DE971357C

DE971357C - Verfahren zur Oxydation der Oberflaeche kristalliner Selenschichten von Selengleichrichterplatten

Info

Publication number: DE971357C
Application number: DEP4869A
Authority: DE
Inventors: Manfred Wagner
Original assignee: Standard Elektrik Lorenz AG
Current assignee: Alcatel Lucent Deutschland AG
Priority date: 1948-10-01
Filing date: 1948-10-01
Publication date: 1959-01-15

Description

Verfahren zur Oxydation der Oberfläche kristalliner Selenschichten von Selengleichrichterplatten Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei dem vor dem Aufbringen einer thalliumfreien Elektrode die kristalline Selenoberfläche oxydiert wird.
Gleichrichter, die aus einer auf eine Trägerplatte aufgebrachten Selenschicht bestehen, zeigen ein günstiges Sperrverhalten, wenn die kristallisierte Selenoberfläche vor dem Aufbringen der Gegenelektrode mit einer dünnen Selendioxydschicht überzogen wird.
Zu diesem Zweck hat man bereits vorgeschlagen, diese Selendioxydschicht durch Aufsublimieren von Selendioxyd zu erzeugen. Das hierbei aus der Dampfphase niedergeschlagene Selendioxyd bedeckt die Selenoberfläche jedoch nicht lückenlos. An einzelnen Punkten bilden sich bevorzugt nadelförmige Kristalle, und die dazwischenliegende Selenoberfläche bleibt unbedeckt.
Es ist ferner vorgeschlagen worden, bei Selengleichrichtern, deren Deckelektrode Thallium enthält, die durch diesen Zusatz bedingten Alterungserscheinungen dadurch zu vermeiden, daB dem Selen ein Stoff zugefügt wird, der das Thallium ganz oder teilweise chemisch bindet. Diesem Zweck kann beispielsweise Selendioxyd dienen. An Stelle dem Selen das Selendioxyd zuzusetzen, kann dieses auch durch ein Oxydationsmittel, wie z. B. Stickstoffdioxyd, auf der Selenoberfläche erzeugt werden.
Die Erfindung bezieht sich, wie schon oben angegeben, auf Selengleichrichter mit thalliumfreier Elektrode und dient deshalb nicht zur Beseitigung von Alterungserscheinungen infolge eines solchen Thalliumzusatzes, sondern zur Verbesserung anderer Eigenschaften der Gleichrichterplatte.
Die Erfindung selbst besteht darin, daß die Oxydation in einer stickstoffdioxydhaltigen Atmosphäre vorgenommen wird.
Durch das Verfahren nach der Erfindung wird die oberste Schicht des Selens unter der Sauerstoffeinwirkung in Selendioxyd verwandelt. Es bildet sich auf der Selenoberfläche eine genau dosierbare, lückenlose Schicht Selendioxyd. Die Stärke der Schicht hängt von der Intensität und der Dauer der Oxydation ab. Vorteilhaft verwendet man eine Konzentration unter I mg Stickstoffdioxyd pro cm3, insbesondere eine Konzentration von etwa o,I mg/cm3. Die Verweilzeit in dieser Atmosphäre beträgt einige Minuten, sie muß durch Versuche einmal festgelegt werden. Die Stickstoffdioxydkonzentration kann durch kolorimetrische oder andere bekannte Meßverfahren kontrolliert werden.
Nach der Erfindung oxydierte Selenscheiben erfordern im Vergleich zu Scheiben, deren Selendioxyd schicht aufsublimiert wurde, nur die halbe Zeit zur elektrischen Formierung. Ferner ist der während der Sperrzeit auftretende Rückstrom nur halb so groß wie bei den nach dem bisherigen Verfahren hergestellten Scheiben.

Claims

PATENTANSPRÜCHE: I. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichtern, bei denen vor dem Aufbringen einer thalliumfreien Deckelektrode die kristalline Selenoberfläche oxydiert wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydation in einer stickstoffdioxydhaltigen Atmosphäre, vorzugsweise mit weniger als I mg Stickstoffdioxyd pro cm3, insbesondere mit etwa o,I mg/cm3, vorgenommen wird.
2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Stickstoffdioxyd nicht länger als i Stunde, vorzugsweise einige Minuten, zur Einwirkung gebracht wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Auszüge deutscher Patentanmeldungen, Bd.IV, Elektrotechnik, 1947, S.638, Patentanmeldung S 156 853 VIIIc. In Betracht gezogene ältere Patente: Deutsches Patent Nr. 967 323.