DE706980C - Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern

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DE706980C
DE706980C DES129124D DES0129124D DE706980C DE 706980 C DE706980 C DE 706980C DE S129124 D DES129124 D DE S129124D DE S0129124 D DES0129124 D DE S0129124D DE 706980 C DE706980 C DE 706980C
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metal contacts
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free metal
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Dr Phil Wilhelm Lehfeldt
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Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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Siemens and Halske AG
Siemens Corp
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Description

Im Hauptpatent ist ein Verfahren beschrieben, durch welches sehr weitgehend sperrschichtfreie Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern dadurch hergestellt werden, daß unter Vermeidung jeglicher mechanischer Vorbehandlung der Halbleiteroberfläche ein Metall durch thermisches Verdampfen auf die Halbleiteroberfläche aufgebracht wird, welches mit dem Halbleiter oder mit einem in ihm gelösten Stoff chemisch, nicht reagiert. Als Material für die Metallkontakte kommt nach dem Hauptpatent vorzugsweise ein Edelmetall, z. B. Silber, in Frage.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird das genannte Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern für sehr hohe Frequenzen (vorzugsweise über 1 Megahertz) verwendet. Es hat sich nämlich gezeigt, daß die bisher gebräuchlichen Kupferoxydulgleichrichter zur Gleichrichtung von Hochfrequenzströmen dieser Größenordnung ungeeignet sind, da ihr innerer Widerstand verhältnismäßig hoch ist und in Verbindung mit der Kapazität der Sperrschicht einen unerwünscht hohen und zeitlich unkonstanten Spannungs- »5 abfall hervorruft. Bringt man jedoch unmittelbar auf der Kupferoxydulschicht nach dem Verfahren des Hauptpatents durch thermisches Aufdampfen eine Schicht eines Edelmetalls, also eines mit der Kupferoxydul-
schicht chemisch nicht reagierenden Metalls auf, so ergibt sich ein wesentlich geringerer Spannungsabfall und ein entsprechend verringerter Leistungsbedarf.
Besonders gute Ergebnisse werden bei Frequenzen im Bereich von ι bis 50 Megahertz erzielt, wenn die auf thermischem Wege aufgedampfte Metallschicht aus Silber besteht. Als wichtiger Nebenvorteil ergibt sich in diesem Falle eine besonders hohe Konstanz des Kupferoxydulgleichrichters.

Claims (1)

  1. Patentanspruch: Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern durch thermisches Aufdampfen eines Edelmetalls auf die Halbleiteroberfläche nach Patent 660^8:22, gekennzeichnet durch Anwendung dieses Verfahrens zur Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern für sehr hohe ao Frequenzen (vorzugsweise über 1 Megahertz).
    Ii)-ZDK [."CKT IS DKK
DES129124D 1932-04-15 1937-10-14 Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern Expired DE706980C (de)

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DE968125C (de) * 1951-09-24 1958-01-16 Licentia Gmbh Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium
DK84631C (da) * 1954-12-01 1958-03-24 Philips Nv Fremgangsmåde til anbringelse af en ohmsk kontakt på en halvleder af et divalent metals tellurid med P-type-ledningsevne.

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DE660822C (de) 1938-06-03

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