DE948275C - Selengleichrichter - Google Patents

Selengleichrichter

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DE948275C
DE948275C DEI6274A DEI0006274A DE948275C DE 948275 C DE948275 C DE 948275C DE I6274 A DEI6274 A DE I6274A DE I0006274 A DEI0006274 A DE I0006274A DE 948275 C DE948275 C DE 948275C
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DE
Germany
Prior art keywords
layer
selenium
substance
nitroalkyl
rectifier
Prior art date
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Expired
Application number
DEI6274A
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English (en)
Inventor
Charles Alexander Escoffery
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
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Expired legal-status Critical Current

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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/10Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
    • H01L21/108Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01HMEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H3/00Measuring characteristics of vibrations by using a detector in a fluid
    • GPHYSICS
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    • HELECTRICITY
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei Selengleichrichtern, insbesondere auf die Anwendung eines neuen Lackes als Sperrschicht zwischen dem Selen und der Deckelektrode von solchen Gleichrichtern.
Man ist allgemein der Ansicht, daß die gleichrichtende Wirkung von Trockengleichrichtern, z. B. von Selengleichrichtern, in hohem Maße von der Bildung einer sogenannten Sperrschicht zwischen der Selenschicht und der darauf angebrachten Deckelektrode abhängt, wobei die letztere im allgemeinen aus einer Legierung besteht, welche Kadmium enthält. Diese Sperrschicht wird durch die sogenannte Formierung des Gleichrichters verstärkt und ihre Wirkung verbessert. Der Formierungsprozeß besteht im zeitweisen Anlegen einer Spannung an den Gleichrichter in Sperrichtung bzw. in Richtung geringer Leitfähigkeit.
Es wurde gefunden, daß die gleichrichtende Eigenschaft eines solchen Selengleichrichters durch Einschalten einer künstlichen Sperrschicht verbessert werden kann, z. B. indem man Lack auf das Selen aufspritzt, bevor die Deckelektrode aufgebracht wird. Es wurden schon viele Lacke mit einer Vielzahl von verschiedenen Bestandteilen für diesen Zweck ausprobiert, von denen einige die Eigenschaften des Gleichrichters etwas verbesserten.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist es, einen neuen Lack für die Herstellung einer künstlichen Sperrschicht anzugeben, wobei Scheiben von höherer Sperrspannung erhalten werden, ein Minimum an Ausschuß erzielt und die Formierungszeit
wesentlich verkürzt wird im Vergleich mit der Zeit, die nötig ist bei Gleichrichtern, bei denen die üblichen Lacke verwendet werden.
Der neue Lack besteht im wesentlichen aus wasserstoff- oder methylsubstituierten para- oder meta-Diaminobenzolen und einem Nitroalkyl, in Form einer verdünnten oder gesättigten Lösung von ungefähr ι bis 2 % des Diaminobenzolis in 98 bis 99 % des Nitroalkyls. Für das letztere ist vorzugsweise Nitromethan geeignet. Die Menge des Diaminobenzols kann bis auf 0,1% vermindert werden, ohne daß der Lack seine günstige Wirkung verliert, während die obere Grenze ungefähr- bei 4% Diaminobenzol liegt, das ist die Menge, welche gerade noch in Lösung geht.
Günstig wirkt weiter nqch ein Zusatz von filmbildenden Stoffen zu den obengenannten wesentlichen Bestandteilen, wie z. B. ein Harz vom Nitrozellulosetyp. Dieser Stoff kann dem Lack in. Form einer Nitrozelluloseharzlösung in einer Menge bis zu 10% zugesetzt werden. Eine besonders günstige Zusammensetzung des Lackes mit einer solchen Trägersubstanz besteht aus 1 % Diaminobenzol, 1% ider Harzlösung und 98% Nitroalkyl.
Obwohl eine besondere Zusammensetzung der Harzlösung nicht Gegenstand der Erfindung ist, wurde doch die folgende Zusammensetzung als besonders geeignet für den vorliegenden Zweck gefunden :
" Trockensubstanz
Nitrozellulose Type'RS 5-6 .. ungefähr io°/o
Toluol .." - 5o°/oi
Butylalkohol - 15 %
Äthylazetat - 10%
loo0
Es soll noch erwähnt werden, daß bei mit Harzlösung vermischtem Lack infolge Verdampfung der flüchtigen Substanzen das Nitrozelluloseharz als filmbildendes Material übrigbleibt. Bei einem Lack der oben angegebenen Zusammensetzung bildet es ungefähr 0,1% des ganzen Lackes.
Bei Verwendung dieser bevorzugten Zusammensetzung des oben angegebenen Lackes erhält man besonders gute Gleichrichtereigenschaften. Zum Beispiel ist es leicht möglich geworden, 36-Volt-Platten oder Platten mit einem vernachlässigbaren Ausschuß und guter Durchgangsleitfähigkeit herzustellen. Weiterhin kann die Formierzeit erheblich gegenüber der Formierzeit, welche für Gleichrichter mit den bisher bekannten Lacken benötigt wird, herabgesetzt werden.
Es soll zum Schluß noch einmal herausgestellt •werden, daß die Beschreibung nur ein Beispiel darstellt und keine Begrenzung des Erfindungsgedankens bedeuten soll.

Claims (3)

Patentanspruch Ei
1. Gleichrichter, bestehend aus einer Grundplatte, einer Selenschicht auf der Grundplatte, einer Deckelektrodenschicht auf dem Selen und einer"zwischen dem Selen und der Gegenelektrode eingeschalteten Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht aus einer Lösung einer Substanz besteht oder eine Lösung einer Substanz enthält, welche zur Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole gehört und in einem Nitroalkyl-gelöst ist.
2. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht aus Lack aus 0,1 bis 4% einer Substanz, welche zu der Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole gehört, ο bis 1% Nitrozelluloseharz und 95 bis 99,9 °/oi Nitroalkyl besteht.
3. Gleichrichter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die eingeschaltete Schicht aus Lack aus 0,1 bis 4°/» einer Substanz der Gruppe der wasserstoff- und methylsubstituierten para- und meta-Diaminobenzole, ο bis 10 %■ einer io%igen Nitrozelluloseharzlösung und 86 bis 99,9% Nitroalkyl besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
' Deutsche Patentschriften Nr. 724888, 821086; Physik der festen Körper, Bd19, Teil II, 1948, S. 108 und 117.
6Ö9S96 8.56
DEI6274A 1951-08-29 1952-08-24 Selengleichrichter Expired DE948275C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US244257A US2758265A (en) 1951-08-29 1951-08-29 Selenium rectifiers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE948275C true DE948275C (de) 1956-08-30

Family

ID=22922017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI6274A Expired DE948275C (de) 1951-08-29 1952-08-24 Selengleichrichter

Country Status (3)

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US (1) US2758265A (de)
DE (1) DE948275C (de)
FR (1) FR1065691A (de)

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DE1181822B (de) * 1954-11-29 1964-11-19 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zur Herstellung von Selen-gleichrichtern

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DE724888C (de) * 1936-05-30 1942-09-09 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Selen-Gleichrichtern
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FR1065691A (fr) 1954-05-28
US2758265A (en) 1956-08-07

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