DE1034272B - Unipolartransistor-Anordnung - Google Patents
Unipolartransistor-AnordnungInfo
- Publication number
- DE1034272B DE1034272B DEG17803A DEG0017803A DE1034272B DE 1034272 B DE1034272 B DE 1034272B DE G17803 A DEG17803 A DE G17803A DE G0017803 A DEG0017803 A DE G0017803A DE 1034272 B DE1034272 B DE 1034272B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- crystal
- electrode
- ring
- zone
- rings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft eine Unipolartransistor-Anordnung mit einem halbleitenden Grundkörper, die
hinsichtlich der zur Elektronenröhre analogen Wirkungsweise auch als Analog-Transistor-Anordnung
bezeichnet wird.
Schicht- und Spitzentransistoren sind diejenigen Transistorarten, auf die durchweg Bezug genommen
wird, wenn von Transistoren die Rede ist, und die am meisten Verwendung finden; daneben gibt es jedoch
noch eine weitere Art, die unter dem Namen »Unipolartransistor« bekannt ist und die auch als analog
wirkende Art bezeichnet wird, weil ihre Wirkungsweise in stärkerem Maße der einer Elektronenröhre
ähnelt. Bei einer Unipolartransistor-Anordnung benutzt man einen Kristall, der aus einem Halbleitermaterial
mit p-Halbleitung oder n-Halbleitung besteht
und an den an zwei gegenüberliegenden Seiten eine Spannung angelegt wird, um einen Strom hindurchfließen
zu lassen.
Man kann diesen Stromfluß durch den Kristall steuern, indem man auf den parallel zur Flußrichtung
liegenden Flächen des Kristalls eine den Stromweg umschließende Elektrode so anbringt, daß diese von
den erwähnten Elektroden Abstand hat.
Die Elektrode ist mit dem Kristall durch Auflegieren verbunden. Sie bildet entlang ihrer Legierungsfläche
eine Zone mit einer der Eigenschaft des Grundkristalls entgegengesetzten Halbleitercharakteristik.
Entsprechend der an dieser Elektrode angelegten Steuerspannung verändert die Zone der entgegengesetzten
Halbleitercharakteristik ihre Ausdehnung in Richtung auf das Halbleiterinnere, wodurch sich
der Durchtrittsquerschnitt für den erwähnten Stromfluß und damit der Durchlaßwiderstand des Kristalls
ändert. Die Wirkungsweise ist somit der einer Elektronenröhre ähnlich.
Bei den bisherigen Ausführungen hat sich die Herstellung eines gleichmäßig guten Kontaktes zwischen
Kristall und Steuerelektrode, insbesondere anJ den
scharfen Ecken, als technisch schwierig erwiesen. Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, diesen Nachteil
zu vermeiden.
Gemäß der Erfindung wird bei einem Halbleiterkörper, dessen Länge und Breite beträchtlich größer
als seine Dicke sind und der parallele Seitenflächen
aufweist, auf einer Seitenfläche eine Anzahl von Legierungselektroden in an sich bekannter Weise
ringförmig und konzentrisch aufgebracht. Die mittlere dieser ringförmigen Elektroden und die auf der
anderen Seite des Kristalls konzentrisch gegenüberliegende, ebenfalls kreisringförmige Elektrode gleichen
Durchmessers bilden die gemeinsamen Steuerelektroden des Transistors, während eine kleine und
eine größere ringförmige Elektrode, die nur die eine
Unipolartransistor -Anordnung
Anmelder:
General Motors Corporation,
Detroit, Mich. (V. St. A.)
Detroit, Mich. (V. St. A.)
Vertreter: Dr. W. Müller-Bore, Patentanwalt,
Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Braunschweig, Am Bürgerpark 8
Beanspruchte Priorität:
V. St. v. Amerika vom 17. August 1954
V. St. v. Amerika vom 17. August 1954
Edward George Roka, Kokomo, Ind. (V. St. A.),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Steuerelektrode konzentrisch in einem gewissen Abstand
umgeben, die gesteuerten Elektroden darstellen.
Es werden also die Steuerelektrodeu ebenso wie die Ein- und Ausgangselektroden ausschließlich auf ebenen
Flächen aufgebracht, wodurch die Herstellung vereinfacht und ein gleichmäßiger Kontakt gewährleistet
wird.
Die Erfindung wird an Hand eines Ausführungsbeispiels nachstehend beschrieben und durch die
Zeichnungen veranschaulicht.
Fig. 1 ist die perspektivische Ansicht eines Unipolartransistors herkömmlicher Art;
Fig. 2 zeigt in perspektivischer Ansicht einen Unipolartransistor gemäß der Erfindung;
Fig. 3 ist ein Schnitt längs der Linie 3-3 in Fig. 2; Fig. 4 ist ein Schaltbild und zeigt die Anschlüsse
• eines Unipolartransistors gemäß der Erfindung in einer Schaltung.
Der bekannte Unipolartransistor nach Fig. 1 besteht aus einem Kristall 2 aus halbleitendem Material,
z. B. η-leitendem Germanium, das unter der Elektrode 12 eine Zone mit p-leitendem Verhalten
aufweist. Bei Anlegen einer Spannung an die Zuleitungen 8 und 10 erfolgt ein Stromdurchgang durch
den Kristall.
Metallisch leitende Kontakte 4 und 6, die bei einem Kristall aus η-Silizium oder η-Germanium aus Zink,
Antimon und anderem Metall bestehen können, sind an den gegenüberliegenden Enden des Kristalls auflegiert
oder auf andere Weise aufgebracht und ihrerseits mit den Zuleitungsdrähten 8 und 10 verbunden.
4 und 6 stellen die gesteuerten Elektroden dar. Eine
809 577/314
Claims (3)
1. Unipolartransistor-Anordnung mit ainem
halbleitenden Grundkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper, dessen Länge und
Breite beträchtlich größer als seine Dicke sind und parallele Seitenflächen aufweist, eine Anzahl
von Legierungselektroden trägt, die in an sich bekannter Weise ringförmig und konzentrisch angeordnet
sind, wobei aber auf der einen. Seite eine ringförmige Elektrode (20) mittleren Durchmessers
und eine entsprechende Elektrode (24) gleichen Durchmessers auf der gegenüberliegenden
Seite die gemeinsamen S teuer elektroden bilden, während eine kleine und eine größere ringförmige
Elektrode (18 und 22), die nur die eine Steuerelektrode konzentrisch in einem gewissen
Abstand umgeben, die gesteuerten Elektroden darstellen.
2. Unipolartransistor-Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die innere
Elektrode (18) ein Kreisring mit dem Innendurchmesser Null ist.
3. Unipolartransistor-Anordnung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß bei
η-leitendem monoatomarem Halbleiter die innere Elektrode (18) sowie die äußere Elektrode (22),
die gesteuert werden, aus Zink oder Kobalt sind, •während die mittlere Steuerelektrode (20) und die
entsprechende Steuerelektrode (24) auf der gegenüberliegenden Seite aus Aluminium sind.
In Betracht gezogene Druckschriften: USA.-Patentschrift. Nr. 2 672 528;
Ptoc. IRF, Bd; 40 (1952), S. 1327;
Torrey-Whitmer, Crystal rectifiers, New York, 1948, S. 365.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
1 809 577/314 7.58
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US450427A US3081421A (en) | 1954-08-17 | 1954-08-17 | Unipolar transistor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1034272B true DE1034272B (de) | 1958-07-17 |
Family
ID=23788051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEG17803A Pending DE1034272B (de) | 1954-08-17 | 1955-08-17 | Unipolartransistor-Anordnung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3081421A (de) |
DE (1) | DE1034272B (de) |
FR (1) | FR1129770A (de) |
GB (1) | GB812554A (de) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1099646B (de) * | 1958-08-29 | 1961-02-16 | Joachim Immanuel Franke | Unipolarer Transistor mit einem plattenfoermigen Halbleiterkoerper und mindestens drei einander umschliessenden Elektroden auf dessen einer Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1111298B (de) * | 1959-04-28 | 1961-07-20 | Licentia Gmbh | Elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung |
DE1115837B (de) * | 1958-09-04 | 1961-10-26 | Intermetall | Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper |
DE1197561B (de) * | 1960-09-21 | 1965-07-29 | Ass Elect Ind | Elektrisches Festkoerperbauelement |
WO2007129718A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | A & D Company, Limited | 電子天秤の荷重計測機構および同機構の組み立て方法 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1069784B (de) * | 1957-04-27 | 1960-04-21 | Süddeutsche Telefon-Apparate-, Kabel- und Drahtwerke A.G., TEKADE, Nürnberg | Verfahren zur Herstellung einer sperrschichtfreien Elektrode auf dem Halbleiterkörper aus Germanium einer Halbleiteranordnung |
DE1105522B (de) * | 1958-11-12 | 1961-04-27 | Licentia Gmbh | Transistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper |
NL290035A (de) * | 1962-03-12 | |||
NL290534A (de) * | 1962-03-23 | 1900-01-01 | ||
US3249828A (en) * | 1962-06-15 | 1966-05-03 | Crystalonics Inc | Overlapping gate structure field effect semiconductor device |
GB1052379A (de) * | 1963-03-28 | 1900-01-01 | ||
US3275911A (en) * | 1963-11-06 | 1966-09-27 | Motorola Inc | Semiconductor current limiter |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2672528A (en) * | 1949-05-28 | 1954-03-16 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2600500A (en) * | 1948-09-24 | 1952-06-17 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating device with controlled carrier transit times |
US2666814A (en) * | 1949-04-27 | 1954-01-19 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
US2644914A (en) * | 1949-08-17 | 1953-07-07 | Bell Telephone Labor Inc | Multicontact semiconductor translating device |
US2842723A (en) * | 1952-04-15 | 1958-07-08 | Licentia Gmbh | Controllable asymmetric electrical conductor systems |
NL299567A (de) * | 1952-06-14 | |||
US2953730A (en) * | 1952-11-07 | 1960-09-20 | Rca Corp | High frequency semiconductor devices |
US2754431A (en) * | 1953-03-09 | 1956-07-10 | Rca Corp | Semiconductor devices |
-
1954
- 1954-08-17 US US450427A patent/US3081421A/en not_active Expired - Lifetime
-
1955
- 1955-07-28 GB GB21816/55A patent/GB812554A/en not_active Expired
- 1955-08-12 FR FR1129770D patent/FR1129770A/fr not_active Expired
- 1955-08-17 DE DEG17803A patent/DE1034272B/de active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2672528A (en) * | 1949-05-28 | 1954-03-16 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor translating device |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1099646B (de) * | 1958-08-29 | 1961-02-16 | Joachim Immanuel Franke | Unipolarer Transistor mit einem plattenfoermigen Halbleiterkoerper und mindestens drei einander umschliessenden Elektroden auf dessen einer Oberflaeche und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE1115837B (de) * | 1958-09-04 | 1961-10-26 | Intermetall | Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper |
DE1111298B (de) * | 1959-04-28 | 1961-07-20 | Licentia Gmbh | Elektrisch unsymmetrisch leitende Halbleiteranordnung |
DE1197561B (de) * | 1960-09-21 | 1965-07-29 | Ass Elect Ind | Elektrisches Festkoerperbauelement |
WO2007129718A1 (ja) | 2006-05-02 | 2007-11-15 | A & D Company, Limited | 電子天秤の荷重計測機構および同機構の組み立て方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3081421A (en) | 1963-03-12 |
GB812554A (en) | 1959-04-29 |
FR1129770A (fr) | 1957-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE977615C (de) | Verfahren zur Herstellung eines fuer Signaluebertragungsvorrichtungen bestimmten Halbleiterelements | |
DE2050289A1 (de) | ||
DE1197549B (de) | Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht | |
DE2041497B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
DE3134074A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1034272B (de) | Unipolartransistor-Anordnung | |
DE1094370B (de) | Symmetrisch aufgebaute, flaechenhafte Halbleiteranordnung, insbesondere Transistor | |
DE2944069A1 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE2103146A1 (de) | Mittels einer Gate Elektrode Steuer bares Schaltelement | |
DE2104726A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE6912949U (de) | Halbleitergleichrichter. | |
DE3041818C2 (de) | ||
DE1262388B (de) | Verfahren zur Erzeugung eines nicht-gleichrichtenden UEbergangs zwischen einer Elektrode und einem dotierten thermoelelktrischen Halbleiter fuer ein thermoelektrisches Geraet | |
DE1912931C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1130525B (de) | Flaechentransistor mit einem scheibenfoermigen Halbleiterkoerper eines bestimmten Leitungstyps | |
DE812091C (de) | Verstaerker aus einem Halbleiterkoerper | |
DE3616185C2 (de) | ||
DE1539111B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE1066283B (de) | ||
DE2606885A1 (de) | Halbleiterbauteil | |
DE1218621B (de) | Siliziumgleichrichterelement mit einem kreisscheibenfoermigen Siliziumplaettchen | |
DE3616233C2 (de) | ||
AT231567B (de) | Halbleiteranordnung | |
DE1166940B (de) | Halbleiterbauelement mit einem im wesentlichen einkristallinen Halbleiterkoerper und vier Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps und Verfahren zum Herstellen | |
DE1175797B (de) | Verfahren zum Herstellen von elektrischen Halb-leiterbauelementen |