DE948275C - Selengleichrichter - Google Patents
SelengleichrichterInfo
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 claims description 6
- 125000004971 nitroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical group [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 5
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N nitromethane Chemical compound C[N+]([O-])=O LYGJENNIWJXYER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H3/00—Measuring characteristics of vibrations by using a detector in a fluid
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
- G02B27/1013—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for colour or multispectral image sensors, e.g. splitting an image into monochromatic image components on respective sensors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/145—Beam splitting or combining systems operating by reflection only having sequential partially reflecting surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/04—Scanning arrangements, i.e. arrangements for the displacement of active reading or reproducing elements relative to the original or reproducing medium, or vice versa
- H04N1/207—Simultaneous scanning of the original picture and the reproduced picture with a common scanning device
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/46—Colour picture communication systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei Selengleichrichtern, insbesondere auf die Anwendung
eines neuen Lackes als Sperrschicht zwischen dem Selen und der Deckelektrode von solchen
Gleichrichtern.
Man ist allgemein der Ansicht, daß die gleichrichtende Wirkung von Trockengleichrichtern, z. B.
von Selengleichrichtern, in hohem Maße von der Bildung einer sogenannten Sperrschicht zwischen
der Selenschicht und der darauf angebrachten Deckelektrode abhängt, wobei die letztere im allgemeinen
aus einer Legierung besteht, welche Kadmium enthält. Diese Sperrschicht wird durch
die sogenannte Formierung des Gleichrichters verstärkt und ihre Wirkung verbessert. Der Formierungsprozeß
besteht im zeitweisen Anlegen einer Spannung an den Gleichrichter in Sperrichtung
bzw. in Richtung geringer Leitfähigkeit.
Es wurde gefunden, daß die gleichrichtende Eigenschaft eines solchen Selengleichrichters durch
Einschalten einer künstlichen Sperrschicht verbessert werden kann, z. B. indem man Lack auf das
Selen aufspritzt, bevor die Deckelektrode aufgebracht wird. Es wurden schon viele Lacke mit
einer Vielzahl von verschiedenen Bestandteilen für diesen Zweck ausprobiert, von denen einige die
Eigenschaften des Gleichrichters etwas verbesserten.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, einen neuen Lack für die Herstellung einer künstlichen
Sperrschicht anzugeben, wobei Scheiben von höherer Sperrspannung erhalten werden, ein Minimum
an Ausschuß erzielt und die Formierungszeit
wesentlich verkürzt wird im Vergleich mit der Zeit, die nötig ist bei Gleichrichtern, bei denen die
üblichen Lacke verwendet werden.
Der neue Lack besteht im wesentlichen aus wasserstoff- oder methylsubstituierten para- oder
meta-Diaminobenzolen und einem Nitroalkyl, in Form einer verdünnten oder gesättigten Lösung
von ungefähr ι bis 2 % des Diaminobenzolis in 98
bis 99 % des Nitroalkyls. Für das letztere ist vorzugsweise Nitromethan geeignet. Die Menge des
Diaminobenzols kann bis auf 0,1% vermindert werden, ohne daß der Lack seine günstige Wirkung
verliert, während die obere Grenze ungefähr- bei 4% Diaminobenzol liegt, das ist die Menge, welche
gerade noch in Lösung geht.
Günstig wirkt weiter nqch ein Zusatz von filmbildenden
Stoffen zu den obengenannten wesentlichen Bestandteilen, wie z. B. ein Harz vom Nitrozellulosetyp.
Dieser Stoff kann dem Lack in. Form einer Nitrozelluloseharzlösung in einer Menge bis
zu 10% zugesetzt werden. Eine besonders günstige Zusammensetzung des Lackes mit einer solchen
Trägersubstanz besteht aus 1 % Diaminobenzol, 1% ider Harzlösung und 98% Nitroalkyl.
Obwohl eine besondere Zusammensetzung der Harzlösung nicht Gegenstand der Erfindung ist,
wurde doch die folgende Zusammensetzung als besonders geeignet für den vorliegenden Zweck gefunden
:
" Trockensubstanz
Nitrozellulose Type'RS 5-6 .. ungefähr io°/o
Toluol .." - 5o°/oi
Butylalkohol - 15 %
Äthylazetat - 10%
loo0/»
Es soll noch erwähnt werden, daß bei mit Harzlösung vermischtem Lack infolge Verdampfung der
flüchtigen Substanzen das Nitrozelluloseharz als filmbildendes Material übrigbleibt. Bei einem Lack
der oben angegebenen Zusammensetzung bildet es ungefähr 0,1% des ganzen Lackes.
Bei Verwendung dieser bevorzugten Zusammensetzung des oben angegebenen Lackes erhält man
besonders gute Gleichrichtereigenschaften. Zum Beispiel ist es leicht möglich geworden, 36-Volt-Platten
oder Platten mit einem vernachlässigbaren Ausschuß und guter Durchgangsleitfähigkeit herzustellen.
Weiterhin kann die Formierzeit erheblich gegenüber der Formierzeit, welche für Gleichrichter
mit den bisher bekannten Lacken benötigt wird, herabgesetzt werden.
Es soll zum Schluß noch einmal herausgestellt •werden, daß die Beschreibung nur ein Beispiel darstellt
und keine Begrenzung des Erfindungsgedankens bedeuten soll.
Claims (3)
1. Gleichrichter, bestehend aus einer Grundplatte,
einer Selenschicht auf der Grundplatte, einer Deckelektrodenschicht auf dem Selen und
einer"zwischen dem Selen und der Gegenelektrode eingeschalteten Schicht, dadurch gekennzeichnet,
daß die eingeschaltete Schicht aus einer Lösung einer Substanz besteht oder eine
Lösung einer Substanz enthält, welche zur Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten
para- und meta-Diaminobenzole gehört und in einem Nitroalkyl-gelöst ist.
2. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht
aus Lack aus 0,1 bis 4% einer Substanz, welche
zu der Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole gehört,
ο bis 1% Nitrozelluloseharz und 95 bis 99,9 °/oi Nitroalkyl besteht.
3. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht
aus Lack aus 0,1 bis 4°/» einer Substanz der
Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole, ο bis 10 %■
einer io%igen Nitrozelluloseharzlösung und
86 bis 99,9% Nitroalkyl besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
' Deutsche Patentschriften Nr. 724888, 821086; Physik der festen Körper, Bd19, Teil II, 1948, S. 108 und 117.
' Deutsche Patentschriften Nr. 724888, 821086; Physik der festen Körper, Bd19, Teil II, 1948, S. 108 und 117.
6Ö9S96 8.56
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US244257A US2758265A (en) | 1951-08-29 | 1951-08-29 | Selenium rectifiers |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE948275C true DE948275C (de) | 1956-08-30 |
Family
ID=22922017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DEI6274A Expired DE948275C (de) | 1951-08-29 | 1952-08-24 | Selengleichrichter |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US2758265A (de) |
| DE (1) | DE948275C (de) |
| FR (1) | FR1065691A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1181822B (de) * | 1954-11-29 | 1964-11-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
| DE821086C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-15 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Trockengleichrichter |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2229617A (en) * | 1939-10-07 | 1941-01-21 | Commercial Solvents Corp | Cellulose triacetate compositions |
-
1951
- 1951-08-29 US US244257A patent/US2758265A/en not_active Expired - Lifetime
-
1952
- 1952-08-24 DE DEI6274A patent/DE948275C/de not_active Expired
- 1952-08-25 FR FR1065691D patent/FR1065691A/fr not_active Expired
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE724888C (de) * | 1936-05-30 | 1942-09-09 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern |
| DE821086C (de) * | 1948-10-02 | 1951-11-15 | Sueddeutsche App Fabrik G M B | Trockengleichrichter |
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| DE1181822B (de) * | 1954-11-29 | 1964-11-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US2758265A (en) | 1956-08-07 |
| FR1065691A (fr) | 1954-05-28 |
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