DE3147790A1 - Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung

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DE3147790A1 DE19813147790 DE3147790A DE3147790A1 DE 3147790 A1 DE3147790 A1 DE 3147790A1 DE 19813147790 DE19813147790 DE 19813147790 DE 3147790 A DE3147790 A DE 3147790A DE 3147790 A1 DE3147790 A1 DE 3147790A1
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Conrad Dipl.Phys.Dr. 6901 Gaiberg Schmidt
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Description

  • Leistungsmodul und Verfahren zu seiner Herstellung
  • Die Erfindung bezieht sich auf ein Leistungsmodul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und auf ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Leistungsmoduls.
  • Ein solches Leistungsmodul ist bekannt aus den BBC-Nachrichten 1978, Heft 5, Seiten 200 bis 206. Das Leistungsmodul besitzt einen potentiälfreien Metallboden zur Abführung der während des Betriebes -entstehenden Verlustleistungswärme. Das Leistungsmodul ist dabei mittels einer Spannvorrichtung unter Aufwendung mechanischen Drucks auf einen Kühler gepreßt. Die Keramik des Verbundsystems ist dadurch bruchgefährdet.
  • Bei hohen Dauergrenzströmen besitzt dieser isolierte Aufbau Probleme, hervorgerufen durch den erhöhten Wärmewiderstand der Isolierschicht und den Wärmeübergangswiderstand zwischen dem Metallboden und dem eigentlichen Kühlkörper.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Leistungsmodul der eingangs genannten Art zu schaffen, das gleichzeitig eine gute Potentialtrennung und eine gute Wärmeableitfähigkeit gewährleistet.
  • Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 gekennzeichneten Merkmale gelöst.
  • Die mit der Erfindung erzielbaren Vorteile liegen insbesondere darin, daß das Metall-Keramik-Verbundsystem des Leistungsmoduls bei verhältnismäßig niedrigen Temperaturen hergestellt werden kann, was materialschonend ist und Temperaturspannungen bzw. die dadurch bedingten Verformungen und Durchbiegungen weitestgehend verhindert.
  • Das Verbundsystem besitzt eine hohe Wechsellastbeständigkeit und mechanische Festigkeit. Ferner sind keine mechanischen Spannvorrichtungen nötig, d.h. es besteht keine Bruchgefahr der Keramikplatte. Bei Verwendung einer kupfernen Metallplatte ergibt sich insbesondere eine hohe Stromtragfähigkeit und eine sehr gute Wärmeableitfähigkeit. Bei Verwendung einer Metallplatte aus einer Eisen-Nickel-Legierung ergibt sich insbesondere eine sehr gute Temperaturwechselbeständigkeit.
  • Mit Vorteil kann eine Metallplatte aus Molybdän verwendet werden, da Molybdän sich bevorzugt für eine Direktverlötung mit Silizium-Halbleiterbauelementen eignet.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des Leistungsmoduls sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand der in den Zeichnungen dargestellten Ausführungsformen erläutert.
  • Es zeigen: Fig. 1 den prinzipiellen Aufbau des erfindungs- gemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems, Fig. 2 ein insbesondere für Halbleiterblocktechnik geeignetes Verbundsystem, Fig. 3,4,5 mehrere insbesondere für Schichttechnik und Hybridtechnik geeignete Verbundsysteme.
  • In Fig. 1 ist der prinzipielle Aufbau des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems dargestellt. Eine Keramikplatte 1, vorzugsweise aus Al203 oder BeO, ist mit einer Haftgrundschicht ?, vorzugsweise aus NiCr oder Cr, versehen. Diese Haftgrundschicht 2 wird vorzugsweise mit Hilfe des Kathodenzerstäubung-Verfahrens (siehe z.B.
  • Schade, Halbleitertechnologie, Band. 1, VEB-Verlag Technik, Berlin, 1981, Seite 187 bis 189) aufgebracht.
  • Die gute Haftwirkung der Haftgrundschicht 2 erklärt sich dadurch, daR das NiCr bzw. Cr an der Grenzschicht zur Keramikplatte 1 Oxide bildet und den dazu benötigten Sauerstoff aus der Keramik bezieht.
  • Um eine Oxidation des NiCr bzw. Cr an der Luft zu verhindern, wird unmittelbar danach auf die Haftgrundschicht 2 eine Korrosionsschutzschicht 3, vorzugsweise aus Au und vorzugsweise ebenfalls mittels des Kathodenzerstäubung-Verfahrens aufgebracht. Eine an der Luft oxidierte Haftgrundschicht 2 wäre nicht mehr lötfähig.
  • Als Korrosionsschutzschicht 3 sind außer Au auch andere Edelmetalle, wie z.B. Ag oder Ersatzmetalle einsetzbar.
  • Auf eine Metallplatte 5, vorzugsweise aus Kupfer, Molybdän, einer Eisen-Nickel-Legierung, einer Eisen-Nikkel-Cobalt#Legierung oder einer Eisen-Nickel-Chrom-Legierung wird vorzugsweise mittels des Kathodenzerstäubung-Verfahrens eine Lotschicht 4, vorzugsweise aus AuSn oder anderen Hartmetallloten, aufgebracht. Um eine eventuell auf der Metallplatte 5 vorhandene Oxidschicht zu entfernen, wird die Metallplatte 5 vorher geschliffen oder geätzt oder einer Sandstrahlbehandlung unterzogen.
  • Gegebenenfalls genügt auch der Ionenbeschuß beim Kathodenzerstäubung-Verfahren, da durch diesen Ionenbeschuß eine bereits vorhandene oberflächliche Oxidschicht zerrissen wird. Die Metallplatte 5 kann nach Beschichtung mit der Lotschicht 4 an der Luft nicht mehr oxidieren.
  • Wahlweise kann die Metallplatte 5 auch mit einer (nicht dargestellten) Haftgrundschicht versehen werden, auf die dann die Lotschicht 4 aufgebracht wird.
  • Das aus der beschichteten Keramikplatte 1 und der beschichteten Metallplatte 5 gebildete Verbundsystem wird in einem Vakuumofen unter Aufwendung mechanischen Drucks bei Temperaturen um 340ob (bei einer Metallplatte 5 aus Kupfer), bzw. um 3700C (bei einer Metallplatte 5 aus einer Eisen-Nickel-Legierung) gelötet. Bei Verwendung anderer Hartmetalllote ergibt sich eine entsprechend geänderte Temperatur. Bei Einsatz einer kupfernen Metallplatte 5 sollte ein Lot mit nicht zu hoher Löttemperatur gewählt werden, um hohe Temperaturspannungen des Verbundsystems zu verhindern, die ein Durchbiegen des erkaltenden Verbundsystems zur Folge haben könnten.
  • Der aufzubringende mechanische Druck und die dabei notwendige Temperatur können in gewissen Grenzen variiert werden, d.h. bei vergrößertem Druck kann die Temperatur verkleinert werden und bei verringertem Druck muß die Temperatur erhöht werden. Wichtig ist vor allem, daß die Lotschicht 4 teigig, d.h. plastisch wird und so mit der Metallplatte 5 einerseits bzw. mit der beschichteten Keramikplatte 1 andererseits in engen Kontakt treten kann. Bedingt durch die Oberflächenrauhigkeiten der Grenzflächen kommt es auf diese Weise zu mechanischen Verbindungen ("Verkrallungen") bis hin zur Ausbildung chemischer Bindungen.
  • Neben dem bereits beschriebenen Aufbau des Verbundsystems Keramikplatte 1 - Haftgrundschicht 2 - Korrosionsschutzschicht 3 - Lotschicht 4 - Metallplatte 5 ist auch ein Aufbau Keramikplatte 1 - Haftgrundschicht 2 - Lotschicht 4 - Korrosionsschutzschicht 3 - Metallplatte 5 ausführbar. Bei diesem Aufbau wird die Keramikplatte 1 mit der Haftgrundschicht 2 und danach mit der Lotschicht 4 beschichtet. Die Lotschicht 4 wirkt also als Korrosionsschutzschicht für die Haftgrundschicht 2. Die Metallplatte 5 wird mit der Korrosionsschutzschicht 2 versehen. Die so beschichtete Keramikplatte 1 und die beschichtete Metallplatte 5 werden wie beschrieben im Vakuumofen verlötet.
  • Alternativ zur beschriebenen Beschichtung der Keramikplatte 1 mit einer Haftgrundschicht 2 und einer Korrosionsschicht 3 kann auf die Keramikplatte 1 auch eine metallische Paste aus Wolfram- oder Molybdän-Pulver aufgetragen und in einem sich anschließenden Brennvorgang eingebrannt werden. Der Brennvorgang erfordert jedoch hohe Temperaturen. Auf diese so vorbereitete Keramikplatte 1 kann dann wie beschreiben eine Metallplatte 5 mittels Hartloten aufgebracht werden.
  • Bei einer Metallplatte 5 aus einer Eisen-Nickel-Legierung ergibt sich ein Verbundsystem mit sehr guter Temperaturwechselbeständigkeit. Die Eisen-Nickel-Legierung hat einen niedrigen Wärmeausdehnungs-Koeffizienten nahe demjenigen von Keramik, wodurch für das Verbundsystem eine hohe thermische Wechselbeanspruchung möglich ist.
  • Bei einer Metallplatte 5 aus Kupfer ergibt sich ein Verbundsystem mit sehr guter Ableitfähigkeit der während des Betriebes von Leistungs-Halbleiterbauelementen bzw.
  • anderen elektronischen oder elektrischen Bauelementen entstehenden Verlustleistungswärme, sowie mit sehr guter elektrischer Leitfähigkeit.
  • Eine gute Potentialtrennung ergibt sich bei beiden Ausführungsvarianten durch entsprechende Ausbildung der Keramikplatte 1.
  • Die Metallplatte 5 und die Keramikplatte 1 können vorgeformt und/oder struktuiert sein. Die Metallplatte 5 kann jedoch auch nach dem Fügeprozeß geätzt oder photolitographisch strukturiert werden. Die Metallplatte 5 kann nach dem Fügen darüberhinaus mittels bekannter Beschichtungsverfahren oberflächenbeschichtet werden. Durch Aufbringen einer lot- oder bondfähigen Schicht 6 werden die Metallteile z.B. lot- oder bondfähig. Ferner kann bei Verwendung einer Metallplatte 5 aus einer Eisen-Nickel-Legierung eine Kupferschicht galvanisch auf die Metallplatte 5 aufgebracht werden.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform einer Metallplatte 5 aus einer Eisen-Nickel-Legierung kann auch eine Kupferplatte zur Verbesserung des Stromleitvermögens auf die Metallplatte 5 aufgelötet werden. Dabei ist die Metallplatte 5 aus der Eisen-Nickel-Legierung vorzugsweise sehr dünn, während die aufzulötende Kupferplatte für hohe Ströme dimensioniert wird. Bei dieser Ausführungsform wird das gute thermische Ausdehnungsverhalten der Eisen-Nickel-Legierung mit dem guten elektrischen Leitvermögen des Kupfers kombiniert.
  • Das so vorbereitete Metall-Keramik-Verbundsystem ist dadurch für den Aufbau von Halbleiterbauelementen in Monoblocktechnik, Dick- oder Dünnschichttechnik und Hybridtechnik geeignet.
  • Die Keramikplatte 1 kann einseitig oder beidseitig mit einer oder mehreren Metallplatte(n) 5 versehen werden.
  • Die in Fig. 1 dargestellte Ausführungsform eines Metall-Keramik-Verbundsystems besitzt z.B. eine Metallplatte 5 auf der Unterseite sowie vier Metallplatten 5' mit Schichten 2', 3', 4' auf der Oberseite (Dreifach-Schichtfolge). Desweiteren sind Mehrlagen-Strukturen (Multilayer, siehe z.B. H. Müller, Konstruktive Gestaltung und Fertigung in der Elektronik", Band 1, Vieweg & Sohn, Braunschweig/Wiesbaden, 1981, Seite 210 bis 211), d.h. Verbundsysteme mit mehr als zwei Leiterebenen (Metallplatten) ausführbar.
  • Bei derartigen Verbundsystemem sind also mehrere Keramikplatten 1 mit Metallplatten 5 abwechselnd verlötet.
  • Das Fügen erfolgt gleichzeitig während eines einzigen Prozesses im Vakuumofen, die Metallplatten und Keramikplatten sind hierzu wie beschrieben entsprechend vorbereitet und beschichtet. Die Metallplatten und Keramikplatten können jeweils unterschiedlich dick sein, beispielsweise kann eine der Metallplatten als Stromführungsbahn und Montagefläche für Halbleiterbauelemente und die andere Metallplatte als Kühlkörper ausgebildet sein. Die als Kühlkörper dienende Metallplatte 5 ist dann entsprechend stärker als die als Stromführungsbahn dienende Metallplatte 5' ausgebildet.
  • Bei einer derartigen Mehrlagenstruktur ergibt sich eine hohe Packungsdichte und ein besonders hohes Wärmeableitvermögen, da keinerlei Wärmeübergangswiderstände in Folge rein mechanischer Berührungsflächen auftreten.
  • Auch ist keine mechanische Spannvorrichtung erforderlich.
  • In Fig. 2 ist ein insbesondere für Halbleiterblocktechnik geeignetes Metall-Keramik-Verbundsystem in Drei- fach Schichtfolge dargestellt. Eine Keramikplatte 1 ist dabei beidseitig mit Haftgrundschichten 2, 2' und Korrosionsschutzschichten 3, 30 versehen. Auf die Oberseite der beschichteten Keramikplatte 1 wird eine mit einer Lotschicht 4v versehene Metallplatte 5' gelegt. Die Unterseite der beschichteten Keramikplatte 1 wird mit einer auf ihrer Montagefläche mit einer Lotschicht 4 versehenen Sechskant-Metallschraube 8 in Kontakt gebracht. Danach wird das Verbundsystem wie beschrieben im Vakuumofen gelötet.
  • Anschließend wird die Metallplatte 5' mit einer lot-oder bondfähigen Schicht 6' versehen und ein diskretes Halbleiterbauelement 7 wird aufgelötet. Die Metallplatte 52 dient also als Montagefläche für das Halbleiterbauelement 7. Das Halbleiterbauelement 7 wird zum Schutz vor mechanischer Beschädigung mit einer Verkapselung 11 versehen (z.B. aus Kunststoff).
  • Die Sechskant-Metallschraube 8 dient als potential freie Kühlplatte für das Halbleiterbauelement 7 und entspricht prinzipiell der unteren Metallplatte 5 des in der Fig. 1 dargestellten Verbundsystems. Der Gewindebolzen 9 der Metallschraube 8 wird vorzugsweise in einen Kühler 10 eingeschraubt. Der Kühler 10 kann mehrere solcher einschraubbarer Verbundsysteme unterschiedlichen Potentials aufnehmen.
  • Alternativ hierzu kann die untere Metallplatte 5 nicht als Sechskant-Schraube, sondern als Kühler mit Kühlrippen selbst ausgebildet sein.
  • In den Figuren 3, 4 und 5 sind mehrere insbesondere für Schichttechnik und Hybridtechnik geeignete Metall-Keramik-Verbundsysteme dargestellt. Das Verbundsystem in Fig. 3 besitzt eine mit einer Lotschicht 4 versehene großflächige Metallplatte 5 als Chassis. Auf dieses Chassis werden mehrere kleinere Keramikplatten 1 gelegt, die zusammen eine gewünschte Struktur bilden. Die Keramikplatten 1 sind beidseitig mit einer Haftgrundschicht 2, 2' und einer Korrosionsschutzschicht 3, 3' versehen.
  • Auf die Keramikplatten 1 werden mehrere schmale, mit einer Lotschicht 4' versehene Metallplatten 5' gemäß einer gewünschten Struktur gelegt. Das Verbundsystem wird anschließend wie bereits beschrieben im Vakuumofen gelötet. Die schmalen Metallplatten 5' dienen gleichzeitig als Strombahnen, als Montageflächen und als#Anschlußstecker. Für ihre Funktion als Stecker stehen sie seitlich über Die schmalen Metallplatten 5' werden mit einer lot- oder bondfähigen Schicht 6' versehen. Anschließend werden auf die freien Flächen der Keramikplatten 1 (nicht dargestellte) Halbleiterbauelemente (oder auch Widerstände bzw. andere Bauelemente) in Dünn-oder Dickschichttechnik aufgebracht. Dabei ist eine hohe Packungsdichte möglich. Die externen Anschlußdrähte dieser Halbleiterbauelemente werden mit den schmalen Metallplatten 5' verlötet. Gegebenenfalls können auch einzelne Halbleiterbauelemente in Monoblocktechnik direkt mit den schmalen Metallplatten 5' verlötet werden. Auch die Bildung eines Hybridsystems ist möglich.
  • Die großflächige Metallplatte 5 dient zur Wärmeabführung der in den aufgebrachten Halbleiterbauelementen oder sonstigen Bauelementen während des Betriebes erzeugten Verlustwärme. Zum Einschub des Verbundsystems in eine Etage eines Schaltschrankes dienen mit dem Schrank verbundene Metallführungen 12 mit U-förmigem Profil. Über die Metallführungen 1=2 kann die Wärme an den Schaltschrank bzw. an einen im Schaltschrank montierten Kühler abgeführt werden.
  • Das Verbundsystem gemäß Fig. 4 besitzt eine beidseitig mit einer Haftgrundschicht 2, 2' und einer Korrosionsschutzschicht 3, 3' Versehene Keramikplatte 1. Auf die Unterseite der Keramikplatte 1 wird eine mit einer Lotschicht 4 versehene Metallplatte 5 gelegt. Auf die Oberseite der Keramikplatte 1 werden mehrere kleinere, mit einer Lotschicht 4' versehene Metallplatten 5' entsprechend einer gewünschten Struktur gelegt. Die Metallplatten 5' besitzen jeweils seitlich überstehende Zungen.
  • Das so geschaffene Verbundsystem wird im Vakuumofen gelötet.
  • Nach dem Fügeprozeß werden die Zungen der oberen Metallplatten 5' um 90b umgebogen. Sie dienen als Anschlußstecker 13. Die Montageflächen der oberen Metallplatten 5P werden mit einer lot- bzw. bondfähigen Schicht 6' versehen. Die freien Flächen auf der Oberseite der Keramikplatte 1 können mit Halbleiterbauelementen in Dünn- oder Dickschichttechnik versehen werden. Die externen Anschlüsse dieser Halbleiterbauelemente werden mit den beschichteten Metallplatten 5' verlötet. Die Wärmeabführung der während des Betriebes der Halbleiterbauelemente entstehenden Verlustwärme ist über die großflächige und entsprechend dicke untere Metallplatte 5 gewährleistet. Die untere Metallplatte 5 kann auch als Kühler mit Kühlrippen ausgebildet sein (nicht dargestellt) Das Verbundsystem gemäß Fig. 5 besitzt eine mit einer Lotschicht 4 versehene untere massive Metallplatte 5 als Wärmeableitplatte. Auf die untere Metallplatte 5 wird wiederum eine beidseitig mit einer Haftgrundschicht 2, 2' und einer Korrosionsschutzschicht 3, 3' versehene Keramikplatte 1 gelegt. Auf die Keramikplatte 1 werden mehrere als Leiterbahnen und Montageflächen in gewünschter Struktur dienende obere Metallplatten 5' mit seit- lich überstehenden Anschlußsteckern gelegt. Die Metallplatten 5' sind mit einer Lotschicht 4' versehen. Das so geschaffene Verbundsystem wird im Vakuumofen gelötet.
  • Anschließend wird auf die oberen Metallplatten 5' eine lot- oder bondfähige Schicht 6' aufgebracht und auf die so beschichteten Metallplatten 5' werden Halbleiterbauelemente 7 aufgelötet. Das mit 7' bezeichnete Halbleiterbauelement ist beispielsweise ein Thyristor, der über zwei galvanisch getrennte obere Metallplatten 5' gelötet ist, wobei zwischen den so überbrückten Metallplatten 5' ein Passivierungsgran 14 im Halbleiterbauelement 7' ausgebildet ist.
  • Aus Festigkeitsgründen bei der thermischen Wechselbeanspruchung der fertigen Baueinheit ist man bestrebt, die metallischen Komponenten der Verbundsysteme symmetrisch, d.h. aus gleichem Material Metall A/Keramik/Metall A aufzubauen. Doch bietet sich für spezielle Anwendungen (Fig. 2, 4 und 5) ebenfalls ein asymmetrischer Aufbau aus einem Kupferkörper als Wärmesenke, einer Keramikplatte und einer Molybdänplatte als lötfähige Basis für Silizium-Halbleiterleistungsbauelemente an, d.h. ein Aufbau Metall A/Keramik/Metall B.
  • Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Metall-Keramik-Verbundsystems sind desweiteren zahlreiche andere Ausführungsvarianten gemäß den Forderungen der Mikro- und Leistungselektronik ausführbar, wobei in allen -Fällen die Abfuhr der Verlustleistungswärme bei hoher elektrischer Isolation zwischen Schaltkreis und Wärmesenke gewährleistet ist. So kann z.B. ein Strommeßwiderstand (Shunt) mit Hilfe des Metall-Keramik-Verbundsystems aufgebaut werden. Auf die Keramikplatte wird hierzu ein Präzisions-Widerstandsmaterial aufgedampft. Zur Ableitung der Verlustleistungswärme ist die Keramikplatte wie be- schrieben mit einer Metallplatte verlötet. Anstelle des aufgedampften Widerstandsmaterials kann die Keramikplatte auch mit einem scheibenförmigen Widerstandsmaterial verlötet werden. Die Lotschicht zwischen Keramikplatte und Widerstandsmaterial wird dabei an mindestens einer Stelle unterbrochen, um die Bildung eines zum Widerstandsmaterial parallelen Widerstandes zu vermeiden.
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Claims (26)

  1. Ansprüche Leistungsmodul mit wenigstens einem auf einer Keramikplatte aufgebauten Leistungshalbleiterbauelement und einer mit der Keramikplatte verbundenen Metallplatte zur potential freien Abführung der im Betrieb entstehenden Verlustleistungswärme, dadurch gekennzeichnet, daß die zur Aufnahme wenigstens eines Leistungshalbleiterbauelements (7) in Dickschicht- bzw. Dünnschicht- bzw.
    Hybrid- bzw. Monoblocktechnik dienende Keramikplatte (1) unter Zwischenlage mindestens einer Haftgrundschicht (2), einer Korrosionsschutzschicht (3) und einer Lotschicht (4) mit der als massive Kühlplatte ausgebildeten Metallplatte (5) verlötet ist.
  2. 2 Leistungsmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte (1) unter Zwischenlage einer weiteren Haftgrundschicht (2'), einer weiteren Korrosionsschutzschicht (3') und einer weiteren Lotschicht (4') mit einer als Stromführungsbahn und Montagefläche mit gewünschter Struktursausgebildeten weiteren Metallplatte (5') verlötet ist.
  3. 3. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Kühlplatte dienende Metallplatte (5) als in einen Kühler (10) einschraubbare Metallschraube (8) mit Gewindebolzen (9) ausgebildet ist.
  4. 4. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Kühlplatte dienende Metallplatte (5) als ein in Metallführungen (12) eines Gerätes einschiebbares Chassis ausgebildet ist.
  5. 5. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahnen bzw. Montageflächen dienenden Metallplatten (5') gleichfalls als Anschlußstecker (13) ausgebildet sind.
  6. 6. Leistungsmodul nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Mehrlagenstruktur von Keramikplatten (1) und Metallplatten (5).
  7. 7. Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die Keramikplatte eine Haftgrundschicht und eine Korrosionsschutzschicht bzw.
    eine Haftgrundschicht und eine Lotschicht sowie auf eine Metallplatte eine Lotschicht bzw. eine Korrosionsschutzschicht nach dem Kathodenzerstäubungs-Verfahren aufgebracht werden und das so gebildete Metall-Keramik-Verbundsystem aus der beschichteten Keramikplatte und der beschichteten Metallplatte unter Einwirkung mechanischen Drucks und einer der Fließgrenze der Lotschicht entsprechenden Temperatur in einem Vakuumofen verlötet wird.
  8. 8. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Lotschicht und Metallplatte eine weitere Haftgrundschicht aufgebracht ist.
  9. 9. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Metallplatte aus Kupfer verwendet wird.
  10. 10. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehen- den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Metallplatte aus einer Eisen-Nickel-Legierung bzw. einer Eisen-Nickel-Cobalt-Legierung bzw. einer Eisen-Nickel-Chrom-Legierung verwendet wird.
  11. 11. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Metallplatte aus Molybdän verwendet wird.
  12. 12. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte aus Al203 verwendet wird.
  13. 13. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Keramikplatte aus BeO verwendet wird
  14. 14. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haftgrundschicht aus NiCr verwendet wird.
  15. 15. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haftgrundschichtschicht aus Cr verwendet wird.
  16. 16. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Korrosionsschutzschicht aus Gold verwendet wird.
  17. 17. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Korrosionsschutzschicht aus Silber verwendet wird.
  18. 18. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Lotschicht aus AuSn verwendet wird.
  19. 19. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hartmetall-Lotschicht verwendet wird.
  20. 20. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf die als Stromführungsbahn dienende Metallplatte eine lot- oder bondfähige Schicht aufgebracht wird.
  21. 21. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Keramikplatte und/oder die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte vor dem Lötprozeß strukturiert wird.
  22. 22 Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte nach dem Fügeprozeß strukturiert wird.
  23. 23. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn#und Montagefläche dienende Metallplatte photolithographisch strukturiert wird.
  24. 24. Verfahren nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die als Stromführungsbahn und Montagefläche dienende Metallplatte geätzt wird.
  25. 25. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Metallplatte aus einer Eisen-Nickel-Legierung eine Kupferschicht galvanisch aufgebracht wird.
  26. 26. Verfahren nach wenigstens einem der vorstehen- den Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf eine Metallplatte aus einer Eisen-Nickel-Legierung eine Kupferplatte aufgelötet wird.
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