DE857238C - Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von SelentrockengleichrichternInfo
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- DE857238C DE857238C DEP48091A DEP0048091A DE857238C DE 857238 C DE857238 C DE 857238C DE P48091 A DEP48091 A DE P48091A DE P0048091 A DEP0048091 A DE P0048091A DE 857238 C DE857238 C DE 857238C
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- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 21
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 21
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims description 18
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N selanylidenebismuth Chemical compound [Bi]=[Se] QEBDLIWRLCPLCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005189 flocculation Methods 0.000 description 1
- 230000016615 flocculation Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02485—Other chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02623—Liquid deposition
- H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
- Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern Es ist bekannt, l)ei @elentroclengleichrichtern mit Leicllttlletallträgerelektrode zur LTberwiirdung der nachteiligen Einflüsse der sich spontan auf der Trägerplatte bildenden Owdschicht auf die Eigenschaften des Gleichrichters die Trägerplatte mit Wismut zu überziehen. Es wurde weiter festgestellt, da[.! eine solc;lle WismutzwischenschicIlt auch bei Trockengleichrichtern mit einer Grundplatte aus Eisen oder einen N1eta11 der Eisengruppe vorteilliafte Wirkungen hat. Entsprechend dem bekannten 13erstellungsverfahren für Trockenplatten.gleic,hrichter, nach welchem die Selenschidht aufgedampft, aufgepreßt oder aufgestrichen werden kann, wird man für die Wismutierung der Grundplatte 1-ersc!lriedene `'erfahren in Erwägung ziehen. An sich wäre es z. B. naheliegend, das Wismut aufzudampfen. Das Aufdampfverfahren ist aber unlständlich und kostspielig. Man wird im allgemeinen, audh wenn man die Selenschicht aufdampft, -nicht ohne weiteres im selben Vakuum auch die Wismutsdhicht aufdampfen können, da die C@efah.r einer Wismut-Selen-Atmosphäre besteht, durch welche eine saubere Trennung der Selen- und der Wismutschieht urnmciglich gemacht wird. Infolgedessen miißte man in einem l>eson ,deren Gang zunächst das Wismut aufdampfen, dann entweder in einer anderen oder in derselben Apparatur, nachdem die Bedampfun g auf Selen umgestellt worden ist, das Selen aufdampfen. Es ist ersichtlich, daßdieses Verfahren urcnständ'lich, kosts, pielig und für eine TNlassenherstellun,g schlecht geeignet ist. Infolgedessen besteht das Bedürfnis nach einer einfachen Methode :der Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf zweckmäßig aufgerauhten Trägergrundplatten jeder Art für Selentrockengleichrichter.
- Gemäß der Erfindung wird zur Erzeugung von Wismutzwischensahichten bei S,elentrockenplattengleichrichtern ein Verfahren angewendet, welches dadurch ge,kennzeidhnet ist, d@aß die Grundplatte @in eine Selen-Wismut-Lösung eingetaucht wird und @daß die Zeitdauer des Eintauchens und die Zusammensetzung dieser Lösung so aufeinander abgestimmt wird, daß eine Zwischenschicht entsteht von geeigneter Stärke und von einer auf das späterhin anzuwendende Selenaufbrin.gungsverfahren abgestimmten Zusammensetzung. Je nachdem nämlich, ob das Selen airf-;gedampft, aufgepreßt, aufgestrichen wird oder o1) irgendeine Kombination der angegebenen Aufbringungsverfah@ren angewendet -,wird, i,s@t es vorteilh,aft, die Zusammensetzung bzw. die Konzentration ,der Selen-Wi-smut-I.ösung zu verändern. Zweckmäßig werden die Grundplatten vernickelt. Als Beispiel einer geeigneten Lösung wird die folgende angegeben: Man kann in wechselndem Verhältnis Wismut und Selen miteinander mischen oder miteinander legieren und aled'ann in konzentrierter Salpetersäure auflösen. Durch Verdünnen mit Wasser erhält man die geeignete Badlösung. Eine geeignete Badlösung enthält z. B. 2,5 Gewichtsprozente Wismut und Selen im gewünschten Verhältnis. Bei der Auflösung wird so viel Salpetersäure verwendet, daß .bei der Verdünnung ein Ausflocken von hasi@schem Wismutoxyd ehen verhindert ist. Bei Anwendung einer solchen Lösung genügt im allgemeinen eine Eintauchdauer der Grundplatte von 3/a bis i1/2 Minuten, um einen gleichmäßigen Üb°rzug von Wismut zu erzielen. Eine längere Ein-, tauchdauer erübrigt sich also, zumal diese Zwischenschicht nur sehr dünn zu sein braucht und bei aufgerauchter Trägerplatte dünn sein muß, um die erzielten Unebenheiten nicht auszufüllen. Das Verhältnis Wismut zu Selen in der Taudhlösimg richtet sich nach dem nachfolgenden Herstellungsverfalhren :der Selengleichrichter. Je nachdem, welches Verfahren angewendet wird, besteht nämlich die Gefahr der Oxydierung. Infolgedessen « ird z. B. für das Streichverfahren ein Verhältnis Wismut zu Selen ibei welchem nur sehr wenig Wismut in der Lösung vorhanden ist. Beim Preßverf@ahren dagegen kann die@erwendung von etwa 80°/o Wismut zu 20°/o Selen vorteillhaft sein, zumal die mit dem Preßverfäh@ren häufig verbundene Vorseleniecung so überflüssig gemacht wird. Es zeigt sich ferner, d@aß bei Anwendung des Aufdam,pfverfahrens für die Selenschicht der Gleichrichter für die prozentuale Zusammensetzung der Mischung Selen-Wismut unempfindlich ist, so daß gerade in diesem Fall durch :das Tauchverfahren das komplizierte Aufdampfverfahren ersetzet werden kann und dadurch eine Vereinfachung des Herstellungsverfahrens für Selengleichrichter erzielt wird.
Claims (3)
- P A T E N T A N S P R G C H E i. Verfahren zur Erzeugung von Wisimutzwischenschic'hten auf der Grundplatte von Selentrockengleic hric htern, dadurch gekennzeichnet, idaß :die Grundplatte in eine Selen-Wismut-Lösung eingetaucht wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung ,der Selen-Wi-smut-Lösung und die Zeitdauer des Eintaudhens so aufeinander abgestimmt sind, daß eine dem späterhin anzuwendenden Selen aufbringungsverfahren entsprechende Schicht .geeigneter Stärke und Zusammensetzung erzeugt wird.
- 3. Verfahren nach Anspruch i und 2, gek-ennzeichnet .durch die Anwendung auf Selengleic hridhter mit einer aus vernickeltem Eisen bestehenden Gru@ndpliatte. q.. Verfahren nach A nsl)ruch i bis 3, ,dadurch gekennzeichnet, daß eine Sel:en-\Visiniut-Lösung in Salpetersäure verwendet wird, die durch Ver-,dünnen mit Wasser auf eine geeignete Konzentration, z. B. von 2"5 Gewichtsprozenten Selen und Wismut, in der Lösung gel)racht ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP48091A DE857238C (de) | 1949-07-07 | 1949-07-07 | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEP48091A DE857238C (de) | 1949-07-07 | 1949-07-07 | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE857238C true DE857238C (de) | 1952-11-27 |
Family
ID=7382836
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEP48091A Expired DE857238C (de) | 1949-07-07 | 1949-07-07 | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE857238C (de) |
-
1949
- 1949-07-07 DE DEP48091A patent/DE857238C/de not_active Expired
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