AT235969B - Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium - Google Patents
Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus SiliziumInfo
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Description
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Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium
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in die aus Aluminium und Halbleitermaterial entstehende Legierung bringen. In der Zeichnung ist ein
Ausführungsbeispiel dargestellt : Eine Molybdänscheibe 2 von z. B. 2 mm Dicke und 20 mm Durchmesser ist auf der einen Flachseite mit einer Nickelschicht 3 versehen, welche eine Dicke von etwa 0, l-l fi besitzt. Diese Nickelauflage kann z. B. galvanisch oder durch Aufdampfen aufgebracht werden. An- schliessend wird eine Aluminiumfolie 4 von z. B. 19 mm Durchmesser auf diese Nickelauflage aufgelegt.
Die Folie kann z. B. 60/l dick sein. Dem Aluminium können gegebenenfalls andere Zusätze, beispiels- weise Bor, beigegeben sein. Auf die Aluminiumfolie 4 wird eine Siliziumscheibe 5 von z. B. 300 fi Dicke und 18 mm Durchmesser aufgelegt. Auf deren Oberseite wird eine Folie aus einer Gold-Antimon-Legierung (ca. 0, 5 % Sb) von etwa 15 mm Durchmesser und 80 u Dicke aufgelegt.
Das Ganze kann in ein mit den Bestandteilen nicht reagierendes Pulver, z. B. Graphitpulver, eingebettet werden und wird dann z. B. in einem elektrischen Widerstandsofen auf etwa 8000 C aufgeheizt.
Hiebei entsteht eine Aluminium-Silizium-Legierung, in welche das Nickel eindringt und die verbesserte Legierungsfront schafft. Auf der andernFlachseite desSiliziumkörpers entsteht eineeutektisch zusammengesetzte Gold-Silizium-Legierung, welcher in das Innere des Halbleiterkörpers eine antimondotierte n-leitende Rekristallisatlonszone vorgelagert ist.
Das Ganze bildet nach dem Legierungsvorgang ein Gleichrichter-Bauelement und ist infolge der Molybdänscheibe 2 mechanisch sehr stabil. Wenn man von dem so hergestellten Aggregat z. B. mit Hilfe einer aus Salpetersäure und Flusssäure zusammengesetzten Ätzlösung das Silizium ablöst, z. B. nachdem die oberhalb des Siliziums befindliche Goldelektrode mit Hilfe von Königswasser entfernt wurde, so bleibt die Molybdänscheibe 2 mit dem darauf. befindlichen Aluminium-Silizium-Eutektikum zurück. Auch hier zeigt das Eutektikum eine fast spiegelblanke, vollkommen ebene Oberfläche und zeigt damit die vorteilhafte Wirkung des Nickelzusatzes.
Als weiterer Vorteil der Verwendung von Nickel ist noch anzuführen, dass das Nickel an der Oberfläche eines Halbleiter-Bauelementes als Getter für verschiedene Fremdstoffe, z. B. Schwermetalle, dienen kann, die während nachfolgender Herstellungsvorgänge oder auch während des Betriebes der Halbleiteranordnungen auf die Oberfläche des Halbleiterkörpers gelangen und sonst bei Erwärmung in diesen eindiffundieren könnten.
PATENTANSPRÜCHE :
1. Verfahren zum Erzeugen einer hochdotierten p-leitenden Zone in einem Halbleiterkörper, insbesondere aus Silizium, bei dem der Halbleiterkörper mit Aluminium in flächenhafte Berührung gebracht und das Ganze auf eine Temperatur oberhalb der eutektischen Temperatur von Aluminium und dem Halbleitermaterial erwärmt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der entstehenden Aluminium-Halbleiterlegierung Nickel zugesetzt wird.
Claims (1)
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Nickel in einer Menge von 0,5 bis 5 Gew. -0/0, vorzugsweise von 2 Gew. -D/o, bezogen auf das Aluminium, zugesetzt wird.3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Aluminium-Nickel-Legierung hergestellt wird und dass eine Folie dieser Legierung auf den Halbleiterkörper aufgelegt und mit diesem erwärmt wird.4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Körper aus einem Metall, das eine über den zur Anwendung gelangenden Temperaturen liegende Schmelztemperatur hat, mit einer Nickelauflage versehen wird, dass auf die Nickelauflage eine Aluminiumfolie und darauf ein scheibenförmiger Halbleiterkörper gelegt und dann das Ganze erwärmt wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE235969X | 1962-05-29 |
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| AT (1) | AT235969B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1286220C2 (de) * | 1965-06-28 | 1974-04-04 | Deutsche ITT Industries GmbH, 78OO Freiburg | Verfahren zum herstellen von aluminium und nickel enthaltenden legierungskontakten |
-
1963
- 1963-01-29 AT AT68263A patent/AT235969B/de active
Cited By (2)
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| DE1286220B (de) * | 1965-06-28 | 1974-04-04 | Verfahren zum herstellen von aluminium und nickel enthaltenden legierungskontakten |
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