DE948275C - Selengleichrichter - Google Patents
SelengleichrichterInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei Selengleichrichtern, insbesondere auf die Anwendung
eines neuen Lackes als Sperrschicht zwischen dem Selen und der Deckelektrode von solchen
Gleichrichtern.
Man ist allgemein der Ansicht, daß die gleichrichtende Wirkung von Trockengleichrichtern, z. B.
von Selengleichrichtern, in hohem Maße von der Bildung einer sogenannten Sperrschicht zwischen
der Selenschicht und der darauf angebrachten Deckelektrode abhängt, wobei die letztere im allgemeinen
aus einer Legierung besteht, welche Kadmium enthält. Diese Sperrschicht wird durch
die sogenannte Formierung des Gleichrichters verstärkt und ihre Wirkung verbessert. Der Formierungsprozeß
besteht im zeitweisen Anlegen einer Spannung an den Gleichrichter in Sperrichtung
bzw. in Richtung geringer Leitfähigkeit.
Es wurde gefunden, daß die gleichrichtende Eigenschaft eines solchen Selengleichrichters durch
Einschalten einer künstlichen Sperrschicht verbessert werden kann, z. B. indem man Lack auf das
Selen aufspritzt, bevor die Deckelektrode aufgebracht wird. Es wurden schon viele Lacke mit
einer Vielzahl von verschiedenen Bestandteilen für diesen Zweck ausprobiert, von denen einige die
Eigenschaften des Gleichrichters etwas verbesserten.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, einen neuen Lack für die Herstellung einer künstlichen
Sperrschicht anzugeben, wobei Scheiben von höherer Sperrspannung erhalten werden, ein Minimum
an Ausschuß erzielt und die Formierungszeit
wesentlich verkürzt wird im Vergleich mit der Zeit, die nötig ist bei Gleichrichtern, bei denen die
üblichen Lacke verwendet werden.
Der neue Lack besteht im wesentlichen aus wasserstoff- oder methylsubstituierten para- oder
meta-Diaminobenzolen und einem Nitroalkyl, in Form einer verdünnten oder gesättigten Lösung
von ungefähr ι bis 2 % des Diaminobenzolis in 98
bis 99 % des Nitroalkyls. Für das letztere ist vorzugsweise Nitromethan geeignet. Die Menge des
Diaminobenzols kann bis auf 0,1% vermindert werden, ohne daß der Lack seine günstige Wirkung
verliert, während die obere Grenze ungefähr- bei 4% Diaminobenzol liegt, das ist die Menge, welche
gerade noch in Lösung geht.
Günstig wirkt weiter nqch ein Zusatz von filmbildenden
Stoffen zu den obengenannten wesentlichen Bestandteilen, wie z. B. ein Harz vom Nitrozellulosetyp.
Dieser Stoff kann dem Lack in. Form einer Nitrozelluloseharzlösung in einer Menge bis
zu 10% zugesetzt werden. Eine besonders günstige Zusammensetzung des Lackes mit einer solchen
Trägersubstanz besteht aus 1 % Diaminobenzol, 1% ider Harzlösung und 98% Nitroalkyl.
Obwohl eine besondere Zusammensetzung der Harzlösung nicht Gegenstand der Erfindung ist,
wurde doch die folgende Zusammensetzung als besonders geeignet für den vorliegenden Zweck gefunden
:
" Trockensubstanz
Nitrozellulose Type'RS 5-6 .. ungefähr io°/o
Toluol .." - 5o°/oi
Butylalkohol - 15 %
Äthylazetat - 10%
loo0/»
Es soll noch erwähnt werden, daß bei mit Harzlösung vermischtem Lack infolge Verdampfung der
flüchtigen Substanzen das Nitrozelluloseharz als filmbildendes Material übrigbleibt. Bei einem Lack
der oben angegebenen Zusammensetzung bildet es ungefähr 0,1% des ganzen Lackes.
Bei Verwendung dieser bevorzugten Zusammensetzung des oben angegebenen Lackes erhält man
besonders gute Gleichrichtereigenschaften. Zum Beispiel ist es leicht möglich geworden, 36-Volt-Platten
oder Platten mit einem vernachlässigbaren Ausschuß und guter Durchgangsleitfähigkeit herzustellen.
Weiterhin kann die Formierzeit erheblich gegenüber der Formierzeit, welche für Gleichrichter
mit den bisher bekannten Lacken benötigt wird, herabgesetzt werden.
Es soll zum Schluß noch einmal herausgestellt •werden, daß die Beschreibung nur ein Beispiel darstellt
und keine Begrenzung des Erfindungsgedankens bedeuten soll.
Claims (3)
1. Gleichrichter, bestehend aus einer Grundplatte,
einer Selenschicht auf der Grundplatte, einer Deckelektrodenschicht auf dem Selen und
einer"zwischen dem Selen und der Gegenelektrode eingeschalteten Schicht, dadurch gekennzeichnet,
daß die eingeschaltete Schicht aus einer Lösung einer Substanz besteht oder eine
Lösung einer Substanz enthält, welche zur Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten
para- und meta-Diaminobenzole gehört und in einem Nitroalkyl-gelöst ist.
2. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht
aus Lack aus 0,1 bis 4% einer Substanz, welche
zu der Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole gehört,
ο bis 1% Nitrozelluloseharz und 95 bis 99,9 °/oi Nitroalkyl besteht.
3. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht
aus Lack aus 0,1 bis 4°/» einer Substanz der
Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole, ο bis 10 %■
einer io%igen Nitrozelluloseharzlösung und
86 bis 99,9% Nitroalkyl besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
' Deutsche Patentschriften Nr. 724888, 821086; Physik der festen Körper, Bd19, Teil II, 1948, S. 108 und 117.
' Deutsche Patentschriften Nr. 724888, 821086; Physik der festen Körper, Bd19, Teil II, 1948, S. 108 und 117.
6Ö9S96 8.56
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US244257A US2758265A (en) | 1951-08-29 | 1951-08-29 | Selenium rectifiers |
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Family Applications (1)
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DE (1) | DE948275C (de) |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1181822B (de) * | 1954-11-29 | 1964-11-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
DE821086C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-15 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Trockengleichrichter |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2229617A (en) * | 1939-10-07 | 1941-01-21 | Commercial Solvents Corp | Cellulose triacetate compositions |
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- 1951-08-29 US US244257A patent/US2758265A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1952-08-24 DE DEI6274A patent/DE948275C/de not_active Expired
- 1952-08-25 FR FR1065691D patent/FR1065691A/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
DE821086C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-15 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Trockengleichrichter |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1181822B (de) * | 1954-11-29 | 1964-11-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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