DE1118889B - Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenfoermigen Halbleiterkoerper - Google Patents
Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenfoermigen HalbleiterkoerperInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
S 67990 Vmc/21g
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
Auslegeschrift: 7. DEZEMBER 1961
Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenförmigen
Halbleiterkörper, mit einer Legierungselektrode und mit einem Leitungsanschlußteil.
Eine solche Halbleiteranordnung wird erfindungsgemäß dadurch verbessert, daß das Anschlußteil als
Hohlzylinder ausgebildet ist, dessen Wandstärke an dem Ende vermindert ist, welches an der Legierungselektrode
der Halbleiteranordnung befestigt ist, und daß dieser Teil der Zylinderwand durch Schlitze in
nachgiebige Zungen unterteilt ist. Das Anschlußteil ist zweckmäßig an der Legierungselektrode der Halbleiteranordnung
anlegiert. Diese Gestaltung bringt den Vorteil, daß das Anschlußteil nachgiebig ist
gegenüber mechanischen Kräften, die entweder durch Wärmespannungen oder bei der Befestigung eines
elektrischen Leiters mit verhältnismäßig starkem Querschnitt, beispielsweise bei einem Gleichrichter,
entstehen können. Ferner wird durch diese Ausgestaltung der Nachteil weitgehend vermieden, daß
beim Zusammenlegieren eines Anschlußteiles, welches eine größere, beispielsweise scheibenförmige Auflagefläche
aufweist, mit der Legierungselektrode das flüssige Eutektikum zwischen der Auflagefläche des Anschlußteiles
und dem Halbleiterkörper herausgequetscht wird; hierdurch können bei der Abkühlung
Wärmespannungen zwischen der so gebildeten Wulst und dem Halbleiterkörper entstehen, die eventuell
zur Zerstörung desselben führen.
Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleiteranordnung gemäß der Erfindung ist in der Zeichnung veranschaulicht.
In einer p-leitenden Siliziumscheibe 2 ist durch einen Legierungsprozeß auf der Unterseite eine borhaltige
Goldfolie einlegiert, die eine borhaltige Gold-SiHzium-LegierungsschichtS
und einen ihr vorgelagerten, mit Bor hochdotierten p-leitenden Elektrodenbereich
3 α aus bei der Abkühlung rekristallisiertem Silizium geschaffen hat. Die Legierungstemperatur
kann dabei etwa 700 bis 800° C betragen. Im gleichen Arbeitsgang sind auf der
Oberseite der Siliziumscheibe durch Einlegieren einer scheibenförmigen, Antimon enthaltenden Goldfolie
eine antimonhaltige Goldlegierung 4 und ein mit Antimon dotierter η-leitender Bereich 4 a des Halbleiterkörpers
hergestellt. Der pn-übergang ist durch eine strichpunktierte Linie angedeutet. Getrennt und
unabhängig von dem vorbeschriebenen Arbeitsgang wird eine etwa 3 mm dicke Molybdänträgerplatte 5
mit einer Silberauflage 7 versehen. Diese Silberauflage kann beispielsweise aus einer etwa 100 μ dicken Silberfolie
bestehen, die mittels einer Lötfolie 6 auf die Halbleiteranordnung
mit einem einkristallinen, plattenförmigen Halbleiterkörper
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Dipl.-Phys. Reimer Emeis, Ebermannstadt (OFr.),
Dr. rer. nat. Adolf Herlet
und Dr. phil. Eberhard Spenke, Pretzfeld (OFr.),
sind als Erfinder genannt worden
sind als Erfinder genannt worden
Molybdänträgerplatte 5 bei etwa 850° C aufgelötet wird. Die Lötfolie 6 kann beispielsweise aus einem
Kupfer-Silber-Eutektikum mit einem Zusatz von etwa 4% Nickel und etwa 4% Mangan bestehen. Die Silberschicht
7 der so vorbereiteten Molybdänträgerplatte 5 wird bei einer Temperatur von etwa 400 bis
500° C mit der Legierungsschicht 3 der Siliziumscheibe
2 zusammenlegiert. Im gleichen Arbeitsgang oder einem getrennten wird auf der oberen Flachseite
der Siliziumscheibe 2 ein Anschlußteil 8 bei etwa 400 bis 500° C mit der Legierungselektrode 4 vereinigt.
Dieses Anschlußteil weist die Form einer Krone auf und besteht aus einem Hohlzylinder, dessen Mantel
am unteren Ende auf einer Länge von etwa 2 bis 4 mm bis auf eine Dicke von etwa 0,2 bis 0,4 mm
abgedreht ist. Der verbliebene Teil der Zylinderwand ist mit mehreren, beispielsweise sechs Schlitzen von
etwa 0,5 mm Breite versehen, die in Achsrichtung des Zylinders verlaufen und vorteilhaft gleichmäßig
auf dem Umfang verteilt sein können. Die stehengebliebenen Teile der dünnen Zylinderwand bilden
infolgedessen nachgiebige Zungen, deren untere Auflageflächen zur besseren Haftung am Elektrodenmetall
abgeschrägt sein können, so daß ihre Endflächen den Mantel eines abgestumpften Kegels bilden.
Die Krone kann vorteilhaft aus einem elektrisch gut leitenden Material bestehen, dessen Schmelzpunkt
wesentlich höher ist als die eutektische Temperatur des Elektrodenmaterials. In Verbindung mit
einem Siliziumhalbleiterkörper und einer Goldlegierungselektrode hat sich beispielsweise Silber, das zur
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besseren Benetzung noch vergoldet sein kann, für die Herstellung der Krone als geeignet erwiesen. Innerhalb
der Silberkrone 8 wird eine Scheibe 10 aus einem elektrisch gut leitenden Metall, beispielsweise
ebenfalls aus Silber, die etwa 0,1 mm dick sein kann und deren Durchmesser vorteilhaft etwa 1 bis 2 mm kleiner
als der Durchmesser der Krone 8 sein kann, auf die Legierungselektrode aufgebracht, beispielsweise ebenfalls
mit anlegiert. Die Silberscheibe 10 dient zur Verbesserung der Stromverteilung über den Teil der
Legierungselektrode innerhalb der Anschlußkrone 8. Beim Zusammenlegieren der Krone 8 mit der Legierungselektrode
zieht sich das flüssige Legierungsmetall durch Oberflächenkohäsion an den nachgiebigen
Zungen der Krone hoch und bildet an den Zungenenden eine Wulst. Dadurch wird die Menge an
Legierungsmetall auf der übrigen Elektrodenfläche, und zwar hauptsächlich im Inneren der Krone, vermindert
bis auf eine Dicke, die unter Umständen nur noch etwa 0,03 bis 0,04 mm betragen kann. Die Leitfähigkeit
dieser dünnen Legierungsschicht wird durch die Silberauflage erheblich verbessert und damit eine
gleichmäßige Stromverteilung hergestellt. Es hat sich erwiesen, daß die Stromverteilung über die gesamte
Fläche der Legierungselektrode am günstigsten ist, wenn sich der mittlere Durchmesser der Zungen der
Silberkrone 8 zum Durchmesser der Legierungselektrode etwa wie 1: ]fz verhält.
Die Anordnung nach der Erfindung kann in gleicher oder ähnlicher Weise auch bei Halbleiteranordnungen
mit mehreren, vorzugsweise konzentrisch angeordneten Legierungselektroden, beispielsweise
bei Vierschicht-Halbleiteranordnungen, angewendet werden.
Claims (8)
1. Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenförmigen Halbleiterkörper, mit einer
Legierungselektrode und mit einem Leitungs-
35 anschlußteil, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschlußteil als Hohlzylinder ausgebildet ist,
dessen Wandstärke an dem Ende vermindert ist, welches an der Legierungselektrode der Halbleiteranordnung
befestigt ist, und daß dieser Teil der Zylinderwänd durch Schlitze in nachgiebige
Zungen unterteilt ist.
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Anschlußteil an der
Legierungselektrode der Halbleiteranordnung anlegiert ist.
3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Hohlzylinder aus
einem Metall besteht, dessen Schmelzpunkt wesentlich über der eutektischen Temperatur der
Legierungselektrode liegt.
4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß in Verbindung mit einem Siliziumhalbleiterkörper
und einer Goldlegierungselektrode der Hohlzylinder aus Silber besteht.
5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Legierungselektrode
innerhalb der Auflagefläche des Hohlzylinders mit einer scheibenförmigen Auflage
aus einem elektrisch gut leitenden Material versehen ist.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage beim Auflegieren
des Anschlußteiles auf die Legierungselektrode mit auflegiert ist.
7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage aus dem
gleichen Material wie das Anschlußteil besteht.
8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Größe
des Hohlzylinders so gewählt wird, daß der mittlere Durchmesser des aus den Zungen bestehenden
Zylinderteiles zum Durchmesser der Legierungselektrode sich verhält wie 1: γ~2 ■
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Cited By (1)
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DE3147790A1 (de) * | 1981-12-03 | 1983-06-09 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3266137A (en) * | 1962-06-07 | 1966-08-16 | Hughes Aircraft Co | Metal ball connection to crystals |
US3382419A (en) * | 1966-05-12 | 1968-05-07 | Int Rectifier Corp | Large area wafer semiconductor device |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3147790A1 (de) * | 1981-12-03 | 1983-06-09 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Leistungsmodul und verfahren zu seiner herstellung |
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GB910486A (en) | 1962-11-14 |
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NL261783A (de) | 1900-01-01 |
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US3068383A (en) | 1962-12-11 |
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