DE660822C - Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen HalbleiternInfo
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Description
- Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern Es ist im allgemeinen schwierig, auf einen elektrischen Halbleiter eine sehr weitgehend sp:errschichtfreie Elektrode aufzubringen. Zu diesem Zwecke hat man bisher einen Anstrich von. kolloidalem Graphit benutzt und auf diesen dann die Metallelektrode aufgebracht. Man hat auch üblicherweise die Behandlung der Halbleiteroberfläche durch Sanden bewirkt und dann z. B. Bleielektroden oder auch Silberelektroden aufgebracht. Jedoch auch diese Elektroden ergaben einen unbeabsichtigten, durchaus noch merklichen Sperreffekt, und zwar die Bleielektrode vermutlich .einmal durch eine Reaktion mit dien Halbleiter, aber auch wohl genau wie die Silberelektrode dadurch, daß bei der reibenden Behandlung durch das Sandstrahlgebläsechemische Umsetzungen an der Oberfläche eintraten.
- Die Erfindung gestattet die Herstellung einer außerordentlich hochgradig spierrschichtfreien Elektrode dadurch, daß ohne die bekannte und allgemein übliche vorherige mechanische Behandlung ein Metall durch thermisches Aufdampfen auf die während des Aufdampfens auf Temperaturen, bei denen keine Reaktion eintritt, gehaltene Halbleiter. oberfläche aufgebracht wird, so daß es mit dem Halbleiter allein oder einem in ihm gelösten Verbindungsbestandteil chemisch nicht reagiert. Es hat sich nämlich herausgestellt, daß wahrscheinlich die Ursache für den Sperreffekt in einer chemischen Reaktion zu suchen ist, die zwischen der aufgebrachten Schicht des Metalls und der äußersten Schicht des Halbleiters stattfindet.
- Die Art des verwendeten Metalls ist je nach der chemischen Beschaffenheit des Halbleiters verschieden. Z. B. erreicht man sperrschichtfreie Kontakte auf Kupferoxydul durch thermisches Verdampfen von Silber ioder Gold bei Temperaturen, die nicht wesentlich über Zimmertemperatur liegen und höchstens etwa -f- aoo° C erreichen dürfen.
- Um eine Reaktion zwischen dem Halbleiter bzw. den im Halbleiter gelösten Stoffen und dem aufgedampften Metall zu vermeiden., ist es stets von Vorteil, wenn die Temperatur .der betreffenden Halbleiteroberfläche nicht zu hoch steigt. Nötigenfalls muß man den Halbleiter bei dem Aufbringen des Metalls kühlen. Silber und Gold ist als Kontakt für alle Oxyde brauchbar, während bei Schwefelverbindungen das Silber versagt. Allgemein brauchbar sind die Metalle der- Platingruppe. In manchen Fällen kann es auch zweckmrig; sein, an Stelle der Metalle Metallegierungen -@ anzuwenden.
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHE: i. Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte rauf elektrischen Halbleibern, dadurch gekennzeichnet, daß unter Vermeidung jeglicher mechanischer Vorbehandlung der Halbleiteroberfläche ein Metall durch thermisches Verdampfen auf die während des Aufdampfens -auf einer Temperatur, bei der keime Reaktion eintritt, gehaltene Halbleiteroberfläche :aufgebracht wird, welches mit dem Halbleiter oder mit einem in. ihm gelösten Stoff chemisch nicht reagiert. . a. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, @daß der .aus Kupferoxydul bestehende Halbleiter während des Aufdampfens auf Temperaturen unterhalb etwa -'- zoo° C gehalten wird. 3. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallkontakte ein Edelmetall verwendet wird. q.. Verfahren nach Anspruch i bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß bei Schwefelhaltigen Halbleitern Goldoder Platin als Elektrodenmaberial benutzt wird. 5. Verfahren nach Anspruch i und folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß als Material für die Metallkontakte eine Metallegierung verwendet wird.
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| DE660822C true DE660822C (de) | 1938-06-03 |
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Family Applications (2)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (2) | DE660822C (de) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE968125C (de) * | 1951-09-24 | 1958-01-16 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium |
| DK84631C (da) * | 1954-12-01 | 1958-03-24 | Philips Nv | Fremgangsmåde til anbringelse af en ohmsk kontakt på en halvleder af et divalent metals tellurid med P-type-ledningsevne. |
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1932
- 1932-04-15 DE DES104193D patent/DE660822C/de not_active Expired
-
1937
- 1937-10-14 DE DES129124D patent/DE706980C/de not_active Expired
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE968125C (de) * | 1951-09-24 | 1958-01-16 | Licentia Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines sperrschichtfreien Kontaktes mit Germanium |
| DK84631C (da) * | 1954-12-01 | 1958-03-24 | Philips Nv | Fremgangsmåde til anbringelse af en ohmsk kontakt på en halvleder af et divalent metals tellurid med P-type-ledningsevne. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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