AT226276B - Halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung

Info

Publication number
AT226276B
AT226276B AT132961A AT132961A AT226276B AT 226276 B AT226276 B AT 226276B AT 132961 A AT132961 A AT 132961A AT 132961 A AT132961 A AT 132961A AT 226276 B AT226276 B AT 226276B
Authority
AT
Austria
Prior art keywords
alloy electrode
arrangement according
crown
hollow cylinder
silver
Prior art date
Application number
AT132961A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of AT226276B publication Critical patent/AT226276B/de

Links

Landscapes

  • Thyristors (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description


   <Desc/Clms Page number 1> 
 



  Halbleiteranordnung 
 EMI1.1 
 

 <Desc/Clms Page number 2> 

 aus einem Hohlzylinder, dessen Mantel am unteren Ende auf einer Länge von zirka 2 bis 4 mm bis auf eine Dicke von etwa 0, 2 bis   0, 4 mm   abgedreht ist. Der verbliebene Teil der Zylinderwand ist mit meh- reren, beispielsweise sechs, Schlitzen von etwa 0, 5 mm Breite versehen, die in Achsrichtung des Zylinders verlaufen und vorteilhaft gleichmässig auf dem Umfang verteilt sein können. Die stehengebliebenen Teii le der dünnen Zylinderwand bilden infolgedessen nachgiebige Zungen, deren untere Auflageflächen zur besseren Haftung am Elektrodenmetall abgeschrägt sein können, so dass-ihre Endflächen den Mantel eines abgestumpften Kegels bilden.

   Die Krone kann vorteilhaft aus einem elektrisch gut leitenden Material be- stehen, dessen Schmelzpunkt wesentlich höher ist als die eutektische Temperatur des Elektrodenmate- rials. In Verbindung mit einem Siliciumhalbleiterkörper und einer Goldlegierungselektrode hat sich beispielsweise Silber, dass zur besseren Benetzung noch vergoldet sein kann, für die Herstellung der Krone als geeignet erwiesen. Innerhalb der Silberkrone 8 wird eine Scheibe 10 aus einem elektrisch gut leiten- den Metall, beispielsweise ebenfalls aus Silber, die zirka   0, 1 mm   dick sein kann, und deren Durchmes- ser vorteilhaft etwa 1-2 mm kleiner als der Durchmesser der Krone 8 sein kann, auf die Legierungselek- trode aufgebracht, beispielsweise ebenfalls mit anlegiert.

   Die Silberscheibe 10 dient zur Verbesserung der'Stromverteilung über den Teil der Legierungselektrode innerhalb der Anschlusskrone 8. Beim Zusam- menlegieren der Krone8 mit der Legierungselektrode zieht sich das   flüssigelegierungsmetall   durch Ober- flächenkohäsion an den federnden Zungen der Krone hoch und bildet an den Zungenenden einen Wulst. Da- durch wird die Menge an Legierungsmetall auf der übrigen   Elektrodenfläche,   u. zw. hauptsächlich im In- neren der Krone vermindert bis auf eine Dicke, die unter Umständen nur noch etwa 0, 03-0, 04 mm be- tragen kann. Die   Leitfähigkeit dieser   dünnen Legierungsschicht wird durch die Silberauflage erheblich verbessert und damit eine   gleichmässige Stromverteilung   hergestellt.

   Es hat sich erwiesen, dass die Strom- verteilung über die gesamte Fläche der Legierungselektrode am günstigsten ist, wenn sich der mittlere
Durchmesser der Zungen der Silberkrone 8 zum Durchmesser der Legierungselektrode etwa wie   l : Y ? ver-   hält. 



   Die Anordnung nach der Erfindung kann in gleicher oder ähnlicher Weise auch bei Halbleiteranord- nungen mit andern Halbleiterkörpern, beispielsweise aus Germanium und mit mehreren, vorzugsweise konzentrisch, angeordneten Legierungselektroden, beispielsweise bei Vierschicht-Halbleiteranordnungen (Stromtoren), angewendet werden. 



    PATENTANSPRÜCHE :    
1. Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenförmigen Halbleiterkörper mit einer Le- gierungselektrode und mit einem Leitungsanschlussteil, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussteil (8) als Hohlzylinder ausgebildet ist, dessen Wandstärke an dem Ende vermindert ist, welches an der Legie- rungselektrode (4) der Halbleiteranordnung befestigt, vorzugsweise anlegiert ist, wobei der   Hohlzylin   der (8) aus einem Metall besteht, dessen Schmelzpunkt wesentlich über der eutektischen Temperatur der
Legierungselektrode liegt, und dass dieser Teil der Zylinderwand durch Schlitze in nachgiebige Zungen unterteilt ist.

Claims (1)

  1. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in Verbindung mit einem an sich be- kannten Siliciumhalbleiterkörper (2) mit Gold-Legierungselektrode (4) der Hohlzyinder (8) aus Silber besteht.
    3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierungselektrode (4) innerhalb der Auflagefläche des Hohlzylinders (8) mit einer scheibenförmigen Auflage (10) aus einem elektrisch gut leitenden Material versehen ist.
    4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Auflage aus dem gleichen Material-wie der Anschlussteil besteht.
    5. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Grösse des Hohlzylinders so ge- wählt wird, dass der mittlere Durchmesser des aus den Zungen bestehenden Zylinderteils zum Durchmesser der Legierungselektrode sich verhält wie l : V2 ?
AT132961A 1960-04-09 1961-02-17 Halbleiteranordnung AT226276B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE226276T 1960-04-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
AT226276B true AT226276B (de) 1963-03-11

Family

ID=29593759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
AT132961A AT226276B (de) 1960-04-09 1961-02-17 Halbleiteranordnung

Country Status (1)

Country Link
AT (1) AT226276B (de)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2439886A1 (de) Armbanduhrgehaeuse
AT226276B (de) Halbleiteranordnung
AT207181B (de)
DE1118889B (de) Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen, plattenfoermigen Halbleiterkoerper
DE1262388B (de) Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet
DE823076C (de) Kolbenring aus Leichtmetall
DE1106873B (de) Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
AT231567B (de) Halbleiteranordnung
AT226827B (de) Halbleiterzelle mit einer gekapselten Halbleiteranordnung mit vier Schichten von abwechselnd gegensätzlichem Leitfähigkeitstyp und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE1471963B2 (de) Randwalze zum Greifen des Randes eines längs eines Bades aus geschmolzenem Metall fortbewegten Glasbandes
DE2512113A1 (de) Loetlegierung und verfahren fuer ihre anwendung zur vereinigung von werkstuekken, von denen wenigstens gewisse aus aluminium sind
DE849578C (de) Buerstenhalter fuer elektrische Maschinen
AT203599B (de) Verfahren zum vakuumdichten Verschließen einer Hülle einer halbleitenden Vorrichtung und nach diesem Verfahren hergestellte vakuumdichte Hülle für eine solche Vorrichtung
DE1285068C2 (de)
AT232132B (de) Halbleiteranordnung
DE1194063B (de) Halbleiteranordnung mit mehreren konzentrischen anlegierten Elektroden
AT141097B (de) Gasgefüllte Entladungsröhre zum Ableiten von Überspannungen.
DE911522C (de) Hochspannungskondensator mit Standfuss
AT228840B (de) Halbleitervorrichtung
DE647188C (de) Verfahren zur Herstellung von Lagerschalen
DE325323C (de) Kontaktfeder fuer elektrische Vorrichtungen
CH229927A (de) Gleitfunkenzündkerze.
AT235969B (de) Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium
DE1199103B (de) Verwendung einer Wismut-Tellur-Legierung als Lot und Verfahren zum Herstellen einer Loetverbindung
AT15587B (de) Thermoelektrisches Element.