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Halbleiteranordnung
Es sind Halbleiteranordnungen bekannt, die einen im wesentlichen einkristallinen. plattenförnigen Halbleiterkörper besitzen, der mit einer Trägerplatte grossflächig verbunden ist, die aus einem Material besteht, das eine gute elektrische Wärmeleitfähigkeit besitzt und einen Wärmedehnungskoeffizienten, der nicht wesentlich von dem Wärmedehnungskoeffizienten des Halbleitermaterials abweicht.
Der Ausdruck "grossflächig"bedeutet in diesem Zusammenhang ein solche Flächengrösse, bei welcher sich unterschiedliche Wärmedehnungen von miteinander fest verbundenen Platten störend bemerkbar machen würden, wie etwa bei Flächen von mehr als 1 mm2, insbesondere bis zu einigen cm2, deren Abmessungen nicht nur in einer einzigen Richtung, sondern in beidenFläche. tdimensionen grösser sind als 1 mm. BeiVerwendung von Halbleiterkörpern aus Germanium oder Silicium kann die Trägerplatte z. B. aus Molybdän oder Wolfram bestehen. Diese Trägerplatte ist meist mit einem Kühlkörper verbunden, der zugleich als elektrischer Anschluss für die Halbleiteranordnung benutzt werden und beispielsweise ein Kupferklotz mit Kühlfahnen, ein Kühlwasserkreislauf od. dgl. sein kann.
Die Verbindung der Trägerplatte mit dem Kühlkörper muss möglichst grossflächig sein, damit ein guter Wärmeübergang und ein geringer elektrischer Widerstand der Übergangsstelle gewährleistet ist. Bei Verwendung von Weichlot, beispielsweise Zinnlot, Bleilot, kann es vorkommen, dass die Weichlotschicht infolge der unterschiedlichen Wärmedehnungen der Trägerplatte und
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entwicklung die Schmelztemperatur des Lotes örtlich überschritten und dadurch die Verbindung vollends gelöst wird. Bei Verwendung von Hartlot, wie Silberlot od. dgl., kann die erforderliche Löttemperatur zu einer Verschlechterung der Eigenschaften des vorher fest mit der Trägerplatte verbundenen Halbleiterelementes führen.
Die Anwendung von Druck, Flussmitteln und andern Hilfsmitteln zur Herstellung solcher Lötverbindungen kann mit störenden Nebenwirkungen, wie mechanischen Spannungen, Verunreinigungen, Verminderung der Lebensdauer der Ladungsträger od. dgl., verbunden sein, welche die elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung verschlechtern oder ihren Bestand überhaupt gefährden.
Ein wesentliches Ziel der Erfindung besteht darin, die Nachteile der bekannten Anordnung zu vermindern bzw. ganz zu vermeiden. Die Erfindung beruht auf dem Gedanken, eine zum Halbleiterkörper bezüglich ihrer Wärmedehnung passende Metallplatte mit dem eigentlichen Halbleiterelement, das gewöhnlich mehrere Bereiche (Schichten oder Zonen) mit unterschiedlichen elektrischen Eigenschaften aufweist, nicht schon vor oder während seiner Erzeugung zu vereinigen, sondern erst in einem späteren Stadium des Herstellungsprozesses, insbesondere erst beim Zusammenbau mit weiteren Bestandteilen der gesamten Halbleiterzelle, also z.
B. mit einemKühlblock, einem Teil eines Gestelles oder Gehäuses, mit äusseren Stromanschlüssen oder Einrichtungen zum Einbau in ein grösseres Gerät, in welchem die Halbleiteranordnung mit weiteren Stromkreisteilen gleicher oder anderer Art zusammengefasst werden soll. Diesespätere Vereinigung des Halbleiterelementes und einer Metallplatte mit ähnlicher Wärmedehnung muss nach einer neuen Erkenntnis bei verhältnismässig niedriger Temperatur stattfinden, damit der Aufbau und die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterelementes nicht gefährdet werden. Un sicher zu gehen, bleibt man dabei am besten überhaupt unter der höchstzulässigen Betriebstemperatur des Halbleiterelementes. Die Erfindung ermöglicht es, diese Bedingungen zu erfüllen.
Demgemäss bezieht sich die Erfindung auf eine Halbleiteranordnung mit einem plattenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silicium, mit einer grossflächigen, mindestens teilweise aus Metall, z. B. aus einer Gold-
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Siliciumlegierung, bestehenden Kontaktelektrode. Die Erfindung besteht darin, dass die Kontaktelektrode mit einem Anschlusskontakt zusammengepresst ist, der aus einer metallenen Druckplatte mit ähnlicher Wärmedehnungszahl wie der Halbleiterkörper besteht und mit einer Kontaktschicht aus gleichem Metall wie das in der Kontaktelektrode enthaltene, also z. B. auch aus Gold oder aus einem damit gut legierenden andern Metall, z. B.
Silber, versehen ist, und dass mindestens eine der beiden Kontaktflächen eine gleichmässige Rauhigkeit mit einer Rauhtiefe zwischen 0, 5 und 50 p, vorzugsweise zwischen 1 und 3 t4 hat und jede der beiden Kontaktflächen in so hohem Grade eben ist, dass die beiderseitigen Abweichungen der gemittelten Fläche von einer geometrischen Ebene nicht grösser sind als die Rauhtiefe. Der Metallanteil der Kontaktelektrode soll vorzugsweise ein Edelmetall sein, ebenso die Kontaktschicht der Druckplatte.
Eine solche Druckkontaktverbindung hat den Vorteil, dass sie auf mechanischem Wege beim Zusammenbau ohne Erwärmung hergestellt werden kann. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass vor dem Zusammenbau des Halbleiterelementes und der Druckplatte die letztere für sich allein mit einem elektri- schen Anschluss aus Kupfer oder einem andern gutleitenden Metall auf gewöhnlichem Wege durch Lötung oder Schweissung versehen werden kann, u. zw. an einem vom Halbleiterelement beliebig weit entfernten Ort, so dass die oben erwähnte Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften des Halbleiterelementes durch den Löt- oder Schweissvorgang auf keinen Fall zu befürchten ist.
Schliesslich stellte sich bei der praktischen Erprobung der neuen Druckkontaktverbindung heraus, dass die Kontaktflächen nach einer gewissen Betriebsdauer mit normaler Belastung, bei welcher die höchstzulässige Betriebstemperatur nicht überschritten wurde, fest miteinander verwachsen waren. Eine gewaltsam herbeigeführte Trennung der Druckplatte vom Halbleiterelement erfolgte sogar in der Regel nicht an den Druckkontaktflächen, sondern die Legierungselektrode blieb mit der Druckplatte fest verbunden und brach dafür aus dem Halbleiterkörper heraus. Dieselbe unlösbare Verbindung zwischen den Druckkontaktflächen konnte auch vor Inbetriebnahme der Halbleiteranordnung durch eine Erwärmung von aussen, z.
B. in einem Ofen, mit annähernd gleichen Beträgen der Temperaturerhöhung und der Zeitdauer wie bei dem oben erwähnten Probebetrieb erzielt werden.
Die Erfindung soll im folgenden an Hand der Zeichnung näher erläutert werden :
Fig. 1 zeigt ein schematisches Schnittbild einer Kontaktfläche und dient lediglich zur Veranschaulichung der Begriffe "Rauhtiefe" und "gemittelte Fläche". In Fig. 2 ist ein Ausführungsbeispiel der neuen Druckkontaktverbindung in ähnlicher Weise wie in Fig. 1 schematisch dargestellt. Die Fig. 3 und 4 veran- schaulichen Ausführungsbeispiele von Halbleiteranordnungen mit der neuenDruckkontaktverbindung.
In Fig. l bezeichnet K einen Teil eines Druckkontaktes mit einer gleichmässig aufgerauhtenKontakt-
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eines benachbarten Vorsprunges eingezeichnet und soll den über die gesamte Kontaktfläche F gemittelten Wert dieser Masse bedeuten unter der Voraussetzung, dass die Werte der einzelnen Masse wegen der Gleich- mässigkeit der Aufrauhung nicht wesentlich voneinander abweichen. Aus der aufgerauhten Oberfläche F ist die durch eine gestrichelte Linie dargestellte gemittelte Fläche Fm in der Weise gebildet, dass das Gesamtvolumen aller Vertiefungen gegenüber der Fläche Fm gleich dem Gesamtvolumen aller über die Flä- che Fm hinausragenden Vorsprünge ist.
Ferner ist durch die gemittelte Fläche Fm eine zur Zeichenebene senkrechte geometrische Ebene E, dargestellt durch eine strichpunktierte Linie, sohindurchgelegt, dass die beiderseitigen grössten Abweichungen zwischen den beiden Flächen gleichgross sind. Die grösste Abweichung der Fläche Fm von der Ebene E nach eben ist mit ai bezeichnet und liegt etwa in der Mitte der
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dungen am äusseren Rande der Kontaktfläche sind hiebei eliminiert, indem die gestrichelte Linie Fm zum Rande hin mit gleicher Krümmung verlängert ist wie in der anschliessenden, nicht wesentlich abgerundeten Ringzone. Die Schnittpunkte dieser Verlängerungen mit den seitlichen Begrenzungslinien des Kontaktes K bilden jeweils den einen Endpunkt des Masses a2 dessen anderer Endpunkt durch die geometrische Ebene E gegeben ist.
Da die Abstandsmasse al und a nach der Darstellung grösser sind als die Rauhtiefe b, so folgt daraus, dass die dargestellte Kontaktfläche F den Bedingungen der Erfindung nicht genügen würde. Demgegenüber sind die Bedingungen der Erfindung bei dem Kontakt Kl erfüllt, von dem in Fig. 2 ein Teil in einem der Fig. l ähnlichen Massstabsverhältnis und in gleicher Weise im Schnitt dargestellt ist, denn hier ist die gemittelte Kontaktfläche praktisch eben. Eine derartige Flächengestalt kann z. B. durch das bekannte Läppverfahren hergestellt werden, indem dazu ein Schleifmittel von so feiner Körnung verwendet wird, dass die vorgeschriebene Rauhtiefe erreicht wird.
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Als Beispiel sei angenommen, dass der Kontaktteil K1 mit der oben erwähnten Kontaktelektrode iden- tisch ist, die sich auf einer Flachseite des Halbleiterkörpers befindet und überwiegend aus einem Edelme- tall wie Gold bestehen möge. Ihre freie Oberfläche wird nach geeigneter Bearbeitung, wie vorher bei- spielsweise angegeben, als Kontaktfläche für die neue Druckkontaktverbindung verwendet Der Gegenkon- takt K, möge aus einer Molybdänscheibe bestehen und mit einer Edelmetallaullage K versehen sein, die aus Silber bestehen möge oder aus einem andern Metall, das mit dem Metall des Kontaktes K1 gut legiert.
Die AuflageschichtK, kann also auch aus demselben Metall bestehen wie der Kontaktteil Kl, beispiels- weise ebenfalls aus Gold.
Statt der genannten Metalle können auch Metallegierungen verwendet werden, welche miteinander gut legieren. Die freie Oberfläche der Schichte ist in gleicher Weise bearbeitet wie die Kontaktfläche von K1, so dass beide Kontaktflächen dieselbe gleichmässige Rauhtiefe aufweisen und in gleich hohem Grade eben sind. Sie bilden infolgedessen, wenn sie fest aufeinandergepresst werden, eine für elektrischen Strom wie auch für Wärme gutleitende Druckkontaktverbindung. Der Kontaktdruck je Flächeneinheit wird vorteilhaft im Bereich von 50 bis 500 kg/cm2 gewählt.
Wenn mechanische Bean- spruchungen von aussen her zu erwarten sind, wird man innerhalb des genannten Bereiches einen höheren Flächendruck wählen, während die niedrigeren Werte des Bereiches geringeren Anforderungen genügen kön- nen. Die neue Druckkontaktverbindung hat sich unter anderem als vorteilhaft erwiesen für Halbleitern- ordnungen, bei denen die Berührungsfläche zwischen der Kontaktelektrode und ihrem Gegenkontakt mindestens 0, 5 cm2 gross oder grösser ist, insbesondere 1 cm2 und mehr beträgt.
Die in Fig. 3 dargestellte Halbleiteranordnung hat einen Kühlkörper, bestehend aus einem massiven Kupferklotz 2 mit einem Vorsprung 2a, auf dem die Trägerplatte der Halbleiteranordnung angebracht ist.
Ein ringförmiger Steg 3a dient zum Anbördeln eines Halteteiles 17. Der hochgezogene Rand 3b des Kupferklotzes dient zum Anbördeln weiterer Gehäuseteile, wie unten angegeben. Das Herzstuck der Anordnung bildet ein Aggregat (Sandwich), das beispielsweise aus der Trägerplatte 4, einer anlegierten Halbleiterscheibe 5 und einer darauf befindlichen Elektrode 6 bestehen und wie folgt hergestellt sein kann :
Auf eine Molybdänscheibe von etwa 20 mm Durchmesser und 2-3 mm Dicke wird eine scheibenförmige Aluminiumfolie von etwa 19 mm Durchmesser und 0, 05 mm Dicke gelegt. Auf diese Aluminiumfolie wieder wird ein einkristallines Plättchen aus p-leitendem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von etwa 1. 000 Ohm cm, einem Durchmesser von etwa 18 mm und einerDicke von 0, 3 mmgelegt.
Dar- dut folgt eine 0, 1 mm dicke Goldfolie mit etwa u, i) Antimongehalt, die einen kleineren Durchmesser hat als die Siliciumscheibe, z. B. 14 mm. Das Ganze wird in ein mit diesen Materialiennichtreagierendes, nichtschmelzendes Pulver, beispielsweise Graphitpulver, eingepresst und auf etwa 8000 C unter Anwendung von Druck erhitzt. Diese Erhitzung kann beispielsweise in einem Legierungsofen durchgeführt werden, welcher evakuiert bzw. mit einem Schutzgas gefüllt ist. Nach dem Erkalten werden die beiden Flachseite des Aggregates mit einem Schleifmittel von passender Feinkörnigkeitplangeläppt, so dass beiderseits Kontaktflächen mit den im Zusammenhang mitFig. 2 geschilderten guten Eigenschaften geschaffen werden, und dann von den Läppmittelresten gereinigt.
Hierauf folgt eine Schlussätzung der freien Halbleiteroberfläche, an welcher der äussere Rand des pn-Überganges auftaucht. Reste des Ätzmittels können mit destilliertem Wasser abgespült werden. Vorteilhaft schliesst sich ein Oxydationsprozess an, z. B. durch eine Spülung mit einer etwa zehnfachen oder noch höheren Verdünnung des vorher benutzten chemischen Ätzmittels oder dadurch, dass das Aggregat einige Minuten lang einer mitfampf von diesem Ätzmittel ver- setzten Atmosphäre ausgesetzt wird.
Nach Fig. 3 ruht die Trägerplatte 4 auf dem Vorsprung 2a des Kühlkörpers 2 mit einer verhältnismässig dicken Silberschicht 7 als Zwischenlage, beispielsweise einer Folie von 0, 1 bis 0, 2 mm Stärke. Diese Folie kann auf beiden Seiten mit einem erhabenen Muster versehen sein, z. B. einem Waffelmuster ähnlich der Rändelung von Rändelschrauben. Nach einer bevorzugten Ausführungsform ist diese Silberfolie durch Aus-
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muster auf der Oberfläche ergibt.
Auf der Oberseite der Halbleiteranordnung, also auf der Kontaktelektrode 6, die aus einemGold-5i- liciumeutektikum besteht, ruht ein stempelförmiger Teil, der zweckmässig vor dem Zusammenbau aus einzelnen Teilen zusamme igesetzt ist, nämlich aus einem Kupferbolzen 8, einer aus Kupfer bestehenden Ringscheibe 9 und einer 1-2 mm dicken Molybdänscheibe 10. Diese Teile sind beispielsweise miteinander hart verlötet. Die Unterseite der Molybdänscheibe 10 ist vorteilhaft mit einer 0, 1-0, 2 mm dicken Silberauflage versehen, z.
B. plattiert, und danach in der oben beschriebenen Weise derart plangeläppt, dass sie dieselbe gleichmässige Rauhtiefe und einen gleich hohen Ebenheitsgrad aufweist wie die Gegenkontaktfläche, nämlich die Oberfläche der goldhaltigen Elektrode 6.
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scheibe 12, eine weitere Stahlscheibe 13 und drei Tellerfedern 14, 15, 16 geschoben und zuletzt ein glok- kenförmiger Halteteil 17, der unten einen Flansch hat. Letzterer ist mit Hilfe des Steges 3a angebördelt.
Der obere Rand des Halteteiles 17 ist nach innen gezogen und bildet das Widerlager für die Tellerfedern, die dadurch zusammengepresst und gespannt werden. So ergibt sich, wie Fig. 3 zeigt, ein sehr gedrängter
Aufbau, bei dem alle Teile in ihrer genauen Lage zueinander festgehalten werden und demzufolge weder durch mechanische Erschütterungen noch durch Wärmebewegungen verschoben werden können. Eine wich- tige Rolle spielt dabei die Glimmerscheibe 12, welche sowohl zur elektrischen Isolierung des Halteteils 17 von der Goldelektrode 6 der Halbleiteranordnung dient als auch zur ZentrierungdesBolzens 8. Zu diesem
Zweck liegt der äussere Rand der Glimmerscheibe 12 an der zylindrischen Innenwand des Halteteils 17 an, während ihr innerer Rand den Kupferbolzell 8 berührt.
Zwischen den erfindungsgemäss ausgebildeten Druckkontaktflächen, die von der auf der Unterseite der Molybdänscheibe 10 befindlichen Silberauflage und der gegenüberliegenden goldhaltigenKontaktelektro- de 6 gebildet sind, entsteht durch die Betriebswärme eine feste Verbindung, indem die betreffenden bei- den Kontaktteile infolge teilweiser wechselseitiger Eindiffusion von Silber-und Goldteilchen an der Berührungsfläche unlösbar zusammenwachsen. Eine solche feste Verbindung kann auch schon bei der Herstellung durch mässige Erwärmung der aufeinandergepressten Teile auf eine Temperatur von beispielsweise
150-2500 C während einiger Stunden hervorgerufen werden.
Auf dieselbe Weise entsteht auch unterhalb der Molybdänscheibe 4 eine unlösbare Verbindung zwischen - der Silberfolie 7 und dem Vorsprung 2a des Kühlkörpers 2. Im Gegensatz dazu behalten die gegenseitigen Berührungsflächen der Molybdänscheibe 4 und der Silberfolie 7 die Fähigkeit, aufeinander zu gleiten, weil die Metalle Molybdän und Silber bei den hier in Betracht kommenden Temperaturen praktisch nicht miteinander legieren. Infolgedessen können sich bei wechselnder Höhe der thermischen Beanspruchungen die Unterschiede der Wärmedehnungen durch radiale gegenseitige Bewegungen der Flächenteile ausgleichen, ohne mechanische Spannungen hervorzurufen. Schliesslich ist ein glockenförmiger Gehäuseteil, der aus den Einzelteilen 18, 19, 20, 21 besteht, über die gesamte Anordnung gestülpt.
Der Teil 18 ist an seinem unteren Ende mit Hilfe des Randes 3b am Kühlkörper 2 angebördelt, während der Kupferbolzen 8 mit dem Teil 21 durch eineanquetschung verbunden ist. Der Teil 21 kann beispielsweise aus Kupfer bestehen, während die Teile 18 und 20 aus Stahl oder aus einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung wie Fernico, Kovar, Vacon bestehen können. Die Teile 20 und 21 sind miteinander verlötet oder verschweisst. Der Teil 19, welcher zweckmässig aus Keramik besteht, dient zur Isolierung. Er ist an den Stellen, an denen er mit den Teilen 18 und 20 zusammenstösst, metallisiert, so dass diese Teile mit ihm durch Lötung verbunden werden können. Ein Anschlusskabel 22 ist in den Teil 21 von aussen her eingeschoben und ebenfalls durch Anquetschung mit diesem verbunden.
Selbstverständlich kann das aus dem Halbleiterkörper mit einlegierten Kontaktelektroden und anlegierter-Trägerplatte bestehende Aggregat auch einen andern als den beschriebenen Aufbau aufweisen. Es kann sich also beispielsweise um einen Halbleiterkörper aus Germanium handeln, in den z. B. Elektroden aus Indium bzw. Blei-Arsen einlegiert wurden Die Trägerplatte kann beispielsweise aus gewissen hochlegierten Stahlsorten insbesondere mit Nickel-und Kobaltgehalt bestehen, welche einen ähnlichen Ausdehnungskoeffizienten, wie beispielsweise Germanium oder Silicium, aufweisen. Der Halbleiterkörper kann auch aus Siliciumkarbid bestehen oder aus einer intermetallischen Verbindung von Elementen der III. und V. oder der II. und VL Gruppe des periodischen Systems.
Geeignete Elektrodenmetalle hiefür und passende Metalle für Trägerplatten für die genannten Halbleitermaterialien sind an sich bekannt oder können nach bekannten Richtlinien ausgewählt werden.
Eine wichtige Eigenschaft der beschriebenen Anordnung ist darin zu sehen, dass das aus dem Halbleiterkörper mit einlegierten Elektroden und Träger- bzw. Anschlussplatten bestehende Aggregat auch gegebenenfalls umgekehrt wie in dem ausgeführten Beispiel in das Gehäuse eingebaut werden kann. Es können also auf diese Weise Halbleiterdioden unterschiedlicher Polarität mit vollkommen gleichem äusseremAuf- bau, mit übereinstimmenden Charakteristiken und auch mit ähnlichem Innenaufbau hergestellt werden.
Ein Beispiel einer solchen Anordnung ist in Fig. 4 teilweise dargestellt, die im übrigen nach Fig. 3 ergänzt werden kann. Bei der Ausführungsform nach Fig. 4 hat die oberhalb des Halbleiterkörpers angeordnete Molybdänscheibe 10a dieselbe Grösse wie die untere Molybdänscheibe 4. Die Verbindung zwischen dem stempelförmigen Anschlusskörper aus Kupfer, dessen beide Teile 8a und 9a hier von vornherein aus seinem Stück bestehen können, ist als Druckkontaktverbindung in der gleichen Weise ausgebildet wie die untere Druckkontaktverbindung zwischen der Molybdänscheibe 4 und dem Sockel 2a des Kühlkörpers 2 und weist infolgedessen ebenso wie diese eine gewisse Gleitfähigkeit in seitlichen Richtungen auf.
Die Gleit- Fähigkeit kann durch Graphitpulver, das beim Zusammenbau jeweils zwischen die beiden Teile der Druck-
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kontaktverbindung eingestreut werden kann, noch erhöht werden, ohne dass dadurch die guten Übergangs- eigenschaften für elektrischen Strom und Wärme beeinträchtigt werden. Da die Molybdänscheibe 10a in- folge ihres grossen Durchmessers über die ringförmige freie Oberfläche des Halbleiterkörpers, an der der pn-Übergang zutage tritt, hinwegreicht, ist es weiter vorteilhaft, dass dieser Oberflächenteil durch eine dünne Lackschicht, beispielsweise aus Siliconlack mit Alizarinzusatz, die auf das Halbleitermaterial nach der oben erwähnten Schlussätzung einschliesslich Spülung und Oxydation aufgetragen sein kann, geschützt ist.
Der freie Zwischenraum zwischen den beiden gleichgrossen Molybdänscheiben 4 und 10a kann vorteilhaft mit einer Giessharzfüllung 23 ausgefüllt sein, die man am Rande zweckmässig etwas überstehen lässt, wie in der ZeichnungdargestelltDadurch wird die Überschlagfestigkeit der Halbleiteranordnung wesentlich erhöht..
Das von den Molybdänscheiben eingeschlossene Aggregat kann bei gleicher Anordnung aller übrigen Teile der Ventilzelle auch umgekehrt angeordnet sein derart, dass die Scheibe 4 oben und die Scheibe 10a unten ist und die Durchlassrichtung von oben nach unten geht.
Die beschriebenen Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Gleichrichter. Die Erfindung ist aber nicht auf solche beschränkt, sondern kann auch bei andern Halbleiterdioden mit und ohne pn-Übergang angewendet werden, ferner bei Halbleitertrioden, wie Transistoren, Vierschichtenanordnungen (pnpn) mit Stromtorcharakter, Photoelementen und Phototransistoren sowie bei Vielfachanordnungen, bei denen mehrere derartige Dioden oder bzw. und Trioden in einem einzigen Halbleiterkörper vereinigt sind.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Halbleiteranordnung mit einem plattenförmigen, im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkörper, insbesondere aus Silicium, mit emer grossflächigen, mindestens teilweise aus Metall, z. B. aus einer GoldSiliciumlegierung, bestehenden Kontaktelektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktelektrode mit einem Anschlusskontakt zusammengepresst ist, der aus einer metallenen Druckplatte mit ähnlicher Wärmedehnungszahl wie der Halbleiterkörper besteht und mit einer Kontaktschicht aus gleichem Metall wie das in der Kontaktelektrode enthaltene, also z. B. auch aus Gold oder aus einem damit gut legierenden andern Metall, z. B.
Silber, versehen ist, und dass mindestens eine der beiden Kontaktflächen eine gleichmässige Rauhigkeit mit einer Rauhtiefe zwischen 0, 5 und fi0Jl, vorzugsweise zwischen 1 und 3 bt, hat und jede der beiden Kontaktflächen in so hohem Grade eben ist, dass die beiderseitigen Abweichungen der gemittelten Fläche von einer geometrischen Ebene nicht grösser sind als die Rauhtiefe.