DE1263190B - Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper - Google Patents

Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterkoerper

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DE1263190B
DE1263190B DES74774A DES0074774A DE1263190B DE 1263190 B DE1263190 B DE 1263190B DE S74774 A DES74774 A DE S74774A DE S0074774 A DES0074774 A DE S0074774A DE 1263190 B DE1263190 B DE 1263190B
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
HOIl
Deutsche Kl.: 21 g -11/02
Nummer: 1263 190
Aktenzeichen: S 74774 VIII c/21 g
Anmeldetag: 12. Juli 1961
Auslegetag: 14. März 1968
Es sind bereits Halbleiteranordnungen mit einem scheibenförmigen Halbleiterkörper bekannt, der mit einer Trägerplatte aus einem Material mit einer guten elektrischen Wärmeleitfähigkeit und einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der nicht wesentlich von dem des Halbleitermaterials abweicht, großflächig verbunden ist. Bei Verwendung von Germanium oder Silizium kann als Material für die Trägerplatte beispielsweise Molybdän oder Wolfram vorgesehen sein. ίο
Bei der Verbindung dieser Trägerplatte mit einem Körper, der zur Kühlung der Anordnung während des Betriebes dient, beispielsweise einem Kupferklotz mit Kühlfahnen, einem Kühlwasserkreislauf od. dgl., treten vielfach Schwierigkeiten auf. Die Trägerplatte muß mit dem Kühlkörper ebenfalls relativ großflächig verbunden sein, damit ein guter Wärmeübergang und ein geringer elektrischer Widerstand der Übergangsstelle gewährleistet sind. Verwendet man Weichlot (Zinnlot, Bleilot), so kann es vorkommen, daß bei höheren Belastungen und entsprechend starker Wärmeentwicklung die Schmelztemperatur des Lotes zumindest örtlich überschritten wird und damit ein Ablöten auftritt. Verwendet man Hartlot (Silberlot u. dgl.), so kann die erforderliche Löttemperatur zu einer Verschlechterung der Eigenschaften des vorher fest mit der Trägerplatte verbundenen Halbleiterelementes, z. B. eines Transistors, Gleichrichters oder Fotoelementes, führen. Die Anwendung von Druck, Lötmitteln und anderen Hilfsmitteln ist hierbei ebenfalls nur in beschränktem Maß zulässig, da Störungen durch mechanische Spannungen, Verunreinigungen usw. auftreten können.
Ferner ist ein Verfahren zum Einbau eines Halbleiterelementes in ein Gehäuse bekannt, bei dem das Halbleiterelement mit einem als elektrische Zuleitung dienenden Plättchen aus gut wärmeleitendem Material verbunden ist. Das Gehäuse besteht aus einer Grundplatte aus ebenfalls gut wärmeleitendem Material und einem glockenförmigen Abschlußteil. Das Plättchen ist mindestens teilweise in einer Ausnehmung der wesentlich dickeren Grundplatte eingeführt und durch plastische Verformung des Grundplattenmaterials in kaltem Zustand mit der Grundplatte fest verbunden. Das glockenförmige Abschlußteil wird mit der Grundplatte durch eine weitere plastische Verformung des Grundplattenmaterials in kaltem Zustand verbunden (vgl. deutsche Auslegeschrift 1098 103). Bei diesem bekannten Verfahren besteht das als elektrische Zuleitung dienende Plattchen aus Silber mit einem Goldüberzug. Die Grundplatte kann aus Weichkupfer bestehen, welches leicht Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehäuse
eingeschlossenen Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, 8520 Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dr.-Ing. Reimer Emeis, 8553 Ebermannstadt - -
verformbar und gut wärmeleitend ist. Nachteilig an diesem Verfahren ist, daß es bei Verwendung von Trägerplatten mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der nicht wesentlich von dem des Halbleitermaterials abweicht, nicht anwendbar ist. Bei Wärmewechselbeanspruchungen, wie sie im Betrieb von Halbleiteranordnungen auftreten, würde die Verbindung zwischen der Grundplatte und der Trägerplatte gestört bzw. zerstört werden.
Außerdem ist eine Halbleiter-Gleichrichterdiode mit einem aus Silizium bestehenden Halbleiterkörper, der auf einer metallenen Trägerplatte befestigt ist, bekannt. Der Halbleiterkörper ist mittels Blattfedern zwischen zwei Deckelplatten federnd eingespannt. Zwischen der einen Deckelplatte und dem Halbleiterkörper befindet sich eine Weichmetallschicht, beispielsweise eine Bleilegierung. Zwischen dem Halbleiterkörper und der anderen Deckelplatte ist eine weitere Weichmetallschicht, die ebenfalls aus einer Bleilegierung bestehen kann, angebracht. Die Weichmetallschichten passen sich an die Oberflächenunregelmäßigkeiten der Metallplatten bzw. des Halbleiterkörpers an (vgl. USA.-Patentschrift 2 956 214). Nachteilig an dieser Halbleiter-Gleichrichterdiode ist, daß die Blattfedern im Stromweg der Diode liegen, so daß sie nicht hoch belastet werden können. Außerdem bestünde bei einem hohen Kontaktdruck die Gefahr, daß die Weichmetallschichten »wegfließen« und die lediglich von außen mit einem Keramikteil verlöteten Deckelplatten sich aufbiegen, so daß ein bestimmter Kontaktdruck im Betriebszustand der Diode nicht gewährleistet ist.
Weiterhin ist bereits eine Halbleiteranordnung mit einem plattenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper vorgeschlagen worden, die wenigstens eine mit dem Halbleiterkörper großflächig verbundene Trägerplatte aufweist. Die Trägerplatte hat
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einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der nicht Halbleiterelement wird vor dem Zusammenbau des wesentlich von dem des Halbleiterkörpers abweicht. Gehäuses in einem einzigen Legierungsvorgang her-Mit der Trägerplatte ist ein Anschlußkörper flächen- gestellt.
haft verbunden. Dieser hat einen von der Trägerplatte Hierbei wird auf eine Molybdänscheibe von etwa
abweichenden Wärmeausdehnungskoeffizienten. Die 5 22 mm Durchmesser eine Aluminiumscheibe von einander zugekehrten Oberflächenteile der Träger- etwa 19 mm Durchmesser aufgelegt. Auf diese Aluplatte und des Anschlußkörpers sind geläppt. Die miniumscheibe wird ein Plättchen aus p-leitendem geläppten Flächen sind mittels eines Halteteils ledig- Silizium und einem spezifischen Widerstand von etwa lieh durch Druck miteinander verbunden. Hierbei 1000 Ohm · cm und einem Durchmesser von etwa sind die Abmessungen der Trägerplatte, des An- io 18 mm aufgelegt. Darauf folgt eine Gold-Antimonschlußkörpers und des Halteteils in Richtung der Folie, die einen kleineren Durchmesser z. B. 14 mm, Druckkraft und ihre Wärmeausdehnungskoeffizienten als die Siliziumscheibe aufweist. Das Ganze wird in so abgestimmt, daß die Wärmeausdehnung des Halte- ein mit diesen Materialien nicht reagierendes, nicht teils in Richtung der Druckkraft im wesentlichen-- schmelzendes Pulver, beispielsweise Graphitpulver, gleich der Summe der Wärmeausdehnungen der 15 eingepreßt und auf etwa 800° C unter Anwendung Trägerplatte und des Anschlußkörpers in dieser Rieh- von Druck erhitzt. Diese Erwärmung kann beispielstung ist (vgl. deutsche Auslegeschrift 1248 811). weise in einem Legierungsofen durchgeführt werden,
Dieser ältere Vorschlag wurde noch dahingehend welcher evakuiert bzw. mit einem Schutzgas gefüllt verbessert, daß das Halteteil über die Ebene der der ist. Das Ergebnis ist das aus der Trägerplatte 4 und Trägerplatte gegenüberliegenden Flachseite des Halb- ao dem mit ihr durch eine Aluminiumlegierung verleiterkörpers hinaus verlängert wurde. Hierbei ist ; bundenen Halbleiterkörper 5 sowie der einlegierten diese Verlängerung als Halterung für weitere An- Elektrode 6 bestehende Halbleiterelement, schlußteile auf dieser Seite ausgebildet. Anschließend wird das Halbleiterelement 4 bis 6
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine auf den Vorsprung 2 a des Kühlkörpers 2 aufgelegt. Halbleiteranordnung "zu schaffen, die die angeführten 25 Es ist zweckmäßig, eine dicke Silberschicht, beispiels-Nachteile vermeidet und die sich durch eine gute , weise eine Folie 7 von 100 bis 200 μ Stärke zwischen Wärmeabführung sowie eine hohe Temperatur- dem Vorsprung 2 α des aus Kupfer bestehenden Kühlwechselfestigkeit auszeichnet. körpers 2 und dem Halbleiterelement 4. bis 6 einzu-Die Erfindung betrifft demgemäß eine Halbleiter- legen. Bei einer Stärke der Silberschicht von mehr als anordnung mit einem in ein Gehäuse eingeschlosse- 30 50 μ wird ein Durchdringen des Kupfers durch diese nen, aus einem scheibenförmigen, im wesentlichen , Silberschicht sicher verhindert, einkristallinen Halbleiterkörper und einer dessen eine Wie sich bei durchgeführten Versuchen zeigte, ist Flachseite bedeckenden und mit diesem stoffschlüssig es nicht notwendig, diese Silberschicht 7 auf dem verbundenen, in ihrem thermischen Ausdehnungs- Kupferklotz durch .Lötung od. dgl. zu befestigen, koeffizienten dem Halbleiterkörper angepaßten me- 35 sondern es genügt, wenn sie lediglich zwischen dem tallischen Trägerplatte bestehenden Halbleiterelement . Vorsprung 2 et des Kühlkörpers 2 und dem HaIb-Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das leiterelement 4 bis 6 eingelegt, wird. Diese aus einer Halbleiterelement mit einer auf dessen anderer Flach- Silberfolie bestehende Silberschicht 7 kann auf beiden seite befindlichen Metallscheibe zwischen einem Seiten mit einem erhabenen Muster versehen sein, Kühlkörper und einem weiteren stromführenden 40 z. B. einem Waffelmuster, ähnlich der Rändelung von Metallkörper mit einem Flächendruck von 100 bis .· Rändelschrauben. 500 kg/cm2 mittels eines außerhalb des Stromwegs . Nach einer bevorzugten Ausführungsform wird liegenden Federteils gleitfähig eingespannt ist. diese Silberfolie ausgeglüht und anschließend geätzt,
Die Erfindung zeichnet sich noch dadurch aus, daß z. B. mit Hilfe von Salpetersäure, wodurch sich ein nach der Herstellung des aus dem Halbleiterkörper, 45 feines Ätzmuster auf der Oberfläche ergibt. Vorteilder Trägerplatte und der Elektrode bestehenden . haft werden die Oberseite des Vorsprunges 2 a sowie Halbleiterelements sämtliche Lot- oder Schweiß- die Unterseite der aus Molybdän bestehenden Trägervorgänge beim Einbau dieses Halbleiterelements in platte 4 plangeläppt, wodurch ein guter Wärme- und das Gehäuse entfallen. Somit bleiben die guten Eigen- Stromübergang zwischen diesen Teilen und der Silberschaften des Halbleiterelements beim nachträglichen 50 folie 7 gewährleistet ist. Es besteht aber auch die Einbau in das Gehäuse erhalten. Möglichkeit, die Silberfolie 7 in der Form eines Netzes
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung aus feinen Silberdrähten auszuführen, beispielsweise werden an einem Ausführungsbeispiel an Hand der aus Silberdraht mit 0,05 bis 0,3 mm Drahtstärke. Zeichnung näher erläutert. Die Oberseite des Halbleiterelements 4 bis 6, also
F i g. 1 zeigt einen Schnitt einer Halbleiteranord- 55 die Elektrode 6, die aus einem Gold-Silizium-Euteknung gemäß der Erfindung; hierbei sind die einzelnen . tikum besteht, wird ebenfalls plangeläppt, worauf ein Teile der Anordnung vor der Montage dargestellt; stempeiförmiger Teil auf diese Oberseite aufgesetzt
Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch die Halbleiter- werden kann. Dieser stempeiförmige Teil kann ebenanordnung nach dem Zusammenbau der in Fi g. 1 falls vor dem Zusammenbau aus einzelnen Teilen zudargestellten Teile. 60 sammengesetzt werden, nämlich aus einem Kupfer-Der Kühlkörper der Halbleiteranordnung besteht bolzen 8, einer ebenfalls aus Kupfer bestehenden aus einem massiven Kupferklotz 2 mit einem Vor- Kreisringscheibe 9 und. einer Molybdänscheibe 10. sprang 2 a, auf dem das Halbleiterelement 4 bis 6 Diese Teile sind · zweckmäßigerweise alle miteinaufliegt. Ein ringförmiger Steg 3 a dient zum An- ander hart verlötet. Auch die Unterseite der bördeln eines Halteteils 17. Der hochgezogene Rand 65 Molybdänscheibe 10- kann mit- einer Silberauflage & des Kupferklotzes dient zum Anbördeln weiterer versehen, z. B. plattiert, und danach plangeläppt Gehäuseteile. Das aus einer Trägerplatte 4, einem werden.
Halbleiterkörper S sowie einer Elektrode 6 bestehende · Auf diesem .stempeiförmigen Teil werden nun in
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folgender Reihenfolge eine beispielsweise aus Stahl und gedrängter Aufbau der Gleichrichtergeräte. Auch bestehende Ringscheibe 11, eine Glimmerscheibe 12, die Verdrahtungsprobleme der Anschlüsse an der eine weitere Stahlscheibe 13 und drei Tellerfedern 14, anderen Seite der gekapselten Halbleiterdioden 15 und 16 aufgeschoben. Anschließend wird ein werden wesentlich vereinfacht.
Halteteil 17, welches glockenförmig ist, über das 5 Man kann natürlich durch einen anderen Aufbau stempeiförmige Teil geschoben, die Tellerfedern 14 des in dem Gehäuse befindlichen Halbleiterelements 4 bis 16 zusammengedrückt und das Halteteil 17 mit bis 6 auch bisher schon ein solches Gleichrichtergerät seinem Rand mit Hilfe des Steges 3 α angebördelt. bauen; es war aber bisher erforderlich, bereits in der
Wie F i g. 2 zeigt, ergibt sich ein sehr gedrängter Fertigung zwei stark voneinander verschiedene HaIb-Aufbau, bei dem alle Teile in ihrer genauen Lage zu- io leiterdioden herzustellen. Mit der erfindungsgemäßen einander festgehalten werden und demzufolge weder Anordnung wird nun zum ersten Mal ein derartiger durch mechanische Erschütterungen noch durch Aufbau ohne wesentlichen Eingriff in die Fertigung Wärmebewegungen verschoben werden können. Eine ermöglicht.
wichtige Rolle übernimmt hierbei die Glimmerscheibe Beim Zusammenbau einer derartigen Anordnung
12, welche sowohl zur elektrischen Isolierung des 15 mit umgekehrter Lage des Halbleiterelements 4 bis 6 Halteteils 17 von der Oberseite der Halbleiteranord- innerhalb des Gehäuses, wie in dem ausgeführten nung als auch zur Zentrierung des stempeiförmigen Beispiel, müssen natürlich innerhalb des Gehäuses Teils innerhalb des Halteteils 17 und damit auf dem besondere Vorkehrungen getroffen werden, damit Halbleiterelement 4 bis 6 dient. Mit ihrem äußeren auch dieser Aufbau leistungsfähig und stabil bei Rand liegt die Glimmerscheibe 12 an dem Halteteil 20 hohen Belastungen und auch Wechselbeanspruchun-17 an, während sie mit ihrem inneren Rand den gen bleibt. Man kann z. B. auf den Vorsprung 2 a des Kupferbolzen 8 berührt. Kühlkörpers 2 zunächst eine Silberfolie von gleichem
Zum Schluß wird ein glockenförmiges Gehäuseteil, Durchmesser und darauf eine aus Molybdän oder welches aus den Einzelteilen 18, 19, 20 und 21 be- einem ähnlichen Stoff bestehende Scheibe vom steht, über die gesamte Anordnung gestülpt. An 25 gleichen Durchmesser auflegen. Die Silberfolie kann seinem unteren Ende wird das Teil 18 mit Hilfe des ähnlich wie in dem ausgeführten Beispiel nach F i g. 2 Randes 3 b angebördelt, während der Kupferbolzen 8 aufgebaut sein. Die Molybdänscheibe von etwa 1 durch eine Anquetschung mit dem Teil 21 verbunden bis 2 mm Dicke ist zweckmäßigerweise auf beiden wird. Das Teil 21 kann beispielsweise aus Kupfer be- Seiten plangeläppt. Auch die auf der der Trägerstehen, während die Teile 18 und 20 aus Stahl oder 30 platte abgewandten Flachseite des Halbleiterkörpers einer Fernicolegierung, wie Kovar oder Vacon, be- befindliche Elektrode, die in dem ausgeführten Beistehen können. Das Teil 19, welches zweckmäßiger- spiel im wesentlichen aus einem Gold-Silizium-Eutekweise aus Keramik besteht, dient zur Isolierung. Es tikum besteht, wird zweckmäßigerweise auf der Oberist an den Stellen, an denen es mit den Teilen 18 und seite plangeläppt und anschließend mit dieser ge-20 zusammenstößt, metallisiert, so daß diese Teile 35 läppten Seite auf die Molybdänscheibe aufgelegt,
mit ihm durch Lötung verbunden werden können. Im allgemeinen erhebt sich dieses Eutektikum bzw.
Ein Kabel 22 ist in das Teil 21 von außen ein- eine in anderer Weise hergestellte einlegierte Elekgeschoben und ebenfalls durch Anquetschung mit trode so weit über das angrenzende Halbleiterdiesem verbunden. material, daß eine Berührung dieses Halbleiter-Selbstverständlich kann das Halbleiterelement 4 40 materials mit der gegenüberliegenden Molybdänbis 6 auch einen anderen als den beschriebenen Auf- scheibe sicher verhindert wird. Hinzu kommt, daß in bau aufweisen. Es kann sich also beispielsweise um den meisten Fällen dieses Halbleitermaterial noch einen Halbleiterkörper aus Germanium handeln, in zusätzlich durch Ätzungen abgetragen und damit den z. B. Elektroden aus Indium bzw. Blei-Arsen weiter von der Ebene der geläppten Oberseite der einlegiert wurden. Der Trägerkörper kann auch bei- 45 einlegierten Elektrode entfernt wird. Ein Durchspielsweise aus gewissen hochlegierten Stahlsorten schlagen der geringen Luftschicht zwischen diesem bestehen, welche einen ähnlichen Ausdehnungskoef- Halbleitermaterial und der gegenüberliegenden Molybfizienten wie beispielsweise Germanium oder Silizium dänscheibe kann weiter dadurch verhindert werden, aufweisen. daß auf das Halbleitermaterial ein Lack, beispiels-Eine wichtige Eigenschaft der erfindungsgemäßen 50 weise ein Siliconlack mit einem Alizarinzusatz, auf-Halbleiteranordnung ist darin zu sehen, daß das Halb- getragen wird.
leiterelement 4 bis 6 auch gegebenenfalls umgekehrt Auch die Trägerplatte 5 des Halbleiterelements 4
wie in dem ausgeführten Beispiel, d. h. also mit der bis 6, welche in diesem Fall der weiteren Metall-Trägerplatte 4 der weiteren Metallscheibe 10 zu- scheibe 10, nämlich dem stempeiförmigen Metallteil, gewendet, in das Gehäuse eingebaut werden kann. Es 55 zugewendet ist, wird zweckmäßigerweise geläppt, können also auf diese Weise Halbleiterdioden unter- hierauf eine Silberfolie gelegt und auf diese Silberfolie schiedlicher Polarität mit vollkommen gleichem das weitere Metallteil aufgesetzt, welches in diesem äußerem Aufbau und auch mit ähnlichem Innen- Fall lediglich aus Kupfer bestehen kann,
aufbau hergestellt werden. Dies kann beispielsweise Da eine Berührung der Molybdänscheibe 10 mit
in Gleichrichterbrückenschaltungen dazu ausgenutzt 60 dem Halteteil 17, welches alle Teile mit dem gewerden, daß alle Gleichrichterdioden des gleichen forderten Flächendruck zusammenpreßt, verhindert Gleichstrompols jeweils auf derselben Kühlanordnung werden muß, hat diese Trägerplatte 10 zweckmäßigerbefestigt werden können, beispielsweise auf einer ge- weise einen etwas geringeren Durchmesser als die meinsamen Kupferschiene mit Kühlkreislauf. So auf den Vorsprung 2 a des Kühlkörpers 2 aufgelegte können also beispielsweise jeweils drei Dioden bzw. 65 Molybdänscheibe 4. Durch einen außen um die Diodengruppen einer Drehstrombrückenschaltung mit Trägerplatte 10 herumgelegten Ring aus einem Isoihren Kühlkörpern auf der gleichen Kühlanlage be- lierstoff, z. B. aus Glimmer, welcher sich nach dem festigt werden. Es ergibt sich somit ein sehr einfacher Zusammenbau zwischen dem Halteteil 17 und der
Trägerplatte 10 befindet, kann die notwendige Zentrierung des Aggregates bewirkt werden.

Claims (9)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem in ein Gehäuse eingeschlossenen, aus einem scheibenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper und einer dessen eine Flachseite bedeckenden und mit diesen stoffschlüssig verbundenen, in ihrem thermischen Ausdehnungskoeffizienten dem Halbleiterkörper angepaßten metallischen Trägerplatte bestehenden Halbleiterelement, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (4 bis 6) mit einer auf dessen anderer Flachseite befindlichen Metallscheibe (10) zwischen einem Kühlkörper (2) und einem weiteren stromführenden Metallkörper (8) mit einem Flächendruck von 100 bis 500 kg/cm2 mittels eines außerhalb des Stromwegs liegenden Federteils (14 bis 17) gleitfähig eingespannt ist.
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement (4 bis 6) auf einer ebenen Innenfläche auf einem Bodenteil (2 a) des Gehäuses aufliegt und das Federteil (14 bis 17) am als Kühlkörper ausgebildeten Gehäuseboden (2) verankert ist.
3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Federteil eine federnde, oben offene Klappe (17) vorgesehen ist, die das Halbleiterelement (4 bis 6), die Metallscheibe (10) und einen Isolierkörper (12) klammerartig umschließt.
4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Federteil Tellerfedern (14 bis 16) vorgesehen sind, die durch ein am Gehäuseboden (2) verankertes Halteteil (17) geführt sind.
5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sich die ebene Innenfläche des Bodenteils (2 a) an einem aus Kupfer bestehenden Gehäuseboden (2) befindet und mit einer Silberschicht bedeckt ist.
6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die von der Trägerplatte bedeckte Flachseite des Halbleiterkörpers (5) der ebenen Innenfläche des Bodenteils (2 a) zugewendet ist.
7. Halbleiteranordnung nach Anspruch I5 dadurch gekennzeichnet, daß die andere Flachseite des Halbleiterkörpers (5) mit der darauf befindlichen Metallscheibe (10) der ebenen Innenfläche des Bodenteils (2 a) zugewendet ist.
8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch den Flächendruck zusammengehaltenen Berührungsflächen zwischen dem Halbleiterelement (4 bis 6) und dem Gehäuse oder/und der Metallscheibe (10) geläppt sind.
9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Trägerplatte (4) oder/und die Metallscheibe (10) aus Molybdän besteht.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1039 648,
811;
österreichische Patentschrift Nr. 203 550;
USA-Patentschrift Nr. 2956214.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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