B (de) * | 1953-09-16 | 1961-05-31 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen |
| DE1186555B (de) * | 1962-04-07 | 1965-02-04 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern mit hoher Sperrfaehigkeit |
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