DE872602C - Verfahren zur Befestigung von Halbleitern - Google Patents

Verfahren zur Befestigung von Halbleitern

Info

Publication number
DE872602C
DE872602C DE1951S0022440 DES0022440D DE872602C DE 872602 C DE872602 C DE 872602C DE 1951S0022440 DE1951S0022440 DE 1951S0022440 DE S0022440 D DES0022440 D DE S0022440D DE 872602 C DE872602 C DE 872602C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
noble metal
fastening
semiconductors
attached
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1951S0022440
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz Dr Henker
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Application granted granted Critical
Publication of DE872602C publication Critical patent/DE872602C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

Bei 'der'."Her fffel Jung·-- ■ von Kristalldiadem }und Kristallverstärkern müssen gewöhnlich Halbleiter-Stückchen auf einer leitenden Unterlage befestigt" werden. Es ist bekannt, -die: Halbieitefstuckchen weich einzulöten. Wird als Halbleiter' z. B. Germanium verwendet, so wird das Einlöten dadurch -erleichtert, daß man das Hal'bleiterstückchen vor-* her ζΓΒ. galvanisch mit einem Rhodiumüberzug versieht. Auf diese Weise lassen sich die HaIbleiterstückchen verhältnismäßig sicher auf der leitenden Unterlage befestigen, weisen aber, den großen Nachteil auf, daß an den Anschluß drähten solcher Dioden oder Halbleiterverstärker nicht mehr oder nur mit größter Sorgfalt gelötet werden, kann. Wird z.B. ein solcher Halbleiterverstärker. in eine Schaltung eingelötet, so kann, wenn durch ,das Löten die Anschlußdüähte zur·s.tarik -erwärmt: werden, sich auch das zur Befestigung des HaIbleiterstückchens verwendete "Lot" erweichen, so daß das Halbleiterstückchen von seiner leitenden Unterlage abfällt und die Diode oder der Verstärker
unbrauchbar wird. .. . . ■
Die Erfindung befaßt sich mil der Beseitigung dieses Nachteils und schlägt vor, zur Befestigung der Halbleiter auf einer leitenden Unterlage zwischen Halbleiter und Unterlage, ein- Oxyd · eines Edelmetalls zu bringen, das Bdelmetalloxyd so stark zu erhitzen, daß dieses zerfällt pnd.-das entstehende. Edelmetall ,den Halbleiter festlegt.'' >--·■■'·—-■· - - · Das erfindungsgemäße Verfahren wird/ an Hand . der Figur weiter erläutert. Auf die metallische Unterlage 1 mit .-Anschlußdraht 2 soll—das Halbleiterstückchen 3 aufgebracht werden. Zu diesem Zweck wird zwischen .das, Halbleiterstückchens, und die Unterläge 1 'das Oxy* eines Edelmetalle oder gegebenenfalls auch die Mischung von Oxydenmehrerer Edelmetalle gebracht. Danach wird das. Edelmetalloxyd bzw. die Mischung'der Oxyde in geeigneter Weise so stark erhitzt, daß sie zerfallen, wobei flüssiges Metall oder eine flüssige Zwischenphase entsteht. Das Metall-,ader, die flüssige Metall-Sauerstoff - Verbindung" wirkt nun als Lot" und legt beim Erkalten das Halbleiterstückchen auf der Unterlage fest. Durch dieses Lötverfahren wird eine außerordentlich sichere Befestigung des HaIbleiterstüekchens erzielt, und es entsteht ein sehr guter elektrischer sperrschichtfreier Kontakt. Eine so befestigte Halbleitertablette löst sich bis zum
Schmelzpunkt des betreffenden Edelmetalls "bzw. der Unterlage oder des Halbleiters nicht mehr von der Unterlage ab. Dadurch kann an den anderen Teileii der Diode ader des Kristallverstärkers ohne ' Gefahr, daß sich der Halbleiter von der Unterlage löst, gelötet werden. Beim Einlöten des Kristall-■ Verstärkers in eine Schaltung brauchen keinerlei Vorsichtsmaßnahmen beachtet zu werden. Das Einlöten kann auf Grund der erfindungsgemäßen Befestigung des Halbleiterplättchens wie bei anderen elektrischen Bauelementen, z. B. Widerständen, Kondensatoren usw., erfolgen. Als besonders geeignetes Edelmetalloxyd hat sich Ag2O erwiesen. .Eine weitere,Verbesserung der Befestigung kann -dadurch erreicht" werden, daß man die Unterlage durch ein geeignetes Verfahren mit einer Edelmetall schicht ,überzieht;. Es empfiehlt sich dabei das Edelmetall· zu verwenden, dessen Metalloxyd zur Befestigung des Halbleiters verwendet wird. Unter .Umständen ist es auch vorteilhaft, den Halbleiter vor seiner Befestigung auf der Unterlage mit einer Rhodiums.chich,t zu überziehen. In der Figur ist ifernernocttdie Gegenelektrode mit Anschlußdraht6 und. Spitzenkontakt 7 sowie das das Bauelement •umgebende und zusammenhaltende Gehäuse 8 gezeichnet.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE:
    '· ' ' i.Verfähren zur Befestigung von Halbleitern, insbesondere von KristaMiöden und Kristallverstärkern, auf einer leitenden Unterlage, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Unterlage und Halbleiter ein Oxyd eines Edelmetalls oder eine Mischung von, Edelmetalloxyden gebracht ' ^ wird,- -worauf das Edelmetalloxyd so stark erhitzt wird, daß dieses zerfällt und das ent-. stehende Edelmetall den Halbleiter festlegt. 8g
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Edelmetalloxyd Ag2O verwendet wird.. .
  3. ,. 3. Verfahren nach Anspruch ι und 2, dadurch ' gekennzeichnet, daß das Unterlagemetall vor der Befestigung des Halbleiters mit einer Edelmetallschicht überzogen wird.
  4. 4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter vor seiner Befestigung auf der Unterlage rhodiniert wird.
DE1951S0022440 1951-03-20 1951-03-21 Verfahren zur Befestigung von Halbleitern Expired DE872602C (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0022440 1951-03-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE872602C true DE872602C (de) 1953-04-02

Family

ID=7476918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1951S0022440 Expired DE872602C (de) 1951-03-20 1951-03-21 Verfahren zur Befestigung von Halbleitern

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE872602C (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1037014B (de) * 1952-08-08 1958-08-21 British Thomson Houston Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines fuer Starkstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleichrichters
DE1292260B (de) * 1955-05-10 1969-04-10 Westinghouse Electric Corp Silicium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1037014B (de) * 1952-08-08 1958-08-21 British Thomson Houston Co Ltd Verfahren zur Herstellung eines fuer Starkstrom geeigneten, hermetisch verschlossenen Gleichrichters
DE1292260B (de) * 1955-05-10 1969-04-10 Westinghouse Electric Corp Silicium-Halbleiteranordnung mit Legierungselektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2032872B2 (de) Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse
DE2044494B2 (de) Anschlussflaechen zum anloeten von halbleiterbausteinen in flip chip technik
DE2257078A1 (de) Halbleiterbauelement mit druckkontakt
DE872602C (de) Verfahren zur Befestigung von Halbleitern
DE1263190B (de) Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper
DE1646795A1 (de) Traegerkoerper fuer einen Halbleiterkoerper einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1279198B (de) Halbleiteranordnung
EP0020857B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines planaren Halbleiterbauelements
DE1514561C3 (de) Verfahren zum serienmäßigen Herstellen von Halbleiterbauelementen
DE1007886B (de) Verfahren zum Befestigen von Halbleitern auf der leitenden Unterlage in Halbleiter-Gleichrichtern
DE660822C (de) Verfahren zur Herstellung sehr weitgehend sperrschichtfreier Metallkontakte auf elektrischen Halbleitern
DE854473C (de) Verfahren zur Herstellung festhaftender loetfaehiger Kupferschichten auf keramischenKoerpern
AT201117B (de) Verfahren zur Verbindung eines metallischen Leiters mit einem Halbleiterkörper
DE1564069B1 (de) Verbundwerkstoffe fuer elektrische Kontakte
DE1167162B (de) Lot zum Verloeten von Teilen, von denen eines Gold enthaelt, und Verfahren zum Loeten mit diesem Lot
DE1514106C (de) Verfahren zur Herstellung von Halblei teranordnungen
AT222700B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung aus Silizium
DE1196793B (de) Verfahren zum Kontaktieren von Halbleiter-koerpern fuer Halbleiterbauelemente
AT227840B (de) Halbleiteranordnung
DE2161945C3 (de) Verfahren zum Befestigen eines Halbleiterkörpers auf einem Träger durch Löten
DE976718C (de) Verfahren zum Anloeten elektrischer Anschluesse an eine Metallauflage, die auf einemim wesentlichen einkristallinen Halbleiter aufgebracht ist
AT226327B (de) Verfahren zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses an einer Halbleiteranordnung
DE1220234B (de) Verfahren zum vakuumdichten Verbinden Zweier Metallteile
DE1243274B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit einem Halbleiterkoerper aus Silizium
DE1278022B (de) Verfahren zur Herstellung einer hochschmelzenden nichtsperrenden Legierungselektrodeoder einer hochschmelzenden nichtsperrenden Lotverbindung