DE887847C - Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an SelengleichrichternInfo
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Description
- Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern Die Erfindung befaßt sich mit der Erhöhung bzw. Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selen, trockengleichrichberplatten und schlägt vor, auf die in bekannter Weise auf die Grundscheibe aufgebrachte Selenhalbleiterschicht vor dem Aufbringen der Deckelektrode eine im Vergleich zur Selenhalbleiterschicht dünne Schicht aus reinem Selen auf elektrolytischem Wege niedLerzuschlagen.
- An sich ist es bereits bekannt, bei Selentrockengleichrichterplatten für ihr einwandfreies Arbeiten als Ersatz für eine auf dem Halbleiter adsorbierte Gasschicht eine dünne Schicht nichtleitenden Selens durch Aufdampfen anzubringen. Ein solches Aufdampfen läßt jedoch nicht die neuartigen technischen Effekte gemäß der vorliegenden Erfindung erreichen hinsichtlich der Dosierung der Selenschicht nach ihrer Dicke und ihrer Verteilung über die gesamte Gleichrichterplattenfläche. Das Verfahren gemäß der Erfindung wird in der Weise durchgeführt, d,aß die mit dtr grauen. Selen.-halbleiterschicht versehene Grundscheibe an den Stellen, an denen die Sperrschicht wirken soll, mit einem geeigneten Elektrolyt in Berührung gebracht und als Kathode in einen Gleichstromkreis geschaltet wird. Als Elektrolyt eignet sich insbesondere Selendioxyd in wässeriger Lösung. Unter Einwirkung des Gleichstroms wandern die Wasserstoffionen zur Kathode und reduzieren an der Kathode das Selendioxyd, indem sich der Wasserstoff .mittdem Sauerstoff des Selendioxyds zu Wasser verbindet und das Selen sich an, der grauen Selenhalbleiterschicht niederschlägt. Diese niedergeschlagene Schicht ist reines Selen von rotem Aussehen und ist nichtleitend. Sie erreicht bei der Elektrolyse im Vergleich zu der grauen Sele@nhalbleiterschicht nur eine sehr geringe Dicke, da mit Größerwerden der reinen S-elenschicht -der Stromdurchgang, immer mehr sich verringert, so daß nach einer gewissen Zeit vorn selbst das. Niederschlagen der reinen Selenschicht aufhört. Die Dicke der reinen: Selenschicht auf der grauen Selenhalbleitersahicht ist im wesentlichen von der angelegten Spannung abhängig. Sie läßt sich daher hinreichend' genau bei dem elektrolytischen Vorgang einstellen.
- Das elektrolytische Niederschlagern der reinen Selenschicht gemäß der Erfindung hat den großen Vorzug, daß an denjenigen Stellen der grauen Selenhalbleitersch,icht, die einen kleineren Sperrwiderstand als -die anderen Stellen aufweisen, die reine Selenschicht in einer größeren Dicke als an den anderen Stellen entsteht. Es wird. also an den Stellen, an denen die Selenhalbleiterschicht besser leitend ist, eine stärkere nichtleitende reine Selenschicht vorgeschaltet. Dadurch werden diejenigen Stellen der Selengleiahrichterscheib-en, die sich bereits während der Fabrikation hinsichtlich ihrer Sperrfähigkeit als minderwertig erweisen oder im Betrieb zu Störungen neigen, durch das Verfahren gemäß der Erfindung von vornherein ausgesucht und so behandelt, daß die Mängel, die bei der Fabrikation oder während des Betriebes auftreten, nicht mehr entstehen können. Dazu kommt noch, daß durch das Niederschlagen der reinen Selenschicht auch an den Stellen der Gleichriahterscheibe, an denen .an sich schon die Sperrfähigkeit besser war, der Sperrwiderstand weiter verbessert wird!, indem eine nichtleitende Schicht vorgeschaltet wird. Dadurch wird insgesamt die Sperrwirkung der Gleichrichterscheibe vergrößert. Die durch das Verfahren gemäß der Erfindung erzielte Steigerung des SperrwiderstandLs ist wesentlich größer als die durch die bekannten Verfahren erreichte Verbesserung der Sperrschicht.' Um das Niederschlagen der reinen Selenschicht auf der grauen Selenhalbleiterschicht in der Massen:-fabrdkation durchführen zu können., ist es zweckmäßig, die Gleichrichterscheiben auf eine rotierende Achse zu setzen und mit einer feststehenden Elektrode in Berührung zu bringen, die mit einer selendioxydhaltigen Lösung angefeuchtet ist. Sind die Gleichrichterscheiben elektrolytisch behandelt, so ist es zweckmäßig, sie in Wasser abzuspülen. und danach in Alkohol abzuwaschen. Alsdann werden. die Gleichrichterscheiben in an sich bekannter Weise mit der Deckelektrode versehen, die ans einer kadmiumhaltigen Legierung bestehen kann.
Claims (3)
- PATENTANSPRÜCHE: s. Verfahren zur Herstellung von Trockengleichrichterplatten mit einer im Verhältnis zur Halbleiterschicht,diiilnen Schicht nichtleitenden Selens auf der Halbleiterschdaht, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht nichtleitenden Selens auf elektrolytischem Wege auf ,der Selenhalbleiterschiaht vor dem Aufbringen der Deckelektrode niedergeschlagen wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch r, dadurch gekennzeichnet, daß als Elektrolyt für das Niederschlagen der reinen Selenschidht Selendioxyd in wässeriger Lösung,verwendet wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch z und a, dadurch gekennzeichnet, daß die Gleichrichterscheiben nach dem Niederschlagen der reinen Selenschicht in Wasser und, anschließend. in Alkohol abspült werden. Angezogene Druckschriften: Osterreichische Patentschrift Nr. 153 z34.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP8947D DE887847C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DEP8947D DE887847C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE887847C true DE887847C (de) | 1953-08-27 |
Family
ID=7361983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEP8947D Expired DE887847C (de) | 1948-10-02 | 1948-10-02 | Verfahren zur Verbesserung des Sperrwiderstandes an Selengleichrichtern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE887847C (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1118887B (de) * | 1959-04-13 | 1961-12-07 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
-
1948
- 1948-10-02 DE DEP8947D patent/DE887847C/de not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT153134B (de) * | 1936-06-13 | 1938-04-11 | Aeg | Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern. |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1118887B (de) * | 1959-04-13 | 1961-12-07 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Selentrockengleichrichtern |
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