AT205558B - Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von SelenphotozellenInfo
- Publication number
- AT205558B AT205558B AT720857A AT720857A AT205558B AT 205558 B AT205558 B AT 205558B AT 720857 A AT720857 A AT 720857A AT 720857 A AT720857 A AT 720857A AT 205558 B AT205558 B AT 205558B
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- selenium
- photocells
- producing selenium
- benzene
- layer
- Prior art date
Links
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 12
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 12
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Hybrid Cells (AREA)
Description
<Desc/Clms Page number 1>
Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen
Es ist bekannt, dass die photoelektrische Wirkung einer Photozelle durch die Sperrschichte bestimmt ist. Die Theorie der Halbleitergleichrichtung lieferte aber bisher noch keine vollständige Erklärung der Sperrschichtwirkung. Es ist lediglich zu erkennen, dass eine dichte, flaschenartige Berührung zweier Schichten unterschiedlicher elektrischer Leitfähigkeiten vorhanden sein muss. Eines der bekannten Verfahren zur Ausbildung geeigneter Verhältnisse an der Oberflächenzone besteht beispielsweise darin, dass eine Kadmiumelektrode auf einer hexagonal auskristallisierten Selenschichte aufgebracht wird.
Es ist aber nicht nachgewiesen, ob die Oberflächenzone bereits durch Berührung des reinen Selens und des rei- nen Kadmium ? entsteht oder infolge der dort entstehenden Kadmiumselenidschichie.
Aus Versuchen und dem Studium der Photozelle wurde jedenfalls erkannt, dass bei einer Oberflächenbehandlung des Selens in dem Sinne, dass sich an der Oberfläche eine dünne Schichte geringer Leitfähigkeit ausbildet, die Entstehung einer wirksamen Oberflächenzone unterstützt wird und eine wesentliche Erhöhung des inneren Widerstandes der Photozelle resultiert.
Erfindungsgemäss wird diese Zone auf physikalischem Wege ausgebildet. Gekennzeichnet ist dieses Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen dadurch, dass die Oberfläche der hexagonal auskristallisierten Sperrschichte vor dem Bedecken mit der Gegenelektrode durch Eintauchen in Benzol oder in eine Mischung von Alkohol mit Azeton umkristallisiert und sodann mit einer Gegenelektrode versehen wird.
Bei Verwendung von Benzol zur Oberflächen-Umkristallisierung der Selenschichte ist es erfindungsgemäss erforderlich, die Photozelle vor dem Aufdampfen der Kadmiumschichte 15 Minuten bis 24 Stunden darin einzutauchen und sodann trocknen zu lassen.
Nach einer andern Variante der Erfindung wird die gleiche Wirkung erzielt, wenn die Photozelle 10 Minuten bis 24 Stunden in eine Mischung von Azeton mit Alkohol getaucht wird, in welcher sich die Azetonmenge zwischen 10 - 80go bewegen kann.
Durch die Wirkung des Benzols oder der Mischung von Azeton mit Alkohol entsteht eine Schichte monoklinen Selens aus den Anteilen des unkristallisierten Selens bei der ersten thermischen Umwandlung.
Die derart hergestellten Photozellen zeichnen sich durch einen erhöhten inneren Widerstand und durch Gleichmässigkeit ihrer Eigenschaften aus.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der hexagonal auskristallisierten Sperrschichte vor dem Bedecken mit der Gegenelektrode durch Eintauchen in Benzol oder in eine Mischung von Alkohol mit Azeton umkristallisiert und sodann mit der Gegenelektrode versehen wird.
**WARNUNG** Ende DESC Feld kannt Anfang CLMS uberlappen**.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch l, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der mit Selen bedeckten Platte auf die Dauer von 15 Minuten bis 24 Stunden in Benzol eingetaucht wird. <Desc/Clms Page number 2> 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der mit Selen bedeck- EMI2.1 lumenprozente) auf die Dauer von 10 Minuten bis 24 Stunden eingetaucht ode mit dieser Mischung während der angeführter. Daue angefeuchtet wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CS205558X | 1956-11-14 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| AT205558B true AT205558B (de) | 1959-10-10 |
Family
ID=5450537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| AT720857A AT205558B (de) | 1956-11-14 | 1957-11-07 | Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT205558B (de) |
-
1957
- 1957-11-07 AT AT720857A patent/AT205558B/de active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1764066B1 (de) | Kernstrahlungsdetektor aus Diamant und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE812570C (de) | Verfahren zur Behandlung der freien Oberflaeche einer Selenelektrode mit einer Fluessigkeit zur Bildung einer Sperrschicht | |
| AT205558B (de) | Verfahren zum Herstellen von Selenphotozellen | |
| AT153134B (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. | |
| DE971095C (de) | Verfahren zur Herstellung unipolarer Leiter mit Selen oder Selenverbindungen als Halbleiter und besonders hoher Spannungsbelastbarkeit in der Sperrichtung | |
| DE893232C (de) | Selengleichrichterplatte | |
| DE932812C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern | |
| DE833228C (de) | Verfahren zur Herstellung eines Selengleichrichters | |
| DE1079744B (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
| DE873430C (de) | Verfahren zur Reinigung von aus Papier od. dgl. bestehenden Abstandhaltern, insbesondere zur Verwendung in elektrolytischen Kondensatoren | |
| DE878865C (de) | Gleitlagerwerkstoff | |
| DE887847C (de) | Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern | |
| DE1069980B (de) | ||
| DE971615C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selen-Trockengleichrichtern | |
| DE1125079B (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern mit unterteilter Selenschicht | |
| DE736806C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern | |
| DE963538C (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern | |
| DE549120C (de) | Elektrischer Kondensator, dessen Isolierschicht unter Benutzung eines Dielektrikums mit einer hohen Dielektrizitaetskonstanten hergestellt ist | |
| DE935383C (de) | Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern | |
| DE950082C (de) | Verfahren zum Brauchbarmachen von Trockengleichrichtern mit rueckstromschlechten Stellen | |
| DE939220C (de) | Verfahren zum Herstellen von Trockengleichrichtern, insbesondere Selengleichrichtern mit Cadmiumelektrode | |
| DE691691C (de) | Dielektrischer Stoff aus einem zum groessten Teil aus Asbest bestehenden, in einer Saeureloesung behandelten Textilstoff | |
| DE930040C (de) | Selentrockenplattengleichrichter mit einer zwischen dem Halbleiter und der Gegenelektrode auf dem Selen aufgebrachten Isolierschicht | |
| DE727014C (de) | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial | |
| DE879419C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System, insbesondere Trockenplattengleichrichter |