DE893232C - Selengleichrichterplatte - Google Patents

Selengleichrichterplatte

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DE893232C
DE893232C DEP39395A DEP0039395A DE893232C DE 893232 C DE893232 C DE 893232C DE P39395 A DEP39395 A DE P39395A DE P0039395 A DEP0039395 A DE P0039395A DE 893232 C DE893232 C DE 893232C
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DE
Germany
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selenium
selenium rectifier
rectifier plate
vapor
alkalis
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Expired
Application number
DEP39395A
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English (en)
Inventor
Fritz Dr Phil Brunke
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Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
    • H10D48/01—Manufacture or treatment
    • H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/043—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination
    • H10D48/045—Treatment of the surface of the selenium or tellurium layer after having been made conductive
    • H—ELECTRICITY
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    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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    • H10D48/04—Manufacture or treatment of devices having bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form
    • H10D48/043—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to foundation plates or the subsequent treatment of the combination
    • H10D48/046—Provision of discrete insulating layers

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  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

  • Selengleichrichterplatte Mit Alkalien, insbesondere Cäsium, behandelte Selengleichrichterplatten sind bekannt; man stellt sie beispielsweise durch Baden in einer alkalischen Flüssigkeit her. Sie zeichnen sich durch eine Erhöhung der Sperrspannung v or den unbehandelten Platten aus. Diese Gleichrichterplatten werden jedoch wesentlich schneller durch Alterung unbrauchbar.
  • Eingehende Untersuchungen haben nun gezeigt, daß eine wesentliche Erhöhung der Sperrspannung bei gleichzeitiger Erhöhung der Lebensdauer erzielt werden kann, wenn die Alkalien ausschließlich oder mindestens zu 95 % als Selenide auf dem Selen bzw. in einer Oberflächenschicht des Selens vorgesehen werden. Diese erfindungsgemäßen Selengleichrichterplatten sind wahrscheinlich deshalb beständiger, weil sie auf dem Selen bzw. in seiner Oberflächenschicht keine oder nur bedeutend weniger freie Alkalien enthalten als die bekannten, mit Alkali behandelten Selengleichrichterplatten. Die kurze Lebensdauer der bekannten Selengleichrichterplatten dieser Art ist wahrscheinlich darauf zurückzuführen, daß die freien Alkalien unter dem Einfluß der angelegten Spannung wandern und dadurch den Störstellengehalt der Halbleiterschicht wesentlich ändern.
  • Es empfiehlt sich, die Dicke der Selenidschicht möglichst klein zu wählen; ioo Atomlagen sollten keineswegs überschrittenwerden. Besonderswichtig ist es, dafür Sorge zu tragen, daß auf der Oberfläche bzw. in der Oberflächenschicht möglichst kein freies Alkalimetall oder Alkalihydroxyd vorhanden ist.
  • Selengleichrichterplatten gemäß der Erfindung kann man mit Vorteil dadurch herstellen, daß auf die Selengleichrichterplatte der Dampf eines Alkalimetalls, vorzugsweise Cäsiumdampf, zur Einwirkung gebracht wird. Um dieses Fabrikationsverfahren ohne besondere Schwierigkeiten reproduzierbar lenken zu können, empfiehlt es sich, die Dampfdichte und die Reaktionstemperatur bei dieser Durchführung so niedrig zu wählen, daß zum Bilden einer Selenidschicht der erforderlichen Dicke io Minuten, vorzugsweise i Stunde, benötigt wird. Bei einem so langsamen Reaktionsablauf ist es leichter, die gesamte Oberfläche in gleicher Weise mit einer Selenidschicht zu versehen, während bei sehr raschem Reaktionsablauf, beispielsweise durch Temperaturdifferenzen, Ungleichmäßigkeiten auftreten können.

Claims (5)

  1. PATENTANSPRÜCHE: i. Mit Alkalien, insbesondere Cäsium, behandelte Selengleichrichterplatte, dadurch gekennzeichnet, daß die Alkalien ausschließlich oder mindestens zu 95 °/n als Selenide auf dem Selen bzw. in einer Oberflächenschicht des Selens vorgesehen sind.
  2. 2. Selengleichrichterplatte nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Selenidschicht kleiner als ioo Atomlagen ist.
  3. 3. Selengleichrichterplatte nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Oberfläche bzw. in der Oberflächenschicht möglichst kein freies Alkalimetall oder Alkalihydroxyd vorhanden ist. -¢.
  4. Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichterplatten nach Anspruch i oder folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Selengleichrichterplatte der Dampf eines Alkalimetalls, vorzugsweise Cäsiumdampf, zur Einwirkung gebracht wird.
  5. 5. Verfahren nach Anspruch q., .dadurch gekennzeichnet, daß die Dampfdichte und die Reaktionstemperatur so niedrig gewähltwerden, daß zum Bilden einer Selenidschicht der erforderlichen Dicke mindestens io Minuten, vorzugsweise etwa i Stunde, benötigt wird. Angezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 667 750; schweizerische Tatentschrift Nr. 22o 586.
DEP39395A 1949-04-09 1949-04-09 Selengleichrichterplatte Expired DE893232C (de)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE667750C (de) * 1932-04-16 1938-11-19 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten
CH220586A (de) * 1939-03-15 1942-04-15 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Selenelektrode und nach diesem Verfahren hergestelltes Sperrschichtelektrodensystem.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE667750C (de) * 1932-04-16 1938-11-19 Siemens & Halske Akt Ges Verfahren zur Herstellung unipolarer Sperrschichten
CH220586A (de) * 1939-03-15 1942-04-15 Philips Nv Verfahren zur Herstellung eines Sperrschichtelektrodensystems mit einer Selenelektrode und nach diesem Verfahren hergestelltes Sperrschichtelektrodensystem.

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