DE869665C - Selengleichrichter - Google Patents
SelengleichrichterInfo
- Publication number
- DE869665C DE869665C DE1951S0021668 DES0021668D DE869665C DE 869665 C DE869665 C DE 869665C DE 1951S0021668 DE1951S0021668 DE 1951S0021668 DE S0021668 D DES0021668 D DE S0021668D DE 869665 C DE869665 C DE 869665C
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- selenium
- cesium
- selenium rectifier
- solution
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims description 28
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims description 28
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 26
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical class [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M Thiocyanate anion Chemical compound [S-]C#N ZMZDMBWJUHKJPS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M potassium thiocyanate Chemical compound [K+].[S-]C#N ZNNZYHKDIALBAK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- 150000003342 selenium Chemical class 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 159000000006 cesium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000002068 genetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/10—Preliminary treatment of the selenium or tellurium, its application to the foundation plate, or the subsequent treatment of the combination
- H01L21/108—Provision of discrete insulating layers, i.e. non-genetic barrier layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
Description
- Selengleichrichter Die Erfindung bezieht sich auf ein Herstellungsverfahren für Selengleichrichterplatten.
- Bekanntlich haben Selengleichrichterplatten folgenden Aufbau: Auf einer Grundplatte aus Metall, z. B. Eisen oder Leichtmetall, die noch mit verschiedenen Metallüberzügen versehen werden kann, befindet sich eine Selenschicht. Diese Selenschicht enthält meist noch Zusätze, die die Leitfähigkeit erhöhen sollen. Auf dieser Selenschicht ist dann die sogenannte Deckelektrode aufgebracht, die meist aus einer niedrigschmelzenden Metallegierung besteht. Zwischen der Selenschicht und der Deckelektrode bildet sich eine sogenannte Sperrschicht aus, die wesentlich für die Gleichrichterwirkung ist. Durch verschiedene Zusätze zum Selen und zum Deckelektrodenmetall und durch thermische und elektrische Behandlung (Formierung) wird die Ausbildung einer gewünschten Sperrschicht noch weitgehend gefördert. Es sind auch verschiedene Verfahren bekannt geworden, um auf dem Selen eine künstliche, nicht genetische Sperrschicht zu erzeugen. Dies ist z. B. möglich, indem man vor dem Aufbringen der Deckelektrode eine dünne Schicht eines Isolierstoffes, z. B. eine Lackschicht, auf dem Selen erzeugt. Hierdurch wird die Sperrspannung der Selengleichrichterplatte erhöht. Auch hat man schon versucht eine Sperrschicht zu erzeugen, indem man die Lösung eines Salzes in einem organischeu Lösungsmittel auf der Selenschicht verdunsten ließ, so daß sich eine dünne, gleichmäßige Salzschicht auf dem Selen bildet. So hat man z. B. Kaliumpermanganat in Aceton aufgelöst und damit eine Sperrschicht erzeugt. Als entscheidend für dieseWirkung wurde der Einfluß .der Kaliumionen angesehen.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Selengleichrichterplatten für hohe Sperrspannungen herzustellen. Dies wird erfindungsgem13 dadurch erreicht, dag auf dem Selen eine Sperrschicht aus Alkalisalzen schwacher Säuren, vornehmlich aus Cäsiumsälzen, erzeugt wird.
- Wenn man auf dem Selen ein Salz aus einer organischen Lösung niederschlagen will, so sind dazu verschiedene wichtige Punkte zu beachten: Das zu verwendende Lösungsmittel mwß die Selenoberfläche gut benetzen und soll möglichst rasch verdünsten. Dabei soll es möglichst wenig Einwirkung auf die Selenoberfläche haben. Als ein geeignetes Lösungsmittel wurde Methylalkohol festgestellt. Das zu verwendende Salz muß sich gut in diesem Lösungsmittel auflösen und soll sich- an der Atmosphäre nicht verändern. Das früher verwendete Kaliumpermanganat löst sich wohl gut, bleibt aber an der Luft nicht unverändert, sondern zersetzt sich. Als geeignet wurden im allgemeinen die Alkalisalze schwacher Säuren gefunden. Eine besonders hervorragende Stellung nehmen die Salze des Cäsiums ein. Unter diesen erweist sich das Cäsiümrhodanid wegen seiner Löslichkeit als besonders geeignet. Auch Mischungen von Cäsiumrhodanid und Kaliumrhodanid ergeben günstige Resultate. Wenn man eines oder mehrere dieser Salze in Methylalkohol auflöst und diese Lösung auf die Selens.chicht der Gleichrichterplatte bringt; so bildet sich in kurzer Zeit nach dem Verdunsten des Lösungsmittels eine dünne gleichmäßige Schicht des verwendeten Salzes auf der: Selenoberfläche. ?Nach Aufbringen der Deckelektrode und entsprechender Formierung erhält man so Selengleichrichterplatten, die eine wesentlich höhere Sperrspannung, z. B. eine solche von 70 Volt, aufweisen als die .bisher verwendeten Selengleichriehterplatten.
- Auch die Konstarnz der Eigenschaften dieser Platten steht nicht hinter den üblichen Platten zurück. Dadurch können die Gleichrichtersäulen für die gleiche Spannung mit wesentlich weniger Gleichrichterplatten aufgebaut werden.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten, wobei vor Aufbringen der Deckelektrode eine Zwischenschicht aus einem Alkalisalz einer schwachen Säure aus der Lösung in einem organischen Lösungsmittel auf der Selenschicht durch Verdunsten des Lösungsmittels niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, daß, die Lösung eines Cäsiumsalzes oder die Mischung eines Cäsium- und eines Kaliumsalzes verwendet wird. a. Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß, eine Lösung von Cäsiumrhodanid verwendet wird: 3: Verfahren zur Herstellung von Selengleichrichterplatten nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lösung von Kaliumrhodanid und Cäsiumrhodanid verwendet wird. q.. Verfahren zur. Herstellung von Selengleichrichterplatten nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß! als Lösungsmittel Methylalkohol verwendet wird. 5. Selengleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß er aus Platten aufgebaut ist, die nach einem Verfahren nach Anspruch i bis q. hergestellt sind.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0021668 | 1951-01-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE869665C true DE869665C (de) | 1953-03-05 |
Family
ID=7476586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE1951S0021668 Expired DE869665C (de) | 1951-01-26 | 1951-01-27 | Selengleichrichter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE869665C (de) |
-
1951
- 1951-01-27 DE DE1951S0021668 patent/DE869665C/de not_active Expired
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE840418C (de) | Verfahren zum Herstellen Stoerstellen enthaltender Halbleiter, insbesondere fuer Trockengleichrichter | |
| DE1026874B (de) | Selengleichrichter mit Kunststoff-Zwischenschicht zwischen Selen und Gegenelektrode | |
| DE869665C (de) | Selengleichrichter | |
| DE2003802C3 (de) | ||
| DE1014154B (de) | Verfahren zum Anbringen eines leitenden Netzwerkes auf einem aus Isolierstoff bestehenden Traeger zur Herstellung einer Bildelektrode | |
| DE710006C (de) | Verfahren zur Herstellung einer photoelektrischen Zelle | |
| DE803919C (de) | Verfahren zur Herstellung einer Kathode einer elektrischen Entladungsroehre | |
| DE1614800C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Planartransistors mit Tetrodeneigenschaften | |
| DE526921C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kontaktmarken und -bahnen zur elektrischen Steuerung von Bild- und Tonfilmapparaten | |
| DE756025C (de) | Verfahren zur Herstellung einer Sperrschicht auf der Halbleiterschicht von Trockengleichrichtern | |
| DE1279242B (de) | Elektronisches Festkoerperbauelement zum Schalten | |
| DE736806C (de) | Verfahren zur Herstellung von Kupferoxydulgleichrichtern | |
| DE468270C (de) | Verfahren zur Herstellung von vergossenen elektrischen Kondensatoren mit schwefelgetraenktem Isolierstoff | |
| DE748252C (de) | Verfahren zum Herstellen von Filmen aus Celluloseesterverbindungen | |
| DE640203C (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxydkathoden | |
| AT240979B (de) | Verfahren zur Verbesserung der Lebensdauer von elektrolumineszenten Zellen | |
| DE857238C (de) | Verfahren zur Erzeugung von Wismutzwischenschichten auf der Grundplatte von Selentrockengleichrichtern | |
| DE927249C (de) | Verfahren zur galvanischen Herstellung von diamagnetischen Schichten | |
| DE1471764C (de) | Verfahren zur Herstellung von Elektro den fur alkalische Akkumulatoren, die aus einem porösen und metallischen Gerüst be stehen, dessen Poren mit einer aktiven Mas se gefüllt sind | |
| DE889807C (de) | Elektrischer Kondensator, dessen Dielektrikum aus Umsetzungs-produkten der Belegung besteht | |
| DE891300C (de) | Elektrisch unsymmetrisch leitendes System | |
| AT155688B (de) | Verfahren zur Herstellung von Oxydkathoden. | |
| DE656926C (de) | Verfahren zur Herstellung von Fluoreszenzschirmen auf der Innenwand von geschlossenen Gefaessen | |
| DE752049C (de) | Verfahren zur Erzeugung von bemusterten Metallisierungen durch Bedampfung im Vakuum | |
| DE862197C (de) | Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von nichtleitenden Schichten auf Metallbaendern fuer Elektrolytkondensatoren |